• Podstawowym materiałem, z którego wytwarza się obecnie
elementy półprzewodnikowe, jest krzem Si.
• W początkach rozwoju elementów półprzewodnikowych taką
rolę odgrywał german Ge.
• Obok krzemu i germanu istnieją też półprzewodniki złożone,
np. arsenek galu GaAs lub antymonek indu InSb.
• Szerokość pasma zabronionego W wynosi: 1,12 eV dla krzemu,
0,67 eV dla germanu i 1,43 eV dla arsenku galu
• Półprzewodniki samoistne.
• Półprzewodniki domieszkowane.
Półprzewodniki
samoistne
(typu
I).
Takimi
półprzewodnikami są monokryształy np. krzemu, które w
temperaturze
bezwzględnego zera są izolatorami, a ich
pasmo walencyjne jest
całkowicie wypełnione, a pasmo
przewodnictwa
całkowicie wolne, zaś po otrzymaniu pewnej
ilości energii np. energii cieplnej może nastąpić w nich
lokalne zerwanie pewnej liczby
wiązań kowalentnych i
przejście niektórych elektronów z pasma walencyjnego do
pasma przewodnictwa.
Swobodne
elektrony
stają się nośnikami ładunku
elektrycznego.
Pozostałe po elektronach wolne miejsca w
wiązaniach,
równoważne
elementarnym
ładunkom
dodatnim, nazywa
się dziurami. Zjawisko to nazywa się
generacją par: elektron — dziura.
Miejsce dziury w
wiązaniu może zająć elektron z wiązania sąsiedniego atomu,
tworząc nową dziurę w innym miejscu, w związku z czym można też mówić o
przemieszczaniu
się dziur.
Równocześnie z procesem generacji zachodzi zjawisko
odwrotne, zwane
rekombinacją, a polegające na
wzajemnej neutralizacji
ładunków dziury i elektronu
powracającego do pasma walencyjnego.
W warunkach ustalonych liczba generowanych par
elektron-dziura jest
równa liczbie par podlegających
rekombinacji.
Półprzewodnik domieszkowany typu N stanowi
monokryształ
pierwiastka
podstawowego
(czterowartościowego krzemu lub germanu) z domieszką
pierwiastka o
pięciu elektronach walencyjnych, zwanego
donorem (np. arsenu, antymonu lub fosforu).
Atomy donora
zajmują węzłowe miejsca w sieci krystalicznej,
tworząc swymi czterema elektronami wiązania kowalentne z
atomami pierwiastka podstawowego.
Piąty nadmiarowy
elektron jest
słabo związany z atomami pierwiastka
podstawowego.
Domieszka zmniejsza pasmo zabronione W i wynosi ono
odpowiednio 0,049 eV dla domieszki arsenu i 0,044 eV dla
domieszki fosforu.
W
związku z tym w temperaturze 100 K praktycznie wszystkie
atomy donora
są zjonizowane i ich elektrony nadmiarowe
przechodzą do pasma przewodnictwa.
W normalnych warunkach
półprzewodnik
domieszkowany typu N ma
więcej
swobodnych
elektronów
niż
dziur
(powstających np. wskutek
generacji
termicznej
par
dziura-elektron) i elektrony
są
większościowymi nośnikami
prądu.
Półprzewodnik
domieszkowany
typu
P
stanowi
monokryształ pierwiastka podstawowego z domieszką
pierwiastka o trzech elektronach walencyjnych, zwanego
akceptorem (np. boru, galu, glinu lub indu).
Wskutek tego w otoczeniu atomu domieszki jeden z
elektronów
czterowartościowego
pierwiastka
podstawowego jest
słabo związany z pozostałymi atomami i
wystarczy dostarczenie niewielkiej
ilości energii (np. przez
podgrzanie do ok. 100 K), aby
opuścił on pasmo
walencyjne,
pozostawiając po sobie swobodną dziurę.
Elektron przechwytywany jest przez lokalny poziom
energetyczny domieszki,
znajdujący się w pobliżu pasma
walencyjnego: W wynosi 0,067 eV dla domieszki glinu i
0,045 eV dla domieszki boru. W
półprzewodniku typu P
dziury, czyli
ładunki dodatnie, są większościowymi nośnikami
prądu.
Właściwości elektryczne półprzewodników domieszkowanych
są determinowane przez domieszki w zakresie temperatur od
100 do 400 K.
Zależna
od
temperatury
koncentracja
nośników
samoistnych (tzn. par dziura-elektron) w temperaturze
300 K wynosi
przykładowo dla krzemu 15 • 10
10
par w 1
cm
3
, to koncentracja
nośników nadmiarowych (tzn.
elektronów w półprzewodniku typu N lub dziur w
półprzewodniku typu P) jest o kilka rzędów większa i
zależnie od zawartości domieszek wynosi od 10
14
do 10
18
nośników nadmiarowych w 1 cm
3
.
Złącza
Elementy
układów elektronicznych budowane są jako
złączowe i bezzłączowe.
Złączem nazywa się wąski obszar (o szerokości rzędu 10
-7
m), w
którym zachodzi zmiana koncentracji nośników
swobodnych
o
kilka
rzędów
wielkości. Praktycznie
najważniejsze jest złącze PN, w którym zmianie koncentracji
towarzyszy
także zmiana rodzaju domieszki (akceptor-donor).
• Rezystancjami
niesterowanymi
są
rezystory
półprzewodnikowe, warystory i termistory.
• Rezystory półprzewodnikowe wykonuje się zwykle jako
ścieżki z półprzewodnika N+ na podłożu N lub P+ na
podłożu P.
• Warystory są rezystorami nieliniowymi o rezystancji
zależnej od przyłożonego napięcia.
• Termistory są rezystorami nieliniowymi o rezystancji
zależnej od temperatury.
• Rezystancjami
sterowanymi
są
piezorezystor,
fotorezystor i magnetorezystor (gaussotron).
• Hallotron jest elementem, w którym generowane jest
napięcie Halla pod wpływem indukcji magnetycznej w
płytce hallotronu.
• Tranzystor unipolarny bezzłączowy z izolowaną
bramką jest rezystancją sterowaną natężeniem pola
elektrycznego
Złącze PN stanowi ważną część składową wszystkich
elementów złączowych.
Jest to
monokryształ półprzewodnika, który z jednej strony
zawiera
domieszkę donorową (obszar N), a z drugiej
domieszkę akceptora (obszar P), co schematycznie
przedstawiono na rysunku.
Stan
równowagi występuje
wtedy, gdy wypadkowy
prąd w
złączu jest równy zeru, tzn.
gdy liczba przemieszczanych
nośników
mniejszościowych
jest
równa
liczbie
dyfundujących
nośników
większościowych.
Napięcia
bariery
potencjału
złącza nie daje się zmierzyć
bezpośrednio
(np.
woltomierzem),
gdyż
na
połączeniach
metalowych
elektrod
z
półprzewodnikiem
powstają
kontaktowe
siły
elektromotoryczne, na skutek
czego
różnica
potencjałów
między elektrodami jest równa
zeru
•Różnicę potencjałów obszarów typu N oraz typu P nazywa
się napięciem bariery potencjału Ubp. Napięcie to zależy od
rodzaju
materiału monokryształu, koncentracji domieszek i
temperatury. Dla
złącz germanowych wynosi ono ok. 0,5 V, a
dla krzemowych ok. 1 V,
malejąc przy wzroście temperatury
o ok. 2,5 mV na 1 K.
Charakterystyka
napięciowo-prądowa złącza PN: U
F
,
I
F
— napięcie i prąd przewodzenia, U
R
,I
R
— napięcie i
prąd przy polaryzacji zaporowej
Diody
półprzewodnikowe dzieli się na:
•diody prostownicze - przeznaczone do prostowania prądu
zmiennego,
•sygnałowe - przeznaczone do pracy w układach przetwarzania
sygnałów elektrycznych,
• specjalne.
Diody prostownicze
pracują przy zmieniającej się
cyklicznie polaryzacji w kierunku przewodzenia i polaryzacji
w kierunku zaporowym.
Z praktycznego punktu widzenia
głównymi parametrami
diody
prostowniczej,
w
określonych znamionowych
warunkach cieplnych,
będzie dopuszczalna wartość średnia
prądu wyprostowanego i dopuszczalne napięcie wsteczne
pracy.
Przykładowo diodę o prądzie dopuszczalnym 10 A i napięciu 100 V
1.
Dopuszczalną temperaturą złącz germanowych jest
około 360 K, a złącz krzemowych — około 430 K.
2. Diody prostownicze o
dużej mocy są zwykle
zaopatrzone w radiatory,
chłodzone z wymuszonym
obiegiem powietrza.
3. Diody prostownicze warstwowe
używane są do
prostowania
prądu
o
częstotliwości
nie
przekraczającej na ogół 400 Hz.
Diody
sygnałowe - diody detekcyjne wykonywane ze
złączem PN typu ostrzowego i charakteryzujące się w
związku z tym niewielką pojemnością, a stosowane w
układach detekcji sygnałów wysokich częstotliwości,
diody impulsowe
charakteryzujące się krótkim czasem
przejścia ze stanu przewodzenia do zaporowego, a
stosowane w
układach cyfrowych.
Diody specjalne: Zenera
(stabilizacyjną), pojemnościową,
tunelową, fotodiodę i diodę luminescencyjną.
Diodą Zenera jest specjalna dioda krzemowa, w której
pod
wpływem określonego napięcia wstecznego następuje
tzw. przebicie tunelowe (Zenera).
Następuje wtedy tunelowe
przejście elektronów z pasma walencyjnego, do pasma
przewodnictwa.
Napięcie wsteczne U
z
, przy
którym następuje gwałtowne
zakrzywienie charakterystyki
napięciowo-prądowej diody,
nazywa
się napięciem Zenera. Diody Zenera używane są do
stabilizacji
napięcia stałego.
Dioda tunelowa ma
charakterystykę napięciowo-
prądową wskazującą na występowanie przebicia
tunelowego
zarówno przy polaryzacji zaporowej, jak i
przy niewielkich
napięciach w kierunku przewodzenia.
Diody tunelowe wykorzystywane
są w układach
generacyjnych i
przełączających.
Fotodiodę stanowi złącze PN, w którym wykorzystuje się
zjawisko generowania
mniejszościowych nośników prądu
pod
wpływem
energii
promieniowania
świetlnego.
Fotodioda pracuje przy polaryzacji zaporowej, a jej
prąd
wsteczny
zależy od padającego na złącze strumienia
świetlnego.
•Fotodiody wykorzystuje się jako przetworniki natężenia
oświetlenia na sygnał elektryczny
•jako elementy przetwarzające energię promieniowania
optycznego na
energię elektryczną, zwane fotoogniwami.
Działanie fotoogniwa uzasadnione jest tym, że jego
charakterystyka
napięciowo-prądowa przy U = 0 nie
przechodzi przez
początek układu współrzędnych. Po zwarciu
fotodiody
może w związku z tym płynąć prąd zwarcia, czyli
staje
się ona źródłem prądu. Zjawisko to bywa
wykorzystywane w ogniwach
słonecznych.
Energoelektronika jest
jedną z podstawowych gałęzi
elektroniki,
obejmującą
zagadnienia
układów
przekształtnikowych:
• układów
przeznaczonych
do
przekształcania
energii
elektrycznej
napięcia
przemiennego
na
stałe
(w
prostownikach),
• napięcia przemiennego na napięcie przemienne o innej
częstotliwości (w przemiennikach częstotliwości),
• napięcia stałego na przemienne (w falownikach),
• napięcia stałego na napięcie stałe o innej wartości (w
przekształtnikach prądu stałego).
Układy prostownicze stosuje się wtedy, gdy do zasilania
jakiegoś urządzenia potrzebny jest prąd stały, a mamy do
dyspozycji
źródło lub sieć prądu zmiennego.
Rozróżnia się prostowniki:
• niesterowane,
• sterowane.
Prostowniki niesterowane nie
umożliwiają nastawienia
wartości stałego napięcia lub prądu wyjściowego.
Prostownik niesterowany
składa się z jednego lub kilku
prostowniczych
zaworów elektrycznych (diod), przyłączonych
do
źródła
napięcia
przemiennego
(zazwyczaj
z
transformatorem).
Wartość skuteczna napięcia
wyprostowanego, dla
całego
okresu, obliczona z
zależności
Średnia wartość napięcia
wyprostowanego wynosi:
m
W
T
w
U
U
dt
u
T
U
2
2
0
2
2
2
5
,
0
1
2
0
2
2
32
,
0
1
T
m
wśś
U
dt
u
T
U
Składowa zmienna napięcia wyprostowanego, określana jako
∆
U
w
= u
w
- U
wśr
nazywa się tętnieniem, a jej wartość skuteczna wynosi:
2
2
wśś
W
W
U
U
U
Stopień wygładzenia napięcia wyprostowanego określa się za
pomocą współczynnika tętnień, równego stosunkowi
wartości skutecznej składowej zmiennej ∆U
w
do
składowej
stałej U
wsr
1
)
(
2
wśś
w
wśś
w
t
U
U
U
U
k
Jednofazowy jednokierunkowy
Jednofazowy pełnookresowy (tzw. układ Graetza)
Układ prostowniczy
trójfazowy
jednokierunkowy:
a) schemat,
b)
wykres czasowy napięć
i prądów
Trójfazowy jednokierunkowy
Trójfazowy mostkowy
Tylko
niektóre odbiorniki mogą pracować przy dość
znacznych
tętnieniach napięcia wyprostowanego; należą do
nich m.in. silniki
prądu stałego i ładowane akumulatory.
Inne
odbiorniki
nie
dopuszczają natomiast tętnień
przekraczających dopuszczalne wartości. Należą do nich np.
wszystkie
układy elektroniczne, układy pomiarowe i układy
automatyki.
Do
zmniejszenia
tętnień
napięcia
wyprostowanego stosuje
się filtry.
Do utrzymania w
przybliżeniu stałej wartości napięcia
wyjściowego prostownika i uniezależnienia jej od zmian
napięcia zasilającego prostownik lub zmian rezystancji
odbiornika
służą stabilizatory napięcia.
Filtry w
układach prostowniczych.
Do najprostszych
filtrów należą m.in. filtry indukcyjne i
pojemnościowe.
Cewka indukcyjna o
indukcyjności L stanowi dużą reaktancję
dla
składowej zmiennej prądu wyprostowanego, na skutek
czego
następuje zmniejszenie tej składowej, oraz zmniejszenie
maksymalnej
wartości prądu wyprostowanego. Występuje też
zjawisko
przepływu prądu przez czas dłuższy niż pół okresu,
spowodowane oddawaniem energii zmagazynowanej w cewce
w czasie narastania
prądu. Skuteczność filtru jest tym większa,
im
większa jest indukcyjność cewki. Filtry indukcyjne stosuje
się zwykle w układach dużej mocy (R
O
<<<
L).
Układ prostownika jednopołówkowego z filtrem pojemnościowym.
W czasie przewodzenia diody w obwodzie
płynie prąd będący
sumą prądów odbiornika i kondensatora. W chwili t
1
dioda
przestaje
przewodzić i rozpoczyna się wyładowanie
kondensatora przez odbiornik R
o
. Proces ten trwa do chwili t
2
,
kiedy
następuje zrównanie napięcia na kondensatorze z
napięciem źródła. Dioda zaczyna wtedy ponownie przewodzić i
proces powtarza
się. Skuteczność działania filtru jest tym
większa, im większy iloczyn R
0
C. Filtry takie
najczęściej stosuje
się w układach małej mocy ( R
O
>1/(
C)