..............................................................................................................................

Imię i nazwisko, nr indeksu, data

• Egzamin część I

1. Zaznacz w tabeli poprawną odpowiedź

2. Narysuj charakterystykę ID=f(UDS) tranzystora MOSFET dla jednej wartości napięcia bramki (UG>UP ) . Narysuj na jej tle charakterystykę idealnego łącznika w stanie wyłączenia.

3. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor bipolarny najlepiej pełni rolę załączonego łącznika w stanie aktywnym / nasycenia. Tranzystor bipolarny w stanie aktywnym modelowany jest źródłem napięcia / prądu sterowanym napięciem/prądem bazy. W stanie odcięcia napięcie kolektor-emiter jest równe 0 / jest różne od 0 W stanie aktywnym prąd kolektora nie zależy/ zależy od prądu bazy W stanie nasycenia prąd kolektora jest większy/ mniejszy niż  IB .

4. Poniższy rysunek przedstawia układ z tranzystorem bipolarnym z obciążeniem L . Naszkicuj przebiegi Uce - napięcia kolektor- emiter i Ic prądu kolektora, przyjmując że w chwili T1 panował stan ustalony z nasyconym tranzystorem . Oblicz wartość prądu I_C w chwili T1. W jakim stanie pracy znajduje się tranzystor w chwili T2.

Ic(T1)=

stan T2...................odciecia....................................

5. Narysuj układ ze wzmacniaczami operacyjnymi w konfiguracji wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu 0,5.

6. Narysuj odpowiedź rzeczywistego układu całkującego na sygnał zadany jak na rysunku.

7. Narysuj układ ze wzm. operacyjnym pracujący jako przerzutnik realizujący charakterystykę przedstawioną na rysunku

8. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Prąd bramki, w stanie ustalonym, w załączonym tranzystorze MOSFET ma bardzo dużą/małą wartość. Prąd bramki, w stanie ustalonym, w załączonym tranzystorze IGBT ma bardzo dużą/małą wartość. Charakterystycznym parametrem dla tranzystora MOSFET pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Dren / kolektor jest jedną z elektrod tranzystora IGBT.

9. Skreśl fałszywe fragmenty zdań:

W idealnym wzmacniaczu operacyjnym z ujemnym sprzężeniem zwrotnym pracującym jako wzmacniacz odwracający, napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym mają równe wartości / te same wartości ale przeciwne znaki.

W rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym pracującym z dodatnim sprzężeniem zwrotnym różnica napięć między wejściem odwracającym i nieodwracającym zależy / nie zależy od napięcia zasilania .

10. Opisz „efekt Millera” na przykładzie wyłączania tranzystora MOSF

	Odpowiedź
Zachowanie układu	Tak	Nie
zmniejszanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora w stanie aktywnym		+
zwiększanie rezystancji RC może doprowadzić do przejścia nasyconego tranzystora w stan aktywny	+
zastąpienie tranzystora pracującego w stanie aktywnym elementem o większym wzmocnieniu  może spowodować wejście tranzystora w stan nasycenia		+
w stanie aktywnym złącze baza-kolektor jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia		+
zmniejszanie rezystora Rb może doprowadzić nasycony tranzystor do przejścia w stan aktywny		+

U

WE

R

b

R

C

I

c

B

C

E

GND

E

I_D

U_DS

U_WE

U_WY

t

t

E

t

U

we

t

U

CE

t

I

C

T1

T

2

Uwy

Uwe