F2-70 

PAMIĘCI STAŁE  EPROM 2

 

 

Programowanie i kasowanie komórki FAMOS 

 

 

 

 

 

PROGRAMOWANIE   

→

 

 

 

 

 

 

 

KASOWANIE 

→

 

 

 

 

 

 

CHARAKTERYSTYKI 

ELEKTRYCZNE 

→

 

 

 

 

 

 

 

•

 

Programowanie

: „gorące” elektrony   bariera Si/SiO

→

2

 

→

 

ładunek ujemny bramki swobodnej

 

 

•

 

Kasowanie

: fotony UV są absorbowane przez elektrony   

zwiększenie ich energii 

→

 wyciągnięcie do podłoża i bramki 

sterującej 

→

© J. Kalisz, WAT, 2005