F2-71 

PAMIĘCI STAŁE  EPROM 3

 

 

Przykład budowy pamięci EPROM M27C64A 

 

Pojemność: 2

13

x8 = 64 Kb = 8KB 

 

 

 

•  Sygnał sterujący 

CE

 (

Chip Enable

): moc strat w stanie 

aktywnym (przy 

CE

 = L) wynosi 100 mW, a w stanie 

spoczynkowym (

CE

 = H) zaledwie 0.5 mW 

•  Sygnał sterujący buforami trójstanowymi 

OE

 (

Output 

Enable

) – wyjścia są odblokowane przy 

OE

 = L 

•  Sygnał sterujący 

PGM

(

Program

) 

•  Charakterystyczny 

czas dostępu od wejść adresowych

 

t

AA

 

(

Access from Address

) 

•  Właściwość pamięci EPROM: 

wytrzymałość na wielokrotne 

programowanie i kasowanie

. Maksymalna liczba cykli 

programowania/kasowania: typowo 100 - 1000 

© J. Kalisz, WAT, 2005