F2-72 

PAMIĘCI STAŁE  EEPROM 1

 

 

Pamięci kasowalne 

elektrycznie!

 

 

Struktura tranzystora pamiętającego ze swobodną bramką 

FLOTOX

 

(

Floating-Gate Tunnel Oxide

) firmy INTEL

 

 

Specjalnie cienka warstwa tlenkowa (< 10 nm) umożliwia 

dwukierunkowy przepływ elektronów 

w procesie tunelowym Fowlera-Nordheima

 

   

•  Ładowanie bramki swobodnej: U

G

 

> 0, U

D

 

= 0 → 

U

T

 

 ≈ 10 V 

•  Rozładowanie bramki swobodnej: U

G

 

= 0, U

D

 

> 0 → 

U

T

 

 < 0

 

Aby odciąć prąd drenu trzeba zastosować drugi tranzystor: 

 

 

© J. Kalisz, WAT, 2005