F2-67 

PAMIĘCI STAŁE (MOS, CMOS)

 

 

•  Szybki odczyt danych zapisanych trwale podczas 

programowania

  

•  Format danych: 

4

, 5, 7, 

8

 

 

Rodzaje pamięci stałych 

 

•  Programowane jednorazowo podczas produkcji – 

ROM

 (

Read-

Only Memory

) 

•  Programowane jednorazowo przez użytkownika, o 

niekasowalnej zawartości – 

PROM

 (

Programmable ROM

) – 

najpierw bipolarne, obecnie OTP EPROM (MOS) 

•  Programowane wielokrotnie, elektrycznie, z kasowaniem 

zawartości światłem nadfioletowym – 

EPROM

 (

Erasable 

PROM

) - MOS  

•  Programowane wielokrotnie, elektrycznie, z elektrycznym 

kasowaniem zawartości – 

EEPROM

 (

Electrically Erasable 

PROM

) oraz pamięci „błyskawiczne” (

FLASH

) - MOS 

 

STRUKTURY KOMÓREK PAMIĘCI ROM 

 

 

      

 

a – komórka diodowa 

 

b – komórka z tranzystorem bipolarnym 

 

c – komórka z tranzystorem MOS 

 

© J. Kalisz, WAT, 2005