Opracowali:

Bartosz Borski

Michał Kołodziejski

AD. 1.

Pomiar charakterystyk wyjściowych tranzystora w układzie WE.

1. Wyniki pomiarów

I_B=100μA I_B=200μA I_B=300μA

UCE [V]		iC [mA]
0		0
0,034		0,5
0,063		1,2
0,083		1,9
0,143		4
0,183		4,9
1,02		5,5
2,065		5,6
3		5,6
4,5		5,7
8,4		5,7
10,3		5,7
12,12		5,8
UCE [V]	iC [mA]
0	0
0,03	0,7
0,036	1
0,043	1,9
0,069	2,7
0,077	3
0,091	3,8
0,1	4,4
0,116	5,2
0,14	6,8
0,19	9,5
0,37	11,5
5,8	11,8
7,3	12
9,9	12,2
12,35	12,5
UCE [V]	iC [mA]
0	0
0,008	0,1
0,015	0,4
0,022	0,7
0,041	1,6
0,065	2,3
0,097	5,5
0,1	7,64
0,13	8,2
0,146	9,5
0,21	11,2
0,225	15,1
0,319	17,6
1	18,1
5,08	18,5
9	18,9
12,07	19,7

2. Wykresy

Charakterystyka i_C(u_CE­­)

• Wyznaczenie napięcia Early'ego

U_E = -U_CE = 74VAD. 2.

Pomiar charakterystyk wejściowych, przejściowych prądowych, oraz przejściowych prądowo-napięciowych tranzystora w układzie WE.

1. Wyniki pomiarów

U_CE = 3V U_CE = 10V

iB [mA]		uBE [V]		iC [mA]
0		0,05		0
0		0,07		0
0		0,13		0
0		0,5		0
0,015		0,58		0,2
0,057		0,65		3,2
0,239		0,69		13,9
0,41		0,7		24,2
iB [mA]		uBE [V]		iC [mA]
0		0,051		0
0		0,13		0
0,001		0,55		0,1
0,006		0,59		0,3
0,012		0,612		0,7
0,048		0,64		2,7
0,074		0,65		4,2
0,115		0,67		6,8
0,415		0,7		25,8

2. Obliczenia i wykresy

Charakterystyka i_B(U_BE)

Charakterystyka i_C(i_B)

Charakterystyka i_C(u_BE)

• Wyznaczenie wartości elementów macierzy [h]_e :

• h_11e

u_CE=3V

• h_12e

i_B=100µA

• h_21e

u_CE=3V

• h_22e

i_B=200µA

S

• Wyznaczanie transkonduktancji g_m

u_CE=3V

AD.3.

Pomiar charakterystyk wyjściowych tranzystora w układzie WC.

1. Wyniki pomiarów

I_B=100μA I_B=300μA

IE	UEC [V]
93,6μA	1,78
98,6μA	2,46
100,3μA	3,5
105,2μA	4,38
130μA	5,09
172μA	6,7
260μA	7,08
269μA	7,3
19mA	6,43
38mA	6,31
72mA	6,4
IE	UEC [V]
500 μA	1,5
569 μA	1,9
640 μA	4,45
1 mA	5,5
74,4 mA	6,8
1,63 mA	6,4
9,3 mA	7,1
23 mA	6,7
45 mA	6,38

U_EC=7,3 [V] nastąpiło przebicie U_EC=6,8 [V] nastąpiło przebicie

2. Obliczenia i wykresy

Wyznaczanie wartości współczynnika β_I:

u_EC=1,9[V]

---