4.1 Badanie elementów:

Element-nastawa przełącznika

Pomiary:

Obliczenia:

U

I

P

Z

cosφ

φ

tgφ

tgδ

V

A

W

Ω

-

˚

-

-

Rezystor-6

32

0,47

11

68,09

0,71

45

1

-

Kondensator-6

35

0,49

3

71,43

0,18

79

5,14

0,195

Cewka-6

34

0,32

3

106,25

0,28

74

3,49

-

Z = 0x01 graphic
; cosφ = 0x01 graphic
; tgδ = 0x01 graphic
; 0x01 graphic

Dobroć kondensatora:

QC = 0x01 graphic
= 5,14

Reaktancja pojemnościowa:

XC ≈ Z = 71,43 [Ω]

Rezystancja kondensatora:

RC = Z ∗ cosφ ≈ 13[Ω]

Pojemność:

C = 0x01 graphic
4,5∗10-5[μF]

Dobroć cewki:

QL = tgφ = 3,49

Rezystancja cewki:

RL = Z ∗ cosφ = 106,25 ∗ 0,28 ≈ 30 [Ω]

Reaktancja indukcyjna:

XL = Z ∗sinφ = 106,25 ∗ 0,96 ≈ 102 [Ω]

Indukcyjność:

L = 0x01 graphic
= 0x01 graphic
= 0,32

Dla dalszych obliczeń dla dwójnika idealnego przyjmuje wartość rezystancji:

R = U/I = 68, 1 [Ω]

4.2 Badanie układów:

Nr. układu

Pomiary:

Obliczenia:

U

I

P

U1

U2

U3

I1

I2

I3

Z

cosφ

φ

V

A

W

V

V

V

A

A

A

Ω

-

˚

a

57

0,45

25

33

29

44

-

-

-

126,7

0,98

-

b

40,5

0,76

30

-

-

-

0,52

0,57

0,37

53,3

0,97

8

c

59

0,60

23,5

60

26

-

0,36

0,42

-

98,3

0,66

-

Z = 0x01 graphic
; cosφ = 0x01 graphic
;

Wykresy wskazowe - załącznik 1.

a4)

Bilans mocy:

Sgen = U ∙ I = 57 *0,45= 25,8 [VA]

Podb = Σ Ri ∙ Ii2 = 68,1∙0,452 + 13∙0,452 + 30 * 0,452 = 22,5 [W]

Qodb = Σ Xi ∙ Ii2 = 71,43 ∙0,452 + 102 * 0,452 = 33,11 [var]

Sodb = 0x01 graphic
0x01 graphic
26 [VA]

Sgen 0x01 graphic
Sodb

S = 57 ∗ 0,45 = 25,7

0x01 graphic
= S ∗ (cosφ + jsinφ) = 25,7(0,98 +j0,199) = 25,2 + j5,1 = P +jQ

b4)

Bilans mocy:

Sgen = U ∙ I = 40,5 ∙ 0,76 = 30,78[VA]

Podb = Σ Ri ∙ Ii2 = 68,1 ∙ 0,522 + 13 ∙ 0,572 + 30 ∙ 0,372 = 26,77 [W]

Qodb = Σ Xi ∙ Ii2 = 71,43 ∙0,522 + 102 * 0,572 = 33,83 [var]

Sodb = 0x01 graphic
0x01 graphic
31 [VA]

Sgen 0x01 graphic
Sodb

S = 40,5 ∗ 0,76 = 30,8

0x01 graphic
= S ∗ (cosφ + jsinφ) = 30,8(0,97 + j0,24) = 30 + j7,3

c3)

Bilans mocy:

Sgen = U ∙ I = 59*0,6= 35,4[VA]

Podb = Σ Ri∙Ii2 = 13, ∙ 0,362 +68,1 ∙ 0,422 + 30 ∙ 0,422 = 31,27[W]

Qodb = Σ Xi∙Ii2 = 71,43∙0,362 + 102∙0,422 = 38,64 [var]

Sodb = 35,9 [VA]

Sgen 0x01 graphic
Sodb

S = 59 ∗ 0,6 = 35,4

0x01 graphic
= S ∗ (cosφ + jsinφ) = 35,4(0,66 + j0,75) = 23,4 + j27

Wykresy trójkątowe - załącznik 2.

Wnioski

Ćwiczenie pozwoliło przeanalizować, jak zachowują się dwójniki w obwodach prądu sinusoidalnie zmiennego. Zespół przekonał się, że elementy idealne w praktyce nie występują - nawet w przypadku rezystora, który posiadał pewną, szczątkową indukcyjność. Analizując układy RLC, potwierdziliśmy słuszność rachunku liczb zespolonych oraz konstrukcji i przydatności wykresów wskazowych. , Jednocześnie, obyliśmy się nieco z praktycznymi przesłankami uporządkowanego łączenia elementów obwodów i konieczności ustawiania ich zgodnie ze schematem. Powoduje to, że tak połączone obwody są czytelne i proste w analizie oraz ewentualnym poszukiwaniu usterek.

3