Część I (podstawowa)
Mając do dyspozycji dane katalogowe tranzystora MOSFET wybierz i omów wybrane parametry, które decydują o jego możliwościach pracy w roli łącznika.
Mając do dyspozycji dane katalogowe tranzystora IGBT wybierz i omów wybrane parametry, które decydują o jego możliwościach pracy w roli łącznika.
Mając do dyspozycji dane katalogowe tranzystora IGBT i tranzystora MOSFET omów zasadnicze różnice między tranzystorami.
Porównaj przedstawione na rysunku układy sterowania tranzystorem MOSFET. (pierwszy układ zawiera tranzystor i rezystor „podciągający” (Pull-up), drugi układ zawiera dwa, pracujące przeciwsobnie tranzystory).
Wyjaśnij w jaki sposób uzyskuje się zadane napięcie na zaciskach wyjściowych układu z mostkiem H zbudowanym z tranzystorów pracujących jako łączniki.
Porównaj sprawność dwóch zasilaczy 5V obciążonych prądem 1A, które zasilono z napięcia 12V. Jeden z nich jest zbudowany z tranzystora w stanie aktywnym i pracuje w sposób ciągły. Drugi pracuje impulsowo z częstotliwością 40kHZ. Straty przełączeniowe użytego tranzystora wynoszą 0,01mJ.
W układzie z łącznikiem tranzystorowym (MOSFET, IGBT lub tranzystor bipolarny) obciążonym indukcyjnością:
-omów proces załączania tranzystora
-omów stan ustalony
-omów wyłączanie tranzystora
Dokonaj analizy przebiegu sygnałów (napięć i prądów) w układzie złożonym z jednej gałęzi półmostka (dwa tranzystory MOSFET) do której zacisku przyłączono obciążenie RLE.
Wymień znane Ci parametry wzmacniacza operacyjnego. Zaproponuj dowolny układ wzmacniacza napięciowego zbudowanego ze wzmacniacza operacyjnego i na jego przykładzie omów wpływ wymienionych parametrów na działanie układu.
Omów działanie układu ze wzmacniaczem operacyjnym w przypadku zastosowania ujemnego sprzężenia zwrotnego.
Omów działanie układu ze wzmacniaczem operacyjnym (lub komparatorem) w przypadku zastosowania dodatniego sprzężenia zwrotnego.
Omów zasadnicze podobieństwa i różnice między wzmacniaczami operacyjnymi i komparatorami.
Część II
Omów zjawiska utrudniające załączanie i wyłączanie łączników tranzystorowych (efekt Millera, przepięcia spowodowane obecnością indukcyjności pasożytniczych połączeń tranzystora).
Omów problematykę sterowania „górnym” tranzystorem w układzie półmostkowym.
Wykonaj analizę przedstawionego układu. Określ rolę jego poszczególnych elementów składowych.