el1011 wyk12 nanotechnologia

2011-01-17

Podstawy elektroniki

i energoelektroniki

Wykład 12

Nanotechnologie

dr in

. Andrzej Kociubi

ski

dr in

. Andrzej Kociubi

ski

stycze

2011

stycze

2011

• 1 cm

ciała stałego

ciała stałego –

– 10

--10

• drobina pyłu (

= 0,1 mm)

• drobina pyłu (

= 0,1 mm) –

– 10

• krystalit (

= 10

• krystalit (

= 10

m) –

– 10

• typowych rozmiarów bakteryjne DNA

• typowych rozmiarów bakteryjne DNA –

–10

--10

• typowa samoorganizuj

ca si

kropka kwantowa (z blokad

• typowa samoorganizuj

ca si

kropka kwantowa (z blokad

kulombowsk

)

kulombowsk

) –

– 10

--10

• mała jedno

cienna nanorurka

• mała jedno

cienna nanorurka –

– 10

--10

• mała kropka kwantowa (ze skwantowanymi poziomami

energetycznymi)

energetycznymi) –

– 10

--10

Ile atomów?

Technologie wykorzystywane w wielu podstawowych

Technologie wykorzystywane w wielu podstawowych
dziedzinach aktywno

ci technicznej człowieka w celu:

dziedzinach aktywno

ci technicznej człowieka w celu:

• wytwarzania klasycznych urz

dze

o nanometrowych

• wytwarzania klasycznych urz

dze

o nanometrowych

rozmiarach z charakterystycznymi dla nich efektami,

• wytwarzania nanomateriałów,

• wytwarzania nowych struktur o nieznanych jeszcze cechach,

• modelowania i badania tych

Nanotechnologie

(na przykładzie elektroniki)

Oszcz

dno

ść

materiału, energii,

Oszcz

dno

ść

materiału, energii, --> mniejszy jednostkowy koszt działania

> mniejszy jednostkowy koszt działania

elementu i jego wytworzenia,

ksza szybko

ść

działania i zysk,

ksza szybko

ść

działania i zysk,

ksze upakowanie

ksze upakowanie --> wi

kszy potencjał i wi

ksza pojemno

ść

> wi

kszy potencjał i wi

ksza pojemno

ść

informacyjna

PONADTO

Struktury w małej skali mog

mie

lepsze własno

ci elektryczne, chemiczne,

Struktury w małej skali mog

mie

lepsze własno

ci elektryczne, chemiczne,

mechaniczne lub optyczne,

liwo

ść

modyfikacji materii na poziomie, na którym definiowane

liwo

ść

modyfikacji materii na poziomie, na którym definiowane

jej makroskopowe własno

ci,

jej makroskopowe własno

ci,

liwo

ść

manipulowania materi

na tym poziomie.

liwo

ść

manipulowania materi

na tym poziomie.

Zalety redukcji rozmiarów

Potencjalne obszary zastosowa

Nanoelektronika

Dziedzina

Dziedzina elektroniki

elektroniki realizowana

realizowana przez

przez przyrz

przyrz

dy o

wymiarach

wymiarach rz

du nanometrów

nanometrów (<

(< 100

100 nm),

nm), w

w których

których

manifestuj

zjawiska

zjawiska zwi

zane

zwi

zane z

z kwantow

kwantow

natur

elektronów

elektronów..

zjawiska

zjawiska::

elektrofalowe,

jednoelektronowe

jednoelektronowe ii spinowe

spinowe..

2011-01-17

Nanoelektronika molekularna

Dziedzina

Dziedzina nanoelektroniki,

nanoelektroniki, w

w której

której wykorzystuje

wykorzystuje si

wła

ciwo

wła

ciwo

ci elektronowe

elektronowe pojedynczych

pojedynczych cz

stek,

stek, a

tak

e zale

ść

zale

ść

tych

tych wła

ciwo

wła

ciwo

ci od

od czynników

czynników

chemicznych,

chemicznych, elektromechanicznych

elektromechanicznych lub

lub optycznych

optycznych..

Spintronika

tak

elektronika spinowa, magnetoelektronika

Dział

elektroniki

zajmuj

modelowaniem,

wytwarzaniem

wytwarzaniem ii badaniem

badaniem urz

dze

urz

dze

wykorzystuj

cych

wykorzystuj

cych

zjawiska

zjawiska fizyczne

fizyczne zwi

zane

zwi

zane ze

ze spinem

spinem elektronu

elektronu..

Spin

Spin elektronu

elektronu

na traktowa

traktowa

jako

jako jego

jego własny

własny

moment

moment p

jego

połówkowa

warto

ść

warto

ść

oznacza,

e pojedynczy

pojedynczy elektron

elektron

e znajdowa

znajdowa

sie

sie w

w dwóch

dwóch

ró

nych

ró

nych

stanach

kwantowych,

odpowiadaj

cych

odpowiadaj

cych dwóm

dwóm ro

nym

rzutom

rzutom spinu

spinu..

1970 1980 1990 2000 2010

4004

8086

80386

PentiumPro

Pentium 4

Itanium 2

Montecito

Prawo Moore’a

ró

liwo

ci przetwarzania informacji

liwo

ci przetwarzania informacji

śc

ła

Lata

LAMPY

TRANZYSTORY

MIKROELEKTRONIKA

LASERY

NANO

NANO--

ELEKTRONIKA

NANO

NANO--FOTONIKA

FOTONIKA

Przyczyny nasycenia si

krzywej

Przyczyny nasycenia si

krzywej

„logistycznej”

Brak wiedzy

Ograniczenia techniczne

Ograniczenia ekonomiczne

Zmiana zainteresowa

nano-CMOS wchodzi do

produkcji

Wymiar
charakterystyczny

Nanotechnologia

100
0

100

Wymiar
bramki

0.1

0.01

1970

1980

1990

2000

2010

2020

130nm

100nm

70nm

50nm

2011-01-17

Silnie napr

ęż

ona warstwa

ciskani

rozci

gani

wzrost

T.Ghani i in. Proc.IEDM Dec. 2003

Technologia

90 nm

zastosowana w masowej
produkcji mikroprocesorów
INTELA

= 45 nm

= 1.2 nm

Napr

ęż

ony kanał Si

ródło:

Nanoelektronika

CMOS 2018

• koszt

< 10

--11

$ / bramka

• rozmiar

< 8 nm / przyrz

• szybko

ść

• szybko

ść

< 0.2 ps / operacj

• energia

< 10

--18

J / operacj

Richard Feynman (1918

Richard Feynman (1918--1988)

1988)

••

praca przy projekcie Manhattan,

••

najpełniejsza wersja elektrodynamiki kwantowej (

Nobel

1965

••

teoria nadciekło

ci,

teoria nadciekło

ci,

••

ilo

ciowe uj

cie teorii oddziaływa

słabych,

ilo

ciowe uj

cie teorii oddziaływa

słabych,

••

teoria partonów (główny wkład do teorii oddziaływa

silnych),

••

podwaliny pod rozwój kwantowej teorii grawitacji.

Troch

historii...

Troch

historii...

1959

1959 –

– wizja Feynmana

wizja Feynmana

What

What II want

want to

to talk

talk about

about is

is the

the problem

problem of

manipulating

manipulating and

and controlling

controlling things

things on

on a

a small

small

scale

scale.. ((…

…)) It

It is

is a

a staggeringly

staggeringly small

small world

world that

that is

below

below.. In

In the

the year

year 2000

2000,, when

when they

they look

look back

back at

this

this age,

age, they

they will

will wonder

wonder why

why it

it is

is not

not until

until the

the

year

year 1960

1960 that

that anybody

anybody began

began seriously

seriously to

to move

move

in this

this direction

direction..

Richard Feynman (1918

Richard Feynman (1918--1988)

1988)

There's Plenty of Room at the Bottom

Annual Meeting of the American Physical Society, California Institute

Annual Meeting of the American Physical Society, California Institute
of Technology, Pasadena, December 29, 1959

of Technology, Pasadena, December 29, 1959

http://www.zyvex.com/nanotech/feynman.html

Nagrody Feynmana

Za wykonanie silnika mieszcz

cego si

w sze

cianie o boku

Za wykonanie silnika mieszcz

cego si

w sze

cianie o boku

nie wi

kszym ni

1/64 cala

nie wi

kszym ni

1/64 cala

–

– w 1960r William H. McLellan

w 1960r William H. McLellan

zbudował silnik, który wa

ył 250

zbudował silnik, który wa

ył 250

g i miał moc 1 mW

i miał moc 1 mW

Za zmniejszenie strony z ksi

ąż

ki do rozmiaru w skali 1/25000

Za zmniejszenie strony z ksi

ąż

ki do rozmiaru w skali 1/25000

w 1985r na Uniwersytecie Stanford Thomas Newman

w 1985r na Uniwersytecie Stanford Thomas Newman
odtworzył pierwszy akapit

odtworzył pierwszy akapit Opowie

ci o dwóch miastach

Opowie

ci o dwóch miastach

Karola Dickensa

Fabryki na poziomie atomowym

K. Eric Drexler

Doktorat:
Engines of Creation: The Coming Era of Nanotechnology.

Nanotechnologia to manipulowanie

Nanotechnologia to manipulowanie
atomami i cz

steczkami w "nanoskali"

atomami i cz

steczkami w "nanoskali"

www.e

www.e--drexler.com

drexler.com

2011-01-17

Micro

Micro-- nano

nano--

Na dzi

mamy wi

c dwa nowe paradygmaty:

Na dzi

mamy wi

c dwa nowe paradygmaty:

„W

„W mikrotechnologii

mikrotechnologii wyzwaniem

wyzwaniem jest

jest budowanie

budowanie rzeczy

rzeczy coraz

coraz

mniejszych

,, w

w nanotechnologii

nanotechnologii za

-- coraz

coraz

kszych

..”

”

-- Eric Drexler

Eric Drexler

Mikrotechnologia

Nanotechnologia

eli tak, to reguły skalowania dla mikro

wiata

eli tak, to reguły skalowania dla mikro

wiata

nie maj

zastosowania w nano

wiecie.

nie maj

zastosowania w nano

wiecie.

Maszyna jedzeniowa Drexlera

trawa

powietrze

woda

wiatło słoneczne

Maszyna jedzeniowa Drexlera

trawa

cie

opona rowerowa

...

http://www.youtube.com/watch?v=vEYN18d7gHg

Modelowanie nanomaszyn

MarkIII(k) Planetary Gear

MarkIII(k) Planetary Gear
Liczba komponentów: 12

Liczba komponentów: 12
Liczba atomów: 3853

Liczba atomów: 3853
Wielko

ść

: 4,2 x 4,2 x 4,2 nm

Wielko

ść

: 4,2 x 4,2 x 4,2 nm

www.nanoengineer-1.com

SRG

SRG--I Speed Reducer Gear

I Speed Reducer Gear

Liczba komponentów: 4

Liczba komponentów: 4
Liczba atomów: 2924

Liczba atomów: 2924
Wielko

ść

: 4,7 x 2,8 x 3,6 nm

Wielko

ść

: 4,7 x 2,8 x 3,6 nm

Universal Joint

Universal Joint
Liczba komponentów: 4

Liczba komponentów: 4
Liczba atomów: 3846

Liczba atomów: 3846
Wielko

ść

: 3,8 x 3,8 x 6,4 nm

Wielko

ść

: 3,8 x 3,8 x 6,4 nm

1981

1981 –

– skaningowy mikroskop tunelowy

skaningowy mikroskop tunelowy

Gerd Binnig i Heinrich Rohrer (Nobel 1986) konstruuj

skaningowy mikroskop tunelowy (STM)

Skaningowy mikroskop tunelowy

STM

STM od

od ang

ang.. Scanning

Scanning Tunneling

Tunneling Microscope

Microscope

Mikroskopu

Mikroskopu ze

ze skanuj

skanuj

sond

, który

który umo

liwia

umo

liwia uzyskanie

uzyskanie

obrazu

obrazu powierzchni

powierzchni materiałów

materiałów przewodz

cych

przewodz

cych ze

ze zdolno

zdolno

rozdzielcz

dy pojedynczych

pojedynczych atomów

atomów dzi

dzi

ki wykorzystaniu

wykorzystaniu

zjawiska

zjawiska tunelowego

tunelowego..

Wynalazek skaningowego

Wynalazek skaningowego
mikroskopu tunelowego

mikroskopu tunelowego
(STM), za który Gerd Binning

(STM), za który Gerd Binning
i Heinrich Röhrer dostali

i Heinrich Röhrer dostali
Nagrod

Nobla w dziedzinie

Nagrod

Nobla w dziedzinie

fizyki w 1986 roku

2011-01-17

Mikroskop sił atomowych (AFM)

1985

1985 –

– odkrycie fullerenów

odkrycie fullerenów

1985

1985 –

– R.F. Curl Jr., H.R. Kroto i R.E. Smalley odkrywaj

fullereny

R.F. Curl Jr., H.R. Kroto i R.E. Smalley odkrywaj

fullereny

(Nobel w 1996r)

diament

grafit

fulleren

nanorurka

1991

1991 –

– Sumio Ijima (NEC) odkrywa nanorurki w

glowe

Sumio Ijima (NEC) odkrywa nanorurki w

glowe

1991

1991 –

– odkrycie nanorurek

odkrycie nanorurek

Własno

ci:

Własno

ci:

mechaniczne

–

– wytrzymało

ść

na rozci

ganie 63GPa (hartowana

wytrzymało

ść

na rozci

ganie 63GPa (hartowana

stal 1,2 GPa)

kinetyczne

–

– wew. warstwy

lizgaj

prawie bez tarcie

wew. warstwy

lizgaj

prawie bez tarcie

elektryczne

–

– przewodniki lub półprzewodniki (mog

przewodzi

przewodniki lub półprzewodniki (mog

przewodzi

d o 1000 razy wi

kszym nat

ęż

eniu ni

przewody metalowe)

d o 1000 razy wi

kszym nat

ęż

eniu ni

przewody metalowe)

termiczne

–

– bardzo dobre przewodniki ciepła (wzdłu

)

bardzo dobre przewodniki ciepła (wzdłu

)

Nanorurki w

glowe

Nanorurki w

glowe

Nanorurki w

glowe

Nanorurki w

glowe

1998

1998 –

– pierwszy tranzystor z nanorurk

pierwszy tranzystor z nanorurk

Cees Dekker

Cees Dekker et al.

et al. (Politechnika Delft) tworz

tranzystor

(Politechnika Delft) tworz

tranzystor

wykorzystuj

cy nanorurk

glow

wykorzystuj

cy nanorurk

glow

2011-01-17

1989

1989 –

– napis wykonany z pojedynczych

napis wykonany z pojedynczych

atomów (IBM)

1989

1989 –

– D.M. Eigler (IBM) układa z pojedynczych atomów Xe napis

D.M. Eigler (IBM) układa z pojedynczych atomów Xe napis

„IBM”

Inne napisy atomami

Quantum Coral

56 iron atoms forming a ring on copper surface

Carbon Monoxide Man

CO on Platininum Surface

Wave-like nature of an electron!

podło

e p-Si

ródło

dren

tlenek polowy

kontakt do

ródła

bramka

kontakt do drenu

(L, W, t

, x

)

××××

, U

)

××××

(UI)

××××

(CU

)

S = 0.2

podło

e p-Si

ródło

dren

Skalowanie

Zachowanie podobnych warto

ci pól elektrycznych w kolejnych

generacjach przyrz

dów,

Minimalizacja tzw. efektów „krótkiego kanału” (zale

ść

, spłaszczenie ch-k I-V w zakresie podprogowym itd.)

Redukcja wymiarów pionowych struktur (np. t

, x

)

, N

, U

Problemy z redukcj

wymiarów

Problemy z redukcj

wymiarów

Klasyczne, wynikaj

ce z reguł skalowania (przyrz

dowe,

materiałowe, układowe, systemowe – dotycz

w głównej mierze

przyrz

dów elektronicznych);

Fundamentalne

- manifestacja zjawisk i oddziaływa

nie obserwowanych

w wi

kszych skalach),

- efekty kwantowe (ziarnisto

ść

materii, termodynamika),

- efekty mezoskopowe.

Klasyczne problemy z redukcj

wymiarów (tranzystor MOS)

Redukcja grubo

ci dielektryka,

Redukcja grubo

ci dielektryka,

Zubo

enie bramki,

Zubo

enie bramki,

Rezystancja szeregowa,

Efekty silnego domieszkowania,

Obni

anie napi

cia zasilania.

Obni

anie napi

cia zasilania.

2011-01-17

Problemy skalowania tranzystora MOS

Upływno

ść

(pr

d w stanie wył

czenia I

Upływno

ść

(pr

d w stanie wył

czenia I

OFF

* pr

d drenu

* pr

d drenu

* pr

d bramki

* pr

d bramki

Niewspółmierny do skalowania wzrost pr

du I

Niewspółmierny do skalowania wzrost pr

du I

Dsat

* małe ruchliwo

ci no

ników

* małe ruchliwo

ci no

ników

* rezystancje szeregowe

Rozrzut warto

ci V

Rozrzut warto

ci V

Niewspółmierny do skalowania wzrost szybko

ci:

Niewspółmierny do skalowania wzrost szybko

ci:

* pojemno

ci paso

ytnicze

* pojemno

ci paso

ytnicze

* rezystancje paso

ytnicze

* rezystancje paso

ytnicze

* parametry transportu no

ników

* parametry transportu no

ników

Idealny tranzystor MOS

Metal

Źródło

Dren

Izolator bramki

Niska rezystancja dren-źródło

Dielektryk o wysokiej
przenikalności

Otaczająca elektroda
metalowa

W pełni otoczony, zubożony
półprzewodnik

Inżynieria pasm

Tranzystor trójbramkowy

Boczna bramka

Górna bramka

61stDevice Research Conference, Salt Lake City,
Utah,June 2004

Tranzystor trójbramkowy

T - Elektroda bramki

Źródło

Dren

GaN

n AlGaN

i GaN

SiC

Specjalna elektroda bramki w
kształcie T obniża rezystancję
doprowadzeń.

Transkonduktancja 500mS/mm,
częstotliwość odcięcia f

67GHz,

maksymalna częstotliwosć
generacji f

max

126GHz

(f-my Oki Electric Industry Co)

Tranzystor z bramk

typu T

Tranzystor z bramk

typu T

Pentium 4:

⋅

tranzystorów

char

130 nm

długo

ść

poł

cze

ok. 4,8 km na 1 cm

dla x

char

90 nm

długo

ść

poł

cze

ok. 6,9 km na 1 cm

Problemy skalowania tranzystora MOS

2011-01-17

Nowe przyrz

Generacja

Bramka
L

Ewolucja CMOS

Rewolucja

CMOS

egzotyka

Rozsądnie

podobne

nanorurki
nanodruty

nowe

przyrządy

Najbardziej fundamentalne ograniczenia

φφφφφφφφ

protonu

≈≈≈≈≈≈≈≈

--15

φφφφφφφφ

atomu

≈≈≈≈≈≈≈≈

--10

1) Minimalna odległo

ść

dwóch rozró

nialnych stanów

(Heisenberg)

2) Minimalny czas przeł

czania stanów (Heisenberg)

3) Maksymalna g

sto

ść

elementów

)

300

(

min

mkT

====

)

300

(

−−−−

××××

====

min

gate

××××

====

śródło:J.Hutchby i in. VLSI Technology,Hononulu, June 2004

Ograniczenia kwantowe

2011-01-17

Całkowite zu

ycie mocy

Całkowite zu

ycie mocy

przy minimalnej energii bitu

Układ wyparowałby po wł

czeniu!

Układ wyparowałby po wł

czeniu!

A. Jakubowski, L. Łukasiak, Z. Pióro, KST’2004

bit

chip

bit

====

)

(

chip

300

====

××××

====

Ograniczenia fundamentalne

rozwa

my 3.2 GHz procesor

3.2 GHz procesor

•• w

w 1 cy

1 cyklu

klu s

ygna

gnałł mo

e przeby

drog

e przeby

drog

•• c

c/(3.2 GHz) = 9.4 cm

/(3.2 GHz) = 9.4 cm

•• w

w 1

1--cy

cyk

kllu sygnał odbywa podró

do pami

u sygnał odbywa podró

do pami

podr

cznej(cache)

podr

cznej(cache) i z powrotem

i z powrotem::

•• Lokalizacja pami

ci powinna by

bli

sza ni

Lokalizacja pami

ci powinna by

bli

sza ni

4.7 cm!

•• w typowych materiałach sygnały elektryczne

w typowych materiałach sygnały elektryczne
„podró

” z pr

dko

mniejsz

„podró

” z pr

dko

mniejsz

~0.5

~0.5 c

•• W praktyce pami

ęć

powinna by

nie dalej ni

W praktyce pami

ęć

powinna by

nie dalej ni

2.34 cm!

c=2.9979 x 10

m/sekundę

••••

Ograniczenia fundamentalne

Aktualnie laboratoryjne układy logiczne pracuj

przy

Aktualnie laboratoryjne układy logiczne pracuj

przy

szybko

ciach wi

kszych od 100GHz

szybko

ciach wi

kszych od 100GHz!!

•• Przyjmuj

Przyjmuj

f=150GHz

i powtarzaj

c poprzednie

i powtarzaj

c poprzednie

rozumowanie otrzymujemy odległo

ść

od pami

ci nie

rozumowanie otrzymujemy odległo

ść

od pami

ci nie

ksz

~0.5 mm!

.5 mm!

•• S

to rozmiary znacznie mniejsze od rozmiaru

chipu

chipu!!

Wniosek:

gdy

↑↑↑↑↑↑↑↑

,archite

,architek

ktur

tury układów (mikroprocesorów) musz

y układów (mikroprocesorów) musz

mie

charakter coraz bardziej lokalny

mie

charakter coraz bardziej lokalny

śródło:-V. De and S. Borkar, 1999 ISLPED, pp. 163-168, August 1999

łk

)

Moc w stanie wyłączenia

Moc w stanie aktywnym

Moc wynikaj

ca z upływno

ci stanowi coraz wi

kszy

Moc wynikaj

ca z upływno

ci stanowi coraz wi

kszy

procent całkowitej mocy układu

Moc wynikaj

ca z upływno

Moc wynikaj

ca z upływno

Prognoza ITRS przewiduje 93 W/cm

dla

mikroprocesorów w roku 2016

Kilkaset W/cm

jest bliskie fizycznym ograniczeniom

odprowadzania ciepła dwu-wymiarowych struktur na ciele

stałym przy T

max

= 125°C

Szacunki teoretyczne ok.1000W/cm

;

eksperyment ok.790W/cm

Jak

moc mog

wytrzyma

Jak

moc mog

wytrzyma

systemy półprzewodnikowe?

ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)

Skalowanie do rozmiarów molekularnych mo

e nie zaowocowa

popraw

parametrów u

ytkowych

musimy pój

ść

na kompromis mi

dzy szybko

a g

sto

upakowania

Optymalne rozmiary (zale

ne od kompromisu szybko

ść

sto

ść

)

przeł

czników elektronicznych b

prawdopodobnie zawiera

dzy 5 a 50 nm, a to jest osi

galne w technologii krzemowej

Prognoza ITRS do 2018 r. wydaje si

realizowalna w ramach

technologii MOS

Implikacje dla nanoelektroniki

2011-01-17

Liczba atomów domieszki

w obszarze zubo

enia tranzystora MOS

w obszarze zubo

enia tranzystora MOS

= N

[cm

--3

]

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

WCZORAJ

= 10

--3

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

µµµµµµµµ

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

µµµµµµµµ

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,3

µµµµµµµµ

≈≈≈≈≈≈≈≈

××××××××

atomów

DZISIAJ

= 10

--3

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,2

µµµµµµµµ

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,05

µµµµµµµµ

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,03

µµµµµµµµ

≈≈≈≈≈≈≈≈

300

300 atomów

atomów

JUTRO

JUTRO (SOI)

(SOI)

= 10

--3

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,0

0,01

µµµµµµµµ

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,0

0,01

µµµµµµµµ

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

0,0

0,002

µµµµµµµµ

≈≈≈≈≈≈≈≈

2 atom

atomy

Wpływ nanotechnologii na nasze

ycie b

dzie znacznie wi

kszy ni

ten, który wywarła na nie technologia krzemowych układów
scalonych,

Dotyczył b

dzie on wszystkich aspektów naszej rzeczywisto

ci i

spowoduje now

rewolucj

przemysłow

Stanie si

tak, poniewa

nanotechnologia oferuje mo

liwo

ść

manipulowania wła

ciwo

ciami materii na poziomie na którym

definiowane

jej

rzeczywiste

elektroniczne,

chemiczne

biologiczne wła

ciwo

ci,

Strona etyczna tego wszystkiego nie mo

e by

pomijana.

M. Bugajski, ELTE’2004

Nanotechnologie

„

Fizyka jest jak seks

pewnie,

e mo

e dawa

jakie

praktyczne

pewnie,

e mo

e dawa

jakie

praktyczne

rezultaty, ale nie dlatego to robimy. ”

Richard Feynman

(1918

(1918--1988)

1988)

fizyk,

laureat Nagrody Nobla (1965)

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
wyk12 Indukcja
wyk12 aminy
Wyk12 term
NANOTECHNOLOGIA referat id 3135 Nieznany
24 Nanotechnologia
Nanotechnologia (2)
nanotechnologia wykłady Wykład 1 (22 03 2012)
Nanotechnologia w kremach
el1011 wyk07 technologia krzemowa
Opracowanie - chemia ogólna i nieorganiczna, Nanotechnologia, sem I, chemia
sciaga 4 mechanika, Zaawansowane materiały i nanotechnologia UJ, Fizyka, Mechanika
wektory i pochodne, Zaawansowane materiały i nanotechnologia UJ, Fizyka, fizyka wyrównawcza
nanotechnologia - wykłady, Wykład 3 i 4 (19.04.2012 - 26.04.2012)
nanotechnologia pytania na zaliczenie
Nanotechnologia kontra zmarszczki
pra-wyk12, UE Katowice FiR, prawo

więcej podobnych podstron