Model warstwowy tranzystora MOS

Model  warstwowy  (przekrój)  tranzystora  MOS z  kanałem  wzbogacanym  typu  p

(normalnie wyłączonym).

S

G

D

Si(n)

p

+

p

+

SiO

2

S – źródło
D – dren
G – bramka
B – podłoŜe

B

Przekrój  tranzystora  MOS  z  kanałem  wzbogacanym  typu  p

w  warunkach  normalnej  polaryzacji,  w  zakresie  małych  napięć  U

DS

.

Symbol tranzystora MOS
z kanałem wzbogacanym
typu p

D

G

S

B

Symbol tranzystora MOS
z kanałem wzbogacanym
typu n

D

G

S

B

U

DS 

< U

Dsat 

; U

GS 

 > U

T 



Si(n)

p

+

p

+

B

U

DS

+

-

kanał typu p

S

G

D

U

GS

+

-

warstwa zuboŜona