Charakterystyki przejściowe tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym

Model warstwowy tranzystora MOS z kanałem typu p zuboŜanym

I

D

 [mA]

U

T

0

U

GS

 [V]

U

DS1

U

DS2

I

D 

= f(U

GS

)

                   U

DS 

= const.

U

DS2

 > U

DS1



U

T

 – napięcie progowe

Charakterystyki  przejściowe  tranzystora  MOS  z  kanałem

wzbogacanym  typu  p.

S

G

D

Si(n)

p

+

p

+

SiO

2

B

kanał wbudowany typu „p”

Symbol tranzystora MOS
z kanałem zubaŜanym
typu p

S

D

G

B

Symbol tranzystora MOS
z kanałem zubaŜanym
typu n

S

D

G

B