Parametry dynamiczne tranzystora PNFET

Wśród elementów schematu zastępczego wyróŜnia się:

 

g

gs

  –  konduktancja    wejściowa  (o  bardzo  małej  wartości,  występującą

w  obwodzie  wejściowym  G-S),  która  fizycznie  jest  konduktancją
róŜniczkową złącza p-n spolaryzowanego zaporowo,

 

g

gd

 – konduktancja  oddziaływania wstecznego (definiowaną podobnie),

 

g

ds

–  konduktancja  wyjściowa  (występującą  w  obwodzie  D-S),  którą

wyznacza  się  ze  stosunku  przyrostu  prądu  drenu 

∆∆∆∆

I

D

  do  przyrostu  napięcia

drenu 

∆∆∆∆

U

DS

, przy ustalonym napięciu bramki U

GS

.

W  zakresie  liniowym  g

ds

  przyjmuje  dość  duŜe  wartości,  a  w  zakresie  nasycenia  jest

bardzo małe.

 

g

m

 – transkonduktancja, określana jest jako stosunek przyrostu prądu drenu

∆∆∆∆

I

D

 do przyrost napięcia bramki 

∆∆∆∆

U

GS

 przy ustalonym napięciu drenu U

DS 

.

Jest  to  jeden  z  najwaŜniejszych  parametrów  tranzystorów  polowych  określający
właściwości  wzmacniające  tranzystora.  DuŜe  wartości  transkonduktancji  otrzymuje  się
w tranzystorach z krótkimi kanałami i dla duŜych ruchliwości nośników.

Występujące  na  schemacie  zastępczym  pojemności  C

gs

  oraz  C

gd

  są

składowymi pojemności złączowej złącza p-n (między bramką i kanałem).

Częstotliwość graniczna f

m

 – jest to częstotliwość, przy której prąd płynący

przez  pojemność  wejściową  jest  równy  prądowi  dostarczanemu  przez  źródło
prądowe g

m

u

gs 

.

Częstotliwość graniczna tranzystora JFET nie zaleŜy od szerokości kanału. Jest większa
przy  mniejszych  długościach  kanału  i  większych  jego  głębokościach.  DuŜy  wpływ  na
częstotliwość ma przewodność kanału.

Tranzystory  z  kanałem typu  n  są    „szybsze”,  gdyŜ  ruchliwość  elektronów  jest
większa od ruchliwości dziur.

Elektryczny  schemat  zastępczy  tranzystora  JFET  dla  małych

sygnałów  i  średnich  częstotliwości.

G

C

gs

S

g

gs

g

ds

C

ds

g

gd

C

gd

g

m

u

gs

D

S