1
.U\V]WDã
•
&LDáRVWDáHRXSRU]GNRZDQHMEXGRZLH
ZHZQ
WU]QHMLSRVWDFLZLHOR FLHQQHM
•
6WUXNWXUDZHZQ
WU]QD- XSRU]GNRZDQD
we wszystkich kierunkach przestrzeni
.
.U\V]WDã
• Motyw struktury
–
SRZWDU]DQLHVL
SHZQHJR]HVSRáXDWRPyZMRQyZ
OXEF]VWHF]HNZWU]HFKZ\PLDUDFKIL]\F]QHM
przestrzeni.
•
6WUXNWXU
NU\V]WDáXPR*QDRGWZRU]\üSU]H]
przesuwanie jej motywu w trzech
QLH]DOH*Q\FKNLHUXQNDFK EH]GRNRQ\ZDQLD
REURWyZOXELQQ\FKSU]HNV]WDáFH
Skala Mohsa
diament
10
korund
9
topaz
8
kwarc
7
ortoklaz
6
apatyt
5
fluoryt
4
kalcyt
3
gips
2
talk
1
&LDãREH]SRVWDFLRZH
•
FLDáRVWDáH
•
EH]XSRU]GNRZDQHMVWUXNWXU\ZHZQ
WU]QHM
•
-HGQRURGQDPLHV]DQLQDVXEVWDQFMLWZRU]F\FK
MHGQID]
• gazowy – mieszaniny gazów
•
FLHNá\
– gaz
– ciecz
–
FLDáRVWDáH
Roztwór
ZãD$FLZ\
w cieczy
•
VWDá\
– gazy w metalach
–
FLDáRVWDáHZFLHOHVWDá\P
ZLHONR üF]VWHN nm
Rozpuszczalnik
• ogólnie
–
VNáDGQLNPLHV]DQLQ\MHGQRURGQHME
GF\
w nadmiarze w stosunku do innych
VNáDGQLNyZ
• potocznie
–
FLHF]HUR]SXV]F]DMFHLQQHVXEVWDQFMH
WZRU]FMHGQRURGQHMHGQRID]RZHPLHV]DQLQ\
FLHNáH
2
Roztwory koloidowe
Rozproszone uk
áady niejednorodne
–
R URGHNFLJá\ ID]DUR]SUDV]DMFD
– faza rozproszona
→
→
drobne cz
stki lub czsteczki
zwi
zków wielkoczsteczkowych
•
F]VWNL÷ 200 nm
Roztwory koloidowe
• zol - faza rozproszona ciek
áa
•
*el - faza rozproszona staáa, wykazuje sztywno ü
postaci
Dyspersja
•
XNáDGZLHORID]RZ\
–
ID]DUR]SUDV]DMFD – FLJá\R URGHNSá\QQ\
(ciecz)
– faza rozproszona
–
GUREQHF]VWNL
]Z\NOHFLDáVWDá\FK
Dyspersja
• mikroskopowa
–
F]VWNL ÷ 10 m
•
UR]WZyUZáD FLZ\
–
F]VWNL nm czyli < 0,001 m
• roztwór koloidowy
–
F]VWNL ÷ 200 nm czyli 0,001 ÷ 0,2 m
=$&+2:$1,(6,
#:,$7â$1$5Ð/1<&+
0$7(5,$â$&+
Przezroczysty
Przezroczysty
Przezroczysty
Przezroczysty
zabarwiony
zabarwiony
3yáSU]H]URF]\VW\
3yáSU]H]URF]\VW\
Nieprzezroczysty
Nieprzezroczysty
zabarwiony
zabarwiony
3
Czarny
Czarny
SHáQDDEVRUSFMD
SHáQDDEVRUSFMD
3U]HQLNDOQR ü]DOH*\RGJUXER FL
3U]HQLNDOQR ü]DOH*\RGJUXER FL
obiektu
obiektu
5RG]DMHRGELFLD$ZLDWãD
5RG]DMHRGELFLD$ZLDWãD
Odbicie lustrzane
Odbicie lustrzane
Odbicie dyfuzyjne (rozproszone)
Odbicie dyfuzyjne (rozproszone)
:VSyãF]\QQLN]DãDPDQLD
$ZLDWãD
6WRVXQHNSU
GNR FL ZLDWáDZSUy*QL
GRSU
GNR FL ZLDWáDZGDQ\P
R URGNX
n=v
1
/ v
2
:VSyãF]\QQLN]DãDPDQLD
$ZLDWãD
n=v
1
/v
2
v
1
v
2
P
Z
v
2
v
1
n=v
1
/v
2
= sin
P
/sin
Z
:VSyãF]\QQLNL]DãDPDQLD
$ZLDWãD
•
SUy*QLD
1
• powietrze
(warunki normalne)
1,0003
• woda
1,33
• lód
1,31
• diament
2,417
• kaolin
1,57
• ditlenek tytanu
(rutyl)
2,7
• celuloza
1,55
• lignina
1,61
• skrobia
1,57
/XVWU]DQHRGELFLH$ZLDWãD
K
t odbicia jest równy ktowi padania.
2EDNW\ le* w jednej páaszczy(nie.
4
2GELFLH ZLDWáD
=DáDPDQLH ZLDWáD
8JL
FLH ZLDWáD
3RFKáDQLDQLH ZLDWáD
Adhezja
przyleganie
•
àF]HQLHVL
ZDUVWZSRZLHU]FKQLRZ\FK
dwóch obiektów lub faz doprowadzonych
do zetkni
cia.
•
:\QLNG]LDáDQLDUy*QHJRURG]DMXVLá
w warstwach powierzchniowych.
Kohezja
spójno ü
• Wzajemne przyci
ganie si
czsteczek tej
samej substancji
•
=ZL]DQD z siáami mi
dzy czsteczkami
lub atomami jednego rodzaju
5
•
3RZVWDZDQLHZSá\QDFK FLHF]DFKJD]DFK
QDSU
*HVW\F]Q\FK]DOH*Q\FKRGSU
GNR FL
RGNV]WDáFHQLDHOHPHQWXSá\QX
•
0LDUDWDUFLDZHZQ
WU]QHJR
• Jednostka miary [Pa
•
s]
/HSNR$þ
[mPa
•
s]
•
1LHP\OLü]J
VWR FL>JFP
3
], [kg/m
3
] !!!
1DSL
FLHSRZLHU]FKQLRZH
3UDFD Z- SRWU]HEQDGR]ZL
NV]HQLDSRZLHU]FKQL
cieczy o 1 m
2
.
:\NRQ\ZDQDZEUHZVLáRPVSyMQR FLFLHF]\
Praca potrzebna do utworzenia jednostkowego pola
SRZLHU]FKQLUR]G]LDáXID]
Jednostka miary:
mN/m
1DSL
FLHSRZLHU]FKQLRZH
Jednostka miary:
N •m
m
2
N
m
mN/m
J
m
2
Jednostka miary: mN/m
.W]ZLO0DQLD
1
c
-
QDSL
FLHSRZLHU]FKQLRZHFLHF]\
ciecz
1
c
1
sc
FLDáRVWDáH
1
s
NW]ZLO*DQLD
,
1
s
-
QDSL
FLHSRZLHU]FKQLRZHFLDáDVWDáHJR
1
sc
-
QDSL
FLHSRZLHU]FKQLRZHQDJUDQLF\ID]
.W\]ZLO0DQLD
140
o
UW
ü– V]NáR
107
o
woda - parafina
90
o
woda - srebro
0
o
etanol -
V]NáR
0
o
woda -
V]NáR
.W]ZLO*DQLD,
Powierzchnia graniczna
Ciecz
]ZLO0D FLDãRVWDãH
FLDáRVWDáH
, = 0
o
, = 60
o
ciecz
FLDáRVWDáH
,
6
Ciecz trudno
]ZLO0DFLDãRVWDãH
, = 90
o
,
, = 120
o
FLDáRVWDáH
ciecz
,
ciecz
FLDáRVWDáH
Ciecz
QLH]ZLO0D FLDãD
VWDãHJR
, = 180
o
FLDáRVWDáH
ciecz
,
1DSL
FLHSRZLHU]FKQLRZH
• woda
72,58 mN/m
• etanol
22,03 mN/m
•
UW
ü
471,6 mN/m
Uszlachetnianie
powierzchniowe
• Nanoszenie substancji chemicznych
QDSRZLHU]FKQL
JRWRZHJRZ\WZRUX
papierniczego.
Cel uszlachetniania
powierzchniowego
• Poprawa:
–
Z\JOGXSDSLHUXOXEWHNWXU\
–
ZáD FLZR FLGUXNRZ\FK
–
ZáD FLZR FLZ\WU]\PDáR FLRZ\FK
–
QLHSU]HSXV]F]DOQR FL
•
1DGDZDQLHZáD FLZR FLVSHFMDOQ\FK
Powlekanie
•
1DQRV]HQLHQDSRZLHU]FKQL
VXEVWDQFML
FLHNá\FK
– roztworów
– zawiesin
– past
– mas w stanie stopionym
Po wysuszeniu lub och
áodzeniu
–
SRZáRNDZQLNDZSRGáR*HZPDá\PVWRSQLX
7
Impregnowanie
• Traktowanie wytworu papierniczego
VXEVWDQFMDPLFLHNá\PL
•
=QDF]QDF]
üW\FKVXEVWDQFMLZQLND
ZJáEZ\WZRUX
Laminowanie
(kaszerowanie)
•
àF]HQLH]HVRESRZLHU]FKQLco najmniej
GZyFKWZRU]\ZSáDVNLFK
–
]DSRPRFVXEVWDQFMLNOHMF\FK
–
ZZ\QLNXG]LDáDQLDFLHSáD
0HWDOL]RZDQLHSUy0QLRZH
• Napylanie warstewki metalu
QDSRZLHU]FKQL
Z\WZRUXSDSLHUQLF]HJR
•
3URFHVRGE\ZDVL
ZZDUXQNDFKZ\VRNLHM
SUy*QL
PRZETWÓRSTWO
MECHANICZNE
=PLDQDZ\PLDUyZLNV]WDãWX
wytworu papierniczego
• Wykrawanie –
Z\NRQ\ZDQLH]DSRPRF
QR*Di SRGNáDGNL
– otworów
– wykrojów
• Perforowanie – przekrawanie arkusza:
– na krótkich odcinkach
–
ZSHZQ\FKRGVW
SDFKRGVLHELH
• Nacinanie –
SU]HFLQDQLHDUNXV]DQDF]
FL
MHJRJUXER FL
=PLDQDZ\PLDUyZLNV]WDãWX
wytworu papierniczego
• Nagniatanie (rowkowanie,
bigowanie)
–
Z\NRQ\ZDQLHURZNyZXáDWZLDMF\FK
zginanie bez uszkodzenia powierzchni
wytworu papierniczego
•
=DáDP\ZDQLH
– zginanie cienkich stosów papieru
8
=PLDQDZ\PLDUyZLNV]WDãWX
wytworu papierniczego
•
&L
FLH Z\FLQDQLH
–
SRPL
G]\GZRPDQR*DPL
–
PL
G]\QR*HPLSDSLHUHPEH]SRGNáDGNL
•
Z\UyZQ\ZDQLHEU]HJyZLREFL
FLHDUNXV]\
na wymiar
•
FL
FLH]ZRMyZQDbobiny
•
FL
FLH]ZRMyZQDDUNXV]H
8WUZDODQLHNV]WDãWX
i formy przestrzennej wytworu
papierniczego
• szycie
• spinanie
• nitowanie
•
áF]HQLHVSU
*\Q
• zgrzewanie
• sklejanie