POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE		LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI
Nazwisko: Boratyński	Imię: Marcin	Ćwiczenie nr 1	Grupa: Id 5.1	Rok akademicki: 20022003
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora		Data wykonania: 06-11-2002		Ocena:

1.Cel ćwiczenia.

Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE .

2.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzieWB.

Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

UCB =1V			UCB=1.5V			UCB=2V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,30	0	0	0,34	0	0	0,28	0	0
0,40	0	0	0,55	4	2	0,50	0	0
0,60	13	13	0,59	10	9	0,59	10	9
0,63	12	20	0,63	21	18	0,63	20	19
0,68	40	40	0,66	32	28	0,65	31	29
0,70	51	48	0,68	42	40	0,67	40	27
0,71	60	55	0,69	50	48	0,70	52	48
0,73	72	65	0,72	70	65	0,72	70	67
0,74	80	75	0,75	86	81	0,76	90	89
0,77	93	89	0,78	100	96	0,77	100	100

Charakterystyka wejściowa WB.

IE =70mA			IE=50mA			IE=90mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
1	60	0,26	1	44	0,22	1	80	0,29
2	60	0,26	2	44	0,22	2	80	0,28
3	60	0,27	3	43	0,22	3	80	0,28
4	65	0,26	4	44	0,22	4	80	0,28
5	65	0,26	5	44	0,22	5	80	0,28
6	65	0,25	6	44	0,22	6	80	0,28
7	64	0,25	7	44	0,22	7	80	0,27
8	64	0,25	8	44	0,22	8	80	0,27
9	65	0,24	9	44	0,22	9	80	0,27

h11b=ΔUcb/ΔIe=

h21b=ΔIc/ΔIe=

h12b=ΔUeb/ΔUbc=

h22b=ΔIc/ΔUcb=

3.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

Schemat tranzystora pracującego w układzie wspólnego emitera

UCE =2V			UCE =4V			UCE =6V			UCE =8V
UBE	Ib	IC	UBE	Ib	IC	UBE	Ib	IC	UBE	Ib	IC
V	mA	mA	V	mA	MA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,15	0,1	10	0,14	0,1	10	0,15	0,1	10	0,13	0,1	10
0,17	0,25	20	0,16	0,22	20	0,16	0,22	20	0,15	0,2	20
0,19	0,35	30	0,19	0,35	30	0,18	0,3	30	0,17	0,3	30
0,21	0,57	50	0,2	0,45	40	0,19	0,44	40	0,18	0,4	40
0,23	0,8	70	0,22	0,65	60	0,21	0,64	60	0,21	0,6	60
0,25	1,05	90	0,24	0,9	80	0,23	0,9	80	0,22	0,8	80
0,26	1,15	100	0,25	1,15	100	0,25	1,08	100	0,24	1,04	100

IB =0.7mA			IB=0.5mA			IB=0.3mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
1	64	0,2	1	46	0,19	1	26	0,17
2	66	0,2	2	48	0,19	2	27	0,17
3	68	0,2	3	48	0,19	3	28	0,17
4	71	0,2	4	49	0,19	4	28	0,17
5	74	0,19	5	50	0,19	5	28	0,16
6	75	0,19	6	50	0,19	6	29	0,16
7	76	0,19	7	51	0,19	7	30	0,16
8	77	0,19	8	53	0,19	8	31	0,16

h11e=ΔUbc/ΔIb=

h21e=ΔIc/ΔIb=

h12e=ΔUbe/ΔUce=

h22e=ΔIc/ΔUce=

4. Wnioski

Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h11 wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. W obu wypadkach wzmocnienie napięciowe jest większe od jedności. Admitancja wyjściowa jest również inna w obu przypadkach. W układzie OB. Jest znacznie większa niż w układzie OC. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistości ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.

---