materiałoznawstwo 4 - 13.03.2007, Materiałoznawstwo - wykłady


13.03.2007

Wykład 4

Energia wiązań między atomami w różnych substancjach

Rodzaj wiązania

Substancja

Energia wiązania

Kg/mol

eV/ atom, jon, cząsteczkę

Pierwotne

Jonowe

NaCl

MgO

640

109

3.3

5.2

Kowalencyjne

Si

C (diament)

450

713

4.7

7.4

Metaliczne

Mg

Al

Fe

68

324

406

0.7

3.4

4.2

Wtórne

Van der Waalsa

Ar

Cl2

7,7

31

0.008

0.32

Wodorowe

NH3

H2O

36

51

0.36

0.52

Wiązania atomowe (kowalencyjne):

Wiązania metaliczne:

Wiązania Van der Waalsa i wiązania wodorowe:

Wiązanie jonowe i kowalencyjne:

Wiązania metaliczne:

W metalach i ich stopach oraz większości materiałów ceramicznych atomy ułożone są w pewien uporządkowany sposób.

Siedem układów krystalograficznych (atomy tworzą sieć krystaliczną):

  1. 0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    Prosta sieciowa łączy środki dwóch atomów

  2. Parametr sieciowy - najbliższa odległość między atomami.

  3. 0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    Płaszczyzna sieciowa - przesunięcie prostej sieciowej w kierunku różnym od tej prostej.

  1. 0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    0x08 graphic
    Kamionka elementarna - przesunięcie płaszczyzny sieciowej w trzech płaszczyznach.

0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic

A, b, c - parametry sieciowe, gdy są sobie równe oznaczamy wszystkie jako a, poza tym kamionka elementarna opisana jest kątami α, β, γ.

Układy:

  1. Jednoskośne

  • Trójskośne

  • Rombowe

    1. Tetragonalne

    1. Romboedryczne

    2. Heksagonalne

    3. Regularne

    Prymitywna - atomy znajdują się tylko w narożach komórki elementarnej.

    Ściennie centrowana - atomy występują na wszystkich ścianach komórki

    Centrowana na podstawach - atomy występują też na podstawach komórki elementarnej.

    Sieć typu A1 lub PSC - siec regularna, ściennie centrowana

    Sieć typu A2 lub RPC - regularna, przestrzennie centrowana (stal heretyczna)

    Sieć typu A3 lub HZ - sieć heksagonalna zwarta

    Komórki elementarne są opisane parametrami sieciowymi a, b, c oraz kątami α, β, γ. Każdy układ charakteryzuje się innymi parametrami.

    Metale nie krystalizują w trójskośnej i skośnej. Krystalizują w pozostałych.

    Odkształcenie plastyczne zachodzi najłatwiej w płaszczyznach o gęstym ułożeniu atomów.

    Na skutek działania wysokiej temperatury, ciśnienia, może dojść do przebudowy sieci krystalicznej (przebudowy alotropowej). Prowadzą one do powstania faz przebudowy krystalicznej (oznaczamy literami greckimi) np.:

    Fe - α

    Fe - γ

    Różnią się właściwościami chemicznymi, fizycznymi. Rzeczywista struktura materiałów (głównie metali), pojawiają się w materiale różne defekty.

    Gdy komórka elementarna powtarza się w sposób wielokrotny mówimy o idealnym przypadku.

    Kryształy woskowate (wisteksy) - wistersy niewielkiej ilości defektów, tylko jedna dyslokacja śrubowa, otrzymujemy bardzo wysoką wytrzymałość ok. 10000 MPa.

    Najlepsze stale - 2500 - 3000 MPa

    Wisteksy mają kilka lub kilkanaście mikrometrów średnicy 10-6 m, o długości kilku milimetrów. Wytrzymałość spada wraz ze wzrostem gęstości defektów, po przekroczeniu pewnej granicy znowu rośnie (generując coraz większą ilość defektów

    Trzy rodzaje defektów budowy krystalicznej:

    Gdy występuje wakans - kontrakcja sieci - naprężenie rozciągające, gdy atomy międzywęzłowe - naprężenie ściskające.

    Pozycje międzywęzłowe mają ograniczone wymiary. Między nimi pojawiają się małe atomy.

    Mechanizm Schatky'ego - powstaje wakans

    Mechanizm Frenkla - powstaje wakans oraz atom międzywęzłowy

    Ruch atomów łatwiej zachodzi w podwyższonej temperaturze (wzrastają wówczas drgania sieci (atomy odchylają się do swoich położeń, zyskują dodatkową energię, która umożliwia im przemieszczenie.

    Defekty punktowe - powstają podczas krystalizacji metalu oraz podczas nagrzewania

    Dyslokacje krawędziowe - krawędź półpłaszczyzny sieciowej umieszczonej pomiędzy nieco rozsuniętymi płaszczyznami sieciowymi kryształu o budowie prawidłowej. Powoduje odkształcenie postaciowe i objętościowe. W zależności od położenia płaszczyzny krawędzi - dyslokacja dodatnia - gdy półpłaszczyzna leży przed płaszczyzną poślizgu oznaczamy ┴; dyslokacja ujemna - gdy półpłaszczyzna leży pod płaszczyzną poślizgu oznaczamy ┬.

    Płaszczyzna poślizgu - płaszczyzna o najbardziej gęstym ułożeniu atomów. Odbywa się w niej ruch dyslokacji (dyslokacje mają zdolność przemieszczania się)

    Dyslokacja opisana jest za pomocą wektora Burgersa (b). Wektor ten otrzymujemy wykreślając kontur Burgersa.

    Gdy mamy kryształ idealny wykreślamy pętle o pewną (równą) ilość odcinków (kontur się zamknie, gdy nie ma defektów), gdy są defekty, kontur się nie zamknie.

    Przemieszczenie dyslokacji zachodzi pod wpływem naprężeń stycznych (ścierających) - dyslokacja przemieszcza się wzdłuż płaszczyzny poślizgowej.

    Pod wpływem naprężeń normalnych (rozciągających lub ściskających) dyslokacja będzie się wspinała.

    Wspinanie dodatnie - na skutek dyfuzji wakansu

    Wspinanie ujemne - dyfuzja atomów do dyslokacji

    Dyslokacja wychodzi na powierzchnię kryształu (powstaje uskok dyslokacyjny).

    Przemieszczenie się dyslokacji wykorzystuje się w obróbce plastycznej w stanie równowagowym - 1010 0x01 graphic
    linii dyslokacyjnych. W odkształceniach plastycznych na zimno - 1016 0x01 graphic
    linii dyslokacyjnych. Dyslokacja po przekroczeniu pewnej granicy zaczyna się blokować (gdy jest ich bardzo duża - dalej jest niemożliwe odkształcenie plastyczne na zimno).

    Dyslokacja śrubowa - przemierza części krystaliczne wokół osi, którą nazywamy linią dyslokacji śrubowej, powstaje odkształcenie śrubowe:

    - prawoskrętne

    - lewoskrętne

    Wielkość tej dyslokacji również opisana jest wektorem, Burgersa. Dyslokacja mieszana - śrubowa + krawędziowa - podczas krystalizacji.

    Dyslokacje mogą się przyciągać lub odpychać. Zależy to od:

    Defekty powierzchniowe:

      1. Błąd ułożenia - zaburzona sekwencja ułożenia płaszczyzn sieciowych, np. ABCBCA a nie ABCABC lub dodatkowa płaszczyzna ABCBABC. Powstają podczas krystalizacji.

      2. Granice ziaren - monokryształy - wszystkie komórki krystalograficzne ułożone są w jednym kierunku. Materiały polikrystaliczne - materiał podzielony jest na małe obszary (ziarna), gdzie wszystkie komórki ziarna ułożone są w różne strony (ziarna oddzielone są od siebie granicami ziarna). W zależności od kąta dezorientacji rozróżniamy:

        • Granice wąskokątowe - niewielki kąt dezorientacji krystalicznej, tzw. granica daszkowa zbudowana z dyslokacji krawędziowej.

        • Granica szerokokątowa - miejsce koincydentne (wspólna dla jednego i drugiego ziarna)

    Od wielkości ziaren zależy wytrzymałość: im mniejsze ziarna tym większa wytrzymałość, im więcej dyslokacji tym większa wytrzymałość.

    Monomateriały - materiały o bardzo dużej wytrzymałości.

    Materiał bezpostaciowy - atomy ułożone w sposób przypadkowy (materiał amorficzny, np. szkła)

    Szkła metaliczne - materiały metaliczne, bezpostaciowe, nie mają budowy krystalograficznej, powstającej przy bardzo szybkim chłodzeniu (1 mln °/s).

    Granice międzyfazowe: oddziela fazy w materiale:

    Faza - jednorodna część stopu, różniąca się typem sieci.

    Stopy metali:

    1. Roztwór stały - jednorodna faza, wiązania metaliczne, struktura krystaliczna, składa się z atomów rozpuszczalnika i atomów pierwiastka rozpuszczanego. Zależy od typu sieci, wielkości atomów, wartościowości pierwiastka, np. roztwór stały międzywęzłowy, różnowęzłowy

    2. Roztwór stały podstawowy, - gdy rozpuszczalnikiem jest pierwiastek będący składnikiem stopu

    3. Roztwór stały wtórny - gdy rozpuszczalnikiem jest faza międzykrystaliczna

    4. Roztwór stały ciągły - jeden składnik możemy zamienić w 100% innym składnikiem

    5. Roztwór stały graniczny - możemy jedynie w pewnym zakresie rozpuścić jeden pierwiastek w drugim

    6. Fazy międzymetaliczne - powstają wskutek połączenia dwóch metali lub pierwiastka metalicznego z niemetalicznym. Mają uporządkowany rozkład atomów. Powodują umocnienie materiałów. 0x01 graphic

    26

    a

    b

    c



    Wyszukiwarka

    Podobne podstrony:
    higiena 02.03.2007, HIGIENA - WYKłADY NA PWSZ
    1ZZR3 58, Gdańsk 13-03-2007
    wyklad I - 01.03.2007, Higiena, wykłady (amwro)
    bm wt 13 15 g1 se1 sp2 c2 13 03 2007
    13 03 2007
    bm wt 13 15 g1 se1 sp2 c2 13 03 2007
    13,03,2007
    13 03 2007
    materiałoznawstwo 7 - 03.04.2007, Materiałoznawstwo - wykłady
    materiałoznawstwo 3 - 06.03.2007, Materiałoznawstwo - wykłady
    materiałoznawstwo 6 - 27.03.2007, Materiałoznawstwo - wykłady
    3Wb Wykład 13 03 2015 NORMY MATERIAŁOWE I SPRZĘTU
    13 materiały wykład I
    13 materiały wykład II
    03 materiały wykład I
    03 materiały wykład II
    materiałożnawstwo 9 - 08.05.2007, Materiałoznawstwo - wykłady
    kwestie spoleczne w pedagogice 13.03.2011nr 1, Pedagogika materiały
    materiałoznawstwo 10 - 15.05.2007, Materiałoznawstwo - wykłady

    więcej podobnych podstron