Tematy z Laboratorium Energoelektroniki – rok akadem. 2010/11

DP - Badanie prostowników diodowych :

1. Opisać działanie diody zwrotnej w prostownikach diodowych.

2. Narysować schematy układów prostowników niesterowanych 1D, 3D i Graetza.

3. Narysować przebiegi napięcia i prądu wyprostowanego UD i ID w prostowniku Graetz’a z obciążeniem R i RL.

CT - Charakterystyki termiczne tyrystora :

1. Opisać wpływ temperatury struktury tyrystora na jego własności i charakterystyki.

2. Narysować charakterystyki : napięcia przewodzenia tyrystora UF = f(T) oraz prądu bramki IGmin = f(T) przy którym następuje załączenie tyrystora.

3. Wyjaśnić dlaczego wartość prądu bramki potrzebnego do załączenia tyrystora maleje ze wzrostem temperatury złącz półprzewodnika.

TM- Badanie tranzystorów mocy :

1. Porównać właściwości tranzystora bipolarnego i MOSFET.

2. Porównać sposoby sterowania tranzystora bipolarnego i MOSFET, oszacować wartości rezystancji wejściowych.

3. Narysować schemat służący do wyznaczania charakterystyk :IC = f(IB)

dla tranzystora bipolarnego oraz narysować tę charakterystykę i podać wzór

na współczynnik wzmocnienia prądowego β.

ST- Badanie sterownika jednofazowego :

1.

Narysować schemat układu sterownika jednofazowego z triakiem i obciążeniem R

oraz jego charakterystykę sterowania Uwy = f(α).

2.

Narysować schemat układu sterownika jednofazowego z tyrystorami i obciążeniem R

oraz jego charakterystykę sterowania Uwy = f(α).

3.

Narysować przebiegi napięcia wyjściowego i napięcia na triaku sterownika jednofazowego dla kąta α = 90 o i obciążenia typu R.

lub podobne pytania.