Politechnika Śląska
Wydział AEiI
Laboratorium
z Elektroniki
Tranzystory unipolarne.
Grupa 5., sekcja 1.
Rafał Morawski
Bartłomiej Kobierzyński
Tranzystor BF 245.
Układ pomiarowy.
Charakterystyka Przejściowa
Napięcie odcięcia UOFF=-3,585
UGS [V] |
ID2 [mA] |
ID5 [mA] |
-3,585 |
0 |
0 |
-3,072 |
0,217 |
0,243 |
-2,56 |
0,948 |
1,031 |
-2,045 |
2,01 |
2,995 |
-1,85 |
2,461 |
2,697 |
-1,644 |
2,96 |
3,38 |
-1,531 |
3,247 |
3,64 |
-1,439 |
3,474 |
3,392 |
-1,233 |
3,991 |
4,504 |
-1,016 |
4,544 |
5,123 |
-0,822 |
5,005 |
5,483 |
-0,617 |
5,464 |
5,75 |
-0,505 |
5,724 |
6 |
-0,41 |
5,854 |
5,945 |
-0,206 |
6,155 |
6,133 |
0,003 |
6,314 |
6,18 |
0,014 |
6,307 |
6,16 |
0,101 |
6,335 |
6,15 |
0,198 |
6,403 |
6,165 |
0,249 |
6,427 |
6,16 |
0,299 |
6,43 |
6,225 |
IDSS ≈ 6,314 [mA] dla napięcia UD = 2 V
IDSS ≈ 6,18 [mA] dla napięcia UD = 5 V
Transkonduktancja.
gm = 2,77 *10-3 [S] dla UDS = 2 V w punkcie (UGS = -2,045 V, ID = 2,01 [mA])
gm = 1,55 *10-3 [S] dla UDS = 5 V w punkcie (UGS = -2,045V, ID = 2,995 [mA])
Charakterystyka Wyjściowa
Ze względu na niedoskonałość przyrządu pomiarowego (duży skok) zostały przyjęte następujące wartości :
Uoff+ = -3,072
U1/2off+ = -1,645
UDS. |
ID uoff+t |
ID 1/2 Uoff |
ID 0 |
0,1 |
0,064 |
0,292 |
0,544 |
0,3 |
0,14 |
0,82 |
1,548 |
0,5 |
0,16 |
1,289 |
2,45 |
0,7 |
0,183 |
1,688 |
3,16 |
0,9 |
0,192 |
2,031 |
3,57 |
1 |
0,196 |
2,176 |
3,732 |
1,5 |
0,208 |
2,655 |
4,3 |
2 |
0,217 |
2,903 |
4,29 |
2,5 |
0,223 |
2,998 |
4,62 |
3 |
0,228 |
3,075 |
4,51 |
3,5 |
0,233 |
3,091 |
4,74 |
4 |
0,237 |
3,136 |
4,58 |
4,5 |
0,24 |
3,13 |
4,78 |
5 |
0,243 |
3,17 |
4,73 |
5,5 |
0,245 |
3,157 |
4,79 |
6 |
0,247 |
3,19 |
4,77 |
6,5 |
0,25 |
3,182 |
4,8 |
7 |
0,252 |
3,215 |
4,79 |
7,5 |
0,254 |
3,2 |
4,8 |
8 |
0,256 |
3,223 |
4,78 |
Tranzystor SMY 50.
Układ pomiarowy.
Dane pomiarowe.
UGS |
ID(UDS=-2,UB=0) |
ID(UDS=-5,UB=0) |
ID(UDS=-2,UB=5) |
ID(UDS=-5,UB=5) |
-3,541 |
-0,03 |
-0,04 |
0 |
0 |
-4,075 |
-0,28 |
-0,35 |
0 |
0 |
-4,585 |
-0,76 |
-0,95 |
-0,04 |
-0,12 |
-5,09 |
-1,45 |
-1,88 |
-0,34 |
-0,6 |
-6,125 |
-3,15 |
-3,99 |
-1,66 |
-2,35 |
-7,166 |
-4,85 |
-6,77 |
-3,42 |
-4,91 |
-8,2 |
-6,37 |
-9,87 |
-5,07 |
-8,03 |
Wnioski.
W tranzystorze polowym o prądzie w kanale pomiędzy drenem, a źródłem decydują nośniki tylko jednego znaku - nośniki większościowe w objętości kanału. Uzasadnia to również określanie tego typu tranzystora unipolarnego - w odróżnieniu od tranzystora bipolarnego, w którym istotny jest ruch obydwu rodzajów nośników - to znaczy dziur i elektronów.
Większość wykresów jest zgodna z naszymi oczekiwaniami. W przypadku tranzystora SMY 50 daje się zauważyć, że przyłożenie napięcia do podłoża zmienia ilość nośników prądu w kanale (kanał indukowany)
Jak zmienialiśmy napięcie UGS, lub UDS. (zwiększaliśmy wartość prądu płynącego przez opornik) to zauważyliśmy, ze dla wyższego napięcia, gdzie teoretycznie powinien płynąć większy prąd w rzeczywistości płynął mniejszy niż się tego spodziewaliśmy - zapewne jest to powodowane tym, ze źródło prądowe było nieidealne.
Charakterystyki, które otrzymaliśmy są zbliżone do charakterystyk tranzystorów bipolarnych.
V
V
mA