Nauka o materiałach TI<ST 2j
1 B1 1 I Numer Indekou |
Numer t^rupy |
Pytani* otwarte |
Pytania /amknłfU |
Py taf>l |
I 24.05.2010 | L / NAZWISKO 1 IM1K «TI/I)KNTA |
2^ punktów: |
W pytaniach „zamkniftych" wnkuż poprawną odp<mkd^ (jen tytko jedna) poprzez uikreitenie, np,(S) Py^nla „otwarte** (wyknipkowunr) UZĄtpeJnlJ w oootUrb CTrkahr,
OCENA: pytania zamknięte: I; otwarte: 2; pytanie nr 20: 4 punkty; Max. £ 30 punktów.
ft
I. Kryształy jonowe;
A charakteryzują się dużą plantyczmnUstą I B- V stanic stałym są izolatorami
C. wykazują niskie temperatury topnienia
D. po stopieniu nie przewodzą prądu
2. Wymień parametry charakteryzujące nieć krystalograficzną (Bravais9a):
A. układktyStalpjsrafjęzny.................................
B. lypsieclprzest^ennej.., ..... ....................
C. stałe sieciowe komorni elementarnej
D. .Jqty.zavw.rte mi^dżfkrawędżiamrfó
Co to Je*t austenit?
................n.żelazie, a tP°?r*
................rnięAgyw^zlowy^gramemy).,,.....
9, Wyżarzanie polega na:
IA,Nagrzaniu, wygrzewaniu i powolnym cltło< stali w celu uzyskania struktury zbliżonej ( równowagi
B. nagrzewaniu i szybkim chłodzeniu stali w
C. uzyskaniu struktury martenzytycznej stali
D. uzyskaniu nietrwałego stanu pr/esyconcg
10. Przemiana eutektoidalna w układzie l to przemiana:
A. austenit <-» ferryt,
B. ledeburyt <-> perlit,
C. austenit«-» ferryt + cementyt,
[U- <-» austenit + cementyt
11. Defekty punktowe nie powstała w vi
A. dyfuzji
B. obróbki plastycznej na zimno, [Cjdekohezji
D. szybkiemu przechlodzeniu metalu 2 \ temperatur
12. Wskaż zdanie prawdziwe:
A. Mn, Si, Al niekorzystnie wpływają stali niestopowych
B. tlen, azot i wodór nie pogarszając mechanicznych stali niestopowyc
C. różna zawartość węgla nie wptyi struktury stali
D. siarka tworząc FeS powoduje k
13. Wskaźniki określające ciągi
a) ,4;łyY^ł.liź£lW. lągQ<to4)..........
. v Z- przewężenie (miara bardziej ostra)
b) ..........................
ę\K- udarność (miara ostra)
dl 'r. odęorność.rjH Pf tank (miana. fc>« OSUa)
Cff^-JLemperatun&praejśaa w shm krneh?
3. Ceramika inżynierska:
A. ma postać krystaliczną z dużym udziałem fazy szklistej
fi. ma gęstość znacznie odbiegającą od teoretycznej H wytwarzana jest przez spiekanie bardzo czystych związków
f| ma niską twardość
, Ile atomów przypada na jedną komórkę ementamą sieci regularnej ściennie centrowanej? >daj symbole tej komórki.
. symbole: JtSC,xF4# Al........................................
ną jedną komórkę elementarną przypadają 4 atomy.............. 'ontrakcja sieci krystalicznej jest wywołana:
JukąJub obcym atomem węzłowym o promieniu..............
mniejszym od promienia atomu macierzystego
istawowym mechanizmem umożliwiającym tałcenie plastyczne jest: lody fuzja, [§] poślizg,
)mbinacja, D. krystalizacja
yst stężenia defektów sieci krystalicznej powoduje: A. proporcjonalny wzrost 1Mości, B. zwiększenie plastycznościJ C. fwykład 2 slajd 26 enie a następnie wzrost wytrzymałości zmniejszenie wytrzymałości