Politechnika Lubelska		Laboratorium Elektroniki
w Lublinie		Ćwiczenie Nr 1
Skład grupy:	Semestr		Grupa	Rok akad. 2009/10	Ocena
Temat: BADANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH TRANZYSTORA				Data wykonania	Podpis

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE. Następnie określenie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych.

2.1. Przygotowanie do ćwiczenia

Schematy pomiarowe:

1. Układ WB

Rys. 15 Układ do wyznaczenia charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

2. Układ WE

Rys. 16 Układ do wyznaczenia charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

2.2. Przebieg

2.2.1. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB należy wykonać według schematu rys. 15.

a) Pomiar charakterystyki wejściowej I_E=f/U_EB/ przy U_CB=const oraz charakterystyki przejściowej I_C=f/I_E/ przy U_CB=const.

Pomiarów należy dokonać przy trzech wartościach napięć U_CB.
WAŻNE: nie należy przekraczać prądu emitera 100mA!

Tabela pomiarów nr1.

Lp	UCB=………………V			UCB=………………V			UCB=………………V
		UEB	IE	IC	UEB	IE	IC­	UEB	IE	IC
		V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

b) Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej I_C=f/U_CB/ przy I_E=const oraz charakterystyki oddziaływania wstecznego U_EB=f/U_CB/ przy I_C=const .

Pomiarów należy dokonać przy trzech wartościach I_E.
WAŻNE: nie należy przekraczać prądu emitera 100mA !

Tabela pomiarów nr 2.

Lp	IE =………………mA			IE =………………mA			IE =………………mA
		UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
		V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

c) Obliczyć przyrostowe parametry mieszane, wynikające z równań przedstawionych w rozdziale 1.4, (rys. 11).

Oporność wejściowa h_11b=
Współczynnik wzmocnienia prądowego h_12b=
Admitancja wyjściowa h_22b=
Współczynnik oddziaływania wstecznego h_12b=

2.2.2. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE należy wykonać według schematu rys. 16.

a) Pomiar charakterystyk wejściowych I_B=f/U_BE/ przy U_CE=const oraz charakterystyki przejściowej I_C=f/I_B/ przy U_CE=const

Pomiarów należy dokonać przy trzech wartościach napięć U_CE.
WAŻNE: nie należy przekraczać prądu bazy

Tabela pomiaróe nr 3.

Lp	UCE =………………V			UCE =………………V			UCE =………………V
		UBE	IB	IC	UBE	IB	IC	UBE	IB	IC
		V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

b) Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej I_C=f/U_CE/ przy I_B=const oraz charakterystyki oddziaływania wstecznego U_BE=f/U_CE/ przy I_B=const .

Pomiarów należy dokonać dla trzech wartości I_B.
WAŻNE: nie należy przekraczać prądu bazy

Tabela pomiarów nr 4.

Lp	IB =……………… mA			IB =……………… mA			IB =……………… mA
		UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE
		V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

c) Wyznaczanie przyrostowych parametrów mieszanych dla układu WE na podstawie charakterystyk statycznych, dla wybranego punktu pracy (patrz rozdział 1.4, rys. 13).

Oporność wejściowa h_11e=

Współczynnik wzmocnienia prądowego h_21e=

Admitancja wejściowa tranzystora h_22e=

Współczynnik oddziaływania wstecznego h_12e=

Strona 4 z 4