POLITECHNIKA POZNAŃSKA INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI PRZEMYSŁOWEJ Zakład Elektroniki i Sterowania
Ćwiczenie nr 2 Temat: Układy pracy tranzystora bipolarnego
Rok akademicki: 2004/2005 Wydział Elektryczny Studia dzienne magisterskie Grupa: E5	Wykonawcy: 1. Garczyk Rafał 2. Matuszak Paweł 3. Tałaj Adam	Data
				Wykonania ćwiczenia 15.11.2004	Oddania sprawozdania 29.11.2004
Uwagi:

1. Charakterystyki tranzystora w układzie WE

Schemat układu WE.

1a. Charakterystyka wejściowa
dla
.

UBE [V]	IB [μA]
0,474	0
0,618	100
0,644	200
0,659	300
0,668	400
0,676	500
0,682	600

1b. Charakterystyka przejściowa
dla
.

IB [μA]	IC [mA]
0	0
100	0,459
200	1,036
300	1,80
400	2,48
500	3,31
600	4,0

1b. Charakterystyka wyjściowa
dla
.

UCE [V]	IC [mA]
2	0,52
3	0,54
4	0,57
5	0,60
6	0,65
7	0,79
8	1,24
8,5	50,9
9	71,8

3. Wyznaczanie charakterystyk amplitudowych tranzystora w układzie WE

3a. Bez obciążenia

Schemat układu do wyznaczania

w układzie pracy WE bez obciążenia

f [kHz]	UWE [V]	UWY [V]	KU [V/V]
0,5	0,039	1,6	41,03
1	0,038	1,6	42,11
10	0,039	1,6	41,03
100	0,039	1,4	35,90
200	0,039	1,15	29,49
300	0,038	0,9	23,68
400	0,036	0,7	19,44
500	0,035	0,56	16,00
800	0,032	0,32	10,00
1000	0,029	0,23	7,93
1500	0,026	0,23	8,85
2000	0,023	0,078	3,39

Wnioski

Celem ćwiczenia było poznanie właściwości tranzystora bipolarnego oraz jego układów pracy. Niestety nie udało nam się zbadać tranzystora w układzie wspólnego kolektora (WK), dlatego nie możemy porównać właściwości tych układów.

Jeśli chodzi o współczynnik wzmocnienia, to można powiedzieć, że wraz ze wzrostem częstotliwości wzmocnienie tranzystora bipolarnego w układzie wspólnego emitera maleje.

---