Krzysztof Daroń IZ-11

Poprawa Wejśćiówki z Tranzystorów

Tranzystory Unipolarne:
- FET (Field Effect Transistor)
  * Typ P - dziury nośnikiem prądu
  * Typ N - elektron nośnikiem prądu

Podział:
- Tranzystory polowe złączowe - JFET (Junction Field Effect Transistor)
- Tranzystory polowe z izolowaną bramką - IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)
- Tranzystory polowe z izolowaną bramką - MoSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
- Tranzysotry polowe cienkowarstwowe - TFT (Thin Film Transistor)

Nazwy elektrod w tranzystorach unipolarnych:
- źródło S (source)
- Dren D (Drain)
- Bramka G (Gate)

Parametry:
- Napięcie odcięcia bramka-źródło
- Prąd nasycenia
- Charakterystyka wyjściowa
- Parametry statyczne
  * prąd wyłączenia
  * rezystancja staczyczna włączenia
  * rezystancja wyłączenia
  * prądy upływu
- Parametry graniczne
  * dopuszczalny prąd drenu
  * dopuszczalny prąd bramki
  * dopuszczalne napięcie dren-źródło
  * dopuszczalne straty mocy

Charakterystyki:
- przejściowa

- wyjściowa

Tranzystory JFET:
Przy wzroście napięcia:
- maleje wartość płynącego przez tranzystor prądu
- przy mniejszych wartościach napięcia UDS następuje zamknięcie kanału, czemu odpowiada mniejsza wartość prądu nasycenia

Parametru:
- parametry statyczne dla dużych wartości sygnałów
- parametry dynamiczne dla małych wartości sygnałów

Trazystory MOSFET:

Rodzaje:
- Kanał zubożały typu N
- Kanał wzbogacony typu N
- Kanał zubożały typu P
- Kanał wzbogacony typu P

Zalety tranzystorów polowych:
- duża rezystancja wejściowa,
- małe szumy w porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie małych i średnich częstotliwości),
- możliwość autokompensacji temperaturowej,
- odporność na promieniowanie,
- małe wymiary powodują, że są one coraz powszechniej stosowane w układach analogowych i cyfrowych.

Tranzystory unipolarne mogą pracować w trzech podstawowych konfiguracjach:
- Układ o wspólnym źródle - OS.
- Układ o wspólnej bramce - OG.
- Układ o wspólnym drenie - OD.