Wymagania egzaminacyjne z przedmiotu

Analogowe układy CMOS w Technice VLSI

1. Technika projektowania układów scalonych Full Custom

Projektowanie układów w technice Full Custom można określić w następujących etapach:

1. Tworzenie schematu układu za pomocą tranzystorów, rezystorów itp. - w tym etapie projektujemy układ za pomocą programów typu Spice.

2. Symulacja układu na poziomie tranzystorów - symulacja takiego układu i sprawdzenie czy, aby na pewno spełnia nasze wymagania odnośnie działania układu

3. Tworzenie layout'u - Tworzenie modeli elementów użytych później do wytworzenia elementów

4. Ekstrakcja - Eksport ustawień do programów wspomagających tworzenie układów scalonych

5. Sprawdzenie wyglądu ze schematem. Jeśli layout się nie zgadza się ze schematem musimy wrócić do tworzenia schematu

6. Wykonanie symulacji layout-owej - wykonanie symulacji aby sprawdzić czy układ działa poprawnie

7. Ustawianie elementów i ścieżek - tworzenie połączeń pomiędzy elementami

8. Weryfikacja wierzchniej warstwy - ?

9. Utworzenie plików do produkcji - Eksport do plików, dzięki którym będzie możliwa produkcja układu

10. Prototypowanie - Tworzenie prototypowych układów

11. Testy - Testy układów, jeśli układ nie spełnia wymagań to wracamy do poziomu projektowania

12. Produkcja - jeśli wszystko jest w porządku to produkujemy nasz układ.

Zalety i wady :

+ pełne wykorzystanie układu scalonego

+ szybszy od układów wykonanych w innych technologiach

+ tani w dużych partiach

+ pobierana moc jest adekwatna do układu

- długi czas produkcji układu

- cena projektowania jest bardzo wysoka

2. Technika projektowania układów scalonych Standard Cell

3. Etapy procesu projektowania układu scalonego

4. Zasady projektowania (design rules)

5. Materiały stosowane w procesie wytwarzania układów scalonych

6. Standardowy proces technologii CMOS

7. Technologia SOI

8. Wytwarzanie rezystorów w technologii CMOS

9. Wytwarzanie kondensatorów w technologii CMOS

10. Zastosowanie warstw miedzianych i dielektryków o niskiej przenikalności elektrycznej

11. Obszary pracy tranzystorów MOS w technologii CMOS

12. Parametry pasożytnicze tranzystorów MOS w technologii CMOS

13. Topologie tranzystorów MOS

14. Gorące nośniki, efekt tyrystorowy

15. Anizotropowe trawienie krzemu

16. MEMS- metody wytwarzania

17. MEMS - membrany i belki

18. Projektowanie układów scalonych pozwalający na duży uzysk.

19. Rozrzuty parametrów w układach submikronowych

20. Matching - zgodność parametrów

21. Techniki wytwarzania scalonych układów 3D

22. Techniki wykonywania wyprowadzeń z układów scalonych