Wnioski

Podczas tego ćwiczenia badaliśmy układy TTL serii 74. Stan wysoki wynosi w tym przypadku 1.33 V ,natomiast stan niski przekracza 0,4 V. Otrzymaliśmy charakterystyki przejściowe bramek NAND i CMOS. W przypadku bramki NAND przeskok logiczny ze stanu wysokiego na niski nastąpił przy 1,08V . Stan wysoki bramki NAND wynosi 4,44 V, stan niski zaś 0,154. W przypadku bramki MOSFET przeskok logiczny nastąpił przy 3,3 V. Wynika stąd ,że bramki MOSFET są bardziej stabilne i działają w większym zakresie temperatur

---