optymal temp PFR CSTR, Technologia INZ PWR, Semestr 4, Technologia Chemiczna - surowce i nośniki, Technologia Chemiczna surowce i nośniki - Laboratorium, Laboratorium - materiały


  1. W reakcji następczej A B C przebiegającej wg modelu stechiometrycznego k1=0.535E11*exp(-74820/(RT)) oraz k2=0.461E18*exp(-124700/RT)), [1/s]. cA0=0.95, cB0=0.05 [mol/dm3]. Określić warunki maksymalizujące otrzymywanie składnika B; czas przebywania reagentów w reaktorze τ=10 s:

  1. w reaktorze izotermicznym PFR optymalną temperaturę (dopuszczalny przedział 337<T<345 K)

  2. w kaskadzie 4 r. CSTR optymalną temperaturę reakcji (337<T<345 K) gdy Ti=const oraz gdy dopuszczalne są różne temperatury na poszczególnych stopniach kaskad

  3. w reaktorze PFR optymalny profil temperatury w dopuszczalnym przedziale (337<T<345 K)

  4. odwrócić zagadnienie: w punktach a), b), c) t.j. minimalizować czas przebywania reagentów w reaktorze w którym osiągnie się stężenie B na wyjściu a reaktora cB=0.7 mol/dm3

  1. W reakcji odwracalnej A <==> B, k1p=3.0E7*exp(11600/(RT)), k1l=2.67E19*exp(29740/(RT) [1/s], R=1.99 cal/(mol*K), cA0=1 mol/dm3, cB0=0, określić minimalny czas przebywania reagentów w reaktorze PFR oraz kaskadzie 4 reaktorów CSTR

  2. W reakcji równoległej nieodwracalnej A P oraz A Q gdzie P jest pożądanym produktem określić optymalny profil temperatury dla założonego przereagowania P - cP=0.45 mol/dm3, jeśli stężenia początkowe cP0=0 oraz cA0=1 mol/dm3,

  1. w reaktorze PFR

  2. kaskadzie 4 r. CSTR (minimalizacja czasu przebywania).

Dane: k1=8.2E2*exp(-2500/T) oraz k2=6.72E5*exp(-5000/T); dopuszczalna temp. reakcji wynosi 417 K

Wskazówka: odpowiednie symulacje wykonaj w EXCELU metodą Eulera i/lub trapezów/parabol, a optymalizację w Solverze



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
harmonogram zajęć technologia, Technologia INZ PWR, Semestr 5, Inżynieria chemiczna, Inżynieria Chem
Cwiczenie - F OKSYALKILENOWANIE ALKOHOLI, Technologia INZ PWR, Semestr 5, Technologia Chemiczna - su
Tabela6, Technologia INZ PWR, Semestr 2, Analiza Matematyczna 2.2, Tabele
Opracowanie - materialy, Technologia INZ PWR, Semestr 1, Materiałoznastwo, Materiały - opracowania
Technologia chemiczna W3, Technologia INZ PWR, Semestr 4, Technologia Chemiczna - surowce i procesy,
Zajecia 4, Technologia INZ PWR, Semestr 3, Podstawy Chemii Organicznej, Podstawy chemii organicznej
10, Technologia INZ PWR, Semestr 1, Chemia Ogólna, Wykłady z Chemii Ogólnej
Ćwiczenie nr 4 zapoznanie się z mostkiem Wheatstone, Technologia INZ PWR, Semestr 2, Elektronika i E
Technologia chemiczna W6, Technologia INZ PWR, Semestr 4, Technologia Chemiczna - surowce i procesy,
Zajecia 3, Technologia INZ PWR, Semestr 3, Podstawy Chemii Organicznej, Podstawy chemii organicznej
Instrukcja NMR, Technologia INZ PWR, Semestr 3, Podstawy Chemii Organicznej, Podstawy chemii organic
Sprawozdanie nr I, Technologia INZ PWR, Semestr 2, Elektronika i Elektrotechnika - Laboratorium, Spr
wzmacniacz, Technologia INZ PWR, Semestr 2, Elektronika i Elektrotechnika - Laboratorium, Sprawozdan
CW4MIERN, Technologia INZ PWR, Semestr 3, Miernictwo i Automatyka, Sprawozdania, Sprawozdania z 1998
Pomiary napięć stałych, Technologia INZ PWR, Semestr 2, Elektronika i Elektrotechnika - Laboratorium
14, Technologia INZ PWR, Semestr 1, Chemia Ogólna, Wykłady z Chemii Ogólnej

więcej podobnych podstron