1. Charakterystyka wyjściowa tranzystora I_C = f (U_CE) przy I_B = const.

Podczas mierzenia tej charakterystyki parametrem stałym był prąd bazy I_B. Pomiary przeprowadziłem dla trzech różnych prądów bazy: I_B = 2000 [μA] , I_B = 3000 [μA] oraz I_B = 4000 [μA] Otrzymane wyniki przedstawione są w poniższych tabelkach:

Dla IB=2000 [μA]

UCE [V] (int)	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
UCE [V]	0,502	0,589	0,767	0,971	1,973	2,993	5,766	10,762	12,759	15,749
IC [mA]	112	310	313	321	325	330	343	360	369	381

Dla IB=3000 [μA]

UCE [V] (int)	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
UCE [V]	0,537	0,686	0,798	1,006	1,96	2,901	4,899	10,796	12,092	15,088
IC [mA]	287	406	439	451	457	463	474	498	506	519

Dla IB=4000 [μA]

UCE [V] (int)	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
UCE [V]	0,568	0,6	0,707	1,038	2,051	3,066	4,836	10,822	12,851	15,059
IC [mA]	417	453	503	553	572	576	590	621	634	648

2. Charakterystyka wejściowa tranzystora I_B = f (U_BE) przy U_CE = const.

oraz charakterystyka przejściowa I_C = f (I_B) przy U_CE = const.

Podczas pomiarów do wyznaczenia tych charakterystyk, stałym parametrem było napięcie U_CE (tzn. napięcie występujące między kolektorem a emiterem). Pomiary przeprowadziłem dla trzech różnych wartości napięcia: U_CE = 5 [V], U_CE = 10 [V] oraz U_CE = 15 [V]. Otrzymane wyniki przedstawione są w poniższych tabelkach:

Dla UCE= 5 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,48	0,99	2	3,01	3,97	4,97	6,03	8,01	9,02	10,04
UBE [V]	0,615	0,682	0,789	0,896	0,892	0,854	0,871	0,920	0,889	0,919
Ic [mA]	112	210	371	496	602	702	799	950	1022	1088

Dla UCE= 10 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,5	0,99	2,04	2,97	3,99	5,01	6,05	8,02	9,01	10,03
UBE [V]	0,476	0,517	0,563	0,605	0,637	0,770	,0796	0,853	0,819	0,841
Ic [mA]	149	257	430	549	662	747	839	987	1055	1119

Dla UCE= 15 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,52	1,02	2,02	3,03	4,01	5,03	6,03	7,98	9,01	10,03
UBE [V]	0,476	0,519	0,563	0,583	0,607	0,693	0,711	0,706	0,695	0,672
Ic [mA]	164	274	441	574	678	773	857	999	1062	1121

Następnie na podstawie powyższych danych, dokonałem obliczeń współczynnika β dla napięć Uce=0,8-11,2[V]

Dla IB=2[mA]

Uce [V]	Ic [mA]	β
0,8	315	157,5
1,6	323	161,5
2,4	327	163,5
3,2	330	165
4	332	166
4,8	338	169
5,6	343	171,5
6,4	345	172,5
7,2	348	174
8	350	175
8,8	352	176
9,6	354	177
10,4	357	178,5
11,2	360	180

Dla IB=3[mA]

Uce [V]	Ic [mA]	Β
0,8	440	146,667
1,6	456	152
2,4	460	153,333
3,2	464	154,667
4	470	156,667
4,8	474	158
5,6	478	159,333
6,4	480	160
7,2	484	161,333
8	488	162,667
8,8	490	163,333
9,6	492	164
10,4	498	166
11,2	500	166,667

Dla IB=4[mA]

Uce [V]	Ic [mA]	Β
0,8	530	132,5
1,6	567	141,75
2,4	574	143,5
3,2	576	144
4	583	145,75
4,8	590	147,5
5,6	594	148,5
6,4	598	149,5
7,2	602	150,5
8	607	151,75
8,8	610	152,5
9,6	613	153,25
10,4	619	154,75
11,2	623	155,75

Wnioski:

Celem ćwiczenia było zbadanie charakterystyk wyjściowych, wejściowych i przejściowych tranzystora. Zmierzyliśmy wartość prądów przy stałych IB=2mA, IB=3mA, IB=4mA.

Zauważamy, że podczas mierzenia charakterystyki wyjściowej wykresy zależności prądu kolektora od napięcia kolektor-emiter są podobne, różnica polega na tym, że ich początki mają różne wartości prądu kolektora, lecz później, wykresy rosną podobnie.

Podczas badania charakterystyki przejściowej zauważamy, że w miarę zmniejszania napięcia kolektor-emiter, rośnie napięcie baza-emiter.

Po zbadaniu charakterystyki wyjściowej widać, że przyrost prądu kolektora następuje szybciej w przypadku, gdy napięcie kolektor-emiter jest większe.