- wymienić parę diod i napisać zastosowanie

• Dioda prostownicza - stosowana w prostych generatorach funkcyjnych, ogranicznikach

napięć, układach prostowniczych;

• Dioda impulsowa - szybsza od prostowniczej - stosowana w szybkich ogranicznikach napięć, szybkich układach prostowniczych i układach przekształtnikowych, układy detektorów (zast. w technice radiowej i telekomunikacji)

• Dioda Schottky'ego - szybka dioda stosowana w szybkich ogranicznikach napięć, szybkich układach prostowniczych i szybkich układach przekształtnikowych oraz układach cyfrowych TTL. Cecha charakterystyczna - nie posiada złącza p-n lecz złącze metal - półprzewodnik = ma małą pojemność złączową.

• Dioda Zenera - stosowana w zabezpieczeniach nadnapięciowych, ogranicznikach napięć,

generatorach napięć odniesienia, układy stabilizacji napięć. Włączamy ją do obwodu zawsze „odwrotnie” w stosunku do innych diod. Pracuje ona zawsze na zaporowej części charakterystyki statycznej wykorzystując specyficzny rodzaj przebicia (przebicie Zenera).

• Dioda elektroluminescencyjna (LED) - stosowana w optoelektronice, układach sprzęgaczy optycznych, w oświetleniu, w układach sygnalizacyjnych, w komunikacji (światłowody)

• fotodioda - fotodetektory, układy sprzęgaczy optycznych, ogniwa solarne (baterie słoneczne)

• dioda pojemnościowa - obwody wysokiej częstotliwości, selektywne wzmacniacze przestrajalne wysokiej częstotliwości - technika radiowa, TV oraz telekomunikacja (występują w tzw. głowicach wysokiej częstotliwości)

- narysować schemat wzmacniacza który odwracał fazę i miał wzmocnienie -10

Np. R₁ = 1 kΩ, R₂ = 10 kΩ, K_U = -R₂/R₁ = -10/1 = -10

- rodzaje układów cyfrowych (chyba, trzeba było wymienić jakieś kombinacyjne i sekwencyjne)

Kombinacyjne:

1. Arytmetyczne: sumator, jednostka arytmetyczno-logiczna

2. Komutacyjne: dekoder, multiplekser, demultiplekser, kodery proste, kodery priorytetowe, konwertery kodów dwójkowego na Graya, dwójkowego na 1 z n, dwójkowego na kod wskaźnika 7-segmentowego, generatory parzystości

Sekwencyjne:

1. rejestry

2. liczniki

- jakiś wykres dotyczący przerzutnika Schmitta

histereza?

Przerzutnik Schmitta jest rodzajem przerzutnika bistabilnego zmieniającego swój stan, gdy napięcie wejściowe przekracza określone wartości U₁ i U₂, przy czym U₁ > U₂. Jeżeli wzrastające napięcie wejściowe przekracza wartość U₁ to przerzutnik zmienia stan na przeciwny. Natomiast powraca do stanu wyjściowego, gdy napięcie wejściowe spada poniżej wartości U₂ (rys. 9). Cechą charakterystyczną tego układu jest więc histereza napięcia przełączania (U₁ > U₂).

Pytanie o różnicę pomiędzy wzmacniaczem operacyjnym a różnicowym.

Tranzystorowy wzmacniacz różnicowy nie ma sprzężenia zwrotnego?

• Napisać wzór na potencjał elektrodynamiczny.

Termodynamiczny? U_T = k·T/q, gdzie: k-stała Boltzmana, T-temperatura [K], q-ładunek elektronu

• Uzupełnić: modelem liniowym tranzystora bipolarnego jest model małosygnałowy macierzy [h], a nieliniowym Erbersa-Molla

• Ujemne sprzężenie zwrotne stosowane jest w układach wzmacniaczy operacyjnych, a dodatnie w generacyjnych i regeracyjnych

• Narysować schemat układu wzmacniającego ze wzmocnieniem równym 10 (nieodwracający) z kompensacją wpływu prądów polaryzacji?

Np. R₁ = 1 kΩ, R₂ = 9 kΩ, K_U = 1+ R₂/R₁ = 1+ 9/1 = 10

• Narysować charakterystyki pasmowoprzepustowe Czebyszewa i Butterwortha.

ω_g - częstotliwość graniczna, k₀ - wzmocnienie nominalne (?), dla k_0g -3dB od k₀

Maksymalnie płaska - Butterwortha, równomiernie falista - Czebyszewa

Tylko to ma wyglądać jak dla pasmowoprzepustowego:

• Narysować podstawowe bramki za pomocą których możemy wykonać wszystkie operacje.

Nie wiem, o które tutaj chodzi.

• Narysować przebieg licznika na podstawie podanego układu (u nas był zanegowany przerzutnik D na czym wiele osób padło bo nie zauważyło negacji)

?

• równanie Schockley'a

I - prąd dyfuzyjny w złączu pn

I_sat - prąd nasycenia

U - napięcie polaryzacji złącza (w stronę przewodzenia!)

U_T = k·T/q, gdzie: k-stała Boltzmana, T-temperatura [K], q-ładunek elektronu

• wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny jest analogowym wzmacniaczem napięciowym z wejściem

różnicowym, co oznacza, że napięcie wyjściowe jest zależne, poprzez wartość wzmocnienia, od różnicy napięć wejściowych (rys. 5).

• liczniki

Licznik służy do zliczania impulsów (zmian stanów cyfrowych sygnału wejściowego) i

pamiętania ich liczby. Na ogół ma on wyjścia równoległe, na których pojawia się informacja o liczbie zliczonych impulsów.

Pod względem sposobu działania rozróżnia się liczniki:

- asynchroniczne (szeregowe) lub synchroniczne (równoległe): w tym: synchroniczne - z przeniesieniem szeregowym lub równoległym,

- z wpisywaniem równoległym,

- rewersyjne (tzn. liczące w górę lub w dół) - w zależności od stanu wejścia logicznego

sterującego tą funkcją

- specjalne (np. pseudopierścieniowe Johnsona).

• wymienić maksymalne graniczne sprawności energetyczne wzmacniacza mocy typu A (czyli 50%) i wzmacniacza typu B (czyli ~78%)

wykres charakterystyk i symbol dla tranzystora npn

j/w dla diody prostowniczej

bramki logiczne z tabelami prawd x-or, x-nor

przebieg sygnału dla licznika asynchronicznego 3 bitowego modulo 5 na przerzutnikach typu D oraz JK

układy scalone Texas Instruments chodziło o TTL i +/- 5 V

Układy scalone zawierające cyfrowe elementy logiczne wykonane w bipolarnej technologii TTL (ang. TTL - Transistor-Transistor Logic) zostały wprowadzone na rynek przez amerykańską firmę Texas Instruments. Parametry układów TTL:

• parametry elektryczne

- statyczne: napięcie zasilania (+5V), wartości poziomów logicznych, obciążalność wyjścia, średni pobór mocy

- dynamiczne: czas propagacji sygnału, czasy narastania i opadania przebiegów

• parametry cieplne

- zakres temperatur roboczych (otoczenia)

• wymienić dwa rodzaje pamięci

Pamięć półprzewodnikowa służy do przechowywania informacji w postaci cyfrowej. Zbudowana jest z tzw. komórek pamięci. Jedna komórka pamięci potrafi zapamiętać jeden bit. Dane w pamięci organizowane są w N-bitowe słowa. Pojemność: M-słów N-bitowych, więc NxM bitów. Rozróżniamy 2 rodzaje pamięci: ROM (Read Only Memory) i RAM (Random Access Memory).

Typy pamięci RAM:

• SRAM - jest to pamięć ulotna, statyczna - informacje są kasowane w momencie odłączenia zasilania lub gdy na bieżące dane zostaną nadpisane inne dane. Komórki pamięci zbudowane są z przerzutników bistabilnych. Maksymalna pojemność obecnie produkowanych pamięci SRAM = kilkadziesiąt megabitów.

• DRAM - pamięć dynamiczna - rolę przerzutników bistabilnych pełnią tutaj kondensatory. Z tego powodu pamięć DRAM musi być systematycznie odświeżana (kondensatory się rozładowują). W pamięci DRAM przechowywane są dane aktualnie wykonywanych przez urządzenie zadań. Pojemności produkowanych obecnie pamięci DRAM - do kilkudziesięciu gigabitów.

Typy pamięci ROM (pamięci nieulotnych, zawarte w nich informacje są niezbędne do poprawnego działania urządzenia):

• PROM - pamięć jednokrotnie programowalna, często jeszcze na terenie fabryki. W

pierwszych tego typu konstrukcjach programowanie odbywało się przez przepalanie cienkich

ścieżek miedzianych.

• EPROM - pamięć reprogramowalna, programowana elektrycznie. Może być skasowana

poprzez naświetlenie pamięci promieniowaniem UV. Dlatego właśnie pamięci EPROM

posiadają małe przeźroczyste okienko w obudowie.

• EEPROM - pamięć programowalna i kasowalna elektrycznie.

• FLASH

• Wzmacniacz nieodwracający

• napisać 3 typy przerzutników

Przerzutnik - element pamięciowy lub inaczej - element z pamięcią ostatniego stanu

logicznego.

• Statyczne proste (latch): RS

• Synchronizowane przerzutniki złożone (flip-flop): JK, D, T

Było też pytanie, gdzie odpowiedź była napięciem i prądem

Sterowanie tranzystorów unipolarnych (JFET, MOSFET) napięciem i bipolarnych - prądem

---