Charakterystyki tranzystora IGBT

IC = f(UCE ) UGE = const .

IC [mA]

UGE = 7V

zakres nasycenia zakres

liniowy

UGE = 6V

UGE = 5V

UGE = 4V

0

UCE sat

UGE=UT

UCE [V]

~ 0,7 V

Rodzina charakterystyk wyjś ciowych tranzystora IGBT

z kanałem wzbogacanym typu n IC =f(UGE)

UCE =const .

IC [mA]

UCE2

UCE1

UCE2 > UCE1

UT – napięcie progowe 0

UT

UGE [V]

Charakterystyki przejś ciowe tranzystora IGBT

z kanałem wzbogacanym typu n