background image

Spektroskopia Auger’a

background image

Proces Auger’a

Zależność wydajności procesu Auger’a

i emisji promieniowania X od liczby atomowej

Zależność wydajności promieniowania

X od energii wiązania elektronu

background image

Auger- pierwiastki

background image

Porównanie spektroskopii Auger’a i XPS

background image

LEED (1)

Dyfrakcja elektronów powolnych

Davisson i Germer: doświadczalne obserwacje zjawiska dyfrakcji elektronów –

potwierdzenie równania Schrödingera i jednoczesna  
konfirmacja równania de Broglie’a.

Energia cząstek dla długości fali 1Å

elektron: 150 eV
foton: 12,4 eV
neutron: 0,08 eV

background image

LEED (2)

background image

LEED-przykłady (3)

background image

SEM

Secondary Electron Microscopy

Mikroskopia Elektronów Wtórnych

Zdjęcie HREM kryształu CdTe

background image

SEM

Zdjęcia struktur polimerowych

Membrana polipropylenowa

Krystality PANI na powierzchni membrany

background image

ISS

Ion Scattering Spectroscopy

Spektroskopia Rozpraszania Jonów

2

2

/

1

2

2

2

2

1

sin

cos

o

s

s

o

o

o

M

M

M

M

M

E

E

E

o

, M

o

+

E

1

, M

o

M

o

- He, Ne, Ar

E

o

- (200-5000)eV

background image

ISS -czułość

background image

ISS- przykładowe wyniki

background image

SIMS

gdzie: A=2,4, B=80, C- stała równa dla wszystkich pierwiastków,

n- ilość zerwanych wiązań, X- elektroujemność.

S zależy od;

stopnia utlenienia, pracy wyjścia elektronu, 

potencjału jonizacji, masy jonów, kąta wybicia 
jonu, temperatury, energii jonów, efektów 

`

neutralizacyjnych, kinetyki jonizacji, stabilności 
wybitych jonów.

2

/

exp

X

nM

B

I

CA

S

s

M

o

- He, Ne, Ar

E

o

- (200-10000)eV

Secondary Ion Mass Spectroscopy

Spektroskopia Masowa Jonów Wtórnych

M

o

+

+  

M

s

background image

SIMS- czułość

S zależy od;

stopnia utlenienia
pracy wyjścia elektronu, 
potencjału jonizacji 
masy jonów
kąta wybicia jonu
Temperatury
energii jonów
efektów neutralizacyjnych 
kinetyki jonizacji
stabilności wybitych jonów.

1,0
0,3

0,1

0,03

S

det

0        10         26        100      130

M

Wykres zależność czułości detektora 
MS, S

det

, od masy atomowej dla jonów 

gazów szlachetnych oraz metali

background image

SIMS – przykłady wyników

Analiza powierzchni Si (100)

Analiza krzyształu Si(100) na głębokości 6 Å

Porównanie wyników otrzymanych

technikami SIMS i ISS

(Powierzchnia Au zanieczyszczona Cr

2

O

3

)

background image

Porównanie technik ex situ

xx

11