ĆWICZENIE LABORATORYJNE

TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

1. WPROWADZENIE

Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych i tranzystora bipolarnego. Ćwiczenie pozwala zapoznać się z parametrami i charakterystykami następujących diod:

− diody krzemowej i germanowej;

− diody Zenera.

2. ZAGADNIENIA TEORETYCZNE

W celu przygotowania się do ćwiczenia należy przestudiować zagadnienia z następujących pozycji literaturowych:

1. Jeżykowski R., Kawałkiewicz P., Majewski J. – „Układy elektroniczne” WAT 1984, S-45925 str. 10-78.

2. Lurch E. N. – „Podstawy techniki elektronicznej” Wyd. III, PWN 1976, Syg. 39259, str.

41-47, 53-55 i 63-81.

3. Watson J. - „Elektronika” WKiŁ 1999, Syg. 55914, str. 96-127.

4. Tietze U., Schenk Ch., - „Układy półprzewodnikowe” Wyd. III, WNT 1996, Syg. 53555, str. 40-55, 125-129.

5. Horowitz P., Hill W., - „Sztuka elektroniki” cz. 1, Wyd. IV, WKiŁ 1997, Syg. 55051, str.

55-65, 72-73 i 124-132.

3. PRZYKŁADOWE PYTANIA KONTROLNE

1. Narysować schemat układu do pomiaru charakterystyki prądowo-napięciowej diody.

2. Narysować charakterystykę prądowo-napięciową diody prostowniczej krzemowej i germanowej.

3. Narysować charakterystykę prądowo-napięciową diody Zenera.

4. Omówić parametry charakterystyczne i graniczne diody Zenera.

5. Omówić zasadę działania tranzystora bipolarnego.

6. Wymienić parametry charakterystyczne i graniczne tranzystora bipolarnego.

7. Narysować charakterystyki tranzystora bipolarnego.

8. Narysować symbol tranzystora bipolarnego oraz nazwać poszczególne elektrody.

9. Określić polaryzację złącz w tranzystorze bipolarnym npn i pnp.

Uwaga!

Zauważone błędy lub inne uwagi dotyczące instrukcji i ćwiczenia proszę kierować do Wojciecha Pary tel. 6837845 lub wpara@wat.edu.pl

4. PRZEBIEG ĆWICZENIA

4.1. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody krzemowej w kierunku przewodzenia

A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23001 blok a, połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 1.

R1

2 kΩ

CR1

+

1 Ν 4 1 4 8

VR2

V

12V

1 0 kΩ

A

-

Rys. 1. Schemat pomiarowy do badania diody w kierunku przewodzenia B. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej

- zmieniając napięcie UF potencjometrem VR2 tak aby nie przekroczyć wartości granicznej prądu, zmierzyć wartość natężenia prądu IF i napięcia UF, wyniki zanotować w tabeli 1.

Tabela 1

UF [V]

IF [mA]

C. Zadanie

- wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody I=f(U).

4.2. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody krzemowej w kierunku zaporowym

A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23001 blok a, połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 2.

R1

2 kΩ

CR1

-

1 Ν 4 1 4 8

VR2

12V

1 0 kΩ

V

A

+

Rys. 2. Schemat pomiarowy do badania diody w kierunku zaporowym B. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej

- zmieniając napięcie UR potencjometrem VR2 tak aby nie przekroczyć wartości granicznej napięcia wstecznego zmierzyć wartość natężenia prądu IR i napięcia UR, wyniki zanotować w tabeli 2.

Tabela 2

UR [V]

IR [mA]

C. Zadanie

- wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody I=f(U).

4.3. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody germanowej w kierunku przewodzenia

A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23001 blok a, połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 3.

R1

2 kΩ

CR2

+

1 Ν 6 0

VR2

V

12V

1 0 kΩ

A

-

Rys. 3. Schemat pomiarowy do badania diody germanowej w kierunku przewodzenia B. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej

- zmieniając napięcie UF potencjometrem VR2 tak aby nie przekroczyć wartości granicznej prądu, zmierzyć wartość natężenia prądu IF i napięcia UF,wyniki zanotować w tabeli 3.

Tabela 3

UF [V]

IF [mA]

C. Zadanie

- wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody I=f(U).

4.4. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody germanowej w kierunku zaporowym

A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23001 blok a, połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 4.

R1

2 kΩ

CR2

-

1 Ν 6 0

VR2

12V

1 0 kΩ

V

A

+

Rys. 4. Schemat pomiarowy do badania diody germanowej w kierunku zaporowym B. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej

- zmieniając napięcie UR potencjometrem VR2 tak aby nie przekroczyć wartości granicznej napięcia wstecznego zmierzyć wartość natężenia prądu IR i napięcia UR, wyniki zanotować w tabeli 4.

Tabela 4

UR [V]

IR [mA]

C. Zadanie

–

wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody I=f(U).

4.5. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody Zenera w kierunku przewodzenia

A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23001 blok a, połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 5.

R1

2 kΩ

+

CR3

VR2

V

12V

1 0 kΩ

A

-

Rys. 5. Schemat pomiarowy do badania diody Zenera w kierunku przewodzenia B. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej

- zmieniając napięcie UF potencjometrem VR2 tak aby nie przekroczyć wartości granicznej prądu, zmierzyć wartość natężenia prądu IF i napięcia UF, wyniki zanotować w tabeli 5.

Tabela 5

UF [V]

IF [mA]

C. Zadanie

- wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody I=f(U).

4.6. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej diody Zenera w kierunku zaporowym A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23001 blok a, połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 6.

R1

2 kΩ

-

CR3

VR2

12V

V

1 0 kΩ

A

+

Rys. 6. Schemat pomiarowy do badania diody Zenera w kierunku zaporowym B. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej

- zmieniając napięcie UR potencjometrem VR2 tak aby nie przekroczyć wartości granicznej napięcia wstecznego zmierzyć wartość natężenia prądu IR i napięcia UR, wyniki zanotować w tabeli 6.

Tabela 6

UR [V]

IR [mA]

C. Zadanie

- wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody I=f(U);

- określić napięcie zenera dla diody.

4.7. Pomiary natężeń prądu w tranzystorze bipolarnym pnp A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23002, blok a połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 7.

+

R1

A

47kΩ

A

Q1

VR2

12V

10 kΩ

A

R2

1kΩ

-

Rys. 7. Schemat układu do pomiaru IB, IC i IE

B. Pomiar prądów w tranzystorze

- regulując potencjometrem VR2 ustawić wartość IC=3mA;

- odczytać i zanotować w tabeli 7 wartości IB i IE;

- regulując potencjometrem VR2 doprowadzić do nasycenia tranzystora;

- odczytać i zanotować w tabeli 7 wartości IB, IE oraz Icsat.

Tabela 7

IC

IB

IE

β

3 mA

ICsat=……….

C. Zadanie

IC

–

obliczyć współczynnik wzmocnienia prądowego β =

.

I B

4.8. Pomiar natężeń prądu w tranzystorze bipolarnym npn A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23002, blok a połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 8.

+

R3

1kΩ

R1

A

47kΩ

12V

A

Q2

VR2

1 0 kΩ

A

-

Rys. 8. Schemat układu do pomiaru IB, IC i IE

B. Pomiar prądów w tranzystorze

- regulując potencjometrem VR2 ustawić wartość IC=3mA;

- odczytać i zanotować w tabeli 8 wartości IB i IE;

- regulując potencjometrem VR2 doprowadzić do nasycenia tranzystora;

- odczytać i zanotować w tabeli 8 wartości IB, IE oraz Icsat.

Tabela 8

IC

IB

IE

β

3 mA

ICsat=……….

C. Zadanie

I

- obliczyć współczynnik wzmocnienia prądowego

C

β =

.

I B

4.9. Pomiar charakterystyki IC=f(UCE)

A. Warunki pomiarów

- wykorzystując moduł pomiarowy KL-23002, blok a połączyć schemat pomiarowy zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 9.

+

R4

100Ω

R1

12V

A

VR2

47kΩ

1 0

VR1

kΩ

A

Q2

V

1 kΩ

-

Rys. 9. Schemat układu do pomiaru charakterystyki IC = (UCE) B. Pomiar charakterystyki wyjściowej

- regulując potencjometrem VR2 ustawić wartość IB=0µA;

- ustawiając kolejno potencjometrem VR1 wartości UCE = 0,1V → 0,3V → 0,5V → 0,7V →

1,0V → 2,0V → 3,0V → 5,0V odczytywać wartośći IC;

- wyniki zanotować w tabeli 9;

- czynności powtórzyć dla IB=10µA → 20µA → 30µA → 40µA → 50µA → 60µA;

- wyniki zanotować w tabeli 9;

Tabela 9

IB=0µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

IB=10µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

IB=20µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

IB=30µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

IB=40µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

IB=50µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

IB=60µA

UCE [V]

0,1

0,3

0,5

0,7

1,0

2,0

3,0

5,0

IC [mA]

C. Zadanie

- sporządzić wykres zależności IC = (UCE).

5. OPRACOWANIE SPRAWOZDANIA

Sprawozdanie powinno zawierać:

- krótki opis ćwiczenia;

- schematy ideowe układów pomiarowych;

- wyniki pomiarów;

- zdjęte oscylogramy i sporządzone wykresy;

- protokół pomiarowy podpisany przez prowadzącego ćwiczenie;

- przykładowe obliczenia;

- wnioski.