ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU
ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE
WYDZIAŁ TRANSPORTU
POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7
TRANZYSTOR UNIPOLARNY
DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO
WARSZAWA 2011
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU
ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE
WYDZIAŁ TRANSPORTU
POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7
TRANZYSTOR UNIPOLARNY
DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO
WARSZAWA 2011
Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2011.
2
A. Cel ćwiczenia.
- Poznanie właściwości tranzystorów unipolarnych i ich parametrów
- Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora unipolarnego:
wyjściowych
I
D
= f(U
DS
) przy U
GS
= const.
przejściowych
I
D
= f(U
GS
) Przy U
DS
= const.
B. Program ćwiczenia.
a) Wykreślenie rodziny charakterystyk wyjściowych tranzystora unipolarnego
b) Wykreślenie rodziny charakterystyk przejściowych tranzystora unipolarnego
C. Część pomiarowa.
W celu zdjęcia charakterystyk tranzystora należy skorzystać z układu jak na rys. 1.
Rys. 1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora unipolarnego
Rys. 2. Schematy zasilania tranzystorów unipolarnych:
a) normalnie wyłączony, kanał typu ,,n”
b) normalnie włączony, kanał typu ,,n”
Zasilacz
Zasilacz
+
-
-
+
R
I
D
U
DS
U
GS
V
A
V
V
I
D
D
G
+
+
a)
I
D
D
G
+
+
b)
Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2011.
3
a) Zdjąć charakterystykę wyjściową tranzystora BUZ 73: I
D
= f(U
DS
) przy U
GS
= const.
Tabela 1
I
D
[mA]
(int)
10
40
80
100
120
150
180
200
220
250
I
D
[mA]
U
DS
[V]
dla U
GS
= 3,9 [V]
Tabela 2
I
D
[mA]
(int)
10
40
80
100
150
200
250
300
320
350
I
D
[mA]
U
DS
[V]
dla U
GS
= 4,1 [V]
Tabela 3
I
D
[mA]
(int)
10
40
80
100
150
200
250
300
350
400
420
I
D
[mA]
U
DS
[V]
dla U
GS
= 4,2 [V]
Tabela 4
I
D
[mA]
(int)
10
40
80
100
150
200
250
300
350
400
500 600
I
D
[mA]
U
DS
[V]
dla U
GS
= 5 [V]
b) Zdjąć charakterystykę przejściową tranzystora I
D
= f(U
GS
) przy U
DS
=const.
Tabela 5
U
GS
[V]
(int)
1
2
3
3,5
3,8
4
4,2
4,5
U
GS
[V]
I
D
[mA]
dla U
DS
= 0,5 [V]
Tabela 6
U
GS
[V]
(int)
1
2
3
3,5
3,8
4
4,2
4,5
U
GS
[V]
I
D
[mA]
dla U
DS
= 1 [V]
Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2011.
4
Tabela 7
U
GS
[V]
(int)
1
2
3
3,5
3,8
4
4,2
4,5
U
GS
[V]
I
D
[mA]
dla U
DS
= 1,5 [V]
c) Na wspólnym wykresie wykreślić odpowiednio:
- rodzinę charakterystyk wyjściowych I
D
= f(U
DS
) przy U
GS
=const.
- rodzinę charakterystyk przejściowych I
D
= f(U
GS
) przy U
DS
=const.
D. Wyposażenie.
Elementy układu:
Rezystor R = 50
................................................................................................................ szt. 1
Tranzystor BUZ 73 .............................................................................................................. szt. 1
Sprzęt pomiarowy:
Cyfrowy miernik uniwersalny .............................................................................................. szt. 3
Źródło zasilania:
Zasilacz podwójny ................................................................................................................ szt. 1
Akcesoria:
Płyta montażowa .................................................................................................................. szt. 1
Komplet przewodów ............................................................................................................ szt. 1
E. Literatura.
1. Basztura Czesław: ,,Elementy elektroniczne”. Stow. Inż. i Techn. Mechaników, 1985
2. Kończak Sławomir: ,,Fizyczne podstawy elektroniki”. Wydaw. Politechn. Śląskiej,
1994
3. Kusy Andrzej: ,,Podstawy elektroniki”. Oficyna Wydaw. Politechn. Rzeszowskiej,
1996
4. Marcyniuk Andrzej: ,,Podstawy miernictwa”. Wydaw. Politechn. Śląskiej, 2002
5. Nowaczyk
Emilia: ,,Podstawy elektroniki”. Oficyna Wydaw. Politechn.
Wrocławskiej, 1995
6. Tietze, Schenk: ,,Układy półprzewodnikowe”. Wydaw. Nauk. –Techn., 1996
7. Wawrzyński Wojciech: ,,Podstawy współczesnej elektroniki”. Oficyna Wydaw.
Politechn. Warszawskiej, 2003
8. Wieland Jerzy: ,,Tranzystory”. Wyższa Szkoła Morska, 1983
F. Zagadnienia do opracowania
1. Zasada działania tranzystorów unipolarnych złączowych i z izolowaną bramką.
2. Schematy zasilania tranzystorów unipolarnych.
3. Charakterystyki tranzystorów polowych.