Badanie tranzystorow unipolarnych typu JFET i IGFET [ćw] 1999 01 12


Overview

PNFET
MOS


Sheet 1: PNFET


UDS = 4V UDS = 6V UDS = 8V






UGS ID ID ID






[mV] [mA] [mA] [mA]






0 6.8 7.13 7.225






-0.527 6.45 6.72 6.82






-1.398 3.65 3.76 3.85






-1.708 2.85 2.95 3.02






-2.152 1.78 1.82 1.85






-3.05 0.25 0.252 0.255

































































































































Sheet 2: MOS


UDS = 1V UDS = 4V UDS = 7V







UGS ID ID ID







[mV] [mA] [mA] [mA]
3.13 6.5 6.6 6.63
3.09 4.75 4.82 4.85
3.06 3.9 3.85 3.85
3.01 2.33 2.37 2.39
2.9 0.85 0.88 0.9





























































Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystorow unipolarnych typu JFET i IGFET [ćw] 1999 01 12
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Badanie tranzystorów unipolarnych typu, ˙wiczenie nr 10
badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystorow polowych zlaczowych JFET cw5
Badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystorów polowych złączowych JFET
Badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystora unipolarnego
Prawo cywilne ćw.5 2010-01-12, Prawo Cywilne
Controlling ćw 2015 01 12
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
Cw 7 Tranzystor unipolarny id 1 Nieznany
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających
Cw 7 Tranzystor unipolarny
Cw 7 Tranzystor unipolarny 2 id Nieznany

więcej podobnych podstron