II kolokwium - pytania przykładowe

  1. Zdefiniować zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego  dla prądów stałych oraz określić od jakich czynników zależy jego wartość.

  2. Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego pnp w układzie OE.

  3. Podać budowę oraz wymienić zalety tranzystora bipolarnego z niejednorodną bazą

  4. Podać równanie oraz model Ebersa - Molla oraz zakres jego stosowania.

  5. Narysować charakterystyki statyczne i budowę tranzystora polowego złączowego z kanałem N.

  6. Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał P normalnie wyłączony.

  1. Podać budowę, rozkład koncentracji domieszek i właściwości tranzystora epiplanarnego.

  2. Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego pnp w układzie OB.

  3. Wyjaśnić mechanizm wyłączania tranzystora bipolarnego przy pracy impulsowej.

  4. Narysować schemat zastępczy tranzystora rzeczywistego z parametrami h, określić zakres stosowania oraz zdefiniować parametry.

  5. Od jakich czynników i jak zależy częstotliwość graniczna tranzystorów FET.

  6. Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał P normalnie załączony.

  1. Wyjaśnić mechanizm przepływu nośników w bazie w tranzystorze z niejednorodną i jednorodną bazą.

  2. Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego npn w układzie OB.

  3. Wyjaśnić mechanizm włączania tranzystora bipolarnego przy pracy impulsowej.

  4. Narysować schemat zastępczy tranzystora rzeczywistego z parametrami h, określić zakres stosowania oraz zdefiniować parametry.

  5. Narysować charakterystyki statyczne i budowę tranzystora polowego złączowego z kanałem P.

  6. Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał N normalnie załączony.

  1. Narysować charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w zakresie przebicia oraz wyjaśnić dlaczego napięcie przebicia w OE jest niższe niż w OB.

  2. Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego npn w układzie OE.

  3. Podać definicje prądów zerowych oraz sposób ich pomiarów dla tranzystorów npn.

  4. Zdefiniować częstotliwości graniczne f i fT oraz określić jakie czynniki mają wpływ na ich wartości.

  5. Podać budowę oraz określić właściwości tranzystorów MESFET.

  6. Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał N normalnie wyłączony.