POLITECHNIKA ZIELONOGÓRSKA		Wykonali: Piotr Strzelczyk Ryszard Hamułka Marcin Filar Przemysław Kuśmierek	Grupa lab.		Grupa 21 E		Ocena
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
Ćw. 4	Badanie tranzystorów i ich układów pracy.			Data wyk. 27.03.97		Data odd. 16.04.97		Podpis:

1. Program ćwiczenia.

1. Program ćwiczenia.

1. Pomiar prądów zerowych i wyznaczanie na ich podstawie β tranzystora bipolarnego.
   

1. Projektowanie wzmacniacza WZ na MOS-FET SMY-50-p.
   

1. Projektowanie wzmacniacza WD

1. Badanie tranzystora bipolarnego T65 pnp.
   

1. Sprawdzenie tranzystora T65 (pnp)
   

1. Pomiar prądów zerowych I_CE0 i I_CB0
   

1. Rys.1 Pomiar prądu I_cb0

1. Rys.2 Pomiar prądu I_ce0
   

I_cb0 bardzo silnie zależy od temperatury i podwaja się co 10^o C

Lp.	ICB0		ICB0	β
	[μA]		[μA]	[V/V]
1	3,1		340	109
2	3,5		186	61
3	4		205	50
4	5,2		419	80
5	5,1		200	39
6	3,3		90	26

1. Badanie tranzystora krzemowego PC107 npn .
   

1. Sprawdzenie tranzystora PC107 (npn)

1. Pomiar prądów zerowych I_CE0 i I_CB0.
   

1. Rys.3 Pomiar prądu I_ce0

I_CE0 bardzo silnie zależy od temperatury i wzrasta dwukrotnie co 6^o C

I_CE0 jest niemierzalne.

1. Rys.4 Pomiar prądu I_CB0 tranzystora krzemowego.
   
   

1. Obliczenia dla tranzystora krzemowego PC 107.

1. Badanie i pomiar wielkości charakteryzujących tranzystor polowy MOS FET z kanałem typu p. Normalnie wyłączony typu SMY 50 - p. Posiada diodę zabezpieczającą.

1. Schemat tranzystora polowego MOS FET

1. Układ do zdejmowania charakterystyk wyjściowych

Normalnie wyłączony to znaczy U_DZ=0 i I_D=0 , z kanałem indukowanym.

1. Projektowanie wzmacniacza WZ ( wspólne źródło )

na MOS-FET SMY-50.

1. Rodzina charakterystyk wyjściowych.

1. Schemat ideowy wzmacniacza WZ.

1. Wyniki pomiarów i obliczenia.

1. Projektowanie wzmacniacza WD ( wspólne dren ) na MOS-FET SMY-50.

1. Schemat ideowy wzmacniacza WD.

2. 
   
   
   

1. Wyniki pomiarów i obliczenia.

1. WNIOSKI