background image

 

 

Plan wykładu

1.  Wymagania do aparatury pomiarowej
2. Ograniczenia występujące podczas 

pomiarów wielkości elektrycznych.

3. Klasyfikacja przyrządów pomiarowych 

według ich funkcji i właściwości.

4. Przykładowy schemat strukturalny 

multimetru elektronicznego 
cyfrowego (DMM - ang. Digital Multi-
Meter). 

background image

 

 

1. Wymagania do aparatury 

pomiarowej

Podstawowymi wymaganiami są:

•Możliwość pomiaru wartości wielkości w zadanym 

zakresie

 (tak małych jak i dużych wartości), jest 

to wymagania amplitudowe; 

•Możliwość pomiarów wielokanałowych – kilka 

wielkości

 jednego lub różnego rodzaju

Brak obciążenia obiektu badanego

 – 

odpowiednia wartość rezystancji wejściowej 

Zadana dokładność pomiarów

, zapewnia się 

odpowiednią klasą dokładności woltomierza oraz 

innymi wartościami jego parametrów: stabilnością 

temperaturową oraz czasową, odpornością na inne 

wielkości wpływające

background image

 

 

1. Wymagania do aparatury 

pomiarowej

Odporność na oddziaływania zakłóceń

 tak 

regularnych jak i losowych wpływu zakłóceń to 

wymaganie jest ważne przy pomiarach wielkości 

niskiego poziomu, w warunkach przemysłowych

Szybkość pomiaru

 – to wymaganie jest ważne 

przy pomiarach wielkości szybko zmiennych 

(dynamicznych),.

Możliwość współpracy z PC

 – jest to ważne przy 

automatyzacji pomiarów

Możliwość opracowania wyników

 wg zadanego 

algorytmu

Łatwość obsługi

Niska cena oraz niski koszty pomiarów

background image

 

 

2. Ograniczenia występujące podczas 

pomiarów wielkości elektrycznych

.

Fundamentalnym czynnikiem ograniczającym jest szum 

cieplny lub szum Jonson’a. 

Na dowolnej rezystancji 

R

 energia cieplna powoduje ruch 

nośników ładunków elektrycznych, który z kolei 

powodują szum elektryczny. 

Moc tego szumu opisuje się wzorem

 

P=4kTB

,

gdzie:  

k=1.38·10

-23

 J/K-

 stała Boltsmana;

T

 –temperatura (K);

B

 – pasmo częstotliwościowe szumu (Hz).

Wartość skuteczna szumu Jonsona 

U

sz

 na rezystancji (

R

)  

równa się:

a wartość prądu szumu Jonsona 

I

sz

:

kBTR

PR

U

sz

4

R

kBT

R

P

I

sz

4

background image

 

 

2. Ograniczenia występujące podczas 

pomiarów wielkości elektrycznych

.

Zależności wartości napięcia oraz prądu szumu cieplnego 

przy 

T=295 K

 (

22

o

C

) jako funkcje rezystancji oraz 

szerokości pasma pokazane niżej 

1  

Ω

 

1 k

Ω

0.01

0.1

10

100

10

100

B=0,1 Hz

B=1 MHz

1 µV

B=1 kHz

1 mV

1 V

1 nV

0.01

0.1

1 M

Ω

1 G

Ω

background image

 

 

2. Ograniczenia występujące podczas 

pomiarów wielkości elektrycznych

.

Teoretyczna granica czułości pomiaru napięcia 

Rezystan

cja

Pasmo częstotliwości

0,1 Hz

1 Hz

1 kHz

1 MHz

1  

Ω

0,03 nV

0,1 nV

3 nV

0,1  µV

1 k

Ω

1 nV

3 nV

0,1 µV

3  µV

1 M

Ω

30 nV

0,1  µV

3  µV

100  µV

1 G

Ω

1  µV

3  µV

100  µV

3 mV

1 T

Ω

30  µV

100  µV

3 mV

100 mV

background image

 

 

2. Ograniczenia występujące podczas 

pomiarów wielkości elektrycznych

.

Zależności wartości skutecznej prądu szumu cieplnego 

przy T=295 K (22

o

C) jako funkcje rezystancji oraz 

szerokości pasma 

1  

Ω

1 k

Ω

0.01

0.1

10

100

10

100

0,1 Hz

1 MHz

1 kHz

1 pA

1 nA

1 µA

1 fA

0.01

0.1

1 M

Ω

1 G

Ω

T

Ω

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Zakresy

Teoretyczna granica czułości pomiaru prądu 

Rezystan

cja

Pasmo częstotliwości

0,1 Hz

1 Hz

1 kHz

1 MHz

1 Ohm

30 pA

100 pA

3 nA

100 nA

1 kOhm

1 pA

3 pA

100 pA

3 nA

1 MOhm

0,03 pA

0,1 pA

3 pA

100 pA

1 GOhm

1 fA

3 fA

0,1 pA

3 pA

1 TOhm

0,03 fA

0,1 fA

3 fA

0,1 pA

background image

 

 

3. Klasyfikacja przyrządów 

pomiarowych według ich funkcji i 

właściwości

 

W  zależności  od  zakresów  i  warunków  pomiaru  (właściwości 

obiektu – rezystancja, pasmo częstotliwości) rozróżnia się:

•  

multimetry;

•  elektrometry,

•  nanowoltomierzy,

•  pikoamperomierzy,

•  mikro-omomierzy,

•  przyrządy źródła – mierniki, 

• oraz inne.

background image

 

 

3. Klasyfikacja przyrządów 

pomiarowych według ich funkcji i 

właściwości

 

Multimetry 

są to przyrządy dla pomiarów:

napięć powyżej 1 mkV ;

- prądów powyżej 1 mkA, oraz 
- rezystancji poniżej 1 GOhm

Rezystancja wejściowa woltomierza (Rv) DMM stanowi od 

około (

1-10-100

) MOhm do maksymalnie (1-10) GOhm 

Rozdzielczość DMM wynosi od 

 cyfr dziesiątkowych 

(bardzo tanie) aż do drogich 

6½-7½

 cyfr 

dziesiątkowych.

Maksymalna czułość DMM stanowi do (

0,1-0,01

) mkV (do 

10 nV

).

background image

 

 

3. Klasyfikacja przyrządów 

pomiarowych według ich funkcji i 

właściwości

 

Elektrometry. 

Są to przyrządy pomiarowe dla pomiarów napięć, prądów, 

ładunku i rezystancji przy następnych warunkach:

prądów

 poniżej 

1  µA do 100 pA

, napięcie źródła przy 

pomiarach 

prądu

 jest 

poniżej kilku set

 

mV

;

napięcia

 poniżej 

1 µV

, źródło napięcia ma rezystancją 

wyjściową rzędu 

1 MΩ

 i wyżej do 

10 TΩ 

;

rezystancji

 powyżej 

1 GΩ

;

pomiar 

ładunku

;

pomiary przy 

porównywalnych wartościach szumów 

cieplnych

 oraz innych.

Rezystancja wejściowa

 woltomierza elektrometru stanowi 

typowo od około 

100 T

Ω

 nawet do około 

100 P

Ω

background image

 

 

3. Klasyfikacja przyrządów 

pomiarowych według ich funkcji i 

właściwości

 

Pikoamperomierze

Są  to  bardzo  czułe,  pracujący  w

  pobliżu  teoretycznej 

granicy  czułości

  oraz  przy 

mniejszych  wartościach 

spadku napięcia

 (tzw. votage burden) w porównaniu 

do elektrometrów.

  Pikoamperomierze  zapewniają  też  inne  właściwości, 

np.  lepszą  szybkość  pomiaru  lub  możliwość 
logarytmicznej charakterystyki.

background image

 

 

3. Klasyfikacja przyrządów 

pomiarowych według ich funkcji i 

właściwości

 

Mikro-omomierzy. 

Mikro-omomierz jest to specjalny omomierz przeznaczony 

do pomiaru 

bardzo niskich wartości rezystancji

.

 Typowy mikro-omomierz ma czułość do około 

10 µΩ

.

Pomiar małych rezystancji odbywa się 

przez 4-przewodowe 

podłączenie 

obiektu badanego (w celu eliminacji wpływu 

rezystancji przewodów) oraz charakteryzują się 

dodatkowymi (w porównaniu do DMM) funkcjami. 

Z pośród nich jest to możliwość kompensacji napięcia 

przesunięcia (offset), spowodowanego przykładowo 

termoelektryczną SEM, możliwość ograniczenia napięcia 

wzdłuż badanej rezystancji do 

bardzo niskiego poziomu 

(typowo poniżej 20 mV)

, co jest bardzo ważne przy 

testowaniu takich elementów jak kontakty 

przełączników, kluczy oraz (rele) kontaktronów.

background image

 

 

3. Klasyfikacja przyrządów 

pomiarowych według ich funkcji i 

właściwości

 

Przyrządy źródła – mierniki
Sourse-Measure Unit - SMU

 są to przyrządy, funkcjami których są:

pomiar napięcia;

- pomiar prądu;
- źródło napięcia;
- źródło prądu.

SMU pozwalają na jednoczesne dokładne (o zadanej 

wartości): 

wymuszanie obiektu napięciowe i pomiar prądu 

odpowiedzi oraz 

- wymuszanie obiektu prądowe i pomiar napięcia 

odpowiedzi.

background image

 

 

4. Przykładowy schemat strukturalny 

multimetru elektronicznego cyfrowego 

(DMM - ang. Digital Multi-Meter)

 

AC

Wzmacniacz/

dzielnik

AC

przetwornik

DC

Wzmacniacz/

dzielnik

Ohms

przetwornik

AC

DC

Ohms

I

U

p

rz

e

tw

o

rn

ik

HI

LO

W

e

c

ie

AC

DC

Ohms

V

A

A

A/C

przetwornik

(+procesor

)

Odczyt

Cyfrowy

(display)

Wyjście

Cyfrowe

(RS 232,

GPIB,

USB)

background image

 

 

Problemy pomiaru 

małych napięć w 

obwodach 

elektronicznych

background image

 

 

Plan wykładu

1. Wymagania do woltomierzy DC.
 
2.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza 

3Układy wejściowe woltomierza.
 
4. Układ wejściowy woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym.

background image

 

 

1. Wymagania do woltomierzy 

DC.

Ogólnymi wymaganiami do woltomierze przy pomiarach wartości 

napięcia DC są

:

1.

Możliwość pomiaru wartości napięcia w zadanym 
zakresie

 (małych jak i dużych wartości napięcia), 

         jest to wymagania amplitudowe; 

2.

Brak obciążenia obiektu badanego

 – odpowiednia 

wartość rezystancji wejściowej;

background image

 

 

1. Wymagania do woltomierzy 

DC.

Ogólnymi wymaganiami do woltomierze przy pomiarach wartości 

napięcia DC są

:

3.

Zadana dokładność pomiaru

zapewnia się odpowiednią 

klasą dokładności woltomierza oraz innymi wartościami jego 
parametrów: stabilnością temperaturową oraz czasową, 
odpornością na inne wielkości wpływające min. Zakłócenia; 

4.

Szybkość pomiaru

 – ten problem jest ważny przy 

pomiarach wielkości szybko zmiennych (dynamicznych), 
jest związany z odpornością do wpływu zakłóceń; 

5.

Możliwość przesyłania danych pomiarowych do PC

 – 

jest to ważne przy automatyzacji pomiarów oraz 
opracowania wyników. 

background image

 

 

Wpływ zakłócenia

   

-U

m

ΔU

x.max

=U

m

U

x

Zakłócenie

ΔU

x2

ΔU

x1

Czas

Maksymalne błędy 

pomiaru napięcia DC 

(U

x

)

U

m

background image

 

 

Wartość średnia zakłócenia w czasi 

okresu

   

U

x

Zakłócenie

Czas

Wartość średnia od zakłócenia 

harmonicznego w czasie jego 

okresu T równa się zeru!

+S

Uz

-S

Uz

-S

Uz

 +S

Uz

=0

T

!

!

!

0

2

sin

2

cos

1

1

1

1

dt

T

t

U

dt

T

t

U

T

t

t

m

T

t

t

m

t

1

 

+T

t

1

 

background image

 

 

Wartość średnia zakłócenia w czasi 

okresu

   

t

1

 

+T

U

x

Zakłócenie

Czas

Wartość średnia od zakłócenia 

harmonicznego w czasie jego okresu T 

równa się zeru niezależnie od początku 

całkowania!

+S

Uz

-S

Uz

+

S

Uz1

-S

Uz

 +S

Uz2

=0

T

+SU

z1

-SU

z

+SU

z2

!

!

!

0

2

sin

2

cos

1

1

1

1

dt

T

t

U

dt

T

t

U

T

t

t

m

T

t

t

m

t

1

background image

 

 

Wartość średnia zakłócenia w czasi 

okresu

   

Wartość średnia od zakłócenia 

harmonicznego w czasie jego okresu T 

równa się zeru niezależnie od początku 

całkowania!

!

!

!

0

2

sin

2

cos

1

1

1

1

dt

T

t

U

dt

T

t

U

T

t

t

m

T

t

t

m

U

x

Zakłócenie

T

1

=T

-

+

-

-

+

Czas

+

T

1

=T

background image

 

 

 

Metoda tłumienia zakłóceń okresowych

w woltomierze z dwukrotnym całkowaniem 

Metoda ta charakteryzuje się bardzo dobrymi 

parametrami metrologicznymi, zwłaszcza w stosunku 

dokładności przetwarzania oraz odporności na 

zakłócenia.

Zasada przetwarzania

 polega na:

 

całkowaniu sygnału

 (napięcia, prądu) wejściowego U

x

(t) 

ciągu interwału czasowego zadanej trwałości T

1

 

(pierwsza faza) i 

zgromadzeniu ładunku Q

1

 

proporcjonalnego wartości średniej sygnału 

wejściowego

 z 

następną kompensacją tego ładunku przez całkowanie 

sygnału

 (napięcia, prądu) referencyjnego U

ref

 odwrotnej 

polaryzacji i wyznaczaniu interwału czasowego T

x

 tej 

kompensacji (druga faza).

background image

 

 

Metoda tłumienia zakłóceń okresowych 

w woltomierze z dwukrotnym 

całkowaniem

U

int

Całkowanie -U

ref 

 (2 faza)

t

1

t

2

T

x

U

x

(t)

-U

ref

T

1

Całkowanie U

x

(t) 

(1 faza)

t

1

t

2

U

we

Czas

Wyjście

Czas

Czas

T

1

t

2

+T

x

background image

 

 

Uproszczony schemat przetwornika 

napięcie – interwał czasowy z 

dwukrotnym całowaniem

 

P

U

we

=U

x

(t)

U

int

(t)

-U

ref

Układ 

sterowani

a

WO

Komp

.

C

R

1

T

x

Stop

RS

Start

t

0i

Wyjście

1

2

3

background image

 

 

Metoda przetwarzania  

w woltomierze z dwukrotnym 

całkowaniem

 

Podczas całkowania napięcie wejściowego U

x

(t) w 

interwale  czasowym  od  t

1,i

  do  t

2,i

=t

1,i

+T

1

  (w 

ciągu  zadanego  i  stałego  interwału  czasowego 

T

1

)  napięcie  na  wyjściu  integratora  osiąga 

wartość 

gdzie 

jest wartością średnią napięcia wejściowego 

(przetwarzanego) w czasie pierwszego 

całkowania T

1

 (pierwsza faza całkowania)

C

Q

U

C

R

T

dt

t

U

C

R

T

U

x

T

t

t

x

1

1

1

1

1

int

1

1

1

)

(

1

)

(

T

T

T

T

U

U

dt

T

t

U

U

T

U

m

x

T

t

t

m

x

x

1

1

1

2

2

sin

2

cos

1

1

1

1

Całkowanie -U

ref 

 

(2 faza)

t

0

t

1

T

x

U

x

(t)

-U

ref

T

1

Całkowanie 

U

x

(t) (1 

faza)

t

1

t

2

 

=t

1

+T

1

U

we

U

int

Czas

Wyjście

Czas

Czas

background image

 

 

Metoda przetwarzania  

w woltomierze z dwukrotnym 

całkowaniem

 

Następnie do wejścia integratora zostaje 

podłączone napięcie referencyjne 

U

ref

 odwrotnej 

polaryzacji

 i na jego wyjściu wartość napięcia 

będzie się obniżać (2 faza całkowania) aż do 

zera w moment czasowy

t

3

= t

2

+T

x

Całkowanie 

-U

ref 

 (2 faza)

t

1

t

2

T

x

U

x

(t)

-U

ref

T

1

Całkowanie 

U

x

(t) (1 faza)

t

1

t

3

=t

2

+T

x

U

we

U

int

Czas

Wyjście

Czas

Czas

x

ref

x

x

ref

T

t

t

ref

T

C

R

U

U

C

R

T

T

C

R

U

T

U

dt

U

C

R

T

U

t

U

x

1

1

1

1

1

int

1

1

int

int

)

(

1

)

(

)

(

2

2

t

2

t

3

=t

2

+T

x

background image

 

 

Metoda przetwarzania  

w woltomierze z dwukrotnym 

całkowaniem

 

Interwał  czasowy    podczas  którego  został 

rozładowany kondensator równa się

 

I  jest  proporcjonalny  do  wartości  średniej 

napięcia wejściowego

I jest to 

funkcja przetwarzania przetwornika

.  

x

ref

ref

x

x

U

U

T

T

C

R

U

C

R

U

T

1

1

1

`

1

`

Całkowanie 

-U

ref 

 (2 faza)

t

1

t

2

T

x

U

x

(t)

-U

ref

T

1

Całkowanie 

U

x

(t) (1 faza)

t

1

t

2

U

we

U

int

Czas

Wyjście

Czas

Czas

t

3

t

3

x

U

background image

 

 

Metoda przetwarzania  

w woltomierze z dwukrotnym 

całkowaniem

 

W  interwale  czasowym 

T

x

  będą 

zliczany  impulsy  o  częstotliwości 

wzorcowej 

f

w

,  dlatego  wynik 

przetwarzania  A/C    w  zależności 

od  wartości  średniej  napięcia 

wejściowego

 (

funkcja przetwarzania

) opisuje się 

wzorem

Gdzie         
jest 

współczynnikiem 

przetwarzania

  przetwornika  A/C  z 

dwukrotnym całkowaniem

x

C

A

x

ref

w

w

x

x

U

k

U

U

f

T

f

T

N

/

1

ref

w

C

A

U

f

T

k

1

/

Czas

Czas

Impulsy o częstotliwości f

w

Impulsy zliczany przez licznik

T

x

T

w

=1/f

w

Czas

N

x

=T

x

f

w

t

1

t

x

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego w 

woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Jeśli czas 

całkowania w pierwszej fazie jest równy 

okresu zakłócenia okresowego

T

1

=T

Wtedy wartość składowej od zakłócenia  

To jest we wzorze dla wartości średniej 

składowa 

od zakłócenia też równa się zeru

:

To  jest 

wynik  przetwarzania  nie  zależy  od 

wartości  zakłócenia  a  tylko  od  wartości 

napięcia korzystnego U

x

Całkowani

-U

ref 

 (2 

faza)

t

0

t

1

T

x

U

x

(t)

-U

ref

T

1

Całkowanie 

U

x

(t) (1 

faza)

t

0

t

1

U

we

U

int

Czas

Wyjście

Czas

Czas

t

x

t

x

0

2

sin

1

T

T

0

sin

1

1

T

T

T

T

U

m

x

m

x

x

U

T

T

T

T

U

U

U

1

1

2

2

sin

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego w 

woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

   

U

x

Zakłócenie

T

1

T

+

-

-

+

Czas

Błąd

T

Jeśli jednak 

czas całkowania w pierwszej fazie nie jest równy okresu 

zakłócenia okresowego 

T

1

≠T

na przykład w wyniku odchylenia częstotliwości 

f

 od wartości 

nominalnej 

f

n

wtedy wartość składowej od zakłócenia  w wyniku całkowania 
zakłócenia nie równa się zeru i przy :

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego w 

woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Jeśli

względnym odchyleniem częstotliwości od nominalnej i  jest małym 

wtedy  wartość  składowej  od  zakłócenia  (wartość  błędu)    w  wyniku 

całkowania zakłócenia nie równa się zeru i równa się :

Wynik  przetwarzania  nie  zależy  od  wartości  zakłócenia  a  tylko  od 

wartości napięcia korzystnego U

x

n

n

f

f

f

 

0

1

sin

1

1

sin

f

m

f

f

m

f

f

m

z

U

U

U

U



1



f

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego 

w woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Współczynnikiem tłumienia zakłóceń szeregowych (K

, NMRR 

– normal mode rejection ratio) jest wyrażony decybeli stosunek 
amplitudy U

m

 zakłócenia sinusoidalnego do wartości 

maksymalnego błędu ΔU

z,max

 spowodowanego oddziaływaniem 

tego zakłócenia

Dla małych odchyleń częstotliwości zakłócenia od nominalnej (jak 

na przykład w przypadku zakłócenia sieciowego)               
wartość współczynnika tłumienia zakłóceń zależy tylko od 

max

,

lg

20

z

m

tl

U

U

NMRR

K

1



f

f

f

f

m

m

tl

U

U

NMRR

K

lg

20

lg

20

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego 

w woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Dla

%)

1

(

01

,

0

f

)

100

(

40

01

,

0

lg

20

lg

20

razy

dB

K

f

tl

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego 

w woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Jeśli odchylenia częstotliwości zakłócenia od nominalnej jest duże 

wtedy  teoretyczna wartość współczynnika tłumienia zakłóceń 
wyznaczana jest wzorem

Gdzie 

Jest względną częstotliwością (według czasu całkowania w pierwszej 

fazie)

 

v

v

T

f

v

K

z

teor

tl

sin

lg

20

1

,

1

T

f

v

z

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego 

w woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Jeśli odchylenia częstotliwości zakłócenia od nominalnej jest duże 

wtedy  teoretyczna wartość współczynnika tłumienia zakłóceń 
wyznaczana jest wzorem

 

v

v

T

f

v

K

z

teor

tl

sin

lg

20

1

,

0 0.5 1

1.5 2 2.5 3

3.5 4 4.5 5

5.5 6

0

10

20

30

40

50

60

Ktl

i

v

i

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego 

w woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

Wnioski:
1.

Dla pełnego tłumienia zakłócenia harmonicznego należy 
całkować sygnał wejściowy w czasie jednego lub kilku okresów 
zakłócenia

T

1

=m×T

z

=m/f

z

.

1.

Oprócz pierwszej składowej harmonicznej bęą tłumione 
wszystkie wyższe składowe: wielokrotności podstawowej 

f

k

=k×f

z

2.

Jeśli  częstotliwość zakłócenia zmienia się tak, że w czasie 
całkowania 

nie umieszcza się całkowita liczba okresów 

zakłócenia

, to  zakłócenia nie będzie tłumione całkowicie i 

pozostawanie 

niezerowy błąd od zakłócenia

.

3.

Współczynnikiem tłumienia zakłócenia szeregowego (

K

) jest 

wyrażony decybeli stosunek amplitudy 

U

m

 zakłócenia 

sinusoidalnego do wartości maksymalnego błędu 

ΔU

z,max

4.

Dla małych odchyleń częstotliwości zakłócenia od nominalnej 
wartość współczynnika tłumienia zakłóceń zależy tylko od 
względnej niestabilności częstotliwości

f

tl

K

lg

20

max

,

lg

20

z

m

tl

U

U

K

background image

 

 

Współczynnik tłumienia zakłócenia okresowego 

w woltomierzu z dwukrotnym całkowaniu

 

7. Dla dużych odchyleń częstotliwości zakłócenia od nominalnej 

wartość współczynnika tłumienia zakłóceń osiąga teoretycznie 
nieskończone wartości na częstotliwościach krotnych 
odwrotności interwału czasowego całkowania w pierwszej fazie

f

k

=k×1/T

1

 a dla częstotliwości pomiędzy tymi częstotliwościami osiąga 

minimalne wartości

0 0.5 1

1.5 2 2.5 3

3.5 4 4.5 5

5.5 6

0

10

20

30

40

50

60

Ktl

i

v

i

5

,

0

lg

20

,

k

K

teor

tl

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Zakresy

Możliwość pomiaru wartości napięcia w różnych zakresach 

zapewnia się wykorzystaniem na wejściu woltomierza

 - 

wzmacniacza 

- dla małych wartości napięć;

dzielnika

 – dla dużych wartości napięć. 

8.937m

V

         

0,1 mV    1 mV     10 mV 

100mV 

      1 V       10 V        100 V    
1000 V

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Zakresy

Typowe zakresy woltomierzy są krotne:
wartościom 

10

n

, gdzie 

n

 – liczba całkowita, ujemna i 

dodatnia, na przykład

  

0,001 V (1 mV) 0,01 V (10 mV); 0,1 V (100 mV); 1 V, 

10 V, 100 V; 1000 V

lub krotne wartościom 

2·10

n

, na przykład : 

0,002 V (2 mV) 0,02 V (20 mV); 0,2 V (200 mV); 2 V, 

20 V, 200 V

.

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Zakresy

Z zakresami pomiarowymi są powiązane 

liczba cyfr

 

(miejsc znaczących) wskazania oraz 

wartość cyfry 

najmniej znaczącej

.

W woltomierze cyfrowym z liczbą cyfr dziesiątkowych 

n

 z zakresem 

10

n

 krotnym  istnieje  różnych 

wskazań 

od              do                   ,

przy tym wartości cyfry najmniej znaczącej – CNZ 

(ang. LSB) równa się:

n

0

...

00

n

9

...

99

n

z

U

LSB

CNZ

10

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Rezystancja wejściowa

Do podłączenia

 woltomierza wartość tego napięcia 

wynosi

Po podłączeniu

 woltomierza wynik pomiaru tego 

napięcia wynosi

R

0

U

x

U

0

R

1

R

2

V

V

V

V

R

R

R

R

R

R

U

R

R

R

R

R

R

U

U

1

1

1

1

2

1

0

1

0

0

2

1

0

2

0

2

01

01

0

2

1

0

1

0

0

2

1

0

2

0

1

1

1

G

G

G

U

R

R

R

R

R

U

R

R

R

R

U

U

x

2

2

1

0

01

1

,

1

R

G

R

R

G

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Rezystancja wejściowa

Do podłączenia

 woltomierza wartość tego napięcia wynosi

V

R

R

R

R

R

U

R

R

R

R

U

U

x

9975

.

4

1

1

1

2

1

0

1

0

0

2

1

0

2

0

100Ω

10V

100k 

Ω

100kΩ

4.9975
V

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy 

DC

Rezystancja wejściowa

Po podłączeniu

 woltomierza wynik pomiaru tego 

napięcia wynosi

I

V

R

0

U

V

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

U

x’

R

0

U

x

U

0

R

1

R

2

V

V

V

V

V

V

G

G

G

G

U

R

R

R

R

R

R

U

R

R

R

R

R

R

U

U

2

01

01

0

2

1

0

1

0

0

2

1

0

2

0

1

1

1

1

V

V

R

G

1

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy 

DC

Rezystancja wejściowa

Po podłączeniu

 woltomierza wynik pomiaru tego 

napięcia wynosi

V

R

R

R

R

R

R

U

R

R

R

R

R

R

U

U

V

V

V

V

97263

.

4

1

1

1

1

2

1

0

1

0

0

2

1

0

2

0

I

V

100Ω

4.97263
V

10V

100k

Ω

100k
Ω

10MΩ

            

V

U’

x

U

V

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy 

DCRezystancja wejściowa

Zmniejszenie napięcia pomiarowego wynosi

Względny błąd 

R

0

U

x

U

0

R

1

R

2

I

V

R

0

U

V

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

U’

x

I

0

2

01

2

01

)

(

G

G

G

U

G

G

G

G

U

U

U

U

V

V

V

V

x

x

V

R

v

V

V

x

R

R

G

G

G

G

U

U

V

v

2

01

)

(

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy 

DCRezystancja wejściowa

Zmniejszenie napięcia pomiarowego 

wynosi

Względny błąd 

100Ω

U

x

=

=4.9975V

10V

100kΩ

100kΩ

I

V

100Ω

U

V

=

=4.97263

V

10V

100kΩ

100kΩ

10MΩ

            

V

U’

x

V

V

V

U

U

U

x

V

R

v

025

.

0

9975

.

4

97263

.

4

)

(

%

5

.

0

%

100

9975

.

4

025

.

0

)

(

V

V

U

U

x

R

R

V

v

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy 

DCRezystancja wejściowa

Otóż wartość błędu metodycznego, spowodowanego 

ograniczonej wartością rezystancji wejściowej woltomierza 
zależy od stosunku ekwiwalentnej rezystancji obwodu ze 
strony źródła (R

0

+R

1

) i rezystancji wejściowej woltomierza R

V

Zwiększenie  rezystancji  wejściowej  woltomierza  R

V

  zapewnia 

zmniejszenie błędu metodycznego 

R

0

U

x

U

0

R

1

R

2

I

V

R

0

U

V

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

U

x’

1

)

(

1

)

(

2

01

2

01

G

G

R

G

G

G

G

U

U

V

V

V

x

R

R

V

v

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Rezystancja wejściowa

Przykład 2.

Jeżeli wartości rezystancji obiektu badanego będą 

o 10 razy 

większe

 R

1

=1 MOhm , R

2

=1 MOhm otrzymuje się:

- wskazanie woltomierza
- błąd metodyczny bezwzględny:
- błąd metodyczny względny: 

Przy wartości rezystancji obiektu badanego porównywalnej do 

rezystancji woltomierza R1=10 MOhm, R2=10 MOhm 
otrzymuje się błąd metodyczny względny: .

Dla zmniejszenia tego błędu należy wykorzystać elektrometr z 

większą rezystancję wejściową, na przykład RV=1 TOhm lub 
większej, wtedy w ostatnim przypadku błąd metodyczny 
względny:

V

U

x

4,99975

V

U

V

4,761655

V

U

v

R

0,24

)

(

%

8

,

4

v

R

%

33

v

R

%

5

,

0

v

R

background image

 

 

2. Wymagania do woltomierzy DC

Rezystancja wejściowa

Przykład 2.

Jeżeli wartości rezystancji obiektu badanego będą 

o 10 razy 

większe

 R

1

=1 MOhm , R

2

=1 MOhm otrzymuje się:

- wskazanie woltomierza
- błąd metodyczny bezwzględny:
- błąd metodyczny względny: 

Przy wartości rezystancji obiektu badanego porównywalnej do 

rezystancji woltomierza R

1

=10 MOhm , R

2

=10 MOhm 

otrzymuje się błąd metodyczny względny: .

Dla zmniejszenia tego błędu należy wykorzystać elektrometr z 

większą rezystancję wejściową, na przykład R

V

=1 TOhm lub 

większej, wtedy w ostatnim przypadku błąd metodyczny 
względny:

V

U

x

4,99975

V

U

V

4,761655

V

U

v

R

0,24

)

(

%

8

,

4

v

R

%

33

v

R

%

5

,

0

v

R

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Jeżeli wartości parametrów obwodu pomiarowego 

nie są znane, wtedy w eksperymentalny sposób 

można oszacować wartość błędu metodycznego a 

nawet jego skorygować!

• Ze wzoru podstawowego dla błędu 

• wynika, że skorygowana wartość napięcia równa się 

•                                                   lub

V

V

x

x

V

R

G

G

G

G

U

U

U

U

v

2

01

)

(

V

V

V

x

G

G

G

G

U

U

2

01

1





2

01

1

G

G

G

U

U

V

V

x

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• W celu jej wyznaczania i dalej dla korekcji wpływ rezystancji 

woltomierza RV na wynik pomiaru napięcia należy 

przeprowadzić dodatkowy pomiar napięcia z równoległym 

włączeniem do woltomierza bocznika Rb o znanej wartości, na 
przykład R

b

=R

V

 

R

0

U

Vb

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

R

b

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Wtedy wynik pomiaru napięcia w drugim pomiarze 

R

0

U

Vb

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

R

b

b

V

Vb

G

G

G

G

G

U

U

2

01

01

0

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Jeśli stosunek rezystancji 

• Oraz stosunek wskazań woltomierza 

100

U

Vb

10V

100k

100k

R

V

=

=1M

            

V

R

= R

V

=1M

b

V

V

b

R

R

G

G

b

,

V

V

U

U

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Wtedy skorygowana wartość napięcia 

1

1

V

b

,

V

V

b

V

b

V

V

sk

U

U

U

R

R

R

R

U

U

R

0

U

Vb

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

R

b

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Przy R

b

=R

• Wtedy skorygowana wartość napięcia

2

1

V

sk

U

U

R

0

U

Vb

U

0

R

1

R

2

R

V

            

V

R

b

1

b

V

R

R

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Przykład 1d. U

0

=10 V, R

0

=100 Ohm, R

1

=1 MOhm, 

R

2

=1 MOhm, R

V

=10 MOhm 

1. Wartość rzeczywista napięcia 

2. Wynik pierwszego pomiaru 

3. Wynik drugiego pomiaru przy R

b

=R

v

 (β=1)

V

4,99975

1

1

1

2

1

0

1

0

0

R

R

R

R

R

U

U

x

V

4,76166

1

1

1

1

2

1

0

1

0

0

V

V

R

R

R

R

R

R

U

U

V

4,54521

1

1

1

1

1

2

1

0

1

0

0

b

V

Vb

R

R

R

R

R

R

R

U

U

background image

 

 

3.Korekcja wpływu rezystancji 

wejściowej woltomierza

• Przykład 1d. U

0

=10 V, R

0

=100 Ohm, R

1

=1 MOhm, 

R

2

=1 MOhm, R

V

=10 MOhm 

4. Wartość współczynnika 

5. Skorygowany wynik pomiaru

Co odpowiada rzeczywistej wartości napięcia 

1,04762

V

4,54521

V

4,76166

Vb

V

U

U

V

4,99975

1,04762

2

V

4,76166

2

V

x

U

U

background image

 

 

4.Układy wejściowe woltomierza 

W celu 

zapewnienia dużej rezystancji wejściowej na wejściu 

woltomierza wykorzystuje wzmacniacz nieodwracający

zbudowany na wzmacniaczu operacyjnym (WO) ze sprężeniem 
zwrotnym z dzielnikiem napięcia na rezystorach R

1

 oraz R

2

Do wyjścia wzmacniacza jest podłączony przetwornik A/C (lub 

analogowy woltomierz).

Równanie przetwarzania dla struktury bazowej: 

U

v

=U

x

K

wu

,

gdzie K

wu

- współczynnik wzmocnienia napięcia 

U

x

WO

U

wy

+

-

R

1

R

2

V

HI

R

3

LO

background image

 

 

4.Układy wejściowe woltomierza 

Rezystancja wejściowa woltomierza równa się rezystancji 

wejściowej wzmacniacza: 

gdzie  R

we,WO

  - jest rezystancją wejściową wzmacniacza 

operacyjnego, A

0

 - współczynnik wzmocnienia rozwartego WO 

U

x

WO

U

wy

+

-

R

1

R

2

V

HI

R

3

LO

2

1

2

1

2

1

R

R

R

R

R

K

wu

w

WO

we

we

V

K

A

R

R

R

R

0

,

3

1

background image

 

 

4.Układy wejściowe woltomierza 

Wpływ zmian wejściowego napięcia przesuwu e

we

 : 

Wpływ zmian wejściowego prądu przesuwu Δi

we

 : 

Względny wpływ wartości współczynnika wzmocnienia WO A

0

:

Rezystancja wyjściowa:

Wymagania do WO:
• duża rezystancją wejściową wzmacniacza operacyjnego , 
• małe wartości wejściowego napięcia przesuwu  oraz 
• wejściowego prądu przesuwu,
• duża wartość współczynnika A

0

 wzmocnienia WO

we

we

e

e

U

)

(

3

)

(

R

I

I

U

we

we

wu

I

K

A

A

0

0

1

1

)

(

wu

WO

wy

wy

K

A

R

R

0

,

1

background image

 

 

4.Układy wejściowe woltomierza 

W celu zapewnienia rozszerzenia zakresów w stronę napięć 

mniejszych (poniżej około 1 V) wykorzystuje kilku rezystorów 
R

2j

 w obwodzie sprężenia zwrotnego WO. 

Wtedy współczynnik wzmocnienia równa się:

zwykle maksymalne wzmocnienie stanowi 10

3

-10

4

 razy. 

WO

U

wy

+

-

R

1

R

2,1

V

R

3

R

2,2

R

2,3

R

4,1

R

4,2

R

5

200V

20V

2V

200mV

20mV

2mV

LO

HI

2mV-2V

20V, 200V

(do A/C)

R

2,4

j

j

j

j

w

R

R

R

R

R

K

,

2

1

,

2

1

,

2

,

1

background image

 

 

4.Układy wejściowe woltomierza 

W celu zapewnienia rozszerzenia zakresów w stronę napięć 

większych (ponad około 10 V) jak w DMM wykorzystuje się 

dzielnik wejściowy

Równanie przetwarzania dla struktury na rys: 

Uv=Ux

K

d,i

K

w,j

,

gdzie K

d,i

 - współczynnik podziału napięcia wejściowego dzielnika 

Rezystancja wejściowa woltomierza w tym przypadku równa się 

rezystancji dzielnika Rd (przyjmując ze rezystancja wejściowa 

wzmacniacza W0 jest w dużym stopniu większa od rezystancji 

dzielnika): 

WO

U

wy

+

-

R

1

R

2,1

V

R

3

R

2,2

R

2,3

R

4,1

R

4,2

R

5

200V

20V

2V

200mV

20mV

2mV

LO

HI

2mV-2V

20V, 200V

(do A/C)

R

2,4

i

i

i

i

d

R

R

R

R

R

K

,

4

5

5

,

4

,

4

,

1

1

d

V

R

R

R

R

R

...

2

,

4

1

,

4

5

background image

 

 

5. Układ wejściowy woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym.

Przy pomiarach napięć z obiektów, wyjścia którego są 

odseparowani od masy wspólnej (ziemi), podłączenie tych 

wyjść do wejść woltomierza z uziemionym wejściem „LO” 

może powodować sytuację konfliktową. 

E

R

1

R

4

R

3

R

2

U

x

=U

1

-U

2

U

2

U

1

„0(ź)

V

HI

LO

?

Konflikt!

„0(

V

)”

background image

 

 

5. Układ wejściowy woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym.

W celu uniknięcia takiej sytuacji układ woltomierza powinien 

mieć symetryczne (odseparowane od masy) wejścia. Taki 

warunki mogą być spełnione przy wykorzystaniu wzmacniacza 

instrumentalnego. 

W takim układzie woltomierz jest wyposażony w trzy wejścia 

(sygnałowe wysokie – „HI” i niskie „LO” oraz masę „0”). 

Do sygnałowych wejść są dołączone punkty obwodu obiektu, 

różnicę potencjałów należy zmierzyć. Wejście masy mogę być 

podłączone do masy obiektu.

R

G

WI

-

+

HI

Do A/C

LO

0

Ref

U

x

=U

1

-

U

2

E

R

1

R

4

R

3

R

2

U

1

„0(ź)

U

2

background image

 

 

5. Układ wejściowy woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym.

Równanie przetwarzania dla struktury woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym:

gdzie 

K

g

=

K

WI

- współczynnik wzmocnienia wzmacniacza 

instrumentalnego.

Rezystancja wejściowa takiego układu równa się rezystancji 

wejściowej wzmacniacza instrumentalnego.

R

G

WI

-

+

HI

Do A/C

L

O

0

Ref

U

x

=U

1

-U

2

E

R

1

R

4

R

3

R

2

U

1

„0(ź)

U

2

WI

x

V

K

U

background image

 

 

5. Układ wejściowy woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym.

Wzmacniacz instrumentalny jest zbudowany na podstawie kilku 

wzmacniacze operacyjnych (W0) ze sprężeniem zwrotnym 

utworzonych za pomocą rezystorów wewnętrznych, wartości 

rezystancji których wyznaczają współczynnik wzmocnienia WI.

 W jednym układzie scalonym może być kilku wzmacniacze 

instrumentalnych. Typowy układ WI jest zbudowany na trzech 

wzmacniaczach operacyjnych W0

1

, W0

2

 oraz WO

3

.

V

in1

WO

1

+

-

R

6

V

in2

WO

2

R

5

R

7

R

3

R

4

R

1

R

2

WO

3

U

b

U

a

U

2

U

1

Feedback

V

o

V

ref

R

Go

+

+

-

-

background image

 

 

5. Układ wejściowy woltomierza ze 

wzmacniaczem instrumentalnym.

W razie spełnienia warunku dla wartości rezystancji rezystorów  

napięcie wyjściowe ma wartość 

2

3

4

1

2

K

R

R

R

R

V

in1

WO

1

+

-

R

6

V

in2

WO

2

R

5

R

7

R

3

R

4

R

1

R

2

WO

3

U

b

U

a

U

2

U

1

Feedbac
k

V

o

V

ref

R

Go

+

+

-

-

1

2

6

7

5

2

1

1

R

R

R

R

R

K

K

K

g





background image

 

 

6. Współczynnik tłumienia wejściowego 

napięcia wspólnego

Współczynnik tłumienia wejściowego napięcia wspólnego (synfazowego)

 

– CMMR (ang. Common Mode Rejection Ratio) – 

stosunek napięcia wspólnego 

U

cm

 do wartości różnicowego napięcia 

U

dif

które  należy  podać  do  wejść  WI,  żeby  otrzymać  taką  sama  wartość 

napięcia wyjsciowego U

wy

 

CMMR= U

cm

/U

dif 

= U

cm

/(U

wy

/K

g

)=K

g

(U

cm

/U

wy

)=K

g

/K

cm

K

cm

  równa  się  stosunku  napięcia  wyjściowego 

U

wy

  do  wartości 

powodującego jego napięcia wejściowego wspólnego 

U

cm

=U

we1

=U

we2 

lub

 

U

cm

=(U

we1

+U

we2 

)/2

(jednakowego  na  obydwu  wejściach    tzn.  przy  zerowym  napięciu 

różnicowym 

U

dif

=U

we1

-U

we2

=0

CMMR zwykle jest wyrażany w decybeli 

G

we

s

o

s

s

G

K

U

V

U

K

K

CMMR

)

(

lg

20

lg

20

,

background image

 

 

6. Współczynnik tłumienia wejściowego 

napięcia wspólnego

Przy wartości napięcia wspólnego 

Us,we

Ograniczenie wartości współczynnika CMRR powoduje powstanie 

błędu 

Które odbierane jest jako niekorzystne  napięcie różnicowe 

wejściowe 

Przykładowo, jeżeli CMRR=100 dB, oraz Uwe1=Uwe2=10 V 
wtedy odbierane niekorzystne napięcie różnicowe wejściowe (błąd 

wejściowy) wynosi

Jak widać, wpływ ograniczenia wartości CMRR przy niezerowej 

wartości napięcia wejściowego wspólnego może być dużym.

20

10

CMRR

cm

r

U

mkV

mV

,

V

V

V

V

U

CMRR

cm

r

100

1

0

10

10

10

10

10

10

4

5

20

100

20

background image

 

 

POMIAR PRĄDU.

SCHEMATY UKŁADÓW 

WEJŚCIOWYCH 

ELEKTRONICZNYCH 

AMPEROMIERZE 

PRĄDU STAŁEGO

 

background image

 

 

Plan wykładu

1. Wymagania do amperomierze

2. Układy wejściowe 

amperomierze.

background image

 

 

1. Wymagania do 

amperomierze

Ogólnym wymaganiem do amperomierze jest zapewnienie małej 

rezystancji wejściowej , ponieważ ona decyduje o błędzie 
metodycznym pomiaru prądu oraz o spadku napięcia 
pomiarowego na wejściu amperomierza  (tzw. 

Burden 

Volage

). 

Na rys. pokazano obwód elektryczny, w którym należy zmierzyć 

wartość prądu Ix. 

Do wprowadzenia amperomierza wartość tego prądu wynosi

R

0

I

x

U

0

R

1

I

A

R

0

U

0

R

A

R

1

A

U

A

01

0

1

0

0

R

U

R

R

U

I

x

background image

 

 

1. Wymagania do 

amperomierze

Po szeregowym włączeniu amperomierza z rezystancją 

wejściowej RA zmieni się ekwiwalentna rezystancja obwodu, 
w wyniku czego zmieni się prąd mierzony (wskazanie 
amperomierza) 

Zmniejszenie prądu pomiarowego wynosi

Względny błąd

 

R

0

I

x

U

0

R

1

I

A

R

0

U

0

R

A

R

1

A

U

A

A

x

A

R

R

U

I

I

01

0

 

x

A

A

x

A

A

A

A

x

A

R

I

R

R

R

I

U

R

I

R

R

I

I

I

I

A

01

0

01

A

A

A

A

A

x

R

R

R

R

R

U

U

U

R

I

I

I

A

A

01

0

0

)

(

background image

 

 

1. Wymagania do 

amperomierze

Przykład 1a

. Przy R0=100 Ohm, R1=1 kOhm oraz RA=1 Ohm, 

U0=1 V otrzymuje się:

Wskazanie mikroamperomierza:

Błąd metodyczny względny:

Przykład 1b

. Jeżeli wartości rezystancji obiektu badanego będą o 

10 razy mniejsza R1=100 Ohm , otrzymuje się: 

wskazanie amperomierza ; 

błąd metodyczny względny: 

mA

kOhm

Ohm

V

R

R

U

I

x

90909

,

0

1

100

1

1

0

0

mA

Ohm

kOhm

Ohm

V

R

R

R

U

I

A

A

90827

,

0

1

1

100

1

1

0

0

%

091

,

0

%

100

90909

,

0

90909

,

0

90827

,

0

mA

mA

mA

I

I

I

x

x

A

R

v

mA

I

x

5

mA

I

A

4.97512

%

5

,

0

A

R

background image

 

 

1. Wymagania do 

amperomierze

Przykład 1c

. Przy R0=10 Ohm, R1=10 Ohm oraz RA=1 Ohm, 

U0=1 V otrzymuje się:

Wskazanie miliamperomierza:

Błąd metodyczny względny:

mA

Ohm

Ohm

V

R

R

U

I

x

00

,

50

10

10

1

1

0

0

mA

Ohm

Ohm

Ohm

V

R

R

R

U

I

A

A

47,619

1

10

10

1

1

0

0

%

8

,

4

%

100

00

,

50

00

,

50

47,619

mA

mA

mA

I

I

I

x

x

A

R

v

background image

 

 

1. Wymagania do 

amperomierze

Dla zmniejszenia tego błędu należy wykorzystać miliamperomierz 

z mniejszą rezystancję wejściową, na przykład RA=0,01 Ohm 
lub jeszcze mniejszej, wtedy w ostatnim przypadku błąd 
metodyczny względny:

%

005

,

0

A

R

background image

 

 

1. Wymagania do 

amperomierze

Otóż wartość błędu metodycznego, spowodowanego ograniczonej 

wartością rezystancji wejściowej amperomierza zależy od 

stosunku rezystancji wejściowej amperomierza RA i 

ekwiwalentnej rezystancji obwodu ze strony pomiędzy 

punktami włączenia amperomierza

 
Zmniejszenie rezystancji wejściowej amperomierza R

A

 zapewnia 

zmniejszenie błędu metodycznego. 

Z innej strony, wartość błędu metodycznego wyznacza się 

stosunkiem spadku napięcia na amperomierze (Burden 

Volage) do napięcia obwodu. 

Napięcie na amperomierze wynosi
jego wartość powinna być ograniczona.                 

A

A

A

R

I

A

A

x

R

R

R

R

R

I

I

A

A

01

)

(

0

0

)

(

U

U

U

R

I

I

I

A

A

A

x

R

R

A

A

background image

 

 

Korekcja błędu od wpływu 

rezystancji amperomierza R

A

.

Ze wzoru błędu 

wynika, że skorygowana wartość prądu

 

 

1

0

R

R

R

I

I

I

I

A

A

x

A

R

A





1

0

1

R

R

R

I

I

A

A

x

background image

 

 

Korekcja błędu od wpływu 

rezystancji amperomierza R

A

.

Wpływ rezystancji amperomierza R

A

 na wynik pomiaru prądu 

może być skorygowany przez dodatkowy pomiar prądu z 
włączeniem dodatkowej rezystancji R

d

 o znanej wartości, 

na 

przykład taki samy amperomierz: R

d

=R

A

I

A2

R

0

U

0

R

A

R

1

A

R

d

background image

 

 

Korekcja błędu od wpływu 

rezystancji amperomierza R

A

.

Wtedy wynik pomiaru prądu w drugim pomiarze

Z wartości wyników pomiaru  I

A

 oraz I

A2 

można wyznaczyć wartość 

I

x

 

1

2

A

A

I

I

a

I

A2

R

0

U

0

R

A

R

1

A

R

d





A

d

A

A

R

R

R

U

R

R

R

R

U

I

2

1

0

0

1

0

0

2









a

I

R

a

R

R

I

R

R

R

I

I

A

A

d

A

A

A

A

x

1

1

1

1

1

0

A

d

R

R

background image

 

 

Korekcja błędu od wpływu 

rezystancji amperomierza R

A

.

Przy R

d

=R

A

 

Dlatego skorygowana wartość prądu

A

A

A

A

A

x

I

I

I

I

a

I

I

2

2

2

2

I

A2

R

0

U

0

R

A

R

1

A

R

d

1

background image

 

 

Korekcja błędu od wpływu 

rezystancji amperomierza R

A

.

Przykład 1d.  U0=10 V, R0+R1=10 Ohm, RA=1 Ohm.

Wartość rzeczywista prądu 

Wynik pierwszego pomiaru 

Wynik drugiego pomiaru 

Wartość współczynnika 

Skorygowana wartość prądu 

Co odpowiada rzeczywistej wartości prądu.

A

Ohm

V

R

R

U

I

x

000

,

1

10

10

1

0

0

A

Ohm

Ohm

V

R

R

R

U

I

A

A

909091

,

0

1

10

10

1

0

0

A

Ohm

Ohm

Ohm

V

R

R

R

R

U

I

A

A

A

8333333

,

0

1

1

10

10

1

0

0

2

0909091

,

1

833333

,

0

909091

,

0

2

A

A

I

I

a

A

a

I

R

R

U

I

A

x

000

,

1

0909091

,

1

2

909091

,

0

2

1

0

0

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.1. Układy wejściowe amperomierza z bocznikiem 

Dla pomiarów prądów o dużej wartości (od kilku miliamperów i 

wyżej) wykorzystuje się układ pomiarowy amperomierza z 
bocznikiem na wejściu 

WO

-

I

x

R

b

I

x

U

v

=Ix

R

b

K

wu

R

1

R

2

V

+

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.1. Układy wejściowe amperomierza z bocznikiem 

Dla takiego układu napięcie wyjściowe wynosi

R

b

 - jest rezystancją bocznika,  K

wu

- jest współczynnikiem 

wzmocnienia wzmacniacza 

WO

-

I

x

R

b

I

x

U

v

=Ix

R

b

K

wu

R

1

R

2

V

+

wu

b

x

b

x

wy

v

K

R

I

R

R

R

I

U

U

2

1

1

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.1. Układ wejściowy amperomierza z bocznikiem 

Lepsze charakterystyki można uzyskać stosując wzmacniacz 

instrumentalny (WI),  zwłaszcza w przypadkach kiedy obiekt 

mierzony jest odseparowany od masy wspólnej. 

Dla takiego układu napięcie wyjściowe wynosi

 Kwi- jest współczynnikiem wzmocnienia WI 

I

x

R

b

I

x

U

v

=Ix

R

b

K

wi

V

WI

K

wi

wi

b

x

wy

v

K

R

I

U

U

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.1. Układy wejściowe amperomierza z bocznikiem 

Dla takich układów wejściowych:

Rezystancja wejściowa amperomierza :

 

R

A

=Rb

Wartość napięcia na amperomierze: U

A

=I

x

·R

b

Dokładność takiej struktury amperomierza wyznacza się 

dokładnością: 

bocznika - błąd δ

b

;

wzmacniacza - błąd δ

w

 oraz ;

przetwornika analogowo-cyfrowego (na wyjściu) – błąd δ

A/C

 : 

δ

A

 =δ

b

 +

 

δ

+

 

δ

A/C

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.1. Układ wejściowy amperomierza z bocznikiem

Przy ograniczeniu wartości współczynnika wzmocnienia na 

poziomie K

w

=10

3

-10

4

, oraz napięciu wyjściowym około 

U

wy

=1V, wartość spadku napięcia na amperomierze wynosi 

około

  
Wtedy wartość rezystancji bocznika równa się:

Przykład 2

. Przy zakresach prądu mierzonego I

x

 od 1mA do 1 A 

oraz  K

w

=10

4

 wartości rezystancji bocznika równają się

 

mV

V

K

U

U

w

wy

A

)

1

1

,

0

(

10

10

1

4

3

x

x

A

A

b

I

mV

I

U

R

R

)

1

1

,

0

(

Ohm

mOhm

A

mA

mV

R

R

A

b

1

,

0

01

,

0

10

1

1

,

0

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.2. Bazowa konfiguracja układu wejściowego 

mikroamperomierze z przetwarzaniem 
bezpośrednim
 

Do pomiarów prądów, których wartości są z zakresie 

mikroamperów i niżej, wykorzystują się układy z 
bezpośrednim przetwarzaniem prądu. 

I

x

WO

-

+

V

R

F

I

x

U

wy

=-Ix

R

F

LO

HI

I

x

WO

-

+

A

HI

I

A

=I

x

LO

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.2. Bazowa konfiguracja układu wejściowego 

mikroamperomierze z przetwarzaniem 

bezpośrednim 

W układzie z przetwarzaniem bezpośrednim prądu napięcie 

wyjściowe równa się:

gdzie R

F

 - rezystancja sprężenia zwrotnego. 

I

x

WO

-

+

V

R

F

I

x

U

wy

=-Ix

R

F

LO

HI

I

x

WO

-

+

A

HI

I

A

=I

x

LO

F

x

wy

v

R

I

U

U

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.2. Bazowa konfiguracja układu wejściowego 

mikroamperomierze z przetwarzaniem 
bezpośrednim
 

Spadek napięcia na amperomierze

:

Otóż w pierwszym przybliżeniu rezystancja wejściowa 

mikroamperomierza:

I

x

WO

-

+

V

R

F

I

x

U

wy

=-Ix

R

F

LO

HI

I

x

WO

-

+

A

HI

I

A

=I

x

LO

WO

F

x

wy

A

A

R

I

A

U

U

0

0

A

R

I

U

R

F

x

A

A

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.2. Bazowa konfiguracja układu wejściowego 

mikroamperomierze z przetwarzaniem bezpośrednim 

Przykład 3

. Jeżeli Ix=1 µA i na wyjściu przetwornika chcemy 

otrzymać Uwy=1 V wtedy wartość rezystancji sprężenia 
zwrotnego :

Przy wzmocnienie WO A0=10

5

-10

6

 wartość rezystancji wejściowej 

równa się:

przy tym spadek napięcia na amperomierzu równa się:

I

x

WO

-

+

V

R

F

I

x

U

wy

=-Ix

R

F

LO

HI

I

x

WO

-

+

A

HI

I

A

=I

x

LO

MOhm

A

V

I

U

R

x

wy

F

1

1

1

Ohm

MOhm

R

A

)

10

1

(

10

10

1

6

5

mkV

A

U

I

R

U

wy

x

A

A

)

10

1

(

0

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

Jeżeli zakres pomiaru prądu ma być 

1 nA

 wtedy wartość 

rezystancji sprężenia zwrotnego ma być równą:

 
a przy zakresie pomiaru prądu 10 pA wartość rezystancji 

sprężenia zwrotnego ma być 100 razy większą 

Rezystory z takimi wartościami rezystancji nie mogą być 

wykorzystywane w precyzyjnych obwodach pomiarowych, 
ponieważ te wartości są porównywalne są do wartości 
rezystancji izolacji płytek, na których oni są umocowani. 

GOhm

nA

V

I

U

R

x

wy

F

1

1

1

GOhm

pA

V

I

U

R

x

wy

F

100

10

1

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

Ten problem jest usunięty poprzez wykorzystania właściwości 

„wzmacniania” rezystancji obwodu gwiazdowego. 

W tym obwodzie odbywa się przetwarzanie prąd-napięcie (R

F

) z 

następnym wzmocnieniem napięcia (rezystory R

1

 oraz R

2

). 

WO

I

x

-

R

F

I

x

U

wy

=-I

x

R

F

K

i

R

1

R

2

V

+

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

W układzie ze wzmocnieniem napięcia wyjściowego (rys.4,b) 

napięcie wyjściowe równa się:

Gdzie wzmocnienie prądu wynosi 

WO

I

x

-

R

F

I

x

U

wy

=-I

x

R

F

K

wi

R

1

R

2

V

+

I

F

x

F

F

x

F

x

wy

v

K

R

I

R

R

R

R

I

R

R

R

R

I

U

U













1

1

1

1

2

1

1

2

1

F

I

R

R

R

K

1

1

1

2

1

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

Przykład 4a

. Jeżeli 

Ix=1 nA

 i na wyjściu przetwornika dalej 

chcemy otrzymać 

Uwy=1 V

 przy ograniczonej wartości 

rezystancji sprężenia zwrotnego , wtedy wartość 
współczynnika wzmocnienia prądu powinna równać się: 

Dlatego przy  oraz zakładając ograniczoną wartość rezystancji  

otrzymuje się wartość rezystancji R2 

WO

I

x

-

R

F

I

x

U

wy

=-I

x

R

F

K

wi

R

1

R

2

V

+

1000

1

1

1

MOhm

nA

V

R

I

U

K

F

x

wy

I

kOhm

MOhm

R

R

K

R

R

F

I

F

002

,

1

1

1

1

1000

1

1

1

1

2

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

Przykład 4b

. Jeżeli 

Ix=10 pA

 i na wyjściu przetwornika dalej 

chcemy otrzymać 

Uwy=1 V

 przy ograniczonej wartości 

rezystancji sprężenia zwrotnego , wtedy wartość 
współczynnika wzmocnienia prądu powinna równać się: 

Jest to zbyt duża wartość, dlatego ze przy współczynniku 

wzmocnienia W0 A

0

=10

6

 błąd statyczny będzie równać się: 

WO

I

x

-

R

F

I

x

U

wy

=-I

x

R

F

K

wi

R

1

R

2

V

+

100000

1

10

1

MOhm

pA

V

R

I

U

K

F

x

wy

I

%

9

1

10

10

1

1

1

5

6

0

0

I

A

K

A

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

Przykład 4b

.  

Ix=10 pA

 i 

Uwy=1 V

 : 

Dlatego należy zwiększyć wartość rezystancji  

R

1

=R

F

=33,333 

MOhm

, wtedy wartość współczynnika wzmocnienia prądu 

powinna równać się 

 
i wartość rezystancji R2 będzie równać się:

WO

I

x

-

R

F

I

x

U

wy

=-I

x

R

F

K

wi

R

1

R

2

V

+

3000

33

,

33

10

1

MOhm

pA

V

R

I

U

K

F

x

wy

I

%

3

,

0

1

10

3

10

1

3

6

0

A

kOhm

MOhm

R

R

K

R

R

F

I

F

1185

,

11

1

1

1

3000

33

,

33

1

1

1

2

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.3. Bazowa konfiguracja układu wejściowego nano – i 

pikoamperomierze

Przykład 4b

.  

Ix=10 pA

 i 

Uwy=1 V

 : 

Są to bardzo dobre wyniki, ponieważ przy ograniczonych 

wartościach rezystancji do (1-33) MOhm (zamiast 
100 GOhm) otrzymuje się na wyjściu napięcie 1 V przy 
prądzie 10 pA.

WO

I

x

-

R

F

I

x

U

wy

=-I

x

R

F

K

wi

R

1

R

2

V

+

background image

 

 

2. Układy wejściowy 

amperomierze

2.4. 

Podstawowym problemem układów nano- i pikoamperomierzy 

jest wpływ wejściowego prądu wzmacniacza operacyjnego 

(Iwe), który zniekształca prąd mierzony bezpośrednio, 

ponieważ prąd przez rezystancję RF równa się sumie  prądu 

mierzonego Ix oraz prządu wej ościowego WO Iwe:

                  I

F

=I

x

+I

we

 .

Stąd napięcie na wyjściu układu

U

wy

=I

F

·R

F

=(I

x

+I

we

)·R

F

Względny błąd przetwarzania równa się

Dlatego wymagany jest WO o niskim poziomie prądów wejściowych 

niezrównoważenia oraz zabezpieczenia przeciw oddziaływań 

innych prądów upływu przez rezystancje izolacji płytki 

montażowej.

U

wy

WO

-

+

R

F

I

F

=I

x

+I

we

I

x

I

we

x

we

Iwe

I

I

background image

 

 

Pomiary małych i 

dużych rezystancji

background image

 

 

Cel: Zapoznać się z podstawowymi schematami 

układów elektronicznych omomierze. 

Plan:
1. Wstęp. Problemy przetwarzania 

rezystancji w napięcie

2. Pomiary małych rezystancji
3. Pomiary dużych rezystancji

background image

 

 

1. Wstęp. Problemy pomiaru małych 

rezystancji

Rozróżnia się układy do pomiaru małych, średnich 

oraz dużych rezystancji (impedancji). 

Przy pomiarach małych rezystancji (poniżej ok. 

10 ...100 ) na wynik pomiaru wpływają 

rezystancji przewodów (rys.  1,a). Im mniejsza 

rezystancja pomiarowa tym większy wpływ 

rezystancji przewodów.

 
Przy pomiarach dużych rezystancji (powyżej ok. 

10 M...100 M) na wynik pomiaru wpływają 

rezystancji wejściowe przetwornika, izolacja, prądy 

upływów i t.p. (rys.  1,b).

background image

 

 

2. Do wpływu rezystancji przewodów linii

• Wpływ rezystancji przewodów

• Dla wartości średnich (od ok. 1 k do ok. 

10 M) wpływ przewodów z rezystancją ok. 

R

l

=0,1  jest mniejszy od 0,01%

R

x

Do miernika 

rezystancji

R

l

R

l

x

l

Rl

R

R

2

background image

 

 

3. Do pomiaru małych rezystancji

4- przewodowe podłączenie 

badanego rezystora do 
układu pomiarowego:

Rozdzielone obwody:
 prądowy (wymuszenie) i 

napięciowy (pomiar)

Zas.

R

X

 

A

R

reg

R

L1

U

0

I

x

V

U

x

I

V

 <<I

x

R

L2

R

L3

R

L4

I

V

Jeśli R

V

 >> R

x

 wtedy I

V

 << R

i I

A

 = I

x

 stąd

 

praktycznie U

V

=U

x

=I

x

×R

x

 

A

V

x

x

x

I

U

I

U

R

 

background image

 

 

3. Do pomiaru małych rezystancji

4- przewodowe podłączenie 

badanego rezystora do 
układu pomiarowego:

Rozdzielone obwody

:

 prądowy (wymuszenie) i 

napięciowy (pomiar).

Zwiększenie dokładności

:

Pośredni pomiar prądu

 

poprzez pomiar spadku 
napięcia na rezystorze 
wzorcowym Rn

Zas.

R

x

A

R

reg

R

L1

U

0

I

x

R

L3

R

L4

U

x

R

L2

R

n

V

U

n

R

L2

1 pomiar

2 pomiar

1 pomiar

: U

V1

=I

x

×R

x

2 pomiar

: U

V2

=I

x

×R

n

 

 

Wynik

  

n

V

V

n

V

V

x

x

x

R

U

U

R

U

U

I

U

R

2

1

2

1

 

background image

 

 

4. Do pomiaru małych rezystancji

 

Mostek Thomsona

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

background image

 

 

 4.

Do pomiaru małych rezystancji: 

Mostek 

Thomsona

Warunkiem zrównoważenia mostka (przy bardzo małej 

rezystancji (r=0) przewodu pomiędzy punktami a-c) – prąd 
przez galwanometr równa się zeru (Ig=0)  jest równanie 

0

zr

A

zr

N

x

X

zr

M

x

g

R

R

R

U

U

U

R

I

U

U

zr

N

B

x

R

U

R

U

A

zr

N

x

M

R

R

U

U

I

x

x

R

I

U

N

N

R

I

U

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

background image

 

 

 

 4.

Do pomiaru małych rezystancji:

 Mostek 

Thomsona

Warunkiem zrównoważenia mostka – równanie pomiaru

A

zr

N

x

R

R

R

R

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

background image

 

 

 

Do pomiaru małych rezystancji

:

 Mostek 

Thomsona

Start 5.12.2011

Na ogół przy pomiarach bardzo małych wartości rezystancji 

należy uwzględniać 

niezerowe wartości rezystancji 

przewodów

, którymi podłącza się rezystor mierzony 

R

x

 , 

wzorcowy 

R

N

 oraz elementy mostka. Wtedy równanie mostka 

ma postać: 

d

r

R

R

r

R

R

B

N

zr

x

2

1

)

(





4

3

2

1

4

3

/

4

)

(

r

R

r

R

r

R

r

R

r

r

r

R

R

r

r

R

d

А

z

B

zr

zr

A

A

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

background image

 

 

Do pomiaru małych rezystancji:

 Mostek 

Thomsona

Na ogół przy pomiarach bardzo małych wartości rezystancji 

należy uwzględniać 

niezerowe wartości rezystancji 

przewodów

, którymi podłącza się rezystor mierzony 

R

x

 , 

wzorcowy 

R

N

 oraz elementy mostka. Wtedy równanie mostka 

ma postać: 

d

r

R

R

r

R

R

A

N

zr

x

2

1

)

(





4

3

2

1

4

3

/

4

)

(

r

R

r

R

r

R

r

R

r

r

r

R

R

r

r

R

d

B

z

A

zr

zr

B

B

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

background image

 

 

 

Do pomiaru małych rezystancji:

 Mostek 

Thomsona

Zwykle rezystancja rezystora wzorcowego 

R

N

=10

k

gdzie 

k

 jest liczbą całkowitą ujemną lub dodatnią, 

oraz rezystancja rezystora też krotna 10: 

R

A

=10

m

gdzie 

m

 jest liczbą dodatnią (R

A

=10; 100; 1000; 

10000Ω),   dlatego stosunek 

R

N

/R

A

=10

n

 – jest krotny 

10 (n liczba całkowita) i uproszczony wzór na 

wartość rezystancji mierzonej ma postać:

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

zr

n

x

R

R

10

background image

 

 

 

Do pomiaru małych rezystancji:

 Mostek 

Thomsona

Mostki Thomsona wykorzystują się do pomiaru 

małych wartości

 

rezystancji: w zakresie od 

10

-8 

do 

10

2

 Ω

, jest to możliwie dzięki 

małym wartościom rezystancji R

N

 od 

10

-5

…do 

10 Ω

.

 

Zas. 

r

3

 

r

4

 

r

1

 

r

2

 

R

N

 

R

B

 

R

A

 

R

X

 

 

R

reg

 

r

5

 

R`

zr

 

R

zr

 

U

0

 

r

6

 

I

G

=0 

I

M

 

zr

n

zr

A

N

x

R

R

R

R

R

10

background image

 

 

5. Niepewność wyniku pomiaru 

mostkiem Thomsona

Względna złożona niepewność standardowa wyniku pomiaru 

rezystancji, obliczona metodą typu B: 

względne graniczne (dopuszczalne) 

odchylenia odpowiednich rezystancji mostka od wartości 
nominalnych

 

(d)

u

)

(R

u

)

(R

u

3

2

rel

B,

nc

x,

2

rel

B,

kw

zr,

2

rel

B,

2

2

2

gr

,

R

gr

,

R

gr

,

R

x

rel

,

B

N

A

zr

R

u

gr

,

R

gr

,

R

gr

,

R

N

A

zr

;

;

background image

 

 

5. Niepewność wyniku pomiaru 

mostkiem Thomsona

Względna złożona niepewność standardowa wyniku pomiaru 

rezystancji, obliczona metodą typu B: 

Względna niepewność od kwantowania

 (dyskretności) 

rezystancji zrównoważenia R

zr

 oblicza się z wzoru

Względna niepewność od nieczułości

 oblicza się z wzoru

gdzie  

- zmiana rezystancji zrównoważenia wywołująca 

odchylenie wskaźnika galwanometru o 0,1 podzialki 

 

(d)

u

)

(R

u

)

(R

u

3

2

rel

B,

nc

x,

2

rel

B,

kw

zr,

2

rel

B,

2

2

2

gr

,

R

gr

,

R

gr

,

R

x

rel

,

B

N

A

zr

R

u

%

100

3

)

(

)

(R

u

1

,

0

nc

x,

rel

cB,

zr

dz

zr

R

R

%

100

3

5

,

0

)

(R

u

,

kw

zr,

rel

B,

zr

kw

zr

R

R

dz

zr

R

1

,

0

)

(

background image

 

 

5. Niepewność wyniku pomiaru 

mostkiem Thomsona

Względna złożona niepewność standardowa wyniku pomiaru 

rezystancji, obliczona metodą typu B: 

Względna niepewność od członu 

d

 (niezerowej wartości rezystancji 

r≠0

k=R

x

/R

N

 

 

(d)

u

)

(R

u

)

(R

u

3

2

rel

B,

nc

x,

2

rel

B,

kw

zr,

2

rel

B,

2

2

2

gr

,

R

gr

,

R

gr

,

R

x

rel

,

B

N

A

zr

R

u

 

k

k

R

r

d

u

x

R

rel

,

B

gr

.

zr

1

3

4

background image

 

 

 

6. Omomierz z 4-przewodowym 

podłączeniem rezystora badanego.

Przetwornik rezystancji ze źródłem prądowym oraz 

wzmacniaczem instrumentalnym.

     Podstawowy problem polega na eliminacji wpływu rezystancji 

przewodów linii. W tym celu wykorzystuje się połączenia 

czteroprzewodowe (rys.2).

Do schematu przetwarzania małej wartości rezystancji

Wzmacniacz 

instrumentaln

y

K

WI

R

l2

R

l3

R

l1

R

l4

U

wy

=

=K

wi

 I

0

 

R

x

I

0

WE

WY

1

2

3

4

R

x

U

x

I

0

I

0

I

0

I

we2

=

0

I

we3

=

0

background image

 

 

7. Omomierz z 4-przewodowym podłączeniem 

rezystora badanego (

ze źródłem napięciowym oraz 

rezystorem referencyjnym i wzmacniaczem 

instrumentalnym

).

Eliminacja wpływu rezystancji przewodów linii bazuje na pomiarze 

prądu wymuszającego, poprzez pomiar spadku napięcia na 

rezystorze referencyjnym      

Schemat pomiaru małej wartości rezystancji w układzie ze źródłem 

napięciowym oraz rezystorem referencyjnym i wzmacniaczem 

instrumentalnym

 

R

x

Wzmacniacz 

instrumental

ny

K

WI

R

l2

R

l3

R

l1

R

l4

N

x

=I

pom

R

x

 

K

wi

k

ADC

WE

WY

1

2

3
3

4

U

0

I

pom

R

ref

U

Rref

U

x

1

2

ADC

k

ADC

N

ref

=I

pom

R

ref

 

K

wi

k

ADC

background image

 

 

 

7. Omomierz z 4-przewodowym 

podłączeniem rezystora badanego (

ze 

źródłem napięciowym oraz rezystorem 

referencyjnym i wzmacniaczem 

instrumentalnym

).

Otóż wynik pomiaru jest niezależny od wartości napięcia 

zasilającego (prądu wymuszającego) oraz rezystancji 

przewodów linii. Wymagano jest tylko krótko czasowa stabilność 

wszystkich parametrów układu pomiarowego. 

R

x

Wzmacniacz 

instrumental

ny

K

WI

R

l2

R

l3

R

l1

R

l4

N

x

=I

pom

R

x

 

K

wi

k

ADC

WE

WY

1

2

3
3

4

U

0

I

pom

R

ref

U

Rref

U

x

1

2

ADC

k

ADC

N

ref

=I

pom

R

ref

 

K

wi

k

ADC

ADC

wi

ref

ref

pom

k

K

R

N

I

ref

ref

x

ADC

WI

ref

ADC

WI

ref

x

ADC

WI

pom

x

x

R

N

N

k

K

R

k

K

N

N

k

K

I

N

R

background image

 

 

 

8. Pomiary  dużych rezystancji

 

Problem pomiarów (przetworników) dużych rezystancji 

polega we wpływie rezystancji izolacji R

k

 i pojemności 

C

k

 kabla oraz wzmacniacze operacyjnych. 

Te parametry bocznikują rezystancją mierzoną, wskutek 

czego wynik pomiaru równa się rezystancji 

równoległego połączenia mierzonego i kabla

Pojemność kabla powoduje zwiększenie czasu pomiaru 

ponieważ wzrasta stała czasowa obwodu 

pomiarowego 

R

x

R

we

R

k

kabel

Miernik

C

k

k

x

pom

R

R

R

k

x

x

C

background image

 

 

8. Pomiary  dużych rezystancji

Wpływ rezystancji izolacji kable   

• wpływ izolacji z rezystancją powyżej 

R

iz

=100 G przy R

x

<100M 

jest mniejszy od 0,1%. 

Do miernika 

rezystancji

R

x

R

iz

iz

x

x

iz

iz

R

R

G

G

background image

 

 

 

8. Pomiary  dużych rezystancji

Rys.5. Zasada pomiaru rezystancji rezystancji

I

nA

R

x

U

zas

nA

I

x

V

background image

 

 

 

8. Pomiary  dużych rezystancji

Rys. Układ zastępczy uwzględniający wpływ rezystancji izolacji 

R

k2

I

nA

R

x

R

iz2

R

iz1

U

zas

nA

R

k1

I

x

I

zas

I

izU

I

izx

I

k2

I

iz2

I

iz1

I

k1

V

R

izU

R

izx

background image

 

 

 

3. Pomiary dużych rezystancji

Wynik pomiaru prądu: 

I

nA

=I

x

+I

iz2

+I

k2

 

Zamiast I

nA

=I

x

 

Prądy przez izolacje I

iz2

=U

zas

/R

iz2

oraz kabel I

k2

=U

zas

/R

k2

 powodują powstanie błędu: 

R

k2

I

nA

R

x

R

iz2

R

iz1

U

zas

nA

R

k1

I

x

I

zas

I

izU

I

izx

I

k2

I

iz2

I

iz1

I

k1

V

R

izU

R

izx

2

2

k

iz

x

zas

nA

zas

pom

,

x

I

I

I

U

I

U

R

2

2

2

2

2

2

1

k

iz

x

zas

k

zas

iz

zas

x

zas

k

iz

x

zas

nA

pom

,

x

pom

,

x

G

G

G

U

I

U

I

U

I

U

I

I

I

U

I

R

G

2

2

k

iz

pom

,

x

pom

,

x

G

G

G

G

G

pom

,

x





2

2

2

2

1

1

k

iz

x

x

k

iz

x

G

G

R

R

R

G

G

G

G

pom

,

x

pom

,

x

background image

 

 

 

8. Pomiary dużych rezystancji

Prądy przez izolacje I

iz2

=U

zas

/R

iz2

oraz kabel I

k2

=U

zas

/R

k2

 powodują powstanie błędu: 

R

k2

I

nA

R

x

R

iz2

R

iz1

U

zas

nA

R

k1

I

x

I

zas

I

izU

I

izx

I

k2

I

iz2

I

iz1

I

k1

V

R

izU

R

izx

2

2

k

iz

pom

,

x

pom

,

x

G

G

G

G

G

pom

,

x





2

2

2

2

1

1

k

iz

x

x

k

iz

x

G

G

R

R

R

G

G

G

G

pom

,

x

pom

,

x

Przykład: R

x

=1 GΩ;  R

iz2

=R

k2

=10 GΩ=10

10

Ω

 

%

,

R

R

R

k

iz

x

G

pom

,

x

20

2

0

10

1

10

1

10

1

1

10

10

9

2

2









background image

 

 

 

8. Pomiary dużych rezystancji

Rys.  zasada ekwipotencjalnego zabezpieczenia podczas 

pomiaru dużych rezystancji. 

R

iz3

I

nA

R

x

R

iz2

R

iz1

U

zas

nA

I

x

I

zas

I'

iz2

I

iz3

I

iz1

V

U

nA

Ekran ekwipotencjalny

background image

 

 

 

8. Pomiary dużych rezystancji

Wynik pomiaru prądu: I

nA

=I

x

+I'

iz2

Prąd przez izolację 

Wynik pomiaru rezystancji: 

Błąd

R

iz3

I

nA

R

x

R

iz

2

R

iz1

U

zas

nA

I

x

I

zas

I'

iz2

I

iz3

I

iz1

V

U

nA

Ekran ekwipotencjalny

2

2

2

iz

nA

nA

iz

nA

iz

R

R

I

R

U

I

2

iz

x

zas

nA

zas

pom

,

x

I

I

U

I

U

R

zas

iz

nA

nA

x

zas

iz

nA

x

zas

iz

zas

x

zas

iz

x

zas

nA

pom

x

pom

x

U

R

I

R

G

U

R

U

G

U

I

U

I

U

I

I

U

I

R

G

2

2

2

2

,

,

1

pom

x

iz

nA

x

pom

x

zas

iz

nA

nA

x

pom

x

G

R

R

G

G

U

R

I

R

G

G

,

2

,

2

,





2

,

1

iz

nA

pom

x

x

R

R

G

G

2

2

2

,

,

1

1

,

iz

nA

iz

nA

x

iz

nA

pom

x

x

pom

x

G

R

R

R

R

G

R

R

G

G

G

pom

x

2

2

2

1

1

,

,

iz

nA

iz

nA

iz

nA

x

G

G

R

R

R

R

R

R

G

pom

x

pom

x

background image

 

 

 

8. Pomiary dużych rezystancji

Błąd

Przykład: R

nA

=1000 Ω;  R

iz2

=10 GΩ=10

10

Ω

δ

Gx,pom

≈(1000/10

10

 )·100%= 10

-7

  = 10

-5

 % 

R

iz3

I

nA

R

x

R

iz

2

R

iz1

U

zas

nA

I

x

I

zas

I'

iz2

I

iz3

I

iz1

V

U

nA

Ekran ekwipotencjalny

2

,

,

iz

nA

x

G

G

R

R

G

pom

x

pom

x

background image

 

 

 

9. Omomierz do pomiaru dużych 

rezystancji

 

Przetwornik rezystancji z ekranowaniem 

ekwipotencjalnym

Rys.8. Schemat przetwarzania dużej wartości rezystancji

R

n

WO

-

+

I

x

U

wy

U

ref

R

x

Ekran 

ekwipotencjalny

HI

LO

-Ekran 

Do A/C

WY

WE

background image

 

 

 

9. Omomierz do pomiaru dużych 

rezystancji

Przetwornik rezystancji z ekranowaniem 

ekwipotencjalnym

Rys.8. Schemat przetwarzania dużej wartości rezystancji

R

n

WO

-

+

I

x

=I

n

U

wy

U

ref

I

n

=U

ref

/R

n

R

x

I

n

Ekran 

ekwipotencjalny

U

e

=U

wy

=U

-

=U

+

=U

HI

R

iz

R

wy

C

iz

HI

LO

U

HI

-Ekran 

Do A/C

I

we+

=0

I

we-

=0

WY

WE

R

k

C

k

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

 

Podstawowymi obiektywnymi parametrami 

materiałów dielektrycznych (izolacji) w stałym 
polu elektrycznym są:

 

rezystywność skrośna ρ

s

 oraz

 

powierzchniowa ρ

p

 

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

 

Rezystywność skrośna ρ

s

 odwzoruje własności przepływu prądu 

wewnątrz objętości dielektryka umieszczonego pomiędzy dwoma 
elektrodami (o zadanej powierzchni), do których doprowadzone 
jest napięcie stałe. 

Rezystywność skrośna 

ρ

s

 wyznaczana jest ze wzoru:

[

Ω·m

] lub [

Ω·cm

]

gdzie  

R

s

 

=U/I

 

jest zmierzona wartość rezystancji skrośnej przez 

pomiar wartości doprowadzonego do elektrod napięcia 

U

 oraz 

wartość płynącego wewnątrz objętości dielektryka prąd 

I

s

;

S

e

 jest efektywną powierzchnią elektrod; 

h

 – jest grubością izolacji (dielektryka).  

h

S

R

e

s

s

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

 

Rezystywność powierzchniowa ρ

p

 odwzoruje własności 

przepływu prądu po powierzchni dielektryka pomiędzy dwoma 
elektrodami o zadanych wymiarach i odstępie usytuowanymi na 
jego powierzchni, do których doprowadzone jest napięcie stałe . 

Rezystywność powierzchniowa 

ρ

p

 wyznaczana jest ze wzoru:             

        [

Ω

]

gdzie  

R

p

 

=U/I

p

  

jest zmierzona wartość rezystancji powierzchniowej 

przez pomiar wartości doprowadzonego do elektrod napięcia 

U

 

oraz wartość płynącego po powierzchni dielektryka prąd 

I

p

;

L 

jest odległością pomiędzy elektrodami;

 

g

 – jest odstępem pomiędzy elektrodami 

g

L

R

p

p

L

g

I

p

U

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

 

Przez materiał dielektryczny, do którego za pomocą elektrod 

pomiarowych zostało podane napięcie, płyną jednocześnie prądy 
wewnątrz jego objętości (

I

s

) oraz po powierzchnie (I

p

). 

Dlatego zmierzona wartość rezystancji jest wypadkową rezystancją 

skrośnej i powierzchniowej: 

I

pom

=I

s

+I

p

.

W celu niezależnego pomiaru rezystancji skrośnej i powierzchniowej (i 

dalej odpowiednich rezystywności) wykorzystuje się specjalne 
elektrody pomiarowe (komórka pomiarowa) 

U

V

μA

2

1

I

pom

I

s

I

p

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Układ elektrod pomiarowych (komórka pomiarowa) do niezależnego 

pomiaru rezystancji skrośnej i powierzchniowej

d

4

d

3

d

1

d

2

h

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Pomiar rezystancji i rezystywności skrośnej

2

E

U

V

μ
A

3

1

I

pom

I

s

I

p

U

μA

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Pomiar rezystancji i rezystywności skrośnej

Wartość prądu powierzchniowego (powodującego błąd) 

Błąd 

R

μA

<<R

p

 

2

E

U

V

μ
A

3

1

I

pom

I

s

I

p

U

μA

p

A

pom

p

A

p

R

R

I

R

U

I



p

A

pom

p

pom

pom

R

R

I

I

I

I

1

 

p

A

pom

pom

p

pom

R

R

I

I

I

I

1

 

0

p

pom

I

I

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Pomiar rezystancji i rezystywności skrośnej

Wartość rezystancji skrośnej

Wartość rezystywności skrośnej 

Wartość stałej K

s

 komórki pomiarowej

 z okrągłymi elektrodami pomiarowymi
do pomiaru rezystywności skrośnej ρ

s

 

wyznaczana jest ze wzoru: 

gdzie 

B

 jest współczynnikiem efektywnej powierzchni elektrody 

pomiarowej (można przyjąć 

B=0

);

                     - jest połową odległości 
elektrody wewnętrznej i zewnętrznej.
Otóż

2

E

U

V

μ
A

3

1

I

pom

I

s

I

p

U

μA

pom

i

I

U

s

s

s

R

h

K

2

1

2

g

B

d

K

s

2

1

2

d

d

g

4

2

1

d

K

s

d

4

d

3

d

1

d

2

h

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Pomiar rezystancji i rezystywności powierzchniowej

2

E

U

V

μA

3

1

I

pom

I

s

I

p

U

μA

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Pomiar rezystancji i rezystywności powierzchniowej

Wartość prądu skrośnego (powodującego błąd)

Błąd 

 R

μA

<<R

s

 

2

E

U

V

μA

3

1

I

pom

I

s

I

p

U

μA

s

A

pom

s

A

s

R

R

I

R

U

I





s

A

pom

s

pom

pom

R

R

I

I

I

I

1

s

A

pom

pom

pom

R

R

I

I

I

1

 

0

s

pom

I

I

background image

 

 

10. Pomiary parametrów izolacji

Pomiar rezystancji i rezystywności powierzchniowej

Wartość rezystancji powierzchniowej 

Wartość rezystywności powierzchniowej
 

Wartość stałej K

p

 komórki pomiarowej

 

do pomiaru rezystywności powierzchniowej

 

gdzie P jest efektywnym obwodem elektrody ekranującej: 

 
g - jest połową odległości elektrody wewnętrznej i zewnętrznej:
 

2

E

U

V

μA

3

1

I

pom

I

s

I

p

U

μA

pom

p

I

U

p

p

p

R





1

2

2

1

d

d

d

d

g

P

K

p

g

d

d

P

1

0

2

1

2

d

d

g

d

4

d

3

d

1

d

2

h

background image

 

 

TŁUMIENIE ZAKŁÓCEŃ 

W TRAKCIE ICH 

PRZENIKANIA W 

OBWÓD POMIAROWY 

background image

 

 

Plan wykładu

 

Plan:
3.1. Wstęp
3.2. Metody konstrukcyjno-technologiczne 

zmniejszenia wpływu zakłóceń

3.2.1. Ekranowanie 
3.2.2. Skręcanie par przewodów
3.2.3. Prawidłowe uziemienie
3.2.4. Ekwipotencjalne ekranowanie
3.3. Zabezpieczenie (ekranowanie) 

ekwipotencjalne 

3.3.1. Niektóry przykłady analizy wpływu 

zakłóceń wspólnych 

3.3.2. Współczynnik tłumienia zakłócenia 

wspólnego

3.3.3. Ekranowanie ekwipotencjalne

Cel: 

Zapoznać się z rodzajami zakłóceń w obwodach 

pomiarowych 

background image

 

 

3.1. Wstęp

Zakłócenia, występujące w torze pomiarowym, powodują powstanie 

dodatkowej niepewności wyników pomiaru. Przy tym wartość na 

niepewności, spowodowanej zakłóceniami, zależy od wielu 

czynników. Przy rozpatrywaniu zagadnień wpływu zakłóceń na wyniki 

pomiaru należy uwzględniać trzy podstawowe składowe (rys. 1):

źródło 

zakłóceń;

kanał przenikania

 zakłócenia w tor pomiarowy oraz 

obwód pomiarowy

 wraz z urządzeniami pomiarowymi i 

metodą 

przetwarzania

 sygnału pomiarowego.

Kanał 

przenikania 

zakłócenia 

-wrażliwość 

ξ

z

Źródło 

zakłócenia

U

x

Obwód 

pomiarowy

U

z

Źródło 

sygnału 

pomiarowego

Z

z

Wynik pomiaru 

X i jego 

niepewność 

u

z

(Z)

background image

 

 

3.1. Wstęp

W ogólnym podejściu niepewność wyniku  pomiaru wielkości  od wpływu 

zakłócenia z zależy od 

- jego 

intensywności

 Z, 

- wrażliwości

                obwodu pomiarowego  na zakłócenie oraz 

- operatora

 (

algorytmu

)               opracowania sygnału: 

 

Dlatego można wyróżnić trzy podstawowe sposoby zwalczania 

zakłóceń w układach pomiarowych:

1. 

Tłumienie zakłóceń w miejscu ich powstania

 (tłumienie „źródła”);

2. 

Utrudnienie przenikania zakłóceń

 w obwód pomiarowy – 

zmniejszenia wrażliwości obwodu na zakłócenia;

3. 

Podwyższenie odporności sygnałów

 

i układów pomiarowych na 

zakłócenia

 – zmniejszenie skutku oddziaływania zakłócenia.

z

X

z

Z

L

z

Z

z

X

L

Z

L

z

X

u

z

,

background image

 

 

3.2. Konstrukcyjno-technologiczne 

metody zmniejszenia wpływu zakłóceń

Pierwszy 

dwie metody są metodami konstrukcyjno-

technologicznymi

, a 

trzecia metoda

 jest powiązana z 

odpowiednimi odpornym na zakłócenia przetwarzaniami 

sygnałów

 pomiarowych.  

Podstawowymi konstrukcyjno-technologicznymi metodami zwalczania 

wpływu zakłóceń są:

ekranowanie

 oraz 

prawidłowe uziemienie

a dla zmniejszenia przenikania zakłóceń także wykorzystanie

skręconych par przewodów linii

.

background image

 

 

3.2.1. Ekranowanie

W zależności od rodzaju pola elektrostatycznego, 

magnetostatycznego i elektromagnetycznego rozróżnia się 

ekrany:

• elektrostatyczne

;

• magnetostatyczne

;

• elektromagnetyczne

Ekran elektrostatyczny.

 

Pole elektrostatyczne indukuje na powierzchni ekranu ładunki 

elektryczne, na których kończą się linii pola, które 

spowodowało powstanie tych ładunków. Przez co pole nie 

wnika za ekran. 

+

U

e

-

Uz

C

1e

C

e2

Ekran

e

, (r

e

)

C

1e

Uz

U

e

I

1e

1

2

C

e2

I

e2

Z

Z

e

background image

 

 

3.2.1. Ekranowanie

Skuteczność ekranu zależy od przewodności materiału ekranu

. Ona musi być 

duża (materiał: miedź, aluminium, srebro, złoto, itp.). 

Przy obecności ekranu prąd I

e1

 płynąc będzie tylko w obwodzie źródło – 

pojemność pasożytnicza C

e1

 – ekran, powodując napięcie na rezystancji na 

ekranie  (gdzie uwzględniono, że rezystancja ekranu jest w dużym stopniu 

mniejsza impedancją pojemności C

e1

 (r

e

<<1/

 C

e1

).

Napięcie U

ez

 jest źródłem wtórnego prądu płynącego przez pojemność 

pasożytnicza C

e2

 do impedancji wejściowej Z, wywołując na niej napięcie 

zakłócające , gdzie C

e

=C

e1

C

e2

.

Przykładowo, dla Us=230V, f=50Hz; C

e

=25pF (zwiększenie pojemności wskutek 

zwiększenia powierzchni ekranu); r

e

=2,5, Z=1M wartość napięcia 

zakłócenia wynosi około U

z

0,035 V. 

Skuteczność ekranowania zależy od przewodności materiału ekranu i jej 

zmniejszenie powoduje pogorszenie skuteczności ekranowania. Ekran może 

być jako siatka

+

U

ez

-

Uz

C

1e

C

e2

Ekran

e

, (r

e

)

C

1e

Uz

U

ez

I

1e

1

2

C

e2

I

e2

Z

Z

e

background image

 

 

Magnetostatyczne ekranowanie

Linii pola magnetostatycznego trafiając na ekran z materiału 

ferromagnetycznego wnikają weń i zbierają się w materiale 

ekranu malejąc wewnątrz niego. 

Ekranowany może być obwód pomiarowy (a) lub źródło 

zakłócenia (b). 

Skuteczność takiego ekranu tym większa im mniejszy opór 

magnetyczny ekranu (im większa przenikalność magnetyczna 

i grubość ekranu). 

Ekran musi być jednolity, bez dziur. 

Ekran 

magnetycz

nyUkład 

pomiarow

y

Pole 

magnetostatyc

zne zewnętrzne 

Ekran 

magnetyczny

Układ 

pomiarowy

Źródło zakłócenia 

magnetycznego 

wewnętrznego 

background image

 

 

Ekranowanie elektromagnetyczne

Pole elektromagnetyczne (EMP) zwykle przyjmuje się zmiennym sinusoidalnym, 

ono powoduje powstanie siły elektromotorycznej (EMS) oraz prądów 

wirowych w materiale przewodzącym. 

Te prądy wywołując pole magnetyczne, które przeciwdziała polu zewnętrznemu. 

Efektywność ekranu zależy od przewodności i przenikalności magnetycznej 

materiału, grubości ekranu oraz długości fali (częstotliwości) EMP 

Przenikalność EMP, mm

 

Grubość ekranu musi być co najmniej równa trzykrotnej głębokości wnikania fali 

elektromagnetycznej. 

Wymiary szczelin i dziur w ekranie też muszą być kilka razy mniejszymi od 

długości fali elektromagnetycznej. Im większa częstotliwość EMP tym cieńszy 

wymagany jest ekran.

Częstotliwoś

ć, Hz

Miedź Aluminium

Stal

50

9

11.5

0.91

100

6.6

8.5

0.66

1000=1kHz

2.1

2.7

0.20

10000=10k

Hz

0.66

0.84

0.08

100000=1M

Hz

0.08

0.08

0.008

background image

 

 

Rekomendacje

Jeżeli obudowa przyrządu pomiarowego jest zrobiona z tworzywa wtedy 

jako ekran może się wykorzystywać zewnętrzne przewodzące pokrycia 

obudowy. 

Dla zapewnienia zmniejszenia wpływu pól różnego rodzaju na praktyce 

często stosuje się wielu warstwowe ekrany z różnych materiałów. 

W niektórych przypadkach mogą być ekranowany każdy element układu 

pomiarowego lub najważniejszy jego podzespoły. 

W takich przypadkach ekrany powinny być dołączone do masy lub punktu 

odniesienia 

Rekomendacje [ZwAE]:

Ekran elektrostatyczny

: wysoka przewodność materiału, może być jako 

siatka.

Ekran magnetostatyczny

: wysoka przenikalność materiału, musi być bez 

dziur lub z niewielkimi dziurami. Dla zwiększenia skuteczności ekran 

może być kilku warstwowym.

Ekran elektromagnetyczny

: efektywność ekranu zależy od przewodności i 

przenikalności magnetycznej materiału, grubości ekranu oraz długości 

fali (częstotliwości) EMP. Grubość ekranu musi być co najmniej równa 

trzykrotnej głębokości wnikania fali elektromagnetycznej.

- Dla zapewnienia zmniejszenia wpływu pól różnego rodzaju na praktyce 

często stosuje się 

wielu warstwowe ekrany

 z różnych materiałów.

background image

 

 

3.2.2.Tłumienie pola 

magnetycznego przez skręcanie 

par przewodów

Pole zmienne magnetyczne o indukcyjności B powoduje powstanie w 

obwodzie o powierzchnie S siły elektro motorycznej 

 gdzie Ф – jest strumień magnetyczny, B – jest gęstość strumieniu 

magnetycznego. To znaczy, że wpływ zmiennego pola 

magnetycznego jest proporcjonalny do powierzchni obwodu. 

Dla zmniejszenia wpływu takiego pola należy unikać pętli przewodów 

oraz długich dwu przewodowych kabli. 

dt

dB

S

dt

d

e

B

S

e

B

=-SdB/dt

B

background image

 

 

3.2.2.Tłumienie pola 

magnetycznego przez skręcanie 

par przewodów

Skutecznym przeciwdziałaniem wpływu pola magnetycznego jest 

skręcanie par dwu przewodowych kabli 

 

S

p

e

z

=S

dB/dt

Z

we

U

z

B

e

B

=-

SdB/dt

S

S

i

e

zi

=S

i

dB/

dt

Z

we

U

z

B

e

zi+1

=-

S

i+1

dB/dt

background image

 

 

3.2.2.Tłumienie pola 

magnetycznego przez skręcanie 

par przewodów

Rekomendacje:

Unikać długi kabli

Unikać pętli

Separować linii zasilania

 

od linii sygnałów pomiarowych

- Wykorzystanie skręconych par przewodów

 

Efektywność skręcania zależy od jednakowości powierzchni 

pętli, liczba pętli musi być dużą i parzystą. 

S

i

e

zi

=S

i

dB/

dt

Z

we

U

z

B

e

zi+1

=-

S

i+1

dB/dt

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Dla prawidłowej transmisji, przetwarzania i wykorzystania sygnałów 

pomiarowych elektrycznych wymaganie jest istnienie punktów lub 

płaszczyzn ekwipotencjalnych (stałych w czasie i niezależnych od 

przepływających prądów). 

Te punkty lub płaszczyzny odniesienia w danym układzie, zespole lub 

systemie pomiarowym stanowią tzw. masę. 

Nazywa się ona również uziemieniami dla sygnałów pomiarowych. 
W praktyce płaszczyzny odniesienia posiada niezerową impedancją 

(rezystywnością) (zależną od materiału, jej długości, szerokości i 

grubości oraz częstotliwości sygnałów) i dla tego płaszczyzna 

odniesienia przy obecności przepływających prądów nie jest 

ekwipotencjalną. 

W takiej sytuacji przy dołączeniu źródła sygnału oraz odbiornika do takiej 

płaszczyzny w dostatecznych odległych punktach pomiędzy tymi 

punktami powstaje różnica potencjałów, która powoduje blendy 

transmisji (przetwarzania) sygnału pomiarowego.

Układ 1

Układ 2

Układ 3

Układ 4

Masa

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Przykładem powstania nieekwipotencjalności jest uziemienie 

jedno punktowe szeregowe, układ zastępczy jest pokazany 

niżej. 

Własny potencjał odniesienia pierwszego układu wynosi:

gdzie 

- potencjał punkcie w pierwszym punkcie uziemienia.
Podobnie, własne potencjały odniesienia drugiego i trzeciego 

punktów wynoszą:

Układ 1

Układ 2

Układ 3

Układ n

I

un

I

u1

I

u2

I

u3

Z

zn

Z

z1

Z

z2

Z

z3

U

1

U

2

U

3

U

n

Z

01

Z

02

Z

03

Z

0n

I

3

I

2

I

n

I

1

U

01

U

02

U

03

U

0n

1

1

1

01

z

u

Z

I

U

U

01

3

2

1

01

1

1

...

Z

I

I

I

I

Z

I

U

un

u

u

u

2

2

2

02

z

u

Z

I

U

U

3

3

3

03

z

u

Z

I

U

U

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Dla uniknięcia wzajemnych wpływów prądów od różnych 

układów należy wykorzystać jednopunktowe uziemienie 

równoległe

 

Przy takim uziemieniu potencjały odniesienia układów (U

01

, U

02

, U

03

,..., 

U

0n

) są zależny tylko od wartości własnych prądów oraz rezystancji 

uziemienia (Z

z1

, Z

z2

, Z

z3

,..., Z

zn

). 

Mogą być stosowane jednopunktowe uziemienia mieszane (szeregowo-

równolegle).

Układ 1

Układ 2

Układ 3

Układ n

I

un

I

u1

I

u2

I

u3

Z

zn

Z

z1

Z

z2

Z

z3

U

01

U

02

U

03

U

0n

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Należy pamiętać że rezystancja uziemienia zależy nie tylko od 

materiału i wymiarów geometrycznych (szerokość, długość, grubość) 

jednak także w dużym stopniu od częstotliwości (długości fali) 

sygnałów w danym obwodzie pomiarowym. 

Przy stosunkowo małych (w porównaniu do długości fali) 

odległościach pomiędzy punktami płaszczyzny 

(L/<1/20=0.05) wartość impedancji równa się:

                                                               , [/],

gdzie R

DC

, [/] - rezystancja powierzchniowa dla prądu stałego;

k=R

RF

/R

DC

 – współczynnik, wyrażający stosunek rezystancji na 

prądzie zmiennym oraz stałym.

Przy L/=1/8=0,125 wartość impedancji równa się:

                                                                   , [/].

A przy L/>1/8=0,125 wartość impedancji może mieć znacznie 

większe wartości.

W

L

R

k

Z

DC

W

L

R

k

Z

DC

2

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Przykładowo, dla płaszczyzny odniesienia (uziemienia) 

wykonanej z miedzi przy L0,5 m, szerokości W5 mm, 

częstotliwości f100 kHz (3 km) obliczamy  [/], 

L/=0.1710

-3

<1/20, dla tego 

Taka sama płaszczyzna wykonana ze stali (

w

1000, 

w

0.1) ma 

impedancję o wartości 100 razy większą. 

Przy częstotliwości powyżej 10 MHz oraz dużej odległości 

układów od wspólnego punktu uziemienia może okazać się że 

niektóre z rezystancji uziemienia (Z

z1

, Z

z2

, Z

z3

,..., Z

zn

) są duże 

(wzrost długości powoduje wzrost wpływu składowej 

indukcyjnościowej) .

m

W

L

R

Z

RF

22

.

8

005

.

0

/

5

.

0

10

22

.

8

5

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

W takich przypadkach jest rekomendowane uziemienie 

wielopunktowe. 

Przy tym płaszczyzny uziemienia obecnie są wykonywane z 

cienkiej warstwy srebra lub nawet złota pokrywającej 

praktycznie w całości elementy konstrukcyjne (tak zwane 

chassis) układu.

 
Uziemienie jest wykonywane krótkimi przewodami o malej 

indukcyjności. 

Układ 1

Układ 2

Układ 3

Układ n

Z

zn

Z

z1

Z

z2

Z

z3

Chassi
s

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Dla zapewnienia skuteczności uziemienia w szerokim zakresie 

częstotliwości wykorzystuje się uziemienie kombinowane: 
jednopunktowe dla składowych niskoczęstotliwościowych, 
oraz przez kondensatory (o pomijalnie małych 
indukcyjnościach wyprowadzeń) wielopunktowe do chassis.  

Rekomendacje:

- W realizacjach praktycznych systemów 

pomiarowych powinny być przewidywane co 
najmniej 

trzy oddzielne systemy uziemienia

:

dla 

sygnałów 

(obwodów) 

analogowych pomiarowych

;

dla 

sygnałów

 (obwodów) 

cyfrowych

;

dla 

uziemienia ochronnego

,

które mogą mieć połączenie tylko w jednym punkcie

.

background image

 

 

3.2.3. Uziemienie

Dla zapewnienia skuteczności uziemienia w szerokim zakresie 

częstotliwości wykorzystuje się uziemienie kombinowane: 

jednopunktowe dla składowych niskoczęstotliwościowych, oraz 

przez kondensatory (o pomijalnie małych indukcyjnościach 

wyprowadzeń) wielopunktowe do chassis.  

Rekomendacje:

Rezystancja przewodów oraz warstw uziemiających 

zależy od ich materiału i parametrów 

geometrycznych oraz częstotliwości sygnałów

.

W zakresie małych częstotliwości (do ok. 1 MHz) 

rekomenduje się uziemienie jednopunktowe 

równoległe. 

W zakresie dużych częstotliwości (powyżej ok. 

10 MHz) rekomenduje się uziemienie wielopunktowe 

krótkimi przewodami do płaszczyzny odniesienia w 

postaci cienkiej warstwy srebra

 

lub nawet złota 

pokrywającej praktycznie w całości elementy 

konstrukcyjne (tak zwane chassis) układu. 

background image

 

 

3.3. Zabezpieczenie (ekranowanie) 

ekwipotencjalne

3.3.1.Typowe połączenie obiektu oraz narzędzi 

pomiarowego

• R

x

 - rezystancja źródła sygnału, 

• R

l1

, R

l2

 - rezystancja przewodów, 

• R

we

 - rezystancja wejściowa odbiornika sygnału

• R

iz

 – rezystancja izolacji pomiędzy wejściami sygnałowymi i 

obudową przyrządu 

R

l2

R

we

U

x

R

iz

Układ 2

R

z

R

l1

ZU

ZO

R

x

Układ 1

U

cm 

U

z

ZU – “ziemia” układu
ZO – “ziemia” odbiornika
ZŻ – “ziemia” źrudła
U

cm

 – napięcie wspólne

U

z

 – napięcie uziemienia

background image

 

 

3.3.1.Analiza wpływu zakłócenia wspólnego przez R

iz

Typowy lub najgorsze wartości:

R

x

≈1…100 

;     

R

l1

=R

l2

≈1…1000 ;   

 

R

z

≈1…100    

R

we

≈>1…10 M;   R

iz

≈>1…10 G;  U

cm

≈230 V;    U

z

 10V

Uproszczenia

: R

we

=10 M >>R

l2

+R

=1000 +100 

R

1sum

=R

we

+R

l2

+R

x

≈R

we

=

10 M;          R

l1

R

1sum

R

l1

         

R

iz

>>R

l1

R

1sum

+R

z

 

R

l2

<1000

R

we

=10M

U

x

R

iz

10 G

Układ 2

R

z

10

R

l1

<1000

ZU

ZO

R

x

100

Układ 1

U

cm 

230V

U

z

 10V

background image

 

 

3.3.1.Analiza wpływu zakłócenia 

wspólnego

   

I

2

=I

1

/10

4

<<I

1

R

l2

1000

R

we

=10M

U

x

I

Riz

=I

1

+I

2

25nA

R

iz

10 G

Układ 2

R

z

10

R

l1

1000

ZU

ZO

R

x

100

I

1

I

Riz

25nA

Układ 1

U

cm 

230V

U

l1

=I

1

R

l1

25μV

U

z

 10V

iz

z

cm

sum

z

iz

z

cm

Riz

R

U

U

R

R

R

R

U

U

I

I

2

1

1

nA

G

V

I

Riz

25

10

10

230

U

l1

=25 nA1000 =25 

μV 

background image

 

 

3.3.1.Analiza wpływu zakłócenia wspólnego 

przez C

iz

Jeszcze gorsza sytuacja występuje w skutek działania pojemności 
pasożytniczej C

iz

 pomiędzy obudową odbiornika a obwodem 

wspólnym 

Typowa wartość pojemności wynosi około kilku dziesięć pikofarad: 
przyjmiemy 

C

iz

≈32 pF

Wtedy na częstotliwości sieciowej (f=50 Hz) impedancja tej 
pojemności wynosi  

U

z

10V

R

l2

1000

R

we

=10M

U

x

I

c

=I

1

+I

2

2,4A

C

iz

32pF

Układ 2

U

z

R

z

10

R

l1

1000

ZU

ZO

R

x

100

I

1

I

c

2,4A

Układ 1

U

cm  

230V

U

l1c

=I

1

R

l1

2,4mV

I

2

=I

1

/10

4

<<I

1

M

fC

Z

iz

Ciz

100

10

32

314

1

2

1

12

background image

 

 

3.3.1.Analiza wpływu zakłócenia wspólnego 

przez C

iz

Wartość napięcia zakłócającego normalnego wynosi

U

l1

2,4 

A

1000 

2,4 mV

U

z

10V

R

l2

1000

R

we

=10M

U

x

I

c

=I

1

+I

2

2,4A

C

iz

32pF

Układ 2

U

z

R

z

10

R

l1

1000

ZU

ZO

R

x

100

I

1

I

ciz

2,4A

Układ 1

U

cm  

230V

U

l1c

=I

1

R

l1

2,4mV

I

2

=I

1iz

/10

4

<<I

1

iz

z

cm

Ciz

z

cm

sum

z

Ciz

z

cm

Ciz

fC

U

U

Z

U

U

R

R

R

Z

U

U

I

I

2

2

1

1

A

Sm

V

I

I

Ciz

l

4

,

2

10

240

8

1

background image

 

 

3.2.2. Współczynnik tłumienia 

zakłócenia wspólnego

Stopień szkodliwości zakłócenia wspólnego zależy od stopnia 
jego przekształcenia w zakłócenie normalne. 
•Stopień takiego przekształcenia charakteryzuje się przez 

współczynnik tłumienia zakłócenia wspólnego

 (

C

ommon 

M

ode 

R

ejection 

R

atio, 

CMRR

). 

•CMRR jest to stosunek wartości maksymalnej zakłócenia 
wspólnego  do wartości maksymalnej spowodowanego nim 
zakłócenia normalnego  obecnie wyrażana w decybeli

 

cm

nm

cm

U

U

U

CMRR

max

,

max

,

lg

20

background image

 

 

3.2.2. Współczynnik tłumienia 

zakłócenia wspólnego

•Współczynniki tłumienia zakłóceń wspólnych są wyrażany 

tylko przez 

wartości rezystancji oraz pojemności izolacji

 (z 

jednej strony ) i 

rezystancji linii pomiędzy źródłem odbiornikiem 

sygnału

 (z innej strony) parametry, a mianowicie:

•na prądzie stałym:  

•na prądzie przemiennym 

•                                                                            (tłumienie 5 

mln razy),

•                                                                         (tłumienie 

100 tys. razy).





1

,

lg

20

lg

20

l

iz

n

Riz

z

cm

Riz

R

R

U

U

U

CMRR





1

,

2

1

lg

20

lg

20

l

iz

n

Ciz

z

cm

Ciz

R

fC

U

U

U

CMRR

dB

G

CMRR

Riz

134

10

5

lg

20

1000

5

lg

20

6

dB

M

CMRR

Ciz

100

100000

lg

20

1000

100

lg

20

background image

 

 

3.3.3. Ekranowanie ekwipotencjalne

•Jeżeli za pośrednictwem przewodu z zerowa rezystancją 

(R

E

=0) połączyć punkt A (punkt oddziaływania zakłócenia 

wspólnego) z płaszczyzną B (która tez ma zerową rezystancję i 
przecina izolację pomiędzy obudową i nisko potencjalnym 
wejściem), jak jest pokazano na rys. , wtedy prąd (I

Riz2

) od źródeł 

zakłócających będzie płynąć w obwodzie utworzonym tymi 
przewodem i płaszczyzną, omijając obwód z przewodem 
sygnałowym (I

l1

=0). 

R

iz1

I

1

0

U

cm

U

R1

0

I

Riz2

R

z

ZO

U

z

A

B

R

iz2

R

l1

R

AB

=R

E

0

U

AB

0

background image

 

 

3.3.3. Ekranowanie ekwipotencjalne

•W układzie z ekranowaniem ekwipotencjalnym ma miejsce 

się 

dwustopniowe przekształcenie zakłócenia

 

wspólnego w 

zakłócenie normalne

Ekran

C

iz

, R

iz

R

l2

U

x

C

iz

, R

iz

Układ 2

R

l1

R

x

Układ 1

LO

HI

C

p

=1...2p

F

R

we

ZU

1

2

3

Ekran

Obudow
a

U

z

R

z

ZO

U

uz

E

R

e

background image

 

 

3.3.3. Ekranowanie ekwipotencjalne

Na drugim stopniu zakłóceniem wspólnym staje się spadek 

napięcia na ekranie, które powoduje prąd zakłócający przez 
rezystancję linii R

l1

 zależny od wartości impedancji połączenia 

poprzez pojemność izolacji C

iz2

 oraz rezystancję izolacji R

iz2

 

  

                                                               

                                              U

l1

=0,1 nA

1000 

=0,1 μV 

C

iz1

, R

iz1

R

l2

1000

U

x

C

iz2

, R

iz2

Układ 2

R

l1

1000

R

x

100

I

2

<<I

1

Układ 1

LO

HI

C

p

=

1...2pF

R

we

=

10M

ZU

1

2

3

U

e

5mV

Ekran

Obudow
a

I

iz

5A

Uz

=10 V

R

z

10

ZO

U

uz  

230V

I

e

I

iz

5A

E

R

e

1000

I

Rle

U

e

/Z

iz2

0,1nA

U

e1

0,1 V

2

2

2

1

2

2

1

2

iz

e

iz

Ciz

e

l

e

iz

Ciz

e

e

Rl

fC

U

R

Z

U

R

R

R

Z

U

I

nA

Sm

mV

I

e

Rl

1

,

0

10

2

5

8

1

background image

 

 

3.3.3. Ekranowanie ekwipotencjalne

Jednak w tym przypadku oprócz rezystancji i pojemności izolacji 

pomiędzy linią sygnałową a ekranem (R

iz2

, C

iz2

) oraz pomiędzy 

ekranem i obwodami źródeł zakłócających (R

iz1

, C

iz1

) występuje 

pasożytnicza (przejściowa) pojemność C

p

) pomiędzy linią sygnałową a 

obwodami źródeł zakłócających (obudową). 

                                                               

                                              

1

2

1

20

20

l

p

n

,

Cp

z

cm

Cp

R

fC

lg

U

U

U

lg

CMRR

C

iz2

R

iz2

R

l2

1000

U

x

C

iz1

R

iz1

Układ 2

R

l1

1000

R

x

I

2

<<I

1

Układ 1

LO

HI

C

p

=

1...2pF

R

we

=

10M

ZU

1

2

3

I

Cp

(U

uz

+U

z

)/Z

cp

0,15 A

U

Rl1Cp

I

Cp

R

l1

0,15mV

Ekran

Obudow
a

Uz10 V

R

z

10

ZO

U

uz

230V

E

R

e

1000

I

Cp

dB

Sm

,

lg

CMRR

Cp

125

1000

10

28

6

1

20

10

background image

 

 

Nieprawidłowe połączenie obiektu i 

miernika

Często podczas pomiarów w celu „uproszczenia” połączeń 

obiektu badanego i miernika w ostatnim łączą zaciski LO 
(potencjał niski) oraz E (ekran) 

Przy takim połączeniu traci się skuteczność ekranowania 

ekwipotencjalnego. 

Ponieważ wtedy oddziaływanie napięcia wspólnego odbywa się 

przez izolację C

iz2

, R

iz2

 zamiast pojemności przejściowej C

p

, która 

w kilku dziesięć razy jest mniejsza od pojemności C

iz2

 .                    

                                                                                                    

C

iz2

, R

iz2

U

x

C

iz1

, R

iz1

Układ 2

R

x

Układ 1

LO

HI

C

p

=1...2pF

R

we

ZU

1

2

3

Ekran

Obudowa

Uz

R

z

ZO

U

uz

E

Ekran

background image

 

 

Nieprawidłowe połączenie obiektu i 

miernika

Rekomendację:

- w celu skutecznego tłumienia zakłóceń wspólnych należy 

stosować ekranowanie ekwipotencjalne;

- na obiekcie badanym ekran należy podłączać w jak 

najbliższym punkcie do oddziaływania zakłócenia wspólnego;

- po stronie miernika nie można łączyć zaciski LO (potencjał 

niski) oraz E (ekran), w wyniku czego traci się skuteczność 
ekranowania ekwipotencjalnego. 

                                                                                                    

background image

 

 

Obliczanie wartości błędu przez 

ograniczona wartością współczynnika 

tłumienia zakłócenia wspólnego

Jeżeli wartość maksymalna sygnału wspólnego 

wynosi                                    wtedy przy 

współczynniku tłumienia CMRR maksymalna 

wartość napięcia normalnego               , w które 

zostało transformowane napięcie wspólne równa 

się

Na przykład, przy                     oraz CMRR=100 dB 

maksymalna wartość napięcia normalnego             

 , w które zostało transformowane napięcie 

wspólne równa się 

wsp

U

max,

norm

U

max,

20

max,

max,

10

CMRR

wsp

norm

U

U

V

U

wsp

230

max,

norm

U

max,

mV

V

U

norm

3

,

2

10

230

20

100

max,

background image

 

 

Sumaryczny współczynnik tłumienia 

zakłócenia (napięcia) wspólnego

Jeżeli karta pomiarowa zapewnia tłumienie napięć 

wspólnego oraz normalnego (szeregowego) wtedy 

sumaryczny współczynnik napięcia wspólnego 

równa się sumie współczynników

CMMR+NMRR

dla którego maksymalna wartość błędu, 

spowodowanego tym zakłóceniem równa się

Na przykład, przy                    oraz CMMR=100 dB i 

NMRR=40 dB maksymalna wartość maksymalna 

wartość błędu, spowodowanego zakłóceniem 

wspólnym równa się

20

max,

max

10

NMRR

CMRR

wsp

U

V

U

wsp

230

max,

mkV

V

23

10

230

20

40

100

max

background image

 

 

 RÓWNOMIERNE 

CYFROWE 

UŚREDNIANIE 

SYGNAŁÓW

background image

 

 

Plan wykładu

1. Wstęp. Uśrednianie zwykłe (równoważne). 
2.  Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych

Cel:  Zapoznać się z zasadami oraz wyznaczaniem 
podstawowych parametrów uśredniania cyfrowego
 

background image

 

 

1. Wstęp

Zasada cyfrowego uśredniania polega na wstępnym 

przetwarzaniu analogowo-cyfrowym sygnału wejściowego - 

skrót: pobranie próbek U

1

, U

2

,…, U

n

) w dyskretny momenty 

czasowe t

1

, t

2

,…, t

n

 i następnym wyznaczaniu wartości średniej  

z N próbek

1

2

 

4

 

6

 

8

 

10

 

12

 

14

 

16

 

18

 

20

 

u(t)

 

U

i

 

i

N

U

U

U

U

U

N

U

N

N

i

i

sr

...

1

3

2

1

1

background image

 

 

1. Wstęp

W praktyce pomiarowej na drodze uśredniania często są mierzone 

parametry sygnałów przemiennych, będących wartościami średnimi 

pewnych funkcji wartości chwilowych sygnału: 

Wartość składowej stałej sygnału

 

0

 

2

 

4

 

6

 

8

 

10

 

12

 

14

 

16

 

18

 

20

 

1

 

0.5

 

0

 

0.5

 

1

 

1.5

 

2

 

u(t)

 

U

i

 

Us

 

i

 

N

U

U

U

U

U

N

U

U

N

N

i

i

DC

...

1

3

2

1

1

0

background image

 

 

1. Wstęp

W praktyce pomiarowej na drodze uśredniania często są mierzone 

parametry sygnałów przemiennych, będących wartościami średnimi 

pewnych funkcji wartości chwilowych sygnału: 

Wartość średnia wyprostowana sygnału

 

0

 

2

 

4

 

6

 

8

 

10

 

12

 

14

 

16

 

18

 

20

 

0

 

0.25

 

0.5

 

0.75

 

1

 

1.25

 

1.5

 

u(t)

 

U

s

 

i

 

U

i

 

N

U

U

U

U

U

N

U

N

N

i

i

SW

...

1

3

2

1

1

background image

 

 

1. Wstęp

W praktyce pomiarowej na drodze uśredniania często są mierzone 

parametry sygnałów przemiennych, będących wartościami średnimi 

pewnych funkcji wartości chwilowych sygnału: 

Wartość skuteczna sygnału

   

0

   

2

   

4

   

6

   

8

   

10

   

12

   

14

   

16

   

18

   

20

   

0

   

0.5

   

1

   

1.5

   

2

   

2.5

   

3

 

 

(

 

t)

   

2

   

U

 

 

 

i

   

2

   

U

 

RMS

   

i

   

2

 

N

U

U

U

U

U

N

U

U

N

N

i

i

TrueRMS

2

2

3

2

2

2

1

1

2

...

1

background image

 

 

1. Wstęp

W praktyce pomiarowej na drodze uśredniania często są mierzone 

parametry sygnałów przemiennych, będących wartościami średnimi 

pewnych funkcji wartości chwilowych sygnału: 

Wartość mocy czynnej

 

-0.6

 

0

 

2

 

4

 

6

 

8

 

10

 

12

 

14

 

16

 

18

 

20

 

0.4

 

0.2

 

0

 

0.2

 

0.4

 

0.6

 

i(t)

 

I

i

 

i

 

0

 

2

 

4

 

6

 

8

 

10

 

12

 

14

 

16

 

18

 

20

 

1.2

 

0.8

 

0.4

 

0

 

0.4

 

0.8

 

1.2

 

u(t)

 

U

i

 

i

 

0

 

2

 

4

 

6

 

8

 

10

 

12

 

14

 

16

 

18

 

20

 

0.2

 

0

 

0.2

 

0.4

 

0.6

 

i

 

P

i

 

P

 

p(t)

 

N

I

U

I

U

I

U

I

U

I

U

N

P

N

N

N

i

i

i

...

1

3

3

2

2

1

1

1

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

2.1. Skuteczność uśredniania.

 

We wszystkich algorytmach pomiarów parametrów sygnałów 

zmiennych po odpowiednim przetwarzaniu sygnału 
wejściowego istnieją:

- korzystna składowa

 w postaci 

składowej stałej

 Ux;

- niekorzystna składowa

 w postaci 

składowych harmonicznych

 

Uh(t) przetworzonego sygnału 

)

(

i

h

x

i

t

U

U

U

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

2.1. Skuteczność uśredniania.

 

Według definicji parametrów sygnałów zmiennych zadaniem 

operacji uśredniania

 

wyznaczanie składowej stałej

 przetworzonego odpowiednio do 

mierzonego parametru sygnału;

eliminacja (tłumienie) składowych harmonicznych

wynikających podczas odpowiedniego przetwarzania 
sygnału. 

N

i

i

h

x

N

i

i

h

N

i

x

N

i

i

h

x

N

i

i

t

U

N

U

t

U

N

U

N

t

U

U

N

U

N

1

1

1

1

1

)

(

1

)

(

1

1

)

(

1

1

0

)

(

1

1

h

N

i

i

h

U

t

U

N

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

2.1. Skuteczność uśredniania.

 

Skuteczność eliminacji (tłumienia) niekorzystnych składowych

 

harmonicznych

 na drodze uśredniania próbek sygnału może 

być scharakteryzowana 

- błędem uśredniania , który powinien dążyć do zera            ,

- współczynnikiem tłumienia K

, jako stosunek amplitudy             

składowej harmonicznej do modułu maksymalnego błędu

 

0

h

U

m

h

U

,

max

,

h

U

max

,

,

h

m

h

tl

U

U

K



max

,

,

,

lg

20

h

m

h

dB

tl

U

U

K

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

Podstawowe zagadnienia cyfrowego uśredniania 

sygnałów :

Wyznaczanie minimalnej liczby N

min

 uśrednianych 

próbek sygnału niezbędnych dla teoretycznie całkowitej 
eliminacji składowych harmonicznych; oraz 

Wyznaczanie okresu T

d

 (częstotliwości f

d

) próbkowania.

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

2.2. Jedna składowa harmoniczna sygnału przetworzonego.

 

•Minimalna liczba uśrednianych próbek 

N

min

=2

•Okres   próbkowania 

T

d

=T/2

Jest to możliwie dzięki temu, że dwie wartości (próbki) sygnału 

harmonicznego pobrane w momenty czasowe 

t1

 oraz

 t2

 z odstępem 

czasowym pół okresu (

Td=T/2

): 

t2=t1+T/2

 różnią się znakiem przy 

równych wartościach modułów 

U2=-U1, U4=-U3

 

1.2

 

0.8

 

0.4

 

0

 

0.4

 

0.8

 

1.2

 

u(t)

 

U

1

 

U

2

=-U

1

 

T

d

=T/2

 

T

 

t

1

 

t

2

=t

1

+T/2

 

T

d

=T/2

 

U

3

 

t

3

 

t

4

=t

3

+T/2

 

U

4

=-U

3

 

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

2.3. 

Podstawowa + k-ta składowa harmoniczna sygnału przetworzonego

.

częstotliwość składowej harmonicznej:  

f

k

=k·f

1

,                                                                    

okres której równa się:  

T

k

=1/f

k

=1/(k·f

1

)=T/k

f

1

 =1/T-

 częstotliwość podstawowej składowej harmonicznej 

Jeżeli postępować analogicznie jak w poprzednim przypadku, można wnioskować, że dla eliminacji 

(tłumienia) wpływu 

k

-tej składowej harmonicznej na każdy jej okres należy pobrać minimalnie 

N

k,min

=2

 próbki 

z odstępem pół okresu tej składowej:

T

d

=T

k

/2=T/2·k

,  

Dla jednoczesnej eliminacji (tłumienia) wpływu podstawowej harmonicznej należy pobrać i uśrednić 

N=k·N

k,min=

2·k

próbek w ciągu okresu sygnału 

T

 

Jest to możliwie dzięki temu, że dwie wartości (próbki) sygnału harmonicznego pobrane w momenty 

czasowe 

t1

 oraz

 t2

 z odstępem czasowym pół okresu (

Td=T/2

): 

t2=t1+T/2

 różnią się znakiem przy 

równych wartościach modułów 

U2=-U1, U4=-U3

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

2.3. 

Podstawowa + k-ta składowa harmoniczna sygnału 

przetworzonego

.

 

0

 

u

3

(t) 

u

1

(t) 

U

3,1

 

T

d

=T

3

/2 

T

d

 

T

d

 

T

d

 

T

d

 

T

d

 

T

d

 

U

3,2

 

U

3,3

 

U

3,4

 

U

3,5

 

U

3,6

 

U

1,1

 

U

1,2

 

U

1,3

 

U

1,4

 

U

1,5

 

U

1,6

 

t

1

 

t

2

 

t

3

 

t

4

 

t

5

 

t

6

 

t

7

 

U

1,7

 

U

3,7

 

T

3

 

T=3·T

3

 

Eliminacja wpływu podstawowej oraz 3-ej składowej harmonicznej

 (k=3)

background image

 

 

2. Tłumienie (eliminacja) składowych 

harmonicznych w trakcie ich 

uśredniania

Z ostatnich wzorów wynika, ze dla całkowitej eliminacji 

podstawowej składowej harmonicznej oraz składowej z 

numerem 

k

 należy pobrać minimalnie 

N

min

=2k

 próbek z 

odstępem pół okresu 

T

d

=T

k

/2=T/2k 

k

-tej składowej i następnie uśrednić ich. 

Częstotliwość próbkowania powinna być dwukrotnie większą 

od częstotliwości wyższej składowej harmonicznej 

f

d

=2f

k

=2kf

1

co się zgadza z twierdzeniem 

Kotelnikowa-Shennona

.

Jednak takie wymaganie jest zbyt ostre, i 

dla tłumienia 

wszystkich całkowych harmonicznych od 1-ej do k-tej 

częstotliwość próbkowania może być mniejsza oraz liczba 

uśrednianych próbek tez może być mniejszą

.

 

background image

 

 

2.4. Uogólnione wyrażenia tłumienia 

składowych harmonicznych podczas 

uśredniania spróbkowanego sygnału

Wartość średnia próbek sygnału harmonicznego 

o amplitudzie U

h,m

,  częstotliwości 

przy okresie próbkowania wynosi 

T

d

=T/N

 

2

f

ft

U

t

u

m

h

h

2

cos

)

(

,

 

.

sin

sin

1

1

cos

2

cos

)

(

)

(

1

,

1

,

1

N

T

f

fT

N

N

N

fT

U

i

fT

N

U

f

U

t

u

N

m

h

N

i

d

m

h

h

N

i

i

h

background image

 

 

2.4. Uogólnione wyrażenia tłumienia 

składowych harmonicznych podczas 

uśredniania spróbkowanego sygnału

Wartość maksymalna błędu

 

 

.

sin

sin

1

sin

sin

1

,

,

max

,

N

T

f

fT

N

U

fT

N

fT

N

U

U

m

h

d

d

m

h

h

1

1

cos

max

N

N

fT

 

0

 

1

 

2

 

3

 

4

 

5

 

6

 

7

 

8

 

9

 

10

 

11

 

12

 

13

 

14

 

15

 

16

 

17

 

18

 

19

 

20

 

21

 

22

 

23

 

24

 

1.2

 

1

 

0.8

 

0.6

 

0.4

 

0.2

 

0

 

0.2

 

0.4

 

0.6

 

0.8

 

1

 

1.2

 

ΔU

h,max

(f) 

fT

 

Zależność maksymalnej wartości błędu składowych harmonicznych 
przy uśrednianiu 

N=6

 próbek sygnału wciągu jego okresu T 

background image

 

 

2.4. Uogólnione wyrażenia tłumienia 

składowych harmonicznych podczas 

uśredniania spróbkowanego sygnału

Wartość maksymalna 

błędu

Współczynnik tłumienia 

x=fT

 

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

0

10

20

30

40

40

0

Ktl 6 x

(

)

18

0

x

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

1

0.5

0

0.5

1

1

1

Usr 6 x

(

)

18

0

x

background image

 

 

Parametry uśredniania spróbkowanego 

sygnału

Przy częstotliwości próbkowania 

f

d

=N·f

1

  w  ciągu jednego 

okresu T są uśredniane N próbek sygnału, w wyniku czego będą 

eliminowany wpływ (stłumiony) wszystkich harmonicznych z 

numerami 

od k=1 do k=N-1

 

0

 

1

 

2

 

3

 

4

 

5

 

6

 

7

 

8

 

9

 

10

 

11

 

12

 

13

 

14

 

15

 

16

 

17

 

18

 

19

 

20

 

21

 

22

 

23

 

24

 

1.2

 

1

 

0.8

 

0.6

 

0.4

 

0.2

 

0

 

0.2

 

0.4

 

0.6

 

0.8

 

1

 

1.2

 

ΔU

h,max

(f) 

fT

 

background image

 

 

Parametry uśredniania spróbkowanego 

sygnału

Innymi słowami, dla eliminowania wpływu (tłumienia) 

składowych harmonicznych do 

k

-ej włącznie (przy 

f

m

=k·f

1

) liczba 

uśrednianych próbek (pobranych w jednym okresie sygnału) 

powinna być o jeden większą

N

min

=k+1

zamiast N=2k

 jak to wynika z 

twierdzenia Kotelnikowa 

Schannona

.

Minimalna częstotliwość próbkowania powinna równać się

f

d,min

=f

1

·N

min

=f

1

·(k+1)=f

m

+f

1

.

                                                                

to znaczy, że ona powinna być tylko o 

(k+1)

 razy zamiast 

2·k

 

razy większą od częstotliwości podstawowej składowej.

 

0

 

1

 

2

 

3

 

4

 

5

 

6

 

7

 

8

 

9

 

10

 

11

 

12

 

13

 

14

 

15

 

16

 

17

 

18

 

19

 

20

 

21

 

22

 

23

 

24

 

1.2

 

1

 

0.8

 

0.6

 

0.4

 

0.2

 

0

 

0.2

 

0.4

 

0.6

 

0.8

 

1

 

1.2

 

ΔU

h,max

(f) 

fT

 

background image

 

 

Przykład 1

Wyznaczyć minimalną liczbę próbek oraz częstotliwość 

próbkowania sygnału z warunku zapewnienia tłumienia wszystkich 

składowych harmonicznych 

od 1-ej do 15-tej

, stosując uśrednianie 

próbek. 

Rozwiązanie. Ponieważ numer maksymalnej składowej 

harmonicznej równa się k=15, wtedy minimalna liczba próbek wynosi

 

N

min

=k+1=15+1=16

Częstotliwość próbkowania powinna być o 

16

 razy większą od 

częstotliwości podstawowej składowej zamiast 

2·15=30

 razy.

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

1

0.5

0

0.5

1

0.999

1

Usr16 x

(

)

18

0

x

background image

 

 

Przykładowo, jeżeli 

f

1

=2 kHz

 oraz 

k=15

 maksymalna 

częstotliwość 

f

m

=15·2 kHz=30 kHz

. Częstotliwość próbkowania 

powinna równać się 

f

d

=f

m

+f

1

=32 kHz

, zamiast 

2·30 kHz=60 kHz

 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

1

0.5

0

0.5

1

0.999

1

Usr16 x

(

)

18

0

x

background image

 

 

Poziom tumienia 

Maksymalny poziom obwiedni współczynnika tłumienia ma 
miejsce na częstotliwości równej połowie częstotliwości 
próbkowania 

f=f

d,min

/2

i ten poziom równa się liczbie próbek N (maksymalny błąd 

Δ

u,m

=U

m

/N

):

K

tl

=N

   lub   

20lg(N)

 w decybeli.

Przykładowo, przy 

N=16

            

K

tl,db

=20lg(16)=24 dB

 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

0

10

20

30

40

40

0

Ktl 16 x

(

)

KN x

( )

18

0

x

background image

 

 

Poziom tumienia 

Przy 

N=64              

 

K

tl,db

=20lg(64)=36 dB

 

0 3.567.11

10.67

14.22

17.78

21.33

24.89

28.443235.56

39.11

42.67

46.22

49.78

53.33

56.89

60.4464

0

10

20

30

40

40

0

Ktl 64 x

(

)

KN x

( )

64

0

x

background image

 

 

3. Zwiększenie stopnia tłumienia 

składowych harmonicznych. 

Uśrednianie wagowe

W rzeczywistości 

okres sygnału oraz częstotliwości 

składowych harmonicznych mogą się zmieniać

 lub ich wartości 

mogą odbiegać od wartości nominalnych. 

W takich przypadkach w wyniku uśredniania składowe 

harmoniczne nie będą stłumione (eliminowane) całkowicie, a 

pozostanie błąd uśredniania, wartość którego zależy od stopnia 

odchylenia okresu (częstotliwości) od nominalnej wartości i jego 

można obliczyć według wzoru 

 

.

sin

sin

1

,

max

,

N

T

f

fT

N

U

U

m

h

h

background image

 

 

3.1. Małe odchylenia okresu sygnału od 

nominalnej wartości

Do małych względnych odchyleń okresu         (dla odchyleń 

częstotliwości              ) będziemy zaliczać taki, dla których są 

spełniane warunki: 

Założymy, że trwałość rzeczywista okresu sygnału różni się 

od nominalnej o : 

 
Ponieważ względne odchylenia okresu i częstotliwości 

posiadają różne znaki , to przy nominalnej częstotliwości              

podstawowej składowej jej wartość rzeczywista  różni na się na :

w takim razie częstotliwości k-tej składowej harmonicznej 

sygnału równają się 

1

,

1



n

f

n

T

f

f

T

T

T

T

f

T

n

T

T

 1

n

n

T

f

/

1

,

1

f

n

T

n

T

n

f

f

T

f

1

1

1

1

,

1

,

1

,

1

1

f

n

k

kf

kf

f

1

,

1

1

background image

 

 

3.1. Małe odchylenia okresu sygnału od 

nominalnej wartości

Wtedy przy              oraz
wartość maksymalna błędu uśredniania wynosi

 

Przy δ

f

=+5% 

w

artości błędu stanowią: 

Δ

1

=-0.05; Δ

2

=0.058; Δ

3

=-0.076; Δ

4

=0.121; Δ

5

=-0.308

 





N

k

k

N

U

U

f

f

k

m

h

h

1

sin

sin

1

1

,

max

,

1

,

1

n

n

T

f

  

f

k

T

f

n

n

k

k

k

T

kf

sin

1

sin

1

sin

,

1

0

1

2

3

4

5

6

1

0.5

0

0.5

1

Δ

1

Δ

Usr

f·T

Δ

2

Δ

3

Δ

4

Δ

5

f

f

f

f

f

background image

 

 

3.1. Małe odchylenia okresu sygnału od 

nominalnej wartości

Jeżeli,                       co ma miejsce dla małych 

k

 (pierwsze 

składowe harmoniczne), oraz 

przy 

k<<N

 maksymalna wartość błędu równa się

Przy tym wartość błędu uśredniania pierwszych składowych 

harmonicznych jest proporcjonalna do względnego odchylenia 

częstotliwości (okresu).

1



f

k

N

k

N

k

f





1

sin

f

m

h

h

U

U

,

max

,

background image

 

 

W7. UŚREDNIANIE CYFROWE 

WAGOWE W SZEROKIM PAŚMIE 

CZĘSTOTLIWOŚCI.

 Funkcja wagowa (okno) 

Dolpha-Czebyszewa

background image

 

 

Plan wykładu

1. Tłumienie składowych harmonicznych szerokim 

paśmie częstotliwościowym. Funkcja wagowa 

(okno) Dolpha-Czebyszewa

2. Projektowanie funkcji (okna) Dolpha–Czebyszewa

3. Algorytm obliczania współczynników funkcji 

(okna) Dolpha-Czebyszewa z przykaładem

4. Porównanie uśredniania wagowego oraz filtracji 

średniej wartości. 

5. Parametry częstotliwościowe do projektowania 

FW Dolpha-Czebyszewa do pomiaru wybranych 

parametrów sygnałów przemiennych

Cel:  Zapoznać się z zasadami projektowania uśredniania  
z wykorzystaniem funkcji wagowej Dolpha_Czebyszewa

background image

 

 

Tłumienie składowych harmonicznych 

szerokim paśmie częstotliwościowym. 

Funkcja wagowa (okno) Dolpha-

Czebyszewa

   

Jeżeli 

częstotliwość składowych harmonicznych 

nie jest stałą i może się zmieniać 
niekontrolowanie w szerokim paśmie

, wtedy 

wykorzystanie 

zwykłych metod uśredniania, 

które tłumią zakłócenia okresowe, 
częstotliwość których krotna odwrotności czasu 
uśredniania,

 

nie jest wystarczająco 

skutecznym. 

background image

 

 

Tłumienie składowych harmonicznych 

szerokim paśmie częstotliwościowym. 

Funkcja wagowa (okno) Dolpha-

Czebyszewa

   

Dla tłumienia składowych harmonicznych o nieznanych 
częstotliwościach oraz przy ich zmianie w szerokim zakresie – co 
ma miejsce przy cyfrowych pomiarach parametrów sygnałów 
(wartości średnia wyprostowana, skuteczna, moc czynna oraz 
bierna itp.) najlepszy efekt daje zastosowanie funkcji wagowej 
(okna) Dolpha- Czebyszewa.
Z pośród innych funkcji wagowych jest to “

najlepsza

” funkcja 

wagowa (okno). Jej wykorzystanie zapewnia 

zadany poziom 

tłumienia Ktl

 zakłóceń w 

zadanym skończonym zakresie 

częstotliwości od dolnej fd do górnej fg. przy minimalnie 
możliwym czasie uśredniania Tus

0 20 40 60 80100120140160180200220240260280300320340360380400420

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

120

0

Ktl_dBx

( )

420

0

x fd

v0

background image

 

 

Funkcja wagowa (okno) Dolpha-

Czebyszewa

   

•Na tym rysunku funkcja wagowa zapewnia tłumienie 60 dB (1000 
razy) w zakresie częstotliwości od dolnej fd =20 Hz do górnej 
fg=400 Hz.
•Trwałość uśredniania praktycznie zależy tylko od poziomu 
tłumienia oraz wartości fd i jest minimalnie możliwą:

•i równa się około 

121 ms

 dla zadanych wyżej parametrów. 

•Nie istnieje innej funkcji wagowej, która zapewni tłumienie minimalnie 
60 dB w interwale czasowym mniej niżeli 121 ms

.

0 20 40 60 80100120140160180200220240260280300320340360380400420

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

120

0

Ktl_dBx

( )

420

0

x fd

v0

d

tl

us

f

K

T

)

2

ln(

background image

 

 

Funkcja wagowa (okno) Dolpha-

Czebyszewa

   

•Charakterystyczny widok FW Dolpha-Czebyszewa jest pokazana 
na rysunku niżej 

0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48 52

0

0.02

0.04

0.06

0.041

8.79110

4

g

in

N

0

in

background image

 

 

Funkcja wagowa (okno) Dolpha-

Czebyszewa

   

v0

ln 2Ktl

(

)



v0 2.419

•W dziedzinie częstotliwości FW Dolpha-Czebyszewa minimalizuje 
się szerokość listka głównego widma przy założeniu określonej 
długości okna oraz przy ograniczeniu dopuszczalnej wysokości 
maksymalnego listka bocznego widma . 
• 
•Przykładowo na rys. niżej pokazano moduł widma FW Dolpha-
Czebyszewa zapewniającej stały minimalny poziom tłumienia 60 
dB (1 tysiąc razy) w paśmie częstotliwości od 20 Hz do 400 Hz 
wartość szerokości głównego listka równa się:

)

2

ln(

0

tl

K

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

44

48

52

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

120

WF_dBx

( )

n

0

x

v0

background image

 

 

2. Projektowanie optymalnej 

FW Dolpha–Czebyszewa

   

Z punktu widzenia realizacji praktycznej uśredniania wagowego 

zadanymi parametrami są:
1) poziom tłumienia Ktl

 oraz 

2) pasmo częstotliwości od fd do fg

poszukiwanymi parametrami

 są:

1) Rząd FW n

2) liczba N

 (długość) współczynników FW;

3) wartości współczynników w

i

 (i=1,2,…,N), 

4) częstotliwość próbkowania fs

 oraz 

5) czas uśredniania Tus

background image

 

 

2. Projektowanie optymalnej 

FW Dolpha–Czebyszewa

   

Charakterystyka widmowa funkcji wagowej Dolpha-Czebyszewa o 

N współczynnikach gi jest konstruowana na podstawie 
wielomiana Czebyszewa rzędu 

n=N-1

1

1

,

)

(

h

arccos

cosh

,

)

arccos(

cos

)

(

x

x

dla

dla

x

n

x

n

x

T

n

1.02

0.68

0.34

0

0.34

0.68

1.02

1.5

0

1.5

3

4.5

6

7.5

9

10.5

12

13.5

15

16.5

16.5

1.5

Tcheb20 x

(

)

1.025

1.025

x

background image

 

 

2. Projektowanie optymalnej 

FW Dolpha–Czebyszewa

   

Wartości współczynników tej FW można obliczyć wg wzoru 

Gdzie: 

parametr, który jest powiązany z szerokością głównego listka 

widma zależnością:

 

1

0

2

0

2

0

)!

1

(

)!

1

(

!

)!

1

(

1

2

i

j

j

j

tl

i

j

i

i

j

n

j

x

j

n

n

K

x

g

n

K

x

tl

)

(

h

arccos

cosh

0

)

2

ln(

)

(

h

arccos

cosh

1

arccos

1

arccos

0

0

tl

tl

K

n

K

n

x

n

background image

 

 

2. Projektowanie optymalnej 

FW Dolpha–Czebyszewa

   

Częstotliwość próbkowania sygnału równa się:

fs=fd+fg=fd (D+1)

gdzie 

D=fg/fd

                                                     

jest względnym zakresem częstotliwości

Rząd WF wyznacza się wg. wzoru:

 

1

cos

1

h

arccos

h

arccos

1

0

D

K

D

n

tl

background image

 

 

2. Projektowanie optymalnej 

FW Dolpha–Czebyszewa

   

Liczba próbek FW Dolpha-Czebyszewa równa się:

N=n+1

Lepsza dokładność obliczeń (zwłaszcza przy dużych N) otrzymuje 

się wykorzystująć odwrotne przekształcenie Fouriera 

wielomianu Czebyszowa

N

M

m

k

N

k

x

T

K

N

w

M

k

N

tl

in

)

(

2

cos

cos

2

1

1

0

1

1

2

1

N

M

1

2

0

N

M

m

0

5

10

15

20

25

30

0

1

2

3

2.135

0.04

w

in

n 1

(

)

N 1

0

in

background image

 

 

3. Algorytm obliczania współczynników 

funkcji (okna) Dolpha-Czebyszewa z 

przykaładem

   

1) Zadano:

2) Obliczanie względnej szerokości pasma tłumienia

3) Obliczanie rzędu wielomianu Czebyszewa

Po zaokrągleniu do wartości całkowitej większej 

n=51

4) Obliczanie długości (liczby próbek) FW Dolpha-Czebyszewa

 

Ktl 1000



fd 20



fg 400



D

fg
fd



D 20

n

acoshKtl

(

)

acosh

1

cos

D 1







N 1 n



N 52

background image

 

 

5) Obliczanie wartości parametru 

x0

6) Obliczanie wartości współczynników FW Dolpha-Czebyszewa 

3. Algorytm obliczania współczynników 

funkcji (okna) Dolpha-Czebyszewa z 

przykaładem

   

x0 cosh

acoshKtl

(

)

n







x0 1.011

M

n
2



M 26

in 0 n





w

in

1

n 1

(

)

1

2

Ktl

1

M

k

Tcheb n x0cos 

k

n 1









cos

2 

 k

 in M

(

)

n 1







0.046

0.050

0.077

0.110

0.152

0.202

0.262

0.332

0.412

0.502

0.710

0.825

0.947

1.073

1.201

1.329

1.456

1.578

1.692

1.797

1.970

2.034

2.081

2.109

2.119

2.109

2.081

2.034

1.970

1.891

1.692

1.578

1.456

1.329

1.201

1.073

0.947

0.825

0.710

0.602

0.412

0.332

0.262

0.202

0.152

0.110

0.077

0.050

0.046

background image

 

 

7) Wykres funkcji wagowej

8) Obliczanie charakterystyki widmowej: x=f·T

us

 

3. Algorytm obliczania współczynników 

funkcji (okna) Dolpha-Czebyszewa z 

przykaładem

   

0

10

20

30

40

50

0

0.02

0.04

0.04

8.69710

4

g

in

N 1

0

in

WF x

( )

0

n

in

w

in

cos 2

x in M

(

)

n







background image

 

 

9) Obliczanie współczynnika tłumienia w decybeli

3. Algorytm obliczania współczynników 

funkcji (okna) Dolpha-Czebyszewa z 

przykaładem

Ktl_dBx

( )

WF_dBx

( )



0 20 40 60 80100120140160180200220240260280300320340360380400420440

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

120

0

Ktl_dBx

( )

440

0

x fd

v0

background image

 

 

10)  Obliczanie  względnej  trwałości  uśredniania  FW  Dolpha-

Czebyszewa

 

11) Obliczanie trwałości uśredniania FW Dolpha-Czebyszewa

12) Obliczanie częstotliwości próbkowania

Obliczanie  wyniku  przetwarzania  jeżeli  x

1

,x

2

,  x

3

,…,x

N

  są 

wartościami zarejestrowanymi sygnału badanego

3. Algorytm obliczania współczynników 

funkcji (okna) Dolpha-Czebyszewa z 

przykaładem

v0

n

acos

1

cosh

acoshKtl

(

)

n







v0 2.411

Tus

v0

fd



Tus 0.121

fp n

fd

v0



fp 431.379

N

i

i

i

X

w

x

N

1

background image

 

 

Zależność 

względnego 

czasu 

uśredniania 

od 

wartości 

współczynnika tłumienia 

Przy Ktl=50 dB     v0=2,054   Tus=v0/fd=41ms

4. Porównanie uśredniania wagowego 

oraz filtracji średniej wartości

v_0 0.221 Kdb 0.03665



20

30

40

50

60

70

80

90

100

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4

3.834

0.941

v_0

0 ij

100

20

ij 10

20

background image

 

 

Pomiar wartości skutecznej

W sygnale pomiarowym jest:
 

1) 

Tylko jedna składowa harmoniczna

 o częstotliwości f1w 

paśmie od f

dx

 do f

gx

 :

Przy obliczaniu kwadratu wartości próbek powstaje druga 

składowa harmoniczna

Sygnał kwadrowany będzie się mieścić w paśmie 

od f

d

=2f

dx

 do f

g

 =2f

gx

.

2) 

Stała składowa U0+ podstawowa składowa harmoniczna o 

częstotliwości f

1

 + k składowych wyższych  (kf

1

)

 w paśmie 

od f

dx

 do fg: kf

1

<f

gx

.

Sygnał kwadrowany będzie się mieścić w paśmie 

od f

d

=f

dx

 do f

g

 = 2f

gx

.

k

t

kf

Um

t

f

Um

t

f

Um

U

t

u

1

1

2

1

1

1

1

1

2

cos

...

2

2

cos

2

cos

0

)

(

background image

 

 

Pomiar mocy czynnej

• W razie cyfrowego pomiaru mocy  

parametry 

częstotliwościowe analogiczne

 jak dla pomiaru 

wartości skutecznej 

N

I

U

I

U

I

U

I

U

I

U

N

P

N

N

N

i

i

i

...

1

3

3

2

2

1

1

1

background image

 

 

Pomiar wartości średniej wyprostowanej

W razie cyfrowego pomiaru wartości średniej wyprostowanej: 
1) 

Tylko jedna składowa harmoniczna

 o częstotliwości f

1

paśmie od f

dx

 do f

gx

 :

Przy obliczaniu modułu (dwu połówkowego prostowania) 

wartości próbek powstaje druga składowa harmoniczna + 

wyższe składowe harmoniczne, amplituda których maleje 

proporcjonalnie do kwadratu numeru harmonicznej. 

Jeżeli uwzględniane są k=10 składowych harmonicznych 

(poziom 10-j nie przekracza 0,01 od wartości średniej 

wyprostowanej) wtedy sygnał wyprostowany będzie się 

mieścić w paśmie 

od f

d

=2f

dx

 do f

g

=2kf

gx

.

2) 

Stała składowa U0+ podstawowa składowa harmoniczna o 

częstotliwości f

1

 + k składowych wyższych  (kf

1

)

 w paśmie od 

f

dx

 do fg: kf

1

<f

gx

.

Po dwu połówkowym prostowaniu sygnału składowe 

harmoniczne będą się mieścić w paśmie 

od f

d

=f

dx

 do f

g

=2kf

gx

.


Document Outline