background image

POLITECHNIKA ŁÓDZKA

Katedra Mikroelektroniki i Technik 

Informatycznych

90-924 Łódź, ul. Wólczańska 213, bud. 

B18

 

dr inż. Tomasz Poźniak

pozniak@dmcs.pl 

ELEKTRONIKA PRZEMYSŁOWA

ELEKTRONIKA PRZEMYSŁOWA

Cz. I. Zastosowanie przyrządów 

Cz. I. Zastosowanie przyrządów 

mocy

mocy

 

jako kluczy idealnych

jako kluczy idealnych

background image

2

Bibliografia

Bibliografia

background image

3

Introduction to Power 

Introduction to Power 

Processing

Processing

Fundamentals of Power 

Electronics

Robert W. Erickson

University of Colorado, Boulder

background image

4

Rodzaje przekształtników

Rodzaje przekształtników

background image

5

Sterowanie

Sterowanie

background image

6

Sprawność

Sprawność

background image

7

Sprawność cd.

Sprawność cd.

background image

8

Czym dysponujemy?

Czym dysponujemy?

background image

9

Co wybrać?   Czego unikać?

Co wybrać?   Czego unikać?

background image

10

Klucz idealny

Klucz idealny

T

dt

t

p

T

P

0

)

(

1

background image

11

Problem do rozwiązania

Problem do rozwiązania

background image

12

Można tak!

Można tak!

background image

13

Lub tak!

Lub tak!

background image

14

Można też użyć kluczy 

Można też użyć kluczy 

idealnych!

idealnych!

background image

15

Składowa stała zależy od 

Składowa stała zależy od 

sterowania

sterowania

background image

16

Filtr dolnoprzepustowy

Filtr dolnoprzepustowy

background image

17

Sterowanie

Sterowanie

background image

18

Przetwornica obniżająca 

Przetwornica obniżająca 

napięcie

napięcie

background image

19

Składowa stała napięcia wyjściowego

Składowa stała napięcia wyjściowego

background image

20

Filtr dolnoprzepustowy

Filtr dolnoprzepustowy

background image

21

Podstawowe konfiguracje

Podstawowe konfiguracje

background image

22

Półprzewodnikowe przyrządy 

Półprzewodnikowe przyrządy 

mocy

mocy

P

ro

d

u

ct

 o

D

e

v

ic

e

 V

-I

 R

a

ti

n

g

(V

A

)

Thyristor

10            100          1K           10K         100K       1M    (Hz)

100M

10M

1M

100K

10K

1K

100

10

GCT
GTO

IGBT
Module,
IPM

IGBT Discrete

VDMOS

background image

23

Podstawowe Prawa

Podstawowe Prawa

• Prawo Ohma
• Prawa Kirchhoffa
• Zasada zachowania energii

Ciągłość prądu w cewce

2

2

1

Li

W

L

2

2

1

Cu

W

C

Ciągłość napięcia na kondensatorze

background image

24

• Wartość średnia   

x(t)
u(t), i(t)

• Wartość skuteczna  

x(t)
u(t), i(t)

• Moc czynna

Podstawowe definicje

Podstawowe definicje

 

T

AV

dt

t

x

T

X

0

1

T

RMS

dt

t

x

T

X

0

2

)

(

1

T

dt

t

p

T

P

0

)

(

1

background image

Podstawowe konfiguracje

Podstawowe konfiguracje

25

Cz. II.    Przetwornice 

Cz. II.    Przetwornice 

tranzystorowe

tranzystorowe

background image

26

i

i

T

t

D 

Sygnał sterujący tranzystorem

Sygnał sterujący tranzystorem

 

background image

27

we

wy

U

Przetwornica dławikowa obniżająca 

Przetwornica dławikowa obniżająca 

napięcie (Buck or Step-Down 

napięcie (Buck or Step-Down 

converter) 

converter) 

background image

28

pierwszy takt pracy - tranzystor Q

  

przewodzi

drugi takt pracy - wyłączony tranzystor Q (przewodzi 

dioda D)

 

i

wy

we

L

t

L

U

U

i

i

i

wy

L

t

T

L

U

i

background image

29

i

i

wy

i

wy

we

t

T

L

U

t

L

U

U

i

i

wy

i

wy

we

t

T

U

t

U

U

i

wy

i

wy

i

wy

i

we

t

U

T

U

t

U

t

U

i

wy

i

we

T

U

t

U

i

i

we

wy

T

t

U

D

we

wy

U

U

i

i

T

t

D 

background image

30

D

we

wy

U

U

1

we

wy

U

U

i

o

U

wy

Summary

background image

31

U

wy 

/ U

we 

= f ( I

o

’) ;   d = 

D

D

we

wy

U

U

background image

32

Dane:

f = 10 kHz
U

we 

= 192 V

U

wy 

= 48 V

R

= 1 Ω

L = 200 μH

1. Obliczyć czas włączenia klucza t

i

 oraz współczynnik wypełnienia D 

      i średni prąd obciążenia I

o AV

.

2. Wyznaczyć przebieg napięcia na cewce u

L

(t) i prąd cewki i

L

(t).

3. Obliczyć średnie i skuteczne wartości prądu diody i tranzystora.
4. Obliczyć prąd skuteczny kondensatora I

C RMS

.

Przykład

Przykład

background image

33

Przykład

Przykład

 

c.d.

c.d.

4

1

192

48

D

V

V

U

U

D

U

U

we

wy

we

wy

A

A

s

s

I

T

t

I

AV

i

i

TAV

12

48

100

25

A

A

dt

t

s

A

A

s

dt

t

t

i

i

T

I

s

t

i

L

L

i

TRMS

i

1

,

24

25

18

39

100

1

1

25

0

2

0

2

min









A

A

s

s

I

T

t

T

I

AV

i

i

i

DAV

36

48

100

75

A

dt

t

s

A

A

s

dt

t

t

T

i

i

T

I

s

t

T

i

i

L

L

i

DRMS

i

i

8

,

41

75

18

57

100

1

1

75

0

2

0

2

max









A

dt

t

s

A

A

dt

t

s

A

A

s

I

s

s

CRMS

2

,

5

75

18

9

25

18

9

100

1

75

0

2

25

0

2













background image

34

Buck converter - symulacja

Buck converter - symulacja

background image

35

Buck converter – wyniki symulacji

Buck converter – wyniki symulacji

background image

36

background image

37

Przetwornica dławikowa 

Przetwornica dławikowa 

podwyższająca napięcie

podwyższająca napięcie

(Boost or Step-Up converter)

(Boost or Step-Up converter)

 

background image

38

i

we

L

t

L

U

i

i

i

we

wy

L

t

T

L

U

U

i

pierwszy takt pracy - tranzystor Q

  

przewodzi

drugi takt pracy - wyłączony tranzystor Q (przewodzi dioda D)

background image

39

i

i

we

wy

i

we

t

T

L

U

U

t

L

U

i

i

we

wy

i

we

t

T

U

U

t

U

i

we

i

we

i

wy

i

wy

i

we

t

U

T

U

t

U

T

U

t

U

i

we

i

wy

i

wy

T

U

t

U

T

U

i

i

i

we

wy

t

T

T

U

U

i

i

we

wy

T

t

1

1

U

U

D

U

U

we

wy

1

1

i

i

T

t

D 

background image

40

D

U

U

we

wy

1

1

Uwe

Iwe

Summary

background image

41

Przykła

Przykła

d

d

Dane:

U

we 

= 50 V

t

i

 = 50 s

U

wy 

= 75 V

R

= 2,5 Ω

L = 250 μH

1. Obliczyć częstotliwość pracy f

i

 oraz czas wyłączenia klucza T

i

-t

i

 

zakładając tryb pracy CCM.

2. Obliczyć średni prąd wejściowy I

L AV

 i prąd obciążenia I

o AV

.

3. Wyznaczyć przebieg napięcia na cewce, u

L

(t) i prąd cewki, i

L

(t).

4. Obliczyć średnie wartości prądu diody i tranzystora.
5. Obliczyć wartość skuteczną prądu kondensatora I

C RMS

.

background image

42

Przykład 

Przykład 

c.d.

c.d.

3

1

75

50

1

1

1

1

V

V

U

U

D

D

U

U

wy

we

we

wy

A

A

s

s

I

T

t

I

LAV

i

i

TAV

15

45

150

50

A

A

s

s

s

I

T

t

T

I

LAV

i

i

i

DAV

30

45

150

50

150

A

dt

t

s

A

A

dt

A

s

I

s

s

CRMS

3

,

21

100

10

20

30

150

1

100

0

2

50

0

2









A

V

R

U

I

o

wy

wyAV

30

5

,

2

75

A

V

V

A

U

U

I

I

I

U

I

U

we

wy

wyAV

weAV

wyAV

wy

weAV

we

45

50

75

30

A

s

H

V

t

L

U

i

i

we

L

10

50

250

50

background image

43

Simulation of the Boost converter

Simulation of the Boost converter

M1
IRF350

P

lu

s

M

in

u

s

V1

50V

D1

MR504

R1

18

R2

470

V2

L1

250uH

C1

1mF

R3

2,5

1

2

3

4

5

background image

44

Boost converter simulation results

Boost converter simulation results

0.00m

2.00m

4.00m

6.00m

8.00m

10.00m

0.00

20.00

40.00

60.00

80.00

100.00

v(4)

T

v(5)

0.00m

2.00m

4.00m

6.00m

8.00m

10.00m

0.00

30.00

60.00

90.00

120.00

150.00

i(L1)

T

BOOST CONV.CIR Temperature = 27

background image

45

PFC – application of Boost converter

PFC – application of Boost converter

background image

46

Przetwornica dławikowa podwyższająca 

Przetwornica dławikowa podwyższająca 

napięcie

napięcie

z uwzględnieniem strat

z uwzględnieniem strat

background image

47

Przetwornica dławikowa podwyższająca 

Przetwornica dławikowa podwyższająca 

napięcie

napięcie

z uwzględnieniem strat

z uwzględnieniem strat

pierwszy takt pracy - tranzystor Q1

  

przewodzi

drugi takt pracy 
- wyłączony tranzystor Q1 (przewodzi dioda 
CR1)

 

it

L

R

I

U

U

L

i

L

L

DS

WE

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

i

i

WE

L

L

d

WY

t

T

L

U

R

I

U

U

L

i

background image

48

Przetwornica 
idealna

Przetwornica 
ze stratami

Przetwornica dławikowa podwyższająca 

Przetwornica dławikowa podwyższająca 

napięcie

napięcie

z uwzględnieniem strat

z uwzględnieniem strat

D

U

U

we

wy

1

1

D

D

U

U

D

L

R

L

I

we

U

wy

U

DS

d



1

1

1

background image

49

Przetwornica dławikowa odwracająca 

Przetwornica dławikowa odwracająca 

napięcie

napięcie

(Up-Down Invert converter)

(Up-Down Invert converter)

background image

50

pierwszy takt pracy - tranzystor Q

  

przewodzi

drugi takt pracy - wyłączony tranzystor Q (przewodzi dioda D)

i

we

L

t

L

U

i

i

i

wy

L

t

T

L

U

i

background image

51

i

i

wy

i

we

t

T

L

U

t

L

U

i

i

wy

i

we

t

T

U

t

U

i

i

i

we

wy

t

T

t

U

U

i

i

i

i

we

wy

T

t

1

T

t

U

U

i

i

T

t

D 

D

U

U

we

wy

1

D

background image

52

D

U

U

we

wy

1

D

Invert 

Invert 

C

C

onverter 

onverter 

Summary

Summary

background image

53

Przykła

Przykła

d

d

Dane:

U

we 

= 50 

V
t

i

 = 60 s

U

wy 

= -75 

V
R

= 2,5 

Ω
L = 250 

μH

1. Obliczyć częstotliwość pracy, f

i

 , wypełnienie D 

oraz czas

 

wyłączenia klucza, T

i

-t

i

 , zakładając tryb pracy 

CCM.

2. Obliczyć prąd obciążenia I

wy AV

  i średni prąd 

wejściowy I

we AV

.

3. Obliczyć średnie wartości prądu diody i 

tranzystora. 

4. Wyznaczyć przebieg napięcia na cewce, u

L

(t) i prąd 

cewki, i

L

(t).

5. Obliczyć wartość skuteczną prądu kondensatora I

RMS

.

background image

54

Przykład 

Przykład 

c.d.

c.d.

5

3

50

75

75

1

V

V

V

U

U

U

D

D

D

U

U

we

wy

wy

we

wy

LAV

i

i

QAV

I

T

t

I

LAV

i

i

i

DAV

I

T

t

T

I

A

dt

t

s

A

A

dt

A

s

I

s

s

CRMS

???

40

12

51

30

100

1

40

0

2

60

0

2









A

V

R

U

I

o

wy

wyAV

30

5

,

2

75

A

V

V

A

U

U

I

I

I

U

I

U

we

wy

wyAV

weAV

wyAV

wy

weAV

we

45

50

75

30

A

s

H

V

t

L

U

i

i

we

L

12

60

250

50

A

I

I

weAV

QAV

45

A

I

LAV

75

A

I

I

wyAV

DAV

30

A

I

LAV

75

background image

55

Buck-Boost converter - simulation

Buck-Boost converter - simulation

M1

IRF350

P

lu

s

M

in

u

s

V1

50V

D1
MR504

R1
18

R2

470

V2

L1

250uH

C1

1mF

R3

2,5

1

2

3

4

5

background image

56

Buck-Boost converter - simulation 

Buck-Boost converter - simulation 

results

results

0.00m

2.00m

4.00m

6.00m

8.00m

10.00m

-80.00

-60.00

-40.00

-20.00

0.00

20.00

v(4)

T

v(5)-v(3)

0.00m

2.00m

4.00m

6.00m

8.00m

10.00m

0.00

30.00

60.00

90.00

120.00

150.00

i(L1)

T

BUCKBOOST CONV.CIR Temperature = 27

background image

57

Three basic dc-dc converters

Three basic dc-dc converters

background image

58

Przetwornice dławikowe - 

Przetwornice dławikowe - 

porównanie

porównanie

background image

59

Przetwornice transformatorowe

Przetwornice transformatorowe

(Transformer-Isolated Converters)

• Izolacja  galwaniczna  obwodu  wyjściowego 

od  obwodu  wejściowego  (bezpieczeństwo 
pracy)

• Możliwość  zmniejszenia  /  zwiększenia 

współczynnika przetwarzania napięcia przez 
odpowiedni dobór przekładni transformatora

• Możliwość 

otrzymania 

wielu 

napięć 

wyjściowych  przez  zastosowanie  wielu 
uzwojeń wtórnych

background image

60

o

b

n

a

c

a

 n

a

p

c

ie

 

(b

u

c

k

)

p

o

d

w

y

ż

s

z

a

c

a

 

n

a

p

c

ie

 (

b

o

o

s

t)

o

d

w

ra

c

a

c

a

 n

a

p

c

ie

 

(b

u

c

k

-b

o

o

s

t)

+

+

+

+

+

+

+

+

p

rz

e

p

u

s

to

w

a

 

(f

o

rw

a

rd

)

tranzystor zwykle sterowany względem masy

+

+

ten układ nie ma znaczenia praktycznego

+

+

za

p

o

ro

w

a

 (

f

y

b

a

c

k

)

tranzystor zwykle sterowany względem masy

Przetwornice dławikowe po wstawieniu 

Przetwornice dławikowe po wstawieniu 

transformatorów

transformatorów

background image

61

n

D

U

U

we

wy

1

D

1 : n

(CCM)

(DCM)

Przetwornica zaporowa 

Przetwornica zaporowa 

The Flyback Converter

The Flyback Converter

background image

62

Przetwornica zaporowa

Przetwornica zaporowa

 – tryb CCM

 – tryb CCM

background image

63

Flyback Converters - Fairchild Power Swi

Flyback Converters - Fairchild Power Swi

tch

tch

 

 

GMT Time

This webcast discusses switchmode power supply 
design issues including an in depth discussion of 
flyback topology along with critical aspects of 
component selection. The design of the magnetics is 
also reviewed. A design example will illustrate how 
SMPS design can be simplified using Fairchild’s FPS 
Designer software. The design is broken down into a 
few easy to understand steps followed by evaluation 
of how the results correlate once the design is built.

Thursday, January 15, 

2004

01/15/04 17:00

background image

64

Fairchild Semiconductor Power Seminar 

Fairchild Semiconductor Power Seminar 

Webcast Series

Webcast Series

Flyback Converters - Fairchild Power Switch

January 15, 2004

Practical aspects of feedback control

January 22, 2004

Power Factor Correction 

January 29, 2004

DC-DC Solutions (Control) 

February 5, 2004

High-Voltage Discrete Technology

February 12, 2004

DC-DC Solutions (MOSFETs)

February 19, 2004

background image

65

Wpływ magnesowania rdzenia

Wpływ magnesowania rdzenia

Energia gromadzona w polu cewki 

(=  energii przekazywanej do 
obciążenia) w przetwornicy 
zaporowej
:

2

2

1

i

L

W

L

Więcej energii  większy prąd
Duże prądy  

niebezpieczeństwo nasycenia

Rozwiązanie: rdzeń ze szczeliną

przetwornicy 
przepustowej
 prąd 
magnesujący jest niepożądany 
 rdzenie bez szczeliny

background image

66

Two Transistor Flyback 

Two Transistor Flyback 

Converter

Converter

background image

67

Flyback Magnetics

Flyback Magnetics

background image

68

Why Use a Gap?

Why Use a Gap?

2

2

1

i

L

W

L

… to store magnetic energy: 

But 

where?

• For uniform magnetic flux density     B = Φ/A = µ

m

H

m

 

= µ

g

H

g

µ = permeability, H = magnetic field intensity

m = magnetic material, g = gap (air)

• For ferrite, µ

m

 is often thousands of times greater 

than µ

g

  H

g

 is thousands of times greater than H

m

• Magnetic energy storage per unit volume: w

m

 ∝ H2

  virtually all the energy is stored in the gap

• Double the gap - double the energy storage at B

max

  (at half the L but 2x the max current)

background image

69

Characteristics of a Typical Flyback 

Characteristics of a Typical Flyback 

Transformer

Transformer

1.

The flyback transformer is a multi-winding coupled inductor, taking energy from 
the electrical

        circuit, storing it in its non-magnetic gap, and subsequently returning it minus 

losses to the circuit.

2.

Design Limitations

 Temperature rise and efficiency considerations arising from the core losses and 
copper losses.  Note for a fixed flux density, core losses reduce with temperature.

 Core saturation. Note that saturation flux density reduces with temperature.

 Leakage Inductance

background image

70

Flyback vs. Forward

Flyback vs. Forward

The flyback transformer is coupled

inductors. It stores energy when the 
switch

is closed and transfers it to the load 
when

the switch is opened

The forward transformer is a true 
transformer. 

No energy is stored. Energy is transferred 
to the 

load when the switch is closed.

background image

71

n

D

we

wy

U

U

1 : 1 : 

n

(CCM)

Przetwornica 

Przetwornica 

przepustowa 

przepustowa 

The Forward Converter

The Forward Converter

background image

72

i

i

L

I

wy

2U

w

e

U

w

e

t

t

t

t

t

u

S

i

S

i

D3

t

i

T

i

D < 0.5

2U

w

e

i

i

L

I

wy

U

w

e

t

t

t

t

t

u

S

i

S

i

D3

t

i

T

i

D =  0.5

Przetwornica przepustowa

Przetwornica przepustowa

 

 

transformatorowa 

transformatorowa 

The Forward Converter

The Forward Converter

background image

73

Characteristics of a Typical Forward 

Characteristics of a Typical Forward 

Transformer

Transformer

• Ideally the forward transformer stores no energy. In practice, forward 
transformers do store

some energy:

– Leakage Inductance represents energy stored in the non-magnetic regions 
between

Windings,

– Mutual inductance (magnetising inductance) represents energy stored in 
the finite permeability of the magnetic core and the small gaps where the 
core halves come together.

• Design limitations:

– At SMPS frequencies, core losses are the most important limitation.

background image

74

example

of 

DATEL 

convert

er

background image

75

Two transistor Forward converter

Two transistor Forward converter

background image

76

Wpływ magnesowania rdzenia

Wpływ magnesowania rdzenia

W  przetwornicy  zaporowej  energia 
gromadzona  w  polu  cewki  to  energia 
przekazywana do obciążenia:

2

2

1

i

L

W

L

• Większy prąd  

  to więcej energii 

• 

Duże 

prądy 

 

to 

niebezpieczeństwo    nasycenia

Rozwiązanie: rdzeń ze szczeliną

przetwornicy 

przepustowej 

prąd  magnesujący  jest  niepożądany 

 stosuje się rdzenie bez szczeliny.


Document Outline