Gliwice, 19.03.2009r.

Laboratorium z elektroniki

 i miernictwa

Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne.

Sekcja 2.

Baszczok Krzysztof

Drzewiecki Michał

Momot Łukasz

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z: teorią wyjaśniającą działanie oraz z podstawowymi

modelami, budową i parametrami technicznymi przydządów optoelektronicznych takich jak
fotorezystor oraz fotodioda. Program ćwiczenia obejmuje zdejmowanie charakterystyk statycznych
oraz wykorzystanie tych pomiarów do wyznaczania parametrów technicznych badanych
przydządów.

2. Pomiary, schematy, charakterystyki.

a)Fotorezystor

b

)Fotodioda

E[lux]

20

20,3

2,61

53

<10

0,86M

25

25,6

3,85

98,56

10

0,1M

30

30,7

5,25

161,1

24

24,5m

35

35,8

6,8

243.44

60

8,16k

40

40,9

8,53

348.9

110

3,46k

I

nast

[mA]

I

ż

[mA]

U

ż

 

[V]

P

ż

[mW]

R [

Ω

]

3. Wnioski.

Pomiary   które   otrzymaliśmy   są   zbliżone   do   charakterystyk   podręcznikowych.
Charakterystyki te nie odbiegają kształtem od oczekiwanych, więc uważamy, że nie
popełniliśmy żadnego znaczącego błędu.

E = 40

E = 85

E =140

0,1

-1,35

-1,36

0,1

-2,36

-2,37

0,1

-3,4

-3,41

0,2

-1,19

-1,21

0,2

-2,18

-2,22

0,2

-3,26

-3,28

0,3

2,39

2,36

0,3

1,58

1,55

0,3

1,24

1,21

0,4

62

61,6

0,4

154,5

154,46

0,4

15,95

15,91

-2

-1,6

-1,4

-2

-2,64

-2,62

-2

-3,7

-3,5

-4

-1,8

-1,4

-4

-2,8

-2,4

-4

-3,94

-3,54

-6

-2,02

-1,42

-6

-3

-2,4

-6

-4,16

-3,56

-8

-2,22

-1,42

-8

-3,29

-2,49

-8

-4,38

-3,58

-10

-2,43

-1,43

-10

-3,5

-2,5

-10

-4,56

-3,56

I

nast 

= 35mA

I

nast 

= 40mA

I

nast 

= 45mA

I

Ż

 

= 35,1 mA

I

Ż

 

= 39,6 mA

I

Ż

 

= 43,9 mA

U

Ż

 

= 6,11 V

U

Ż

 

= 7,49 V

U

Ż

 

= 8,72 V

P

Ż

 

= 214,46

P

Ż

 

= 296.6

P

Ż

 

= 382,8

U

D 

[V]

I

A 

[

µ

A]

I

D

U

D 

[V]

I

A 

[

µ

A]

I

D

U

D 

[V]

I

A 

[

µ

A]

I

D