- 18 -
4.5. SENSORY (optoelektroniczne)
Podstawą działania
elementów optoelektronicznych
jest zjawisko
przetwarzania energii
promieniowania optycznego
w energię elektryczną
lub zjawisko odwrotne.
Ultra-
fiolet
Podczerwień
0,01
nm
0,1
nm
10
nm
0,1
m
1
m
10
m
100
m
1
cm
10
cm
1
m
10
m
X
Zakres fal radiowych
Długość fali
f
c
0
(4.13)
FOTOEMITERY
ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE
FOTODETEKTORY
DIODY
(LED)
LASERY
PÓŁPRZEWODNIKOWE
FOTODIODY
FOTOTRANZYSTORY
FOTOREZYSTORY
TRANSOPTORY
- 19 -
W półprzewodnikowych
detektorach promieniowania
(fotodetekto-
rach) jest wykorzystywane
wewnętrzne zjawisko fotoelektryczne
–
polegające na
generacji swobodnych nośników ładunku wskutek absorpcji
promieniowania optycznego.
Rozróżnić przy tym można dwa zasadnicze
mechanizmy absorpcji
:
międzypasmowy
– prowadzący do
uwolnienia elektronu i dziury.
domieszkowy
– prowadzący do
uwolnienia elektronu lub dziury.
Zachodzi gdy energia fotonu
(W
f
=hf) jest większa od szerokości
pasma
zabronionego
półprzewodnika (W
g
).
Zachodzi gdy W
f
< W
g
jest
większa od energii jonizacji
materiału domieszki (W
j
).
Stąd można określić długofalowy próg absorpcji promieniowania
(maksymalną
długość
detekowanej
fali)
pochłanianego
przez
półprzewodnik (czyli wykrywany przez fotodetektor):
j
g
W
c
h
W
c
h
0
max
0
max
lub
(4.14)
1
2
3
4
5
5,6
0,4
0,2
0,4
0,6
0,8
1
Si
PbS
PbSe
HgCdTe
m
W
zg
lę
dn
a
cz
uł
o
ść
w
id
m
ow
a
- 20 -
4.5.1. FOTOREZYSTORY
Rezystancja fotorezystora R
E
zmienia
się
pod
wpływem
padającego
promieniowania (nie zależy od kierunku
przyłożonego napięcia).
R
E
f
Dielektryk
Półprzewodnik
Strumień światła wywołuje generację
par
elektron-dziura
w
warstwie
półprzewodnika. Ta dodatkowa liczba
elektronów i dziur powoduje zwiększenie
konduktancji (zmniejszenie rezystancji)
półprzewodnika i w efekcie zwiększenie
przepływającego przez fotorezystor prądu.
Zależność
rezystancji
R
E
fotorezystora od natężenia oświetlenia
E
v
może być w przybliżeniu opisana
wzorem empirycznym:
E
E
R
R
E
0
0
(4.15)
gdzie:
R
0
– jest rezystancją przy natężeniu
oświetlenia E
0
(zwykle 10 lx),
– stały współczynnik, zależny głównie od
rodzaju półprzewodnika (np. dla CdS
=0.51.5)
2 10
4
100
RE E
( )
1 10
3
10
E
10
100
1 10
3
5000
1 10
4
1.5 10
4
2 10
4
- 21 -
4.5.2. FOTODIODY
Fotodioda to dioda, która w obudowie
ma umieszczoną soczewkę umożliwiającą
oświetlenie jednego z obszarów złącza.
Oświetlenie złącza PN powoduje:
1)
przy pracy bez polaryzacji napięciem
zewnętrznym – powstanie napięcia
fotowoltaicznego;
2)
przy pracy w układzie z polaryzacją
zewnętrzną (wsteczną) – wzrost prądu.
P N
zaporowo!
Wyjaśnienie:
W oświetlonym złączu PN w warstwie zaporowej i jej otoczeniu
następuje generacja świetlna par elektron-dziura. Z warstwy zaporowej
dziury są unoszone do obszaru P a elektrony do N.
W przypadku złącza rozwartego
nośniki te są magazynowane tworząc
ładunki nieskompensowane – powstaje
siła elektromotoryczna – złącze jest
ogniwem fotoelektrycznym
.
Gdy złącze jest spolaryzowane
zaporowo, to nośniki generowane
przez światło wypływają do obwodu
zewnętrznego, zwiększając wartość
prądu w obwodzie – złącze pracuje
jako
fotodioda
.
U
I
E
= 0
E
>E >E
E
E
- 22 -
5. UKŁADY SCALONE
Układ scalony - mikrostruktura (mikrominiaturowy układ elektroniczny),
spełniająca określoną funkcję układową, w której
wszystkie lub część elementów wraz z połączeniami są
wykonane
nierozłącznie
w
jednym
cyklu
technologicznym wewnątrz lub na wspólnym podłożu.
Ze względu na
skalę scalenia
(stopień integracji) wyróżnia się układy:
małej skali scalenia
SSI
(
Small Scale Integration
), zawierające do
100 elementów;
średniej skali scalenia
MSI
(
Medium SI
), zawierające 100
1000
elementów;
wielkiej skali scalenia
LSI
(
Large SI
), zawierające 10
3
10
5
elementów;
bardzo wielkiej skali scalenia
VLSI
(
Very LSI
), zawierające
10
5
10
6
elementów;
super (ultra) wielkiej skali scalenia
SLSI
(
Super LSI
)
(
ULSI
)
(
Ultra
LSI
), zawierające powyżej 10
6
elementów.
Ze względu na
rodzaj techniki elektronicznej
wyróżnia się układy:
analogowe
- operujące sygnałem ciągłym w czasie;
cyfrowe
- ................?................;
mieszane
- ................?................
Ze względu na
rodzaj elementów czynnych
wyróżnia się układy:
bipolarne
– realizowane za pomocą tranzystorów bipolarnych;
unipolarne
- realizowane za pomocą tranzystorów polowych
(MOS).
- 23 -
Ze względu na
procedurę produkcji
wyróżnia się układy:
standardowe
-
wytwarzane wielkoseryjnie, z ustalonym schematem
elektrycznym i charakterystykami układu, bez możliwości zmian, za
wyjątkiem zawczasu przewidzianych
;
specjalizowane ASIC
(Application Specific Integrated Circuits) -
produkowane na zamówienie, nawet w niewielkich seriach, ze schematem
elektrycznym i charakterystykami układu określonymi przez odbiorcę w
ramach ustalonej przez producenta procedury
;
programowalne układy logiczne
– ich schemat funkcjonalny jest
ustalany przez końcowego użytkownika.
Ze względu na
sposób wykonania (technologię)
wyróżnia się układy:
monolityczne
hybrydowe
wszystkie elementy wraz z ich
połączeniami
są
wykonane
wewnątrz
i
na
powierzchni
warstwy
półprzewodnikowej
(krzemowej).
elementy elektroniczne są trwale
zamontowane
na
wspólnym
podłożu
dielektrycznym,
na
którym są również wykonane
wszystkie połączenia pomiędzy
elementami.
Elementami
scalonego
układu
hybrydowego mogą być elementy
elektroniczne
(wykonane
różnymi
technologiami)
nadające
się
do
mikromontażu, w tym – monolityczne
układy scalone.
Warstwa
półprzewodnikowa,
w
której wykonane są elementy MUS,
stanowi górną część półprzewodnikowej
płytki podłożowej (krzemowej). Warstwa
ta wraz z połączeniami i podłożem
stanowi
tzw.
strukturę
półprzewodnikową MUS.
Strukturę półprzewodnikową lokuje
się w
trakcie
mikromontażu
na
specjalnym
metalowym
szkielecie,
którego fragmenty, po rozdzieleniu w
późniejszej fazie produkcji, staną się
końcówkami układu.
W następnej fazie mikromontażu za
pomocą złotego drutu wykonuje się
połączenia
końcowych
węzłów
elektrycznych struktury z końcówkami
układu.
Ze względu na grubość warstw
rozróżnia się układy:
cienkowarstwowe (warstwy ok. 2
mikrometrów)
grubowarstwowe (warstwy od 5 do 50
mikrometrów)