background image

Temat i plan wykładu

Tranzystor jako element cyfrowy

1. Wprowadzenie

2. Tranzystor jako łącznik

3. Inwerter tranzystorowy

4. Charakterystyka przejściowa

5. Odporność na zakłócenia

6. Definicja czasów przełączania

7. Czas propagacji bramki

background image

Wprowadzenie

Technika cyfrowa jest obszarem wiedzy o całkowicie 
interdyscyplinarnym obliczu. Jej zagadnienia kształtowane z 
jednej strony przez języki opisu sprzętu, a z drugiej przez 
programowalne moduły logiczne, śmiało mogą być zaliczone 
zarówno do Informatyki, Elektroniki jak i Telekomunikacji. 
Techniki projektowania układów cyfrowych polegają juŜ nie tylko 
na składaniu układu z dostępnych komponentów, a raczej na 
procesie formalnej, abstrakcyjnej specyfikacji projektu w 
odpowiednim języku opisu sprzętu (HDL – Hardware Description 
Language) oraz na transformacji tej specyfikacji przy uŜyciu 
róŜnorodnych narzędzi komputerowego wspomagania projektowania 
CAD (Computer Aided Design). Technika cyfrowa ma wielki wpływ 
na wszystkie obszary ludzkiej aktywności; między innymi 
radykalnie przeobraziła metody i formy komunikacji społecznej 
zarówno w ujęciu zbiorowym jak i indywidualnym, a układy 
cyfrowe moŜna dziś znaleźć niemal w kaŜdym urządzeniu 
technicznym. 

background image

Wprowadzenie

W zaleŜności od technologii i techniki projektowania 
specjalizowane układy scalone klasyfikujemy w następujących 
kategoriach: 

a) układy zamawiane przez uŜytkownika (Full Custom),

b) układy projektowane przez uŜytkownika (Semi Custom),

c) układy programowane przez uŜytkownika (FPLD – Field 
Programmable Logic Devices).

Coraz większą rolę w technice cyfrowej odgrywają programowalne 
moduły logiczne (FPLD – Field Programmable Logic Devices), 
krótko zwane układami (strukturami) programowalnymi.

Układy programowalne to – z punktu widzenia struktury – układy 
typu matrycowego lub komórkowego, jednak z moŜliwością
programowania połączeń na drodze elektrycznej. W ich przypadku 
proces produkcyjny jest odmienny – producent dostarcza 
„prefabrykaty” projektantowi, który moŜe je zaprogramować u 
siebie „na biurku”.

background image

Charakterystyka przejściowa inwertera

background image

Definicja czasów przełączania

t

d

czas opó

ź

nienia (ang. delay time)

t

f

czas opadania (ang. fall time)

t

s

czas magazynowania (ang. storage time)

t

r

czas narastania (ang. rise time)

Czas magazynowania t

wyst

ę

puje przy zatykaniu 

tranzystora, podczas 
wychodzenia ze stanu 
nasycenia (U

CE

=U

CEsat

).

Je

Ŝ

eli U

CE

> U

CEsat

to t

s

=0.

Szybkie ł

ą

czniki – tranzystory 

nienasycone.

background image

Czas propagacji inwertera

Czas propagacji (T

d

) - określa czas opóźnienia

odpowiedzi układu na sygnał sterujący i jest podstawową
miarą szybkości działania układu cyfrowego.

background image

Temat i plan wykładu

Podstawowe bramki logiczne

1. Elementarne funkcje logiczne, symbole

2. Struktura bramek bipolarnych, CMOS i BiCMOS

3. Parametry bramek

4. Rodziny układów cyfrowych

5. Bramki transmisyjne

6. Elastyczność łączeniowa bramek

background image

Problemy z zakłóceniami

zakłócenia w linii 
transmisyjnej 

background image

… zakłócenie utrudnia (nie pozwala) 
wychwycenie niewielkich róŜnic pomiędzy 
sygnałami np. między 3,1 V a 3,2 V

background image

Sygnał z szumem (zakłóceniami)

Zakłócenia napięcia zasilającego

Zakłócenia uziemieniowe

background image

“1” margines zakłóceń: VIH - V0H

“0” margines zakłóceń:   VIL - V0L  

background image

System cyfrowy

Lepsza odporność na zakłócenia.

Wielkość marginesu zakłóceń
decyduje o odporności na 
zakłócenia.

background image

Co się kryje 
wewnątrz 
bramki 
cyfrowej?

background image

Definicja bramki logicznej

Bramki – scalone układy 

elektroniczne realizujące 

funkcje algebry Boole’a

background image

Formuła boolowska

background image

Operatory logiczne

background image

Operatory logiczne

background image

Modele prostych funktorów logicznych

A

A

Y

=

NOT

U

zaś

>+3V

A

A

Y

=

AND

U

zaś

>+3V

A

B

A

Y

=

B

A

B

B

A

Y

=

U

zaś

>+3V

A

B

A

Y

+

=

B

A

B

B

A

Y

+

=

NOR

background image

Funkcje i symbole

background image

Klasy układów cyfrowych

TTL (Transistor – Transistor - Logic) – układy TTL, 

ECL (Emiter – Coupled Logic) – układy o sprzęŜeniu emiterowym, 

MOS (Metal – Oxide - Semiconductor) – układy MOS, 

CMOS (Complementary MOS) – układy komplementarne MOS, 

BiCMOS (Bipolar CMOS) – układy ,,mieszane”, bipolarne CMOS, 
I

2

L (Integrated Injection Logic) – układy iniekcyjne, 

CTD (Charge Transfer Device) – układy o sprzęŜeniu ładunkowym, 

GaAs MESFET – układy GaAs. 

background image

Oznaczenia napięć i prądów układu cyfrowego

U

CC

- napięcie zasilania, I

CC

– prąd zasilania, U

I

(U

O

) –

napięcie wejściowe (wyjściowe)

background image

Budowa inwertera TTL i CMOS

a) inwerter TTL

b) inwerter CMOS

background image

Budowa TTL i CMOS

a) Bramka NAND LS-TTL,

b) bramka AND CMOS

background image

Parametry cyfrowych układów cyfrowych

Przy projektowaniu urządzeń z cyfrowymi
układami scalonymi istotne są następujące 
parametry:

∗ szybkość działania, 

∗ moc strat, 

∗ odporność na zakłócenia, 

∗ zgodność łączeniowa i obciąŜalność.

Przy konstrukcji systemów cyfrowych powinny 
być znane właściwości obudów oraz 
niezawodność cyfrowych układów scalonych.

background image

Szybkość działania – czas propagacji

TTL do 500MHz,     GaAs do 20GHz, 

ECL do 5GHz. 

background image

Częstotliwości graniczne układów cyfrowych

S

– bardzo szybka (Schottky)

LS

- małej mocy, bardzo szybka 

(Low power Schottky)

F

– bardzo bardzo szybka (Fast)

AS

– ulepszona, bardzo szybka 

(Advanced Schottky)

ALS

- ulepszona małej mocy, 

bardzo szybka 
(Advanced Low power Schottky)

background image

Straty mocy jako funkcja częstotliwości

( )

=

=

T

CCavr

CC

CC

CC

I

U

dt

t

I

T

U

P

0

background image

Źródła zakłóceń

• napięcia zasilającego,

• uziemieniowe,

• przesłuchowe w liniach transmisyjnych,

• odbiciowe w liniach transmisyjnych,

• zewnętrzne.

background image

Napięcia progowe i odporność na zakłócenia

Marginesy 
zakłóceń
wskazują, jaki 
poziom zakłóceń
nie spowoduje 
błędnego odczytu 
sygnału 
wejściowego w 
najgorszym 
przypadku.

U

LI max

-U

LO max 

- margines zakłóceń stanu niskiego

U

HO min

-U

HI min 

- margines zakłóceń stanu wysokiego

background image

Napięcia progowe i odporność na zakłócenia

background image

Poziomy napięć układów TTL

Wartości gwarantowane poziomów napięć logicznych na 
wejściu i wyjściu układów TTL, U

T

– próg przełączania 

bramki 

background image

W technice TTL są produkowane obecnie następujące serie:

TTL

– standard TTL – 74,

S

– bardzo szybka (Schottky) – 74S,

LS

- małej mocy, bardzo szybka (Low 
Power Schottky) – 74LS,

F

– bardzo bardzo szybka (Fast) – 74F,

AS

– ulepszona, bardzo szybka (Advanced 
Schottky) – 74AS,

ALS

- ulepszona małej mocy, bardzo szybka 

(Advanced Low Power Schottky) - 74ALS.

Rodziny bipolarnych układów cyfrowych TTL

background image

• Napięcie zasilające +5V (+4,75V do +5,25V), 
• sygnał wyjściowy: H > 2,4V L < 0,4V, 
• sygnał wejściowy: H > 2,0V L < 0,8V,
• obciąŜalność 10 – 48,
• współczynnik dobroci: D=t

p

P; 5-100 [pJ], 

maksymalna częstotliwość pracy: 

• TTL (25 MHz),
• TTL-S (125 MHz) diody Schottky'ego 2x pobór mocy,
• TTL-LS (33 MHz) trochę mniejszy pobór mocy,
• TTL-F (150 MHz),
• TTL-AS (200 MHz) 10x mniejszy pobór mocy w 

stosunku do TTL,

• TTL-ALS (50 MHz).

Podstawowe parametry układów TTL

background image

Bramka NAND z serii standardowej TTL (7400)

Y=A*B

4k

1,6k 130

1k

A

B

5V

Y=A*
B

A

B

A B Y

H H L

L H H

H L H

L L H

background image

Charakterystyka przejściowa bramki NAND TTL

Charakterystyka przejściowa podstawowej bramki NAND 
TTL serii standardowej, zaleŜność charakterystyki 
przejściowej od temperatury 

background image

Tranzystor Schottky’ego

background image

Własności:

•napięcia progowe oraz histereza,

• duŜa odporność na zakłócenia.

Zastosowania:

• przekształcanie wolnozmiennych sygnałów 
na impulsy o szybkich zboczach,

• przemiana napięcia sinusoidalnego na 
prostokątne,

• redukcja wpływu zakłóceń,

• proste układy multiwibratorów astabilnych. 

Układy z wejściem Schmitta

background image

Bramka z wejściem Schmitta

background image

Bramka NAND 1/4 7401 z otwartym 

kolektorem 

OC

symbol 
graficzny

Serie 74F38, 74ALS38B

background image

Bramka z otwartym drenem 

OD

• NaleŜy dołączyć zewnętrzny rezystor do V

CC

,

• bramka NAND (HC03).

background image

Bipolarna bramka trójstanowa (blokada wyjść)

R1

R2

R3

R4

U

CC

=5

V

T1

T2

T4

T5

A

Y

O
E

_
_

T3

R5

R6

R7

R8

T6

T7

T8

D

OE (Output Enable) 
wejście zezwalające

OE=L T6=L, T7,T8=zatkane

OE=H T7,T8=L T2,T4,T5=zatkane

__

__

background image

Sterowanie szyną danych

Konflikty na magistrali eliminuje specjalny układ.

background image

Trójstanowe wzmacniacze logiczne (ang. driver) są układami szeroko 
stosowanymi do sterowania komputerowymi szynami danych. KaŜde urządzenie 
(pamięć, urządzenie zewnętrzne itp.), które chce przekazywać dane na wspólną
szynę jest dołączone do tej szyny poprzez bramki trójstanowe (lub poprzez 
bardziej skomplikowane układy trójstanowe, takie jak rejestry). Obsługa 
urządzeń dołączonych do wspólnej szyny jest rozwiązana tak sprytnie, Ŝe w 
danej chwili wzmacniacze logiczne tylko jednego urządzenia są aktywne, 
natomiast wzmacniacze pozostałych urządzeń znajdują się w trzecim stanie 
(mają otwarte wyjścia). W typowej sytuacji wybrane urządzenie "dowiaduje 
się", Ŝe musi dostarczyć dane na szynę, rozpoznając swój własny adres na 
liniach adresowych i sterujących. W tym uproszczonym przypadku urządzeniu 
nadano adres 6. Dekoduje ono adres pojawiający się na liniach A

0

-A

2

i kiedy 

widzi na liniach adresowych swój adres (tzn. 6) i widzi impuls na linii Ŝądania 
odczytu (ang. read), umieszcza dane na szynie danych D

0

-D

3

. Taki protokół

szyny wystarcza w większości prostych systemów. Podobny układ jest 
wykorzystywany w większości mikrokomputerów. Zwracamy uwagę, Ŝe musi 
istnieć jakiś układ zewnętrzny, który zapewni takie sterowanie urządzeniami z 
wyjściami trójstanowymi, dołączonymi do wspólnej szyny, aby nie zdarzyło się
równoczesne uaktywnienie kilku urządzeń (taki niepoŜądany przypadek nazywa 
się formalnie "konfliktem na magistrali"). Wszystko jest w porządku tak długo, 
jak długo kaŜde urządzenie reaguje tylko na swój własny, róŜny od innych, 
adres.

background image

Przykłady obudów bramek TTL

background image

Układy scalone rodziny CMOS

KRÓTKI OPIS RODZINY 

• CMOS komplementarne tranzystory PMOS i NMOS bez rezystorów

• bardzo mała moc strat w stanie statycznym i przy małych 
częstotliwościach

• praca przy obniŜonym napięciu zasilania 3,3 V (± 0,3 V), 2,5 V (±0,2 
V), 1.8V (±0.15V), a nawet 0.8V

• np. straty mocy P=U

2

/R przy 5V i 3,3 V    

5

/ 3,3

≈ 2,3 raza

• większą szybkość działania niŜ układy pięciowoltowe

• znaczne zmniejszenie moc strat przy większych częstotliwościach 

• niŜszy poziom generowanych zakłóceń

elektromagnetycznych i

elektrycznych

• wyŜsza niezawodność pracy.

background image

Układy scalone rodziny CMOS

Układy CMOS moŜna ogólnie podzielić na cztery 
kategorie:

Układy  do  zastosowań masowych,  o  niewielkiej 

szybkości 

działania 

(układy 

zegarkowe, 

nie 

programowalne  układy  kalkulatorowe  z  napięciem 
zasilania 0.8 V ÷ 1,5 V).

∗ Układy programowalne (takie jak układy PLD i FPGA) 
i specjalizowane (ASIC). 

∗ Uniwersalne  układy  cyfrowe  LSI  i  VLSI,  głównie 
układy mikroprocesorowe i pamięciowe.

∗ Uniwersalne  układy  cyfrowe  SSI  i  MSI,  stanowiące 
funkcjonalne odpowiedniki układów TTL.

background image

Rodziny układów cyfrowych CMOS

background image

Zakresy typowych napięć rodziny CMOS

background image

Parametry układów CMOS rodzin trzywoltowych

background image

Budowa bramek scalonych

ChociaŜ bramki w wersjach TTL i CMOS 
spełniają tę samą funkcję logiczną to wartości 
poziomów logicznych, szybkość, moc zasilania, 
prądy wejściowe itp. róŜnią się znacznie w obu 
przypadkach. NaleŜy być ostroŜnym, gdy 
zamierza się uŜywać równocześnie obu rodzajów
bramek. Aby zrozumieć róŜnice, popatrzmy na 
schematy bramek NAND. Stopnie wyjściowe 
bramek TTL i CMOS zawierają obciąŜenie 
aktywne dołączone do szyny dodatniego napięcia 
zasilania.

background image

+

U

DD

i

Dp

i

Dn

u

O

u

I

M

n

M

p

=

=

=

=

=

Dp

Dn

DD

I

GSp

I

GSn

I

Ip

In

i

i

U

u

u

u

u

u

u

u

Inwerter CMOS

background image

Charakterystyki inwertera CMOS

background image

Łączenie obciąŜeń do wyjść bramek

background image

Łączenie obciąŜeń do wyjść bramek