1.
Jak określa się natężenie pola elektrycznego E w punkcie przestrzeni? Jakiego typu jest
to wielkość?
2.
Określ jednostkę E. Narysuj obraz pola E pochodzący od ładunku punktowego
umieszczonego w przestrzeni.
3.
Jak określa się natężenie pola elektrycznego E w punkcie przestrzeni? Jakiego typu jest
to wielkość?
4.
Określ jednostkę E. Narysuj obraz pola E pochodzący od ładunku punktowego
umieszczonego w przestrzeni.
5.
Wymień podstawowe wielkości charakteryzujące pole elektrostatyczne.
6.
Zdefiniuj pojęcie potencjału elektrycznego w punkcie pola.
7.
Co rozumie się pod pojęciem prądu elektrycznego?
8.
Wymień rodzaje prądów elektrycznych. Z czym związane jest ich występowanie?
9.
Wyjaśnij pojęcie: obwód elektryczny, schemat ideowy (elektryczny).Wymień elementy
obwodu elektrycznego.
10.
Scharakteryzuj: połączenie szeregowe oraz połączenie równoległe elementów
w obwodzie elektrycznym.
11.
Wymień elementy obwodu elektrycznego.
12.
Czego dotyczy I i II prawo Kirchhoffa? Przedstaw te prawa.
13.
W jaki sposób (rysunek) generuje się napięcie zmienne w obwodzie jednofazowym?
14.
Czym zajmuje się elektronika jako dziedzina nauki i techniki?
15.
Czym zajmuje się optoelektronika jako dziedzina nauki i techniki? Wymień procesy
optoelektroniczne jakie wykorzystywane są w praktyce.
16.
Wyjaśnij pojęcie mechatronika. Co oznacza, że łączy ona w sposób synergiczny wiedzę
z innych (jakich) dziedzin nauki i techniki?
17.
Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki.
18.
Przedstaw i opisz schemat wzrostu monokryształu otrzymywanego metodą
Czochralskiego.
19.
Wymień korzyści i niedogodności wynikające ze stosowania metody Czochralskiego.
20.
Co opisuje prawo Moore’a? W jakiej skali integracji (zdefiniuj pojęcie skali integracji)
wykonywane są współczesne układy scalone?
21.
Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
22.
Co oznacza, że sygnał jest sygnałem zdeterminowanym?
23.
Narysuj i opisz wzorem przebieg sygnału przemiennego ze składową stałą.
24.
Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice między tymi
sygnałami.
25.
Stosując jako kryterium klasyfikacji przebieg wielkości w funkcji czasu, dokonaj
podziału sygnałów zdeterminowanych (przedstaw graficznie przykłady tych sygnałów).
26.
Czym charakteryzuje się sygnał binarny? Przedstaw interpretację graficzną sygnału
binarnego w funkcji czasu.
27.
Co to jest: bit, bajt, słowo? Przedstaw strukturę słowa 16 bitowego.
28.
Przedstaw sposób przeliczania z systemu dziesiętnego na system binarny np. 175(10);
164(10) ….. .
29.
Przedstaw sposób przeliczania z systemu binarnego na system dziesiętny
np.1111101(2), 1111011(2)…... .
30.
Wyjaśnij, dlaczego sygnały sinusoidalne znajdują powszechne zastosowanie we
współczesnej energoelektryce i elektronice.
31.
Zdefiniuj pojęcie wartości średniej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)) (rys.). Określ
w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością
średnią prądu (I
śr
) bądź napięcia (U
śr
).
32.
Zdefiniuj pojęcie wartości skutecznej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)) (rys.).
Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną
wartością skuteczną prądu (I) bądź napięcia (U).
33.
Scharakteryzuj sygnał w postaci impulsu prostokątnego. Opisz jego podstawowe
parametry.
34.
Kiedy stosuje się względną miarę logarytmiczną (tzw. skalę decybelową [dB])> Jeżeli
liniowy stosunek napięć U2/U1 = 1/ 2(0,5; 1.0; 100) to odpowiada to w skali
decybelowej ….. [dB].
35.
Scharakteryzuj elektroniczne elementy bierne i aktywne. Podaj przykłady elementów
zaliczanych do poszczególnych grup.
36.
Określ sposoby charakteryzacji pasywnych i aktywnych elementów elektronicznych.
37.
Na przykładzie rezystora przedstaw w jaki sposób można scharakteryzować elementy
elektroniczne.
38.
Na przykładzie kondensatora przedstaw w jaki sposób można scharakteryzować elementy
elektroniczne.
39.
Na przykładzie tranzystora bipolarnego przedstaw w jaki sposób można scharakteryzować
elementy elektroniczne.
40.
Na przykładzie tranzystora unipolarnego PNFET przedstaw w jaki sposób można
scharakteryzować elementy elektroniczne.
41.
Narysuj charakterystykę I = f(U) dla dwóch wartości rezystancji R
1
i R
2
gdy R
2
> R
1
,wymień
podstawowe parametry rezystorów.
42.
Narysuj charakterystykę I = f(U) rezystora R=10 Ω o mocy 1 W. Na osi prądu zaznacz
obliczoną, dopuszczalną jego wartość (I
MAX
).
43.
R
1
= 50 Ω, R
2
= 30 Ω. Ile wynosić będzie wartość rezystancji rezystora zastępczego R,
gdy rezystory te połączymy szeregowo a ile gdy równolegle.
44.
Dla dzielnika napięcia jak na rysunku oblicz, na podstawie wyprowadzonego wzoru, ile
będzie wynosić U
wy
gdy: U
we
= 100V, R
1
=20 Ω, R
2
= 30 Ω.
45.
Dla dzielnika napięcia jak na rysunku oblicz, na podstawie wyprowadzonego wzoru, ile
będzie wynosić U
we
gdy: U
wy
= 5V, R
1
=10 Ω, R
2
= 20 Ω.
46.
Rezystory R
1
= 30 Ω, R
2
= 30 Ω i R
3
= 30 Ω połączono jak na rysunku poniżej. Oblicz
rezystancję zastępczą tego obwodu.
47.
Wymień i opisz podstawowe rodzaje polaryzacji dielektryka. Jaka stała charakteryzuje
zdolność dielektryka do jego polaryzowania?
48.
Jaką podstawową właściwością charakteryzuje się kondensator? Opisz wzorem
pojemność kondensatora płaskiego.
49.
C1 = 20 pF, C2 = 30 pF. Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C, gdy kondensatory
te połączymy szeregowo a ile, gdy połączymy je równolegle. Wymień podstawowe
parametry kondensatorów.
R
1
R
2
U
we
U
wy
→
I
R
1
R
2
U
we
U
wy
→
I
50.
Jak w zależności od stopnia uporządkowania ciała stałego klasyfikuje się ciała stałe?
Omów podstawowe cechy półprzewodnika monokrystalicznego.
51.
Jak w zależności od stopnia uporządkowania ciała stałego klasyfikuje się ciała stałe?
Omów podstawowe cechy półprzewodnika polikrystalicznego.
52.
Scharakteryzuj kryształ idealny i rzeczywisty. Czym jest defekt strukturalny? Opisz
naturę defektu sieci krystalicznej w postaci:
- luki węzłowej,
- atomów międzywęzłowych,
- dyslokacji.
53.
Jak we współczesnej teorii budowy atomów opisuje się elektron? Co to jest stan
kwantowy elektronu i czym skutkuje zmiana stanu kwantowego w wyniku
oddziaływania atomu z otoczeniem?
54.
Jaki elektron nazywamy walencyjnym, a jaki swobodnym?
55.
Jakie są najważniejsze cechy materiałów półprzewodnikowych? Wymień rodzaje takich
materiałów ze względu na skład chemiczny. Podaj przykłady współczesnych
materiałów półprzewodnikowych.
56.
Co to są półprzewodniki samoistne i niesamoistne? Narysuj model pasmowy takich
materiałów.
57.
Na modelu pasmowym przedstaw procesy:
- generacji prostej,
- generacji pośredniej,
- rekombinacji prostej,
- rekombinacji pośredniej.
Jakie są skutki występowania tych procesów w materiałach półprzewodnikowych?
58.
Narysuj jednowymiarowy model pasmowy ciała stałego. Na rysunku zaznacz
uproszczoną formę modelu pasmowego, wykorzystywaną do opisu zjawisk
zachodzących w materiałach półprzewodnikowych.
59.
Przedstaw półprzewodnik samoistny wykorzystując model pasmowy. Jakimi
właściwościami charakteryzuje się taki materiał półprzewodnikowy w temperaturze
T = 0K oraz T = 300K?
60.
Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu „n”,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego .
Jaki proces wystąpi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni się z T = 0K
do temperatury T = 300K?
61.
Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu „p”,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego .
Jaki proces wystąpi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni się z T = 0K
do temperatury T = 300K?
62.
Sklasyfikuj i omów ruch nośników prądu w półprzewodnikach.
63.
Co opisuje ruchliwość nośników w półprzewodniku i jak ten parametr zmienia się
(wykresy) w funkcji:
- koncentracji (N
d
),
- temperatury (T),
- natężenia pola elektrycznego (E).
64.
Co jest konsekwencją zróżnicowania ruchliwości w półprzewodniku typu n i p ?
65.
Zdefiniuj pojęcie konduktywności półprzewodnika. Omów, przyczynę zmian
konduktywności półprzewodnika od temperatury, przedstawionych na wykresie
lnσ = f(1/T).
66.
Wymień rodzaje złącz p-n.
67.
Przedstaw model pasmowy złącza p-n bez polaryzacji zewnętrznej.
68.
Przedstaw model pasmowy złącza p-n dla polaryzacji przewodzenia.
69.
Przedstaw model pasmowy złącza p-n dla polaryzacji zaporowej.
70.
Przedstaw mechanizm powstawania złącza p-n. Wyjaśnij pojęcia: bariera potencjału;
warstwa zaporowa; napięcie dyfuzyjne.
71.
Wymień podstawowe etapy procesu technologicznego, celem którego jest wykonanie
złącza p-n.
72.
Wymień założenia przyjmowane dla opisu idealnego złącza p-n.
73.
Przedstaw charakterystykę I = f (U) idealnego złącza p-n , opisz ją wzorem (wzór
Shockley`a), określ przedział zmian wartości współczynnika doskonałości złącza p-n – co
opisuje ten współczynnik?
74.
Omów przepływ nośników w złączu p-n dla kierunku przewodzenia.
75.
Omów przepływ nośników w złączu p-n dla kierunku zaporowego.
76.
Z charakterystyki logI = f(U) rzeczywistego złącza p-n wyznacz rezystancję szeregową.
Z czego wynika występowanie rezystancji szeregowej w złączu?
77.
Z charakterystyki logI = f(U) rzeczywistego złącza p-n wyznacz współczynnik
doskonałości złącza. Co opisuje i w jakim zakresie zmienia się ten współczynnik?
78.
Z charakterystyki logI = f(U) rzeczywistego złącza p-n wyznacz natężenie prądu
nasycenia Is w złączu p-n. Opisz naturę tego prądu.
79.
Narysuj charakterystyki I-U diod rzeczywistych wykonanych z różnych materiałów
półprzewodnikowych (german, krzem, arsenek galu), gdy diody te są spolaryzowane
w kierunku przewodzenia. Wyjaśnij różnice jakie występują między tymi
charakterystykami.
80.
Przedstaw charakterystykę logI = f(U) rzeczywistego złącza p-n (zaznacz wpływ
rezystancji szeregowej, wyznacz prąd I
s
).
81.
Narysuj charakterystyki I-U diod z różnych półprzewodników (Ge, Si, GaAs,) dla
kierunku przewodzenia. Wyjaśnij różnice jakie występują .
82.
Na symbolu diody prostowniczej oraz diody stabilizacyjnej spolaryzuj diodę napięciem
tak by możliwe było jej wykorzystanie w układzie prostownika czy też układzie
stabilizatora
szeregowego.
Narysuj
charakterystyki
I-U
tych elementów
półprzewodnikowych przy tych polaryzacjach.
83.
Z czego wynika występowanie w złączu p-n rezystancji szeregowej i równoległej?
Przedstaw sposób jej wyznaczania z charakterystyki I = f(U) złącza rzeczywistego.
84.
Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera. Zilustruj na modelu
pasmowym mechanizm tego zjawiska. Podaj praktyczny sposób wykorzystania tego
zjawiska.
85.
Opisz mechanizm termicznego przebicia rzeczywistego złącza p-n. W jakich warunkach
i kiedy złącze ulega takiemu przebiciu?
86.
Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia lawinowego. Zilustruj
mechanizm tego zjawiska.
87.
Czym jest przebicie złącza p-n? Wymień i opisz rodzaje przebić występujących
w przyrządach półprzewodnikowych.
88.
Przedstaw charakterystykę I = f (U) spolaryzowanej zaporowo diody stabilizacyjnej.
Wymień parametry charakteryzujące właściwości diody.
89.
Wyznacz z charakterystyki I = f (U) diody stabilizacyjnej jej rezystancję dynamiczną.
Jak wartość tej rezystancji zmienia się z funkcji napięcia przebicia U
p
? O czym
informuje oznaczenie diody stabilizacyjnej o symbolu BZX 85 – C4V7? Jaki rodzaj
przebicia wystąpi w takiej diodzie?
90.
Narysuj układ stabilizatora szeregowego. Przestaw zasadę działania tego układu
wykorzystując charakterystykę przejściową tego układu. Zdefiniuj i podaj zadawalające
wartości współczynnika stabilizacji dla takiego układu.
91.
Narysuj schemat blokowy zasilacza stabilizowanego.
Wyjaśnij jaką rolę w tym układzie spełnia:
- transformator
- układ prostownika z filtrem RC,
- układ stabilizatora szeregowego.
92.
Przedstaw charakterystykę przejściową układu szeregowego stabilizatora napięcia
zbudowanego z wykorzystaniem rezystora szeregowego R
S
i diody stabilizacyjnej
o rezystancji dynamicznej r
Z
. Opisz wzorem ile wynosić będzie zmiana napięcia na wyjściu
układu gdy napięcie wejściowe zmieni się o ΔU
we
.
93.
W jakim celu wykorzystuje się diodowe ograniczniki napięcia? Narysuj schemat
równoległego diodowego ogranicznika napięcia. Opisz działanie takiego układu.
94.
W jakim celu wykorzystuje się diodowe ograniczniki napięcia? Narysuj schemat szeregowego
diodowego ogranicznika napięcia. Opisz działanie takiego układu.
95.
Narysuj schemat układu dwustronnego ogranicznika napięcia z zastosowaniem uniwersalnej
diody półprzewodnikowej oraz diody Zenera o napięciu przebicia U
z
= 3,3V. Ile wynosić
będzie całkowita amplituda napięcia U
pp
na wyjściu układu?
96.
Przedstaw: symbol oraz podaj ogólną zasadę polaryzacji tranzystora bipolarnego npn
w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym zakresie pracy tranzystora bipolarnego
typu npn przedstawia się relacja między potencjałami elektrod tranzystora?
97.
Przedstaw: symbol oraz podaj ogólną zasadę polaryzacji tranzystora bipolarnego pnp
w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym zakresie pracy tranzystora bipolarnego
typu npn przedstawia się relacja między potencjałami elektrod tranzystora?
98.
Wyjaśnij pojęcie „tranzystor bipolarny z bazą jednorodną”, „tranzystor bipolarny
dryftowy”. Który z tych tranzystorów bipolarnych pracować będzie przy wyższych
częstotliwościach i dlaczego?
99.
Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu npn pracował w zakresie
aktywnym normalnym . Narysuj dla tranzystora tego typu układy pracy WBaza (OB.),
WEmiter (OE).
100.
Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu pnp pracował w zakresie
aktywnym normalnym . Narysuj dla tranzystora tego typu układy pracy WBaza (OB.),
WEmiter (OE).
101.
Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej normalnej
w układzie WEmiter (OE).
102.
Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej
w układzie WEmiter (OE).
103.
Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej normalnej
w układzie WBaza (OB).
104.
Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej
w układzie WBaza (OB).
105.
Zdefiniuj współczynnik α, β , α
c
. Podaj typowe wartości tych współczynników.
106.
Opisz rozpływ prądu w tranzystorze bipolarnym typu npn w układzie WBaza (OB).
107.
Opisz tranzystor bipolarny jako wzmacniacz mocy. Narysuj charakterystyki statyczne
WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie WEmitera (OE) (Zaznaczyć odcięcie
i nasycenie tranzystora).
108.
Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie
WBaza (OB) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie tranzystora).
109.
Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie
WEmiter (OE) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie tranzystora).
110.
Przedstaw model „czwórnikowy” z macierzą „h” opisujący pracę tranzystora
bipolarnego z małymi sygnałami.
111.
Przedstaw wykres wzmocnienia prądowego w układzie WEmitera (OE) od
częstotliwości (β=f(f)).
112.
Narysuj ogólny schemat układu wzmacniacza Określ: podstawową funkcję
wzmacniacza, podstawowy parametr tego układu. Zdefiniuj wzorem współczynniki
wzmocnienia (prądowego, napięciowego ,mocy) wzmacniacza.
113.
Przedstaw klasyfikację wzmacniaczy ze względu na zakres częstotliwości
wzmacnianych sygnałów.
114.
Co opisuje pojęcie "klasa pracy wzmacniacza"? Co to oznacza, że wzmacniacz pracuje
w klasie A?
115.
Narysuj schemat elektryczny układu wzmacniacza tranzystorowego małej
częstotliwości (m.cz.) w układzie WE ze sprzężeniem pojemnościowym na wejściu oraz
stabilizacją punktu pracy.
116.
Narysuj charakterystykę częstotliwościową układu wzmacniacza małej mocy, małej
częstotliwości zbudowanego z wykorzystaniem tranzystora bipolarnego pracującego
w układzie Wspólnego Emitera (WE). Przedstaw na niej jak definiuje się 3dB pasmo
przenoszenia takiego układu. Jakim pasmem przenoszenia charakteryzuje się taki
układ?
117.
Jakimi własnościami charakteryzuje się układ wzmacniacza napięciowego małej
częstotliwości (WE).
118.
Przedstaw klasyfikację tyrystorów i narysuj ich charakterystyki I = f (U).
119.
Przedstaw strukturę warstwową (model), model dwutranzystorowy, charakterystykę
I = f (U) tyrystora. Przedstaw wzór na I
A
. Określ warunek załączania.
120.
Przedstaw metody załączania tyrystora.
121.
Wyjaśnij określenie „ tranzystory polowe ”( unipolarne). Określ podstawowe różnice
między tranzystorami tego typu a tranzystorem bipolarnym.
122.
Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukturę rzeczywistą, symbol ogólny
i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu n.
123.
Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukturę rzeczywistą, symbol ogólny
i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu p.
124.
Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET z kanałem typu n. Zdefiniuj
i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : GDS
0
; g
ds
; I
DSS
.
125.
Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET z kanałem typu p. Zdefiniuj
i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : GDS
0
; g
ds
; I
DSS
.
126.
Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET z kanałem typu n. Zdefiniuj
i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : g
m
; U
p
; I
DSS
.
127.
Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET z kanałem typu p. Zdefiniuj
i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : g
m
; U
p
; I
DSS
.
128.
Przedstaw klasyfikacje tranzystorów MIS i opisz zasadę ich działania. Wymień
odmiany technologiczne tranzystorów MIS. Wymień i opisz odmiany „układowe”
tranzystorów MIS.
129.
Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie
wyłączonego z kanałem typu n.
130.
Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego
z kanałem typu n.
131.
Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego
z kanałem typu p.
132.
Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy scalone. Zdefiniuj pojęcie
„czas propagacji” bramki (rys).
133.
Przedstaw tabelę stanów logicznych bramki NOR i NAND. Co to oznacza , że bramka
pracuje w „logice dodatniej”?
134.
Przedstaw budowę i zasadę działania inwertera CMOS.
135.
Określ podstawowe parametry statyczne i dynamiczne (napięcie zasilania, stany
logiczne, charakterystyka przejściowa, moc tracona, czasy propagacji) układów TTL
i CMOS.
136.
Przedstaw charakterystykę przejściową bramki TTL. Zaznacz na niej oczekiwane
wartości napięć.
137.
Co to jest obciążalność bramki?
138.
Wymień podstawowe parametry rodziny układów TTL standard.
139.
Porównaj układy cyfrowe wytwarzane w technologii TTL i CMOS.
140.
Wyjaśnij skróty i symbole: 74S..., 74L..., 74LS..., 74AS..., 74ALS....
141.
Wymień cele i skutki scalania układów elektronicznych.
142.
Omów (narysuj) budowę tranzystora bipolarnego npn w krzemowym układzie
scalonym.
143.
Dokonaj klasyfikacji pamięci półprzewodnikowych.
144.
Wymień parametry pamięci półprzewodnikowych.
145.
Omów budowę zasadę działania komórki pamięci DRAM.
146.
Wyjaśnij korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces rekombinacji
promienistej prowadzący do spontanicznej emisji światła.
147.
Korzystając z modelu pasmowego złącza p-n przedstaw mechanizm spontanicznej emisji światła.
Jak należy spolaryzować złącze p-n by była ona możliwa?
148.
Przedstaw korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces
rekombinacji promienistej prowadzący do emisji stymulowanej. Czym charakteryzuje się tego
rodzaju emisja? W jakim przyrządzie półprzewodnikowym efekt ten wykorzystuje się?
149.
Przedstaw jak rodzaj występującej emisji i charakter charakterystyki widmowej zależy od
wartości napięcia zasilania złącza p-n.
150.
Przedstaw charakterystykę prądowo- napięciową (I = f (U)), charakterystykę widmową (np.
w zakresie promieniowania podczerwonego) oraz określ typową wartość sprawności
energetycznej diody LED. Od czego zależy długość fali generowanego w takiej diodzie
promieniowania?
151.
Wymień znane Ci przykłady zastosowań diod LED, białych diod LED. Od czego zależy długość
fali generowanego w takiej diodzie promieniowania?
152.
Jakie są zalety źródeł światła białego LED w porównaniu z klasyczną żarówką.
153.
Przedstaw zasady konstrukcji i działania, charakterystykę widmową diody LED emitującej
światło białe.
154.
Omów zasadę działania i budowę lasera półprzewodnikowego oraz określ warunki uzyskania
akcji laserowej w laserze pp
155.
Przedstaw zależność mocy promienistej lasera od prądu zasilającego.
156.
Wymień znane Ci zastosowania laserów półprzewodnikowych.
157.
Omów zasadę działania i budowę diody laserowej oraz określ warunki uzyskania emisji
wymuszonej w obszarze aktywnym.
158.
Jaką rolę spełniają fotodetektory? Omów wewnętrzne zjawisko
foto-elektryczne
w półprzewodniku samoistnym „i”, domieszkowym typu „n” i „p”. Określ warunek progowy
wewnętrznego zjawiska fotoelektrycznego dla tego rodzaju pp.
159.
Jak działa fotorezystor? Przedstaw: symbol, przekrój przez konstrukcję. Jakich materiałów jest
wykonywany(przykłady)? Przedstaw charakterystykę prądowo-napięciową (I = f(U))
fotorezystora gdy zmienia się natężenie padającego światła na jego powierzchnię. ? W jakich
warunkach fotorezystor charakteryzować będzie się największą wartością rezystancji?
160.
Omów zasadę działania fotodiody wykorzystywanej jako fotodetektor. Przedstaw jej symbol, ch-
kę I = f(U) uwzględniający pojawienie się fotoprądu gdy element ten oświetlimy. Przy jakiej
polaryzacji dioda wykorzystywana jako fotodetektor pracuje?
161.
Jak działa fototranzystor? W jaki sposób zachodzi w nim wewnętrzne wzmocnienie prądu
fotoelektrycznego? Przedstaw jego budowę i charakterystykę wyjściową przy sterowaniu
strumieniem promieniowania.
162.
Scharakteryzuj półprzewodnikowy przyrząd optoelektroniczny jakim jest transoptor. Podaj
przykłady takich elementów. Narysuj typowe charakterystyki przenoszenia sygnałów
elektrycznych pomiędzy wejściem i wyjściem transoptora dioda LED – fotodioda.
163.
W jaki sposób na zaciskach złącza p-n wykorzystywanego jako fotoogniwo pojawia się siła
elektromotoryczna? Jak spolaryzowane jest wówczas złącze? Podaj przykład wykorzystania
takiego fotoelementu.
164.
Narysuj ch-kę I = f(U) fotoogniwa. Zdefiniuj podstawowe parametry opisujące ten element
i przykłady jego zastosowania.
Zagadnienia odznaczone kolorem zielonym będą obowiązywać, o ile ten
zakres materiału zostanie omówiony na wykładzie.