background image

34

Podstawy Technologii Komputerowych

Podstawy Technologii Komputerowych

dr inż. Krzysztof MURAWSKI

dr inż. Krzysztof MURAWSKI

mgr inż. Józef TURCZYN

mgr inż. Józef TURCZYN

Tel.: 6837752, E

Tel.: 6837752, E

-

-

mail

mail

: k.

: k.

murawski

murawski

@

@

ita

ita

.

.

wat

wat

.

.

edu

edu

.

.

pl

pl

background image

35

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

36

Wykaz najważniejszych oznaczeń

Wykaz najważniejszych oznaczeń

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

37

Wykaz najważniejszych oznaczeń

Wykaz najważniejszych oznaczeń

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

38

Wykaz najważniejszych oznaczeń

Wykaz najważniejszych oznaczeń

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

39

Rodzaje diod półprzewodnikowych

Rodzaje diod półprzewodnikowych

Diody półprzewodnikowe

Germanowe

Krzemowe

Małej mocy

Prostownicze średniej

i dużej mocy

Detekcyjne

Fotodiody

Luminescencyjne

Małej mocy

Prostownicze średniej

i dużej mocy

Małej

częstotliwości

Dużej

częstotliwości

Stabilizacyjne

(Zenera)

Fotodiody

Impulsowe

Pojemnościowe

Warikapy

Waraktory

Diody Schottky’ego

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

40

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

Anoda

Katoda

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

41

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

Rezystor

Anoda

Katoda

Rezystor

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

42

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

F

I

Rezystor

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

43

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

R

I

Rezystor

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

44

Charakterystyka diody

Charakterystyka diody

MAX

R

U

MAX

F

I

F

I

F

U

F

I

R

I

[ ]

mA

[ ]

V

[ ]

V

[ ]

A

µ

P

U

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

45

Charakterystyka diody

Charakterystyka diody

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

20

40

60

80

100

[ ]

F

I mA

[ ]

D

U V

Ge

Si

0.4

Ge

F

U

V

=

0.65 ~ 0.7

Si

F

U

V

=

0.1

MAX

F

F

I

I

=

i

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

46

Charakterystyki diod w kierunku przewodzenia

Charakterystyki diod w kierunku przewodzenia

[ ]

I mA

[ ]

U V

0

5

10

0.2

0.4

0.6

0.8

1

Dioda

Schotky'ego

Dioda pn(Si)

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

47

Wsteczne charakterystyki statyczne diod 

Wsteczne charakterystyki statyczne diod 

Zenera

Zenera

[ ]

Z

I A

[ ]

Z

U V

0

6

10

0.2

0.4

0.6

0.8

1

B

Z2

D

12

8

12

max

5

P

W

=

0

25

t

C

=

B

Z2

D

10

B

Z

2D

8V

2

B

Z

2D

6V

8

Z

R

L

R

Z

D

WE

U

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

48

Ogólne zasady oznaczeń 

Ogólne zasady oznaczeń 

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP  95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

49

Ogólne zasady oznaczeń 

Ogólne zasady oznaczeń 

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP  95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

50

Ogólne zasady oznaczeń 

Ogólne zasady oznaczeń 

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP  95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

51

Ogólne zasady oznaczeń 

Ogólne zasady oznaczeń 

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP  95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

52

Parametry diod prostowniczych

Parametry diod prostowniczych

Parametry dopuszczalne /t

amb

=25

o

C/ 

Parametry charakterystyczne 

/t

amb

=25

o

C/ 

przy przy

przy 

U

RWM

U

RSM

 

I

O

 

I

FSM

 

t

j

 t 

t

j

 

U

F

 

I

F

 

I

R

 

U

R

 

V V  A  A 

o

C ms 

o

C V  A µA  V 

Typ 

Zasto-

sowanie 

Obudowa 

nr rys. 

max

max max  max  - 

-  max

max  -  max  - 

DK 60 

1/ 

24 

300 

0,6 

100 

125 

1,2 

0,6 

10 

300 

DK 61 

1/ 

24 

500 

0,6 

100 

125 

1,2 

0,6 

10 

500 

DK 62 

1/ 

24 

700 

0,6 

100 

125 

1,2 

0,6 

10 

700 

DK 63 

1/ 

24 

100 

0,6 

100 

125 

1,2 

0,6 

10 

100 

BYP 401-50 

2/ 

19 

50 

50 

25 

10 

175 

1,1 

50 

BYP 401-100

2/ 

19 

100 

50 

25 

10 

175 

1,1 

100 

BYP 401-200

2/ 

19 

200 

50 

25 

10 

175 

1,1 

200 

BYP 401-400

2/ 

19 

400 

50 

25 

10 

175 

1,1 

400 

BYP 401-600

2/ 

19 

600 

50 

25 

10 

175 

1,1 

600 

BYP 401-800

2/ 

19 

800 

50 

25 

10 

175 

1,1 

800 

BYP 401-1000 

2/ 

19 

1000

50 

25 

10 

175 

1,1 

1000 

BYP 660-50R

1/ 

23 

50 

0,6 

15 

10 

125 

1,0 

0,6 

10 

50 

BYP 660-100R 

1/ 

23 

100 

0,6 

15 

10 

125 

1,0 

0,6 

10 

100 

BYP 660-300R 

1/ 

23 

300 

0,6 

15 

10 

125 

1,0 

0,6 

10 

300 

 

U

RWM

– szczytowe napięcie wsteczne; 

U

RSM

– niepowtarzalne szczytowe napięcie 

wsteczne; 

I

O

– średni prąd wyjściowy; 

t

j

– temperatura złącza;

t

– czas przejścia;

U

F

– stałe napięcie przewodzenia; 

I

F

– prąd przewodzenia; 

I

R

– prąd wsteczny diody; 

U

R

– stałe napięcie wsteczne diody.

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

53

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

54

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

55

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

56

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

57

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

58

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

DO-35

LLP75-3A

LLP75-3B

MicroMelf

SOD-123

SOT-123

MiniMelf (SOD80)

SOD-323

SOD-523 (SC79)

DO-214AC

DO-41

MelfPlastic

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

59

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

MelfGlas

SOD-57

SOD-64

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

60

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

61

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

62

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

63

Zdejmowanie charakterystyki diody

Zdejmowanie charakterystyki diody

A

R1 = 1K

 

V

F

I

F

U

Z

U

R

I

A

R1=1K

 

V

R

U

Z

U

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

64

Przełączania diody

Przełączania diody

A

B

C1

R2 = 3K

R3 = 100

OSC

A

B

GND

0

G

U

V

<

15

CC

U

V

= +

F

I

R

I

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

65

Prostujące działanie diody

Prostujące działanie diody

A

B

C1

R

OSC

A

B

GND

G

1

U

2

U

L

R

D

B

A

R

C1

OSC

A

B

GND

G

1

U

2

U

L

R

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

66

Łącze optyczne bezprzewodowe

Łącze optyczne bezprzewodowe

 

Ucc = +5V

 

 

B

A

R1

OSC

A

B

GND

1

D

2

D

G

G

U

1

D

U

F

I

R

I

2

R

U

G

U

1

2

D

R

U
U

L

2

R

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

67

Analogowa bramka diodowa

Analogowa bramka diodowa

Ucc = +5V

A

B

OSC

A

B

GND

C1

C2

R1

R2

G

1

U

2

U

S

U

L

R

1

2

,

1

10

L

R R

K

R

K

=

=

D

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

68

Cyfrowa bramka diodowa

Cyfrowa bramka diodowa

Ucc = +5V

 

 

 

 

D1

D2

R=1K

A

V

Z

U

A

U

B

U

1

D

I

2

D

I

F

U

A

B

F

F(A,B) = ?

F(A,B) = ?

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

69

Cyfrowa bramka diodowa

Cyfrowa bramka diodowa

 

 

 

 

D2

D1

V

A

R=1K

Z

U

A

U

B

U

A

B

1

D

I

2

D

I

F

U

F

F(A,B) = ?

F(A,B) = ?

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

background image

70

Konwencje logiczne

Konwencje logiczne

Konwencja

Napięcie zasilania

Dodatnia (+)

Ujemna (-)

Dodatnie (+)

⇒ 0V

⇒ +U

⇒ +U

⇒ 0V

Ujemne (-)

⇒ -U

⇒ 0V

⇒ 0V

⇒ -U

W komputerach II generacji,

W komputerach II generacji,

na tranzystorach 

na tranzystorach 

PNP

PNP

, np. ODRA 1304 (1968r.)

, np. ODRA 1304 (1968r.)

Obecnie np. TTL:

Obecnie np. TTL:

„0” 

„0” 

(0 

(0 

0.4V);

0.4V);

1

1

(2.4 

(2.4 

5.0V).

5.0V).

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN