background image

 

 

 

 

 

 

PODSTAWY TECHNIKI  

WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI  

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

 

ROZDZIAŁ 1: Teoria propagacji i prowadnice 

falowe. W1, W2, W3 

 

Wprowadzenie – Zakresy częstotliwości 

 

 

Rys.1.1. Zakresy widma promieniowania elektromagnetycznego 

  

Mikrofale - fale elektromagnetyczne, których zakres częstotliwości rozciąga się od 300 MHz do około 
1000 GHz.  
W zakresie tym: 

 

Rozmiary mikrofalowych elementów i obwodów są porównywalne do długości fal, na których 
pracują.  

 

Czas propagacji porównywalny lub wielokrotnie dłuŜszy od okresu drgań.  

 

W zakresie częstotliwości mikrofalowych mamy do czynienia z efektem naskórkowości.  

 

Podstawowym pomiarem zakresu mikrofal jest pomiar mocy. 

background image

 

 

Rys.1.2. Podstawowe podpasma częstotliwości zakresu mikrofal 

  

Podstawowe zastosowania 

1. Telekomunikacja. 

 

Telekomunikacja satelitarna  

 

Telewizja satelitarna i kablowa  

 

Radiolinie  

 

Telekomunikacja ruchoma 

2. Radiolokacja. 

 

Radarowe wykrywania obiektów  

 

Kontrola ruchu lotniczego.  

 

Naprowadzanie rakiet i antyrakiet  

 

Radary antykolizyjne  

 

Radionawigacja 

3. Nauka. 

 

Radioastronomia.  

 

Geonawigacja  

 

Wzorce i miernictwo czasu  

 

Spektrometria mikrofalowa  

 

Miernictwo parametrów materiałów  

 

Akceleratory cząstek 

4. Medycyna. 

 

Termografia mikrofalowa  

 

Hypertermia mikrofalowa. 

5. Zastosowania domowe. 

 

Kuchnie mikrofalowe  

 

Alarmy przeciwwłamaniowe. 

6. Przemysł. 

 

Grzejnictwo mikrofalowe  

 

Pomiary wilgotności materiałów  

 

Pomiary odległości  

 

Suszenie materiałów  

 

Czyszczenie i pokrycia powierzchni 

7. Rolnictwo. 

 

Uzdatnianie gleby  

 

Niszczenie szkodników  

 

Kontrola stanu wegetacji roślin  

 

Wykrywanie poŜarów lasów 

  

 
 
 
 
 

background image

 

 

Równania Linii Długiej 

 

Linia dwuprzewodowa 

 

Dwuprzewodowa linia długa, oznaczenia prądu i napięcia w kierunku propagacji z

 

Rys.1.3. Dwuprzewodowa linia długa 

u(t,z) - chwilową wartość napięcia, 

i(t,z) - chwilową wartość prądu. 

u(t,z) i i(t,z) są funkcjami czasu i miejsca. 

 

Pytanie.: Jak propagują się zmiany napięcia u(t,z) i prądu i(t,z) wzdłuŜ linii długiej?  

 

Obwód zastępczy elementarnego czwórnika o długości dz

 

Rys.1.4. Obwód zastępczy elementarnego odcinka. 

Wprowadzono następujące oznaczenia: 

R[

 /m] - rezystancja na jednostkę długości. 

L[H/m] - indukcyjność na jednostkę długości. 

G[S/m] - przewodność na jednostkę długości. 

C[F/m] - pojemność na jednostkę długości. 

background image

 

  

Równania telegrafistów 

 

Odpowiedź

Zmienne u i i opisane są wyprowadzonym przez Kelvina równaniami 

róŜniczkowymi, zwanymi 

równaniami telegrafistów

.  

 

Przyrosty du i di napęcia i prądu: 

 

 

MoŜna teraz napisać 2 równania róŜniczkowe: 

 

 

ZałoŜenie 1u i są harmonicznymi funkcjami czasu - wielkości te są sinusoidalnymi funkcjami 
czasu o pulsacji 

ω

ω

ω

ω

 .  

 

Wprowadzamy: 

U(z) - zespolona amplituda napięcia, 

I(z) - zespolona amplituda prądu. 

 

 

Wprowadzamy: 

 

 

 

ZałoŜenie 2; Linia jest jednorodna, Z i Y nie zmieniają się z odległością  

 

Końcowa postać równań telegrafistów: 

 

 

 

Identyczny kształt równań róŜniczkowych uzyskujemy z równań Maxwella dla pól E i H. 

  

  

 

 

background image

 

Fale: postępująca i odbita 

 

Rozwiązania równań telegrafistów mają postać: 

 

 

 

Interpretacja rozwiązania:  

 

U

1

, I

1

 - stałe całkowania - zespolone amplitudy napięcia i prądu fali rozchodzącej się w kierunku 

z, nazywanej 

falą postępującą,

  

 

U

2

, I

2

 - stałe całkowania - zespolone amplitudy napięcia i prądu fali rozchodzącej się w kierunku 

przeciwnym do nazywanej 

falą odbitą, albo wtórną

 

 

Pamiętamy: Dla kaŜdego typu prowadnicy falowej, w której propagowany jest jeden mod fali, 
moŜna przyjąć obwód zastępczy w postaci linii dwuprzewodowej.  

  

Stała propagacji 

 

Wprowadzony współczynnik 

γ

 nazywamy stałą propagacji 

 

α

 - stała tłumienia, 

β

 - stała fazowa. 

 

Stała tłumienia

 

α

 (Np/m) decyduje o szybkości strat mocy fali biegnącej wzdłuŜ linii. 

 

 

Stała fazowa

 

β

 (rad/m) decyduje o szybkości zmian fazy fali biegnącej wzdłuŜ linii, a tym 

samym o długosci fali 

λ

  

 

Problem: Jak 

α

 i 

ββββ

 zaleŜą od R,G,L iC? 

 

 

ZałoŜenie: 

 

 

 

  

  

 

 

background image

 

Prędkość fazowa i grupowa 

 

Prędkość fazowa v

f

 propagowanej fali jest prędkością przesuwania się płaszczyzny stałej fazy. 

 

 

Prędkość grupowa vg

 propagowanej fali jest prędkością przepływu energii. 

 

 

Przypomnienie:  

 

W prowadnicach falowych typu TEM prędkości fazowa i grupowa są sobie równe.  

 

W falowodach prostokątnych i cylindrycznych , w których propagowane są mody TE albo TM, 
prędkości fazowa i grupowa róŜnią się.  

  

Impedancja charakterystyczna 

 

Stosunki zespolonych amplitud napięcia i prądu dla obu propagowanych fal są sobie równe z 
dokładnością do znaku i nazwane 

impedancją charakterystyczną Z

0

 

 

Impedancja charakterystyczna Z

0

 jest funkcją rozmiarów prowadnicy i parametrów ośrodka. 

 

 

Dla prowadnicy bezstratnej Z

0

 jest rzeczywiste.  

 

Dla prowadnicy z małymi stratami przyjmuje się takŜe, Ŝe Z

0

 jest rzeczywiste. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

 

Fale w jednorodnej prowadnicy falowej 

 
 

Napięcie i prąd wzdłuŜ linii  

 

Rys.1.5. Układ: generator, linia długa, obciąŜenie 

 

Rozwiązania równań z nowymi oznaczeniami:  

 

Up, Ip - zespolone amplitudy napięcia i prądu fali pierwotnej, padającej.  

 

UwIw - zespolone amplitudu napięcia i prądu fali odbitej, wtórnej.  

 

Odległość l liczona od końca linii: 

 

 

 

 

- Dla bezstratnej prowadnicy falowej, gdy 

γ

 =j

ββββ

 

 

 

 

ObciąŜenie reprezentowane przez impedancję:  

 

 

NaleŜy zauwaŜyć, Ŝe UL=U(l=0); IL=I(l=0), czyli: 

background image

 

 

w rezultacie: 

 

 

Wnioski:  

 

Wartość amplitudy Uw napięcia fali odbitej zaleŜy nie tylko od ZL, ale takŜe od wartości 
impedancji charakterystycznej Z

L

.  

 

Gdy Z

L

 = Z

0

 w prowadnicy nie pojawi się fala odbita; jednowrotnik jest dopasowany do 

impedancji charakterystycznej prowadnicy falowej, obciąŜenie jest bezodbiciowe.  

 

W równaniach na U(l) I(l) moŜna zastąpić UpUwIp i Iw przez ZLUL i IL.  

 

W ogólnym przypadku, gdy 

γγγγ

 jest zespolone: 

 

 

 

Dla bezstratnej prowadnicy, gdy 

γ

 = j

β

 , równania upraszczają się do postaci:  

 

 

Współczynnik odbicia  

 

Współczynnik odbicia 

Γ

 jest zespoloną miarą niedopasowania obciąŜenia do impedancji 

charakterystycznej Z

0

 

Definicja: 

 

 

Na końcu linii, dla l = 0

Γ

 (l = 0) = 

ΓΓΓΓ

 

L

background image

 

10 

 

 

Współczynnik odbicia 

Γ

 

L

 -podobnie jak Z

L

 lub Y

L

- jest parametrem charakteryzującym 

jednowrotnik/obciąŜenie umieszczone na końcu linii. 

Współczynnik odbicia 

Γ

 (l) zaleŜy od wartości 

Γ

 

L

 na końcu linii: 

 

 

Napisana zaleŜność nazywana jest 

równaniem transformacji współczynnika odbicia. 

 

Wskaz 

Γ

 wiruje zgodie ze wskazówkami zegara, dla linii bezstratnej 

 

 

Rys.1.6. Transformacja współczynnika odbicia wzdłuŜ linii. 

 

ObciąŜenie reprezentowane jest przez impedancję Z

L

=R

L

+jX

L

. Wtedy: 

 

 

Analizując otrzymany wzór moŜna znaleźć kilka charakterystycznych przypadków: 

 

Przypadek 1: Stan dopasowania: 

 

 

Przypadek 2: Stan pełnego odbicia mocy, obciąŜenie jest czystą reaktancją: 

 

 

 

Przypadek 3:  

background image

 

11 

 

 

Część mocy fali padającej zostaje pochłonięta, amplituda fali odbitej jest zawsze mniejsza od 
amplitudy fali padającej.  

 

Przypadek 4:  

 

 

Gdy amplituda fali odbitej jest większa od amplitudy fali padającej, mamy do czynienia ze 

wzmocnieniem mocy

, z 

obciąŜeniem aktywnym

, które w modelu impedancyjnym 

reprezentowane jest przez ujemną rezystancję. 

 

Logarytmiczną miarą współczynnika odbicia są 

straty odbicia Lr

 (ang. return loss), definiowane 

następująco: 

 

Fala stojąca 

 

Znając 

Γ

 (l) moŜna określić wartości amplitud napięcia i prądu na linii: 

 

 

Wskazy napięcia U

L

 i prądu I

L

 

 

Rys.1.7. Napięcie i prąd wzdłuŜ linii. 

 

Kąt fazowy 

φ

 

L

 między U

L

 i prądu I

L

 zaleŜy od impedancji obciąŜenia:  

background image

 

12 

 

 

Przy przesuwaniu się wzdłuŜ linii napięcie U(l) zmienia się: 

 

 

Rys.1.8. Moduł U(l) napięcia wzdłuŜ linii. 

 

Narysowany przebieg jest funkcją okresową o okresie 

λ

 /2, co oznacza, Ŝe:  

 

odległość między kolejnymi maksimami, lub minimami równa jest 

λ

 /2,  

 

odległość między maksimum a minimum równa jest 

λ

 /4. 

 

W przypadku, gdy 

||||

 

ΓΓΓΓ

 

||||

 =1 mamy do czynienia z czystą falą stojącą.  

 

Moduł napięcia wzdłuŜ linii zapisze się dla przypadku 

ψ

 

k

=0 następująco: 

 

 

Moduł prądu wzdłuŜ linii: 

 

  

background image

 

13 

 

Rys.1.9. Napięcie i prąd wzdłuŜ linii dla czystej fali stojącej. 

Współczynnik fali stojącej 

 

Współczynnik fali stojącej 

ρ

 jest stosunkiem maksymalnej i minimalnej wartości modułu napięcia 

na linii. 

 

 

Współczynnik fali stojącej - WFS - jest miarą modułu współczynnika odbicia, jest jednym z 
parametrów charakteryzujących jednowrotnik: 

 

 

Znając impedancję Z

L

 moŜna obliczyć 

ρ

 : 

 

 

Charakterystyczne przypadki obciąŜenia linii: 

 

Przypadek 1: 

 

 

Przypadek 2: 

 

 

Gdy Z

L

 = R

L

ρ

 jest znormalizowaną względem Z

0

 miarą R

background image

 

14 

 

Rys.1.10. Moduł współczynnika odbicia od WFS. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

15 

Przepływ mocy 

 

Postawienie problemu 

 

Celem rozwaŜań jest określenie mocy występujących w tym prostym układzie: generator, 
prowadnica obciąŜenie.  

o

 

moce fal pierwotnej i odbitej,  

o

 

moc wydzieloną w obciąŜeniu,  

o

 

maksymalną moc, którą moŜe dostarczyć generator i kiedy to moŜe nastąpić. 

 

Rys.1.11. Układ: generator, prowadnica i obciąŜenie. 

 

Generator reprezentowany parametrami źródła E

G

 i Z

G

.  

 

Prowadnica falowa - jednorodna i bezstratna, opisana przez: Z

0

 i 

β

 l:  

 

 

ObciąŜenie - jednowrotnik charakteryzowany jest przez Z

L

, Y

L

 bądź 

Γ

 

 

 

U

w

 i U

p

 - zespolone amplitudy napięć fal  

 

a i b - zespolone i znormalizowane amplitudy napięć fal  

 

 

 

 

 

 

  

background image

 

16 

Generator mikrofalowy 

 

Generator jest “odseparowany od obciąŜenia”, gdy zmiany impedancji obciąŜenia nie zmieniają 
warunków generacji, m.in. jego częstotliwości. 

 

Rys.1.12. a) Szeregowy obwód zastępczy generatora b) Obwód równoległy, c) Graf przepływu 

sygnału . 

 

Szeregowy obwód zastępczy - idealne źródło napięciowe E

G

 o impedancji wewnętrznej Z

G

.  

 

Równoległy obwód zastępczy - źródło prądowe o wydajności I

G

 i admitancji wewnętrznej Y

G

 

 

Zachowanie się generatora mikrofalowego moŜna opisać zaleŜnością, wiąŜącą amplitudy a

G

 i b

G

 

fal wypływającej i powracającej do generatora: 

 

 

 

Moce fal 

 

Przypadek 1: Z

L

=Z

0

Γ

 

G

=0; 

Γ

 

L

=0, wtedy U

w

=b

L

=0.  

 

Napięcie na zaciskach obciąŜenia równe jest: 

 

 

Moc P

L

 wydzielona w obciąŜeniu: 

 

background image

 

17 

 

 

Nie ma fali odbitej, moc fali pierwotnej P+: 

;  

 

Przez analogię moc fali odbitej P-: 

 

 

Przypadek 2:  

Z

L

Z0, 

Γ

 

G

=0. 

 

Moce: niesioną przez falę padającą P+ i odbitą P-, moc wydzieloną w jednowrotniku P

L

 łączy 

bilans: 

 

 

 

Argument współczynnika odbicia nie ma wpływu na bilans mocy. 

 

 

Dopasowanie energetyczne i moc dysponowana 

generatora  

 

Przypadek 3: 

Z

L

Z0, 

Γ

 

G

 

background image

 

18 

 

Równania wiąŜące wielkości i graf: 

 

 

Rys.1.13. Graf przepływu sygnału w układzie 

 

Rozwiązanie grafu: 

 

 

Odległość między generatorem a obciąŜeniem wpływa na wartość mocy niesionej przez falę 
pierwotną. 

 

 

- moc niesiona przez falę pierwotną w warunkach dopasowania.  

 

W zaleŜności powyŜszej P+ jest > lub < od P

G0

; stosunek maksymalnej do minimalnej mocy moŜe 

zmieniać się w szerokich granicach: 

 

 

Moc wydzielona w obciąŜeniu: 

 

background image

 

19 

 

 

Moc w obciąŜeniu jest maksymalna, gdy:  

 

 

Jest to warunek dopasowania energetycznego, który moŜe być zapisany formułą impedancyjną: 

 

 

- Z

L

’ jest impedancją obciąŜenia widzianą przez generator.  

 

W warunkach dopasowania energetycznego moc wydzielona w umieszczonym na końcu 
prowadnicy jednowrotniku jest maksymalna i nazywana mocą dysponowaną generatora (ang. 
available power).  

 

 

Znamy dopasowanie dwojakiego rodzaju:  

 

dopasowanie impedancji obciąŜenia Z

L

 do impedancji charakterystycznej Z

0

 prowadnicy falowej, 

co jest równoznaczne warunkowi bezodbiciowości,  

 

dopasowanie impedancji obciąŜenia Z

L

 do impedancji wewnętrznej generatora Z

G

, co jest 

równoznaczne warunkowi dopasowania energetycznego

  

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

20 

 
 

Transformacja impedancji i wykres Smitha 

 

Równanie transformacji impedancji 

 

Odpowiemy na pytanie, jak zmieni się impedancja Z

L

 przez dodanie odcinka prowadnicy falowej 

o odpowiedniej długości l i przez dobór jej impedancji charakterystycznej Z

0

.  

 

Rys.1.14. Odcinek prowadnicy falowej zakończony impedancją Z

 

W płaszczyźnie odległej o l od końca napięcie i prąd: U(l) i I(l).  

 

Odcinek prowadnicy o długości l i impedancji charakterystycznej Z

0

 oraz impedancję Z

L

 moŜna 

zastąpić impedancją Z(l), równą: 

 

- a po wprowadzeniu współczynnika odbicia: 

 

Przypadek 1:  

Dla linii ze stratami, o stałej propagacji 

γ

 = 

α

 +j

β

 impedancja Z(l) zapisze się następująco: 

 

- Po wprowadzeniu zaleŜności 

Γ

 

L

 od Z

L

 

background image

 

21 

 

Otrzymana zaleŜność nazywana jest równaniem transformacji impedancji. 

 

Podobną zaleŜność otrzymuje się dla admitancji: 

 

Przypadek 2:  

Linia bezstratna, 

γ

 = j

β

  

 

 

Po przekształceniach otrzymujemy równanie transformacji impedanji z tangensami: 

 

 

Podobnie dla admitancji: 

 

Wnioski: 

1.

 

Impedancja Z(l) jest funkcją Z

L

, Z

0

β

 l,  

2.

 

Impedancja Z(l) jest okresową funkcją odległości, Z(l)=Z(l+

λ

 /2), a okresem jest 

λ

 /2, 

  

Szczególne przypadki 

Przypadek 3: 

 

Gdy Z

= Z

0

 to 

 

 

Wniosek: W kaŜdym punkcie linii impedancja ma tą samą wartość.  

Przypadek 4:  

 

Linia półfalowa, l = n

λ

 /2. 

background image

 

22 

 

 

Wniosek: Linia o długości n

λ

 /2 jest - z punktu widzenia transformacji impedancji - 

przezroczysta. 

Przypadek 5:  

 

Linia ćwierćfalowa, l = 

λ

 /4 

 

Linia o długości l = (2n-1)

λ

 /4 nazywana jest transformatorem ćwierćfalowym: 

 

Wnioski: 

 

Transformator ćwierćfalowy jest inwerterem impedancji. 

 

Zamienia on duŜe (małe) wartości rezystancji na rezystancje małe (duŜe). 

 

Zamienia impedancje obciąŜenia o charakterze indukcyjnym (pojemnościowym) na impedancje 
wejściowe pojemnościowe (indukcyjne). 

Jeśli obciąŜeniem jest obwód rezonansu szeregowego, to impedancja wejściowa zachowuje się jak dla 
obwodu rezonansu równoległego, i vice versa. 

Przypadek 6:  

 

W ogólnym przypadku gdy R

L

>0, to wtedy  

Γ

 

L 

<1, a 

ρ

 > 1. 

 

Oznaczmy: 

 

 

W miarę odsuwania się od obciąŜenia zmienia się Arg{

Γ

 

L

}. Gdy: 

 

 

napięcie U(l

1

) i prąd I(l

`

) są w fazie. 

 

Oznacza to, Ŝe impedancja Z(l

1

) jest czysto rzeczywista i równa:  

 

 

Podobnie, gdy:  

background image

 

23 

 

 

sytuacja powtarza się, i takŜe wtedy napięcie U(l

1

) i prąd I(l

`

) są w fazie, a więc: 

 

 

Oba miejsca l

1

 i l

2

 oddalone są od siebie o ćwierć długości fali 

λ

 /4. 

 

- Oba te przypadki mogą być wykorzystane przy projektowaniu obwodów dopasowujących.  

Linia zwarta na końcu 

 

Dla zwarcia: 

 

 

Impedancja wejściowa linii zwartej na końcu jest w kaŜdym miejscu czystą reaktancją. 

 

 

Prąd I(l) i napięcie U(l) są przesunięte w fazie o 

π

 /2. 

 

Kolejne zera napięcia lub prądu odległe są od siebie o 

λ

 /2. 

background image

 

24 

 

Rys.1.15. Rozkład prądu i napięcia dla linii zwartej na końcu

 

X(l) ma dla pewnych zakresów l charakter indukcyjny, dla innych pojemnościowy.  

 

Zastępcze wartości indukcyjności L

eq

 i pojemności C

eq

 znajdujemy ze wzorów: 

 

 

Dla małych długości, gdy 

β

 l < 0.5 (l < 0.08

λ

 ) to tg

β

 l ~ 

β

 l i indukcyjność Leq tego odcinka: 

 

gdzie v

f

 jest prędkością fazową fali. 

Wnioski:  

1.

 

Dla zakresów częstotliwości w sąsiedztwie  

β

 l = (2n-1)

π

 /2 (nieparzysta liczba ćwiartek fali) linia zwarta na końcu zachowuje się jak obwód 

rezonansu równoległego. Dla zakresów częstotliwości w sąsiedztwie  

β

 l = n

π

 (wielokrotność połowy fali) linia zwarta na końcu zachowuje się jak obwód rezonansu 

szeregowego. 

background image

 

25 

 

Rys.1.16. Reaktancja wejściowa linii zwartej na końcu. 

  

 

 

 

Linia rozwarta na końcu 

 

Impedancja wejściowa linii rozwartej na końcu:  

 

 

Prąd i napięcie w kaŜdym miejscu linii przesunięte są w fazie o 

π

 /2.  

 

Charakter zmian impedancji jak dla linii zwartej, tylko przesunięty o 

λ

 /4. W zaleŜności od l linia 

raz jest pojemnością, raz indukcyjnością.  

 

Dla małych długości (l < 0.08

λ

 ) odcinek linii rozwartej moŜna zastąpić równowaŜną pojemnością 

Ceq: 

 

Wnioski: 

1.

 

Dla zakresów częstotliwości w sąsiedztwie  

β

 l = (2n-1)

π

 /2 (nieparzysta liczba ćwiartek fali) linia rozwarta na końcu zachowuje się jak 

obwód rezonansu szeregowego. Dla zakresów częstotliwości w sąsiedztwie  

background image

 

26 

β

 l=n

π

 (wielokrotność połowy fali) linia rozwarta na końcu zachowuje się jak obwód rezonansu 

równoległego. 

 

Rys.1.17. Reaktancja wejściowa linii rozwartej. 

Normalizacja impedancji 

 

Dwa waŜne równania opisujące efekty propagowania fal w prowadnicach falowych: 

 

równanie transformacji współczynnika odbicia,  

 

równanie transformacji impedancji. 

 

Równanie transformacji impedancji zostanie zapisane z wykorzystaniem impedancji 
zredukowanych.  

 

Impedancje admitancje zredukowane definiowane są następująco:  

 

 

Współczynnik odbicia zapisze się teraz:  

background image

 

27 

 

 

Impedancja zredukowana z(l) widziana w miejscu odległym o l:  

 

 

a admitancja y(l):  

 

 

Równanie transformacji impedancji:  

 

Odwzorowanie homograficzne 

 

Zrozumienie natury wykresu Smitha będzie łatwiejsze po zapoznaniu się z własnościami 
odwzorowania homograficznego.  

 

Funkcja homograficzna wiąŜąca ze sobą dwie zmienne zespolone w i z zapisuje się następująco: 

 

przy czym abc i d są stałymi zespolonymi. 

 

Odwzorowaniem homograficznym nazywamy przyporządkowanie punktom na płaszczyźnie 
zespolonej z punktów na płaszczyźnie zespolonej w, opisane funkcją homograficzną. Podstawowe 
własności odwzorowania homograficznego: 

odwzorowanie homograficzne w(z) jest wzajemnie jednoznaczne, 

okrąg na płaszczyźnie z transformuje się na okrąg na płaszczyźnie w (prosta jest szczególnym 

przypadkiem okręgu), 

zachowana zostaje ortogonalność okręgów. 

 

ZaleŜności: 

 

background image

 

28 

 

to typowe funkcje homograficzne. 

Konstrukcja wykresu Smitha 

 

Wykres Smitha powstaje przez przetransformowanie siatki prostych  
r = const. i x = const. z płaszczyzny impedancji z na płaszczyznę współczynnika odbicia 

Γ

 , 

zgodnie z zaleŜnością: 

 

Rys.1.18. Proste x = const. i r = const. na płaszczyŜnie z. 

 

 

Prosta r = const. na płaszczyŜnie z transformuje się na płaszczyznę 

Γ

 jako okrąg o promieniu 

1/(r+1) i środku [r/(r+1),0]

 

Rys.1.19. Okręgi r = const. na płaszczyźnie 

Γ

 . 

background image

 

29 

 

Prosta x = const. transformuje się na okrąg o promieniu 1/|x| i środku leŜącym w punkcie o 
współrzędnych [1,1/x]

 

Rys.1.20. Rodzina okręgów x=const. na płaszczyźnie 

Γ

  

 

Obie rodziny okręgów są względem siebie ortogonalne.  

 

JeŜeli transformację ograniczyć do prawej półpłaszczyzny 

 

0, to otrzymuje się wykres Smitha.  

 

MoŜna teź przetransformować z płaszczyzny admitancji y proste g = const. i b = const. na 
odpowiednie okręgi na płaszczyźnie 

Γ

 

 

Otrzymuje się identyczną, siatkę współrzędnych, ale obróconą o 180o .  

 

Punkty prawej półpłaszczyzny z transformują się do wnętrza okręgu o promieniu 1, punkty lewej 
półpłaszczyzny transformują się do zewnętrza okręgu  

 

Przy graficznej prezentacji parametrów obwodów generacyjnych korzysta się z poszerzonego 
wykresu Smitha, zawierającego takŜe siatkę współrzędnych poza okręgiem jednostkowym.  

background image

 

30 

 

Rys.1.21. Siatka współrzędnych impedancyjnych wykresu Smitha 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

31 

Metody dopasowania impedancji 

 

Sformułowanie celu 

 

Pytanie. Co zrobić, aby moc fali biegnącej do jednowrotnika wydzieliła się w nim w całości? 

 

 

Prowadnica falowa (tor mikrofalowy) o impedancji charakterystycznej Z

0

 zakończona jest 

jednowrotnikiem opisanym: 

 

impedancją Z

L

, admitancją Y

L

,  

 

impedancją zredukowaną z

L

, admitancją zredukowaną y

L

,  

 

współczynnikiem odbicia 

Γ

 

L

 

 

 

Odpowiedź. Umieścić między prowadnicą a jednowrotnikiem bezstratny obwód dopasowujący.  

 

Rys.1.22. Jednowrotnik z obwodem dopasowującym 

 

Warunki dopasowania moŜna zapisać następująco:  

 

Dopasowanie impedancji o charakterze indukcyjnym 

 

Obiektem dopasowania jest impedancja Z

L

 o charakterze indukcyjnym, której zredukowana 

wartość równa jest: 

 

background image

 

32 

 

Na wykresie Smitha punkt L reprezentuje impedancję z

L

 

Rys.1.23. Ilustracja dopasowania impedancji o charakterze indukcyjnym za pomocą pary elementów o 

stałych skupionych

 

Rys.1.24. Obwód dopasowujący A  

 

Pojemności: szeregowa C

S

 i równoległa C

r

 

Reaktancja x

S

(C

S

) przesuwa impedancję z

L

+ jx

S

 wzdłuŜ okręgu r

L

 = const. do punktu A, gdzie dla 

admitancji 1/(z

L

+ jx

S

) konduktancja g = 1.  

 

Dodanie susceptancji b

R

(C

r

) powoduje powstanie stanu dopasowania:  

 

background image

 

33 

 

Rys.1.25. Obwód dopasowujący B 

 

Szeregowa pojemność C

S

 i równoległa indukcyjność L

r

 

Reaktancja x

S

(C

S

) przesuwa impedancję z

L

 + jx

S

 wzdłuŜ okręgu r

= const. do punktu B, gdzie 

konduktancja g = 1, ale susceptancja ma charakter pojemnościowy.  

 

Kompensuje ją indukcyjność L

r

.  

  

 

Rys.1.26. Obwód dopasowujący C 

 

Równolegle do y

L

 = 1/z

L

 pojemność Cr. 

 

Susceptancja br(Cr) przesuwa admitancję  
y

L

 + jbr na okręg r = 1, do C lub D. 

 

Impedancja w C ma charakter indukcyjny. Dodanie pojemnościowej reaktancji szeregowej xs(Cs) 
daje stanu dopasowania: 

 

background image

 

34 

 

Rys.1.27. Obwód dopasowujący D 

 

Wartość br jest duŜa, odpowiadająca punktowi D impedancja 1/(y

L

 + jbr) ma charakter 

pojemnościowy.  

 

Warunek dopasowania uzyskuje się po dodaniu szeregowej indukcyjności Ls. 

Dopasowanie impedancji o charakterze 

pojemnościowym 

 

Obiektem dopasowania jest impedancja z

L

, której reaktancja x

L

 ma charakter pojemnosciowy.  

 

Punkt L ulokowany jest w pojemnościowej części wykresu Smitha. 

 

Rys.1.28. Ilustracja dopasowania impedancji o charakterze pojemnościowym za pomocą pary elementów 

o stałych skupionych. 

background image

 

35 

 

Rys.1.29. Obwód dopasowujący E 

 

Dodanie reaktancji szeregowej xs(Ls) o charakterze indukcyjnym przesuwa punkt L, bez zmiany 
r

L

, do punktu E na okręgu g = 1. 

 

Dodanie susceptancji br, indukcyjnej w przypadku obwodu E, umoŜliwia uzyskanie stanu 
dopasowania: 

 

 

Rys.1.30. Obwód dopasowujący F 

 

Dodanie reaktancji szeregowej xs(Ls) o charakterze indukcyjnym przesuwa punkt L, bez zmiany 
r

L

, do punktu F na okręgu g = 1. 

 

Dodanie susceptancji br, pojemnościowej w obwodzie F, umoŜliwia uzyskanie stanu 
dopasowania. 

  

background image

 

36 

 

Rys.1.31. Obwód dopasowujący G 

 

Równoległa, indukcyjna susceptancja br(Lr) przesuwa punkt L wzdłuŜ g

L

 = const. do punktu G na 

okręgu r = 1.  

 

Indukcyjna reaktancja szeregowa xs - w przypadku G - kończy proces dopasowania. 

 

 

Rys.1.32. Obwód dopasowujący H 

 

Równoległa, indukcyjna susceptancja br(Lr) przesuwa punkt L wzdłuŜ g

L

 = const. do punktu H na 

okręgu r = 1.  

 

Pojemnościowa reaktancja szeregowa xs(C

S

) - w przypadku H - kończy proces dopasowania. 

  

Obwody dopasowujące z odcinkami prowadnic falowych  

 

Technologia kondensatorów C i indukcyjności L pozwala na ich prace nawet w pasmie fal 
milimetrowych. 

 

JednakŜe proste w realizacji odcinki prowadnic falowych są idealnymi elementami 
transformującymi.  

background image

 

37 

 

Rys.1.33. Ilustracja dopasowania impedancji z

L

 za pomocą rodziny obwodów, z których pierwszym 

elementem jest odcinek jednorodnej prowadnicy falowej. 

 

Rys.1.34. Obwód dopasowujący I 

 

Impedancja z

L

 transformuje się wzdłuŜ prowadnicy zgodnie z równaniem transformacji 

impedancji.  

 

Transformacja po okręgu stałego modułu współczynnika odbicia  

Γ

 

L 

= const. (po okręgu stałego 

WFS, 

ρ

 = const.).  

 

Okrąg stałego WFS przecina okrąg r = 1 w dwóch punktach: I i K. 

background image

 

38 

 

Rys.1.35. Obwód dopasowujący K. 

 

Obwód I - prowadnica o długości elektrycznej  

β

 lI = 2

π

 lI/

λ

 przesuwa impedancję do punktu I. 

 

Dopasowanie po dodaniu szeregowej reaktancji pojemnościowej xs(Cs). 

 

Obwód K - odcinek l

K

 przesuwa impedancję do drugiego z punktów na okręgu r = 1.  

 

Dopasowanie po dodaniu szeregowej reaktancji indukcyjnej xs(Ls). 

 

Rys.1.36. Obwód dopasowujący L 

 

Obwody L i Ł - stroiki szeregowe realizują reaktancję szeregową xs, która moŜe pełnić funkcję 
pojemności Cs lub indukcyjności Ls. 

 

Obwód L - odcinek o długości lz i impedancji charakterystycznej Z

0

', zwarty na końcu. 

 

Reaktancja xs równa jest

 

background image

 

39 

 

Rys.1.37. Obwód dopasowujący Ł 

 

Obwód Ł - stroik szeregowy o impedancji charakterystycznej Z

0

" i długości lR, rozwarty na 

końcu.  

 

Reaktancja xs równa jest teraz: 

 

 

Rys.1.38. Obwód dopasowujący M. 

 

Obwody L i Ł są trudne w realizacji. 

 

MoŜna przetransformować impedancję z

L

 na okrąg g = 1, do punktu M lub N.  

 

Długości l

M

 i l

N

 obliczane są z wykresu, bądź analitycznie.  

 

Admitancja w punkcie M ma charakter pojemnościowy. Dodanie równoległej indukcyjności Lr 
dopasowuje obwód. 

background image

 

40 

 

Rys.1.39. Obwód dopasowujący N 

 

Admitancja w punkcie N ma charakter indukcyjny.  

 

Dopasowanie uzyskuje się po dodaniu pojemności Cr.  

 

Rys.1.40. Obwód dopasowujący O 

 

Obwody O i P: susceptancje b

R

 zrealizowano za pomocą stroików równoległych.  

 

W obwodzie O stroik zwarty o długości lz: 

 

 

Rys.1.41. Obwód dopasowujący P 

background image

 

41 

 

Obwód P - stroik rozwarty o długości lR: 

 

 

Obwody O i P mogą pełnić funkcje obwodów M i N.  

 

Obwody ze stroikami równoległymi łatwo realizować w technice linii mikropaskowej 

  

Obwody z ćwierćfalowymi transformatorami  

 

Pierwszy element - odcinek prowadnicy falowej. Długość taka, aby przetransformować 
impedancję z

L

 do wartości rzeczywistej - punkty R i S. 

 

Dopasowanie przez dobór impedancji charakterystycznej Z’

0T

 i Z’

0T

 transformatora.  

 

Rys.1.42. Dopasowanie impedancji z

L

 za pomocą ćwierćfalowych transformatorów impedancji. 

background image

 

42 

 

Rys.1.43. Obwód dopasowujący R 

 

W obwodzie R odcinek o impedancji Z

0

 i długości l

R

, transformuje impedancję z

L

 po okręgo 

ρ

 

L

 

do punktu R, gdzie ma wartość 

ρ

 

L

.  

 

Warunek dopasowania: 

 

dla 

 

 

Rys.1.44. Obwód dopasowujący S 

 

Impedancja z

L

 transformowana do punktu S, gdzie impedancja zredukowana równa jest 1/

ρ

 

L

 

Impedancja charakterystyczna transformatora ćwierćfalowego ma inną wartość: 

dla 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

43 

 
 

Prowadnice falowe 

 

Przedląd typów prowadnic falowych - Wiadomości ogólne 

 

Omówionych zostanie 8 typów prowadnic:  

 

Prowadnice TEM: 

- Linia dwuprzewodowa, 

- Linia współosiowa, 

- Symetryczna linia paskowa. 

 

Falowody:  

- Falowód prostokątny, 

- Falowód cylindryczny.  

 

Planarne prowadnice quasi-TEM:  

- Linia mikropaskowa 

- Linia koplanarna, 

- Linia paskowa koplanarna 

 

 

 

Rys.1.45. Struktury rozmaitych prowadnic falowych.  

a) Prowadnice TEM. b) Falowody prostokatny i koówy. c) Prowadnice planarne. 

background image

 

44 

  

 

Co nas interesuje, jakie parametry są istotne? 

1. Konfiguracja powierzchni przewodzących, miejsce i rola dielektryka. 

2. Jaki podstawowy mod/rodzaj pola moŜe być wzbudzony, czy mogą być wzbudzone mody wyŜsze? 

3. Zakres częstotliwości pracy, częstotliwości graniczne. 

4. Prędkość fazowa, długość fali, prędkość grupowa, dyspersja. 

5. Jak obliczyć i zmieniać impedancję charakterystyczną Z0? 

6. Jakie jest tłumienie fali i od czego zaleŜy? 

7. Jaką maksymalną moc moŜe przenieść prowadnica? 

  

Ad.2. Mody TEM, TE i TM. 

 

Mody TEM: jeśli z jest kierunkiem propagacji, to Ez = Hz = 0.  

 

W falowodach wzbudzane są: 

- Mody TE: Ez = 0, Hz 

 0. 

- Mody TM: Ez 

 0, Hz = 0. 

 

W prowadnicach dwu-przewodowych, wypełnionych jednorodnym dielektrykiem, podstawowym 
modem jest TEM.  

 

Prowadnice planarne są dwu-przewodowe, ale prędkości fazowe w części wypełnionej 
dielektrykiem i nad nim są róŜne. Mod podstawowy nazywamy quasi-TEM, a rozkład pola EM 
nie odbiega wiele od statycznego. 

  

Ad. 3. UŜyteczny zakres częstotliwości 

 

W prowadnicach TEM i quasi-TEM przesyłanie energii od DC do częstotliwości granicznej 
kolejnego modu. 

- Linia współosiowa - do 40 GHz, 

- Linia mikropaskowa, koplanarna i paskowa koplanarna do 300 GHz. 

 

Pasmo pracy falowodów prostokątnych, dla stosunku długości boków b/a = 1/2, od modu 
podstawowego TE10 do koleinego: 

 

 

Falowody cylindryczne stosowane są do rozmaitych celów: rezonatory, filtry, złącza obrotowe, 
itp. Częstotliwości graniczne kolejnych modów są blisko siebie. 

background image

 

45 

  

 

Ad. 4. Prędkość fazowa i długość fali.  

 

Prędkość fazowa vf w liniach TEM wypełnionych dielektrykiem o 

ε

 = 

ε

 r

ε

 0: 

 

 

Długość fali 

λ

 f (

λ

 0 - długość fali płaskiej w wolnej przestrzeni w próŜni): 

 

 

W liniach quasi-TEM dwa dielektryki: 

- podłoŜe 

ε

 

r

ε

 0

- powietrze 

ε

 

0

 

ε

 eff wypadkowa przenikalność elektryczna, funkcja 

ε

 r i rozmiarów. 

  

Dyspersja i zniekształcenia 

 

Jak propagowane są sygnały wzdłuŜ linii?  

 

sygnały sinusoidalne nie ulegają deformacji w prowadnicach liniowych,  

 

sygnały impulsowe mogą być deformowane w ośrodkach liniowych.  

 

Stała propagacji 

γ

 w ogólnym przypadku 

 

 

harmonicznee rozchodzą się z róŜną prędkością,  

 

harmoniczne tłumione są w róŜnym stopniu,  

 

Po przebyciu odcinka drogi suma harmonicznych nie odtwarza przebiegu wejsciowego!  

 

Warunki zachowania kształtu impulsów: 

 

Gdy prędkość grupowa vg jest róŜna od fazowej vf, to linia wykazuje dyspersję i zniekształca impulsy i 
obwiednię modulacji.  

background image

 

46 

 

 

Rys.1.46. Sygnał impulsowy w dziedzinie czasu i w dziedzinie częstotliwości: 

  

Straty w liniach długich 

 

Wracamy do obwodu zastępczego lini długiej z R,L i G,C. Stała propagacji 

γ

 : 

 

 

Przypadek idealny: R/L = G/C, wtedy: idealna linia bez zniekształceń: 

 

 

α

 

niezaleŜy od f, 

 

 

β

 

proporcjonalna do f,  

 

Przypadek bardziej ogólny:  

 

α

 

m - straty wywołane skończoną przewodnością metalu, 

 

α

 

d - straty wywołane obecnością stratnego dielektryka. 

background image

 

47 

  

Jakie tłumienie wprowadza dielektryk?  

 

Linia TEM wypełniona jest dielektrykiem o przenikalności: 

 

 

Dla linii współosiowej:  

 

 

α

 

d rośnie proporcjonalnie do f we wszystkich liniach TEM i quasi-TEM.  

 

stała proporcjonalności zaleŜy od rozmiarów. 

  

 

Jakie tłumienie wprowadza metal?  

 

Mimo uŜycia najlepszych metali (Au, Ag, Cu), straty w przewodniku są duŜe i rosna z 
częstotliwościa z powodu efektu naskórkowości.  

 

Głębokość wnikania 

δ

 s[m]: 

 

Np.: Cu, f = 10 GHz, 

δ

 s = 0,66 

µ

 m. 

 

Rezystancja powierzchniowa Rs[

 /kwadrat]:  

 

 

Dla linii TEM: 

α

 

m ~ R ~ Rs; 

 

Fala płaska dociera do przewodnika o 

µ

 = 

µ

 r

µ

 0 i przewodności 

σ

 [S/m]: 

background image

 

48 

 

 

Rys.1.47. Zanikanie pola elektrycznego i pradu jako efekt naskórkowości. 

 

Rys.1.48. Tłumienie dla róŜnych typów falowodów prostokątnych wykonanych z aluminium i srebra, oraz 

dla miedzianych kabli współosiowych, w funkcji częstotliwości. 

  

background image

 

49 

Linie TEM 

 

Linia dwuprzewodowa - historycznie pierwsza. 

- stosowana w sieciach TV, 

- duŜe straty na promieniowanie, 

- renesans jako koplanarna paskowa w MMICs. 

Z0[

 ] = 

 

 

 

Dla linii współosiowej przyjęto Z0 = 50 

 jako standard w aparaturze. 

Tłumienie jest najmniejsze dla Z0 = 75 

 , ten standard przyjęto w telekomunikacji (m.in. sieci telewizji 

kablowej).  

Linie współosiowe pracują do 60 GHz. 

Z0[

 ] = 

 

 

  

 

Symetryczna linia paskowa stosowana w konstrukcjach niektórych przyrządów, jak sprzęgacze, 
filtry, itp.. 

Z0[

 ] = 

(przybliŜony) 

  

background image

 

50 

 

  

Falowody: prostokątny i cylindryczny 

 

Falowód prostokątny wykonany jest z miedzi, mosiądzu, aluminium, często jest wewnątrz 
srebrzony i złocony. 

MoŜna w nim wzbudzić nieskończenie wiele modów TE i TM, opisanych m i n, powyŜej częstotliwości 
granicznej f

gmn

 

 

 

Modem podstawowym w falowodzie prostokatnym jes TE10. 

 

Pierwsze mody falowodu na pasmo X, o wymiarach: a = 2,286 cm, b = 1,016 cm. 

 

 

background image

 

51 

MOD

 

TE10

 

TE20

 

TE01

 

TE11

 

TM11

  

fg[GHz] 

6,562 

13,123 

14,764 

16,156 

  

Rys.1.50. Wymiary falowodu prostokątnego i linie sił pola elektrycznego E i magnetycznego H dla modu 

podstawowego. 

  

 

W falowodzie cylindrycznym moŜna takŜe wzbudzić nieskończenie wiele modów TE i TM.  

 

Wartość częstotliwości granicznej f

gmn

 związana jest z wartosciami: 

dla modów TM

nm

 z m-tym pierwiastkiem funkcji Bessela J

n

(x) = 0, 

dla modów TE

nm

 z m-tym pierwiastkiem pochodnych tych funkcji J’

n

(x) = 0. 

 

 

 

Dla modu podstawowego TE

11

 długość fali odpowiadającej częstotliwości granicznej: 

 

 

Rys.1.51. Wymiary falowodu cylindrycznego i oś z częstotliwościami kolejnych modów. 

Wartości kolejnych pierwiastków określających kolejne wartości częstotliwości granicznych 

  

TM11 

TE11 

TM01 

TE21 

TE01 

q'nm 

1,841 

3,054 

3,832 

qnm 

-2,405 

3,832 

background image

 

52 

  

 

Prędkości: fazowa vf i grupowa vg oraz długość fali 

λ

 f są, dla tej samej f, róŜne i róŜne dla 

róŜnych modów.  

 

Oznaczamy: prędkość v idługość 

λ

 dla fali płaskiej w wolnej przestrzeni wypełnionej ośrodkiem o 

ε

 r

ε

 0 i 

µ

 r

µ

 0. 

 

Dla falowodów prędkość fazowa i długość fali w falowodzie opisują następujące zaleŜności: 

 

Rys.1.52. Prędkości fazowa i grupowa w falowodzie 

 

 

Prędkość grupowa przesyłania energii/informacji: 

 

 

 

Wniosek: falowody wykazują dyspersję. 

  

background image

 

53 

 

PoniŜej częstotliwości granicznej fg modu podstawowego stała propagacji 

γ

 = 

α

 , prędkość 

fazowa vf = 

 ,  

a vg = 0. Falowód daje się pobudzić, ale pole EM zanika wykładniczo. 

 

 

Wniosek: Falowód podkrytyczny moŜe być wzorcem tłumienia! PowyŜej częstotliwości 
granicznej: 

 

Straty 

α

 m zaleŜą od kształtu falowodu i stosunku f/fgmn. 

 

Rys.1.53. Tłumienie miedzianego, powietrznego falowodu o a = 2 cm, dla modu TE10 

 

Definicje prądu i napięcia w falowodzie nie są jednoznaczne, zaleŜą od przyjętych dróg 
całkowania.  

 

Pojęcia impedancji charakterystycznej i impedancji są umowne. 

  

Prowadnice mikrofalowych układów scalonych 

 

background image

 

54 

 

 

Rys.1.54. a). Linia mikropaskowa b). Linia koplanarna c). Linia paskowa koplanarna. 

  

 

Wszystkie linie przeznaczone są dla mikrofalowych układów scalonych, hybrydowych lub 
monolitycznych.  

 

Wszystkie są liniami quasi-TEM, poniewaŜ fala EM porusza sie w ośrodkach o 2 róŜnych 
prędkościach. Linia wykazują niewielka dyspersję.  

 

Do zaleŜności na prędkość i długość fali wprowadza się efektywną przenikalność 

ε

 eff, której 

wartość leŜy między 

ε

 r podłoŜa a 

ε

 0 powietrza.  

 

Zakres częstotliwości pracy od DC  

- do 30 GHz dla układów hybrydowych,  

- do 500 GHz dla układów monolitycznych 

 

W układach MIC - montaŜ powierzchniowy rezystorów, kondensatorów, diod i tranzystorów.  

 

W układach monolitycznych MMIC wszystkie elementy wykonuje się w procesach 
technologicznych 

  

Zestawienie parametrów podłoŜ

PodłoŜe

 

ε

 

r

 

tg

δ

 

 

Zastosow.

 

Al2O3 cer. alundowa

 

9,6

 

0,0001

 

MIC

 

SiO2 kwarc

 

3,8

 

0,00006

 

MIC

 

Teflon

 

2,1

 

0,00015

 

MIC

 

GaAs arsenek galu

 

12,5-13

 

0,002

 

MMIC

 

Si krzem

 

11,2

 

0,004

 

MMIC

 

background image

 

55 

  

 

Z0 zaleŜy od 

ε

 r podłoŜa i wymiarów: 

- Linia mikropaskowa: 20...100 

 , 

- Linia koplanarna: 25...155 

 , 

- Linia paskowa koplanarna: 45...220 

 . 

 

Linie wykazują duŜe straty, widoczne szczególnie w MMIC, powyŜej 30 GHz.  

 

Elementy aktywne i krótkie odległości umoŜliwiają efektywną pracę układów.  

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

56 

 

Problemy i pytania egzaminacyjne 

 

Problemy i pytania egzaminacyjne  

Pytania sprawdzające  

1. Narysuj obwód zastępczy elementarnego odcinka linii długiej i wyjaśnij sens fizyczny jego elementów. 

2. Napisz rozwiązanie równania telegrafistów i opisz występujące w nim wielkości. 

3. Podaj definicje prędkości fazowej i grupowej oraz impedancji charakterystycznej. 

4. Jak umieszczona na końcu linii długiej impedancja wpływa na rozkład napięcia i prądu? 

5. Zdefiniuj współczynnik odbicia i opisz sposób jego transformacji wzdłuŜ linii długiej. 

6. Narysuj rozkład napięcia i prądu wzdłuŜ linii długiej dla róŜnych przypadków jej obciąŜenia. 

7. Zdefiniuj współczynnik fali stojącej i odpowiedz jakie przyjmuje wartości dla róŜnych przypadków 
obciąŜenia linii długiej. 

8. Zasady normalizacji zespolonych amplitud napięć fal i impedancji/admitancji. 

9. Opisz działanie układu generator – linia długa – obciąŜenie: 

 

Generator jest dopasowany = 0 i wysyła w stronę obciąŜenia moc 1W. Jaka maksymalna moc 
wydzieli się w obciąŜeniu i w jakich warunkach.  

 

Generator nie jest dopasowany i 

Γ

 

L

 = j0,7 i wysyła w stronę obciąŜenia moc 1W. Jaka 

maksymalna moc wydzieli się w obciąŜeniu i w jakich warunkach 

10. Opisz równanie transformacji impedancji wzdłuŜ prowadnicy falowej i przypomnij sobie jak do tego 
równania doszliśmy. 

11. Wymień szczególne przypadki trasnformacji impedancji przez odcinki linii długiej o 
charakterystycznej długości. 

12. Jakie wartości impedancji moŜesz zrealizować za pomocą odcinka linii długiej zwartej na końcu? 

13. To samo uzasadnij dla linii rozwartej na końcu. 

14. Jak z płaszczyzny Z linie R = const. i X = const. transformują się na płaszczyznę 

Γ

 ? W jakie miejsca 

transformują się zwarcie, rozwarcie i dopasowanie? 

15. W punkcie 6 tego rozdziału omówiono 18 róŜnych obwodów dopasowujących. Przestudiuj ich 
działanie i objaśnij. 

16. ObciąŜenie ma impedancję z = 2 + j. Ile i które z wymienionych 18 obwodów mogą ją dopasować. 

17. To samo dla admitancji y = 1 + j2. 

background image

 

57 

18. Do impedancji z = 0,5 – j dołączono odcinek linii długiej jako pierwszy element obwodu 
dopasowującego. Posługując się wykresem Smitha opisz 6 kolejnych moŜliwości dopasowania, które 
powstają w miarę oddalania się od obciąŜenia. 

19. Wymień i scharakteryzuj najwaŜniejsze parametry prowadnicy falowej. 

20. Przypomnij sobie jakie mody mogą rozchodzić się w falowodach i scharakteryzuj je. 

21. Co to jest dyspersja, w jakich warunkach i dlaczego dyspersja utrudnia transmisję sygnału. 

22. Przeanalizuj przyczyny powstawania strat przy transmisji mocy prowadnicami falowymi. 

23. Na czym polega efekt naskórkowości? 

24. Opisz kolejno prowadnice typu TEM. 

25. Narysuj konfigurację pól E i H dla modu podstawowego i naszkicuj kierunki przepływu prądów w 
ś

ciankach falowodu prostokątnego. 

26. Dlaczego nie stosujemy falowodów prostokątnych, dla których stosunek a/b = 1? 

27. W jakim paśmie częstotliwości moŜe pracować falowód prostokątny? 

28. W jakim paśmie moŜe pracować falowód cylindryczny? 

29. Jak uzasadnisz fakt, Ŝe obwodem zastępczym odcinka falowodu prostokątnego jest odcinek linii 
dwuprzewodowej? 

30. Jak zbudowana jest i jakie ma właściwości prowadnica mikropaskowa? 

31. Jak zbudowana jest i jakie ma właściwości linia koplanarna? 

32. Jakie są obszary zastosowań linii współosiowej, linii mikropaskowej i falowodu prostokątnego? Aby 
to uzasadnić porównaj parametry wymienionych typów prowadnic. 

33. Wymień argumenty przemawiające za rozwojem technologii i konstrukcji Mikrofalowych 
Monolitycznych Układów Scalonych na krzemie i arsenku galu. 

  

Pytania Egzaminacyjne 

1. Rozwiązania równania telegrafistów i podstawowe parametry propagacji fali w linii długiej. 

2. Sposoby charakteryzowania jednowrotnika (takŜe idealnego generatora). 

3. Moce niesione przez fale, dopasowanie energetyczne i bezodbiciowość. 

4. Transformacja współczynnika odbicia i impedancji wzdłuŜ bezstratnej prowadnicy oraz 
konstrukcja wykresu Smitha. 

5. Opisz i uzasadnij jakie impedancje mogą być zrealizowane przez odcinki linii zwartej i 
rozwartej. 

background image

 

58 

6. Zaproponuj 4 róŜne obwody dopasowujące impedancję o charakterze pojemnościowym, (w tym 
jeden złoŜony całkowicie z elementów skupionych i jeden złoŜony całkowicie z elementów o 
stałych rozłoŜonych) i wyjaśnij ich działanie. 

7. Zaproponuj 4 róŜne obwody dopasowujące impedancję o charakterze indukcyjnym, (w tym 
jeden złoŜony całkowicie z elementów skupionych i jeden złoŜony całkowicie z elementów o 
stałych rozłoŜonych) i wyjaśnij ich działanie. 

8. Prowadnice TEM i ich właściwości. 

9. Falowody prostokątne i ich właściwości. 

10. Prowadnice planarne i ich właściwości. 

  

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

59 

ROZDZIAŁ 2

 

: Elementy teorii obwodów W4, 

W5 

 

Macierzowy opis obwodów 

 

Dwuwrotnik 

 

W zakresach wysokich częstotliwości pojęcie dwuwrotnika jest bardziej uŜyteczne, niŜ 
czwórnika, dwójnik zastępujemy jednowrotnikiem.  

 

Zamiast pary zacisków (co jest "zaciskiem" w falowodzie cylindrycznym?) pojawiają się 
płaszczyzny odniesienia (T1 lub T2). 

Pojęcie prądu i napięcia (np. w falowodzie) jest niejednoznaczne i wymaga zdefiniowania. 

 

Rys.2.1. Napięcia i prądy we wrotach dwuwrotnika 

 

Macierze [Z], [Y], itp., stosowane w teorii obwodów o stałych skupionych są stosowane dla 
obwodów wysokich częstotliwości.  

 

JednakŜe:  

 

wartości admitancji i impedancji zmieniają się przy przesunięciu płaszczyzn odniesienia,  

 

impedancje te nie mają odpowiedników w elementach opisywanego obwodu.  

 

UWAGA! Impedancje charakterystyczne dołączonych do dwuwrotnika prowadnic mają wpływ na 
wartości opisujących go parametrów.  

 

Opisywany dwuwrotnik jest liniowy, obowiązuje prawo Ohma.  

 

Dwuwrotnik moŜe zawierać elementy aktywne, diody, tranzystory. Jest on wtedy liniowy w 
zakresie małych amplitud sygnałów. 

  

Macierze [Z], [Y] i [A]  

 

Macierz impedancyjna

 [Z]: 

 

 

lub inaczej: 

background image

 

60 

 

 

 

Wyrazy macierzy [Z] są impedancjami. 

 

 

Macierz admitancyjna

 [Y]: 

 

 

lub inaczej: 

 

 

 

Wyrazy macierzy [Y] są admitancjami.  

 

Znając macierz [Z] moŜna obliczyć [Y]. 

 

 

Macierz łańcuchowa

 [A], 

 

 

lub inaczej: 

 

 

Wyrazy A11 i A22 są bezwymiarowe. 

 

 

Zaleta

: Przy łancuchowym połączeniu dwuwrotników o macierzach [A1], [A2]...[An] macierz 

wypadkową [A] łańcucha oblicza się jako: 

 

 

Normalizacja macierzy

.  

 

Przy analizie obwodów w.cz. wygodnym jest posługiwać się pojęciami zredukowanych 
impedancji czy admitancji.  

 

W przypadku macierzy taki zabieg nazywa się normalizacją.  

 

Normalizujemy prądy I1, I2 oraz npięcia U1, U2: 

background image

 

61 

 

 

 

Uwaga

Stosunek u1/i1jest bezwymiarowy, natomiast u1i1= U1I2 .  

 

Wyrazy znormalizowanej macierzy [Z]:  

 

 

Wyrazy znormalizowanej macierzy [Y]:  

 

 

Podobnie normalizujemy wyrazy macierzy [A].  

 

Warunki odwracalności dwuwrotników:  

 

 

 

 

Warunki bezstratności dwuwrotników

:  

 

impedancje macierzy [Z] są reaktancjami,  

 

admitancje macierzy [Y] są susceptancjami,  

 

wyrazy macierzy [A]: A12 i A21 są urojone, A11 i A22 są rzeczywiste. 

Macierz rozproszenia  

 

Macierz rozproszenia

 zostanie zdefiniowana dla dwuwrotnika, analogicznie definiowana jest dla 

wielowrotnika.  

 

Zespolone amplitudy fal padających Up1, Up2 i odbitych Uw1, Uw2 normalizujemy w stosunku 
do impedancji charakterystycznych:  

 

 

background image

 

62 

 

Rys.2.2. Fale i moce we wrotach T

1

 i T

2

 dwuwrotnika. 

a1, a2, b1 i b2 - znormalizowane amplitudy fal, 

 

Prądy I1, I2, napięcia U1, U2 z poprzedniego rysunku:  

 

 

KaŜda z fal niesie moc:  

 

 

 

Amplitudy b1 i b2 związane są z a1, a2 równaniami definicyjnymi:  

 

 

 

Równania powyŜsze moŜna zapisać w postacci macierzowej: 

 

 

 

Współczynniki macierzy [S] nazywane są współczynnikami rozproszenia.  

 

S11 i S22 - reflektancje, opisują efekty odbić.  

 

S12 i S21 – transmitancje, opisują transmisję sygnału przez dwuwrotnik.  

background image

 

63 

Interpretacja fizyczna współczynników rozproszenia:  

ZałoŜenie

: a2 = 0: 

 

S11 - współczynnik odbicia widziany w tych warunkach w płaszczyŜnie T1:  

 

 

S

11

 pozwala obliczyć część mocy odbitej P1+: 

 

 

Współczynnik S

12

 pozwala obliczyć część mocy, która przejdzie do obciąŜenia: 

 

 

Macierz rozproszenia jest 

unitarna

:  

 

 

Właściwości dwuwrotnika opisane macierzą rozproszenia:  

A. 

Odwracalność 

dwuwrotnika: 

 

B. 

Bezstratność

 dwuwrotnika odwracalnego: 

 

Gdy P2+ = 0, to: 

 

 

ś

adna część mocy padającej P1+ nie została pochłonięta, to oznacza, Ŝe: 

 

 

 

 

φ

 

11, 

φ

 12 i 

φ

 22 są argumentami S11, S12, S22. 

C. Dwuwrotnik 

symetryczny

 

 

W ogólnym przypadku dwuwrotnik opisany jest 4 liczbami zespolonymi. W szczególnych przypadkach 
liczba niezaleŜnych parametrów maleje:  

background image

 

64 

 

Rys.2.3. Ilustracja wpływu właściwości dwuwrotnika na liczbę niezaleŜnych parametrów. 

Macierz rozproszenia wielowrotnika 

 

N-wrotnik, w prowadnicach określono:  

 

T1, T2,...TN - płaszczyzny odniesienia ,  

 

a1, a2,...aN - unormowane, zespolone amplitudy fal padających,  

 

b1, b2,...bN - unormowane, zespolone amplitudy fal odbiegających. 

 

- lub inaczej: 

 

 

2N2 niezaleŜnych parametrów N-wrotnika,  

 

N-wrotnik odwracalny, Sik = Ski, liczba niezaleŜnych parametrów N(N+1). 

N-wrotnik bezstratny - N(N+1)/2. 

background image

 

65 

 

Rys.2.4. Oznaczenie płaszczyzn odniesienia i amplitud fal we wrotach N-wrotnika. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

66 

 
 

Grafy przepływu sygnału w obwodach w.cz. 

 

Podstawowe definicje 

 

Graf przepływu sygnału

 - graficzne przedstawienie związków między pewną liczbą zmiennych. 

 

Związki między zmiennymi sa liniowe, graf reprezentuje układ liniowych równań algebraicznych.  

 

Graf przepływu sygnału jest siecią 

skierowanych gałęzi

, które łączą między sobą 

węzły

 

Węzeł reprezentuje zmienną - x1, x2,  

 

Gałąź wskazuje związek między nimi,  

 

Gałąź jk ma początek w węźle j, kończy się w k, 

Kierunek od j do k wskazuje strzałka. 

 

 

 

Rys.2.5. Graf przepływu sygnału jako reprezentacja układu równań liniowych

  

Podstawowe działania 

 

background image

 

67 

 

 

 

Rys.2.6. Podstawowe działania na grafach. a) dodawanie, b) mnoŜenie, c) i d ) wchłonięcie węzła. Pętla 

elementem grafu:  

 

 

 

usuwając z równań zmienną x

2

 otrzymuje się:  

 

 

Rys.2.7. Przykład powstawania pętli i sposób obliczania transmisji grafu z pętlą

  

Reguła Masona 

 

Rozwiązanie grafu polega na znalezieniu transmisji T między wybranymi jego węzłami: 

background image

 

68 

 

 

Dwie drogi obliczenia T: 

- wchłonąć wszystkie węzły, z wyjątkiem xj i xk,  

- obliczyć elementy strukturalne grafu i skorzystać ze wzoru 

 

Rys.2.8. Graf z wyróŜnionymi węzłami x

j

 i x

k

 

Elementami strukturalnymi grafu są ścieŜki i pętle: 

 

 

ŚcieŜka

 jest drogą między węzłami xj i xk, utworzoną przez gałęzie i węzły, przy czym: 

 

strzałki gałęzi tworzących ścieŜkę skierowane są zawsze w jedną stronę od xj do xk,  

 

węzeł moŜe być uwzględniony tylko raz. 

 

Transmisja ścieŜki

 P jest iloczynem transmisji gałęzi tworzących ścieŜkę.  

 

Pętlę tworzy dowolna zamknięta ścieŜka (węzeł tylko raz). 

 

 

Transmisja pętli

 L jest iloczynem transmisji gałęzi tworzących pętlę. 

 

Przykład 1

- obliczamy transmisję T17: 

Znajdujemy w grafie jedną ścieŜkę P o transmisjii 

 

Rys.2.9. Graf do Przykładu 1. 

 

Znajdujemy nastepnie 4 pętle: L1, L2, L3 i L4 o transmisjach odpowiednio: 

 

 

Wzór końcowy: 

 

 

We wzorze:  

background image

 

69 

o

 

licznik jest transmisją ścieŜki,  

o

 

mianownik: 3 grupy wyrazów: 

o

 

zawsze 1, 

 

o

 

Σ

 

Ln, ze znakiem "-",  

 

Σ

 

LnLm nie stykajacych się pętli ze znakiem "+", itd.  

 

Przykład 2

- obliczamy takŜe T17:  

 

Znajdujemy jedną ścieŜkę o transmisji P = af.  

 

Znajdujemy 4 pętle: L1, L2, L3 i L4, o transmisjach odpowiednio: 

 

 

Rys.2.10. Graf do Przykładu 2. 

 

Wzór końcowy:  

 

 

Mianownik identyczny.  

 

Licznik jest iloczynem P przez "zuboŜony" mianownik, w którym pominięto składniki 
zawierające pętle, z którymi ścieŜka ma wspólne węzły. 

 

 

Przykład 3

: obliczamy takŜe T14:  

background image

 

70 

 

Rys.2.11. Graf do Przykładu 3. 

 

Znajdujemy 3 ścieŜki o transmisjach:  

 

 

Znajdujemy 3 pętle o transmisjach:  

 

 

Mianownik “budujemy” jak zwykle,  

 

Licznik ma tyle składników, ile jest ścieŜek.  

 

KaŜdy składnik jest iloczynem transmisji ścieŜki P przez odpowiednio "zuboŜony" mianownik, w 
którym transmisje pętli stycznych przyjęto jako równe 0. 

 

  

Grafy prostych obwodów 

 

Graf przepływu sygnału jednowrotnika prezentuje związek między amplitudami a i b:  

 

 

background image

 

71 

Rys.2.12. Jednowrotnik i jego graf. 

 

Dla dwuwrotnika: 

 

 

 

Rys.2.14. Graf przepływu sygnału dwuwrotnika: 

 

Amplituda a

0

 fali wypływającej z generatora:  

 

 

Rys.2.13. Graf przepływu sygnału generatora 

 

Rys.2.15. Graf przepływu sygnału odcinka bezstratnej prowadnicy falowej o długosci l. 

  

Przykłady zastosowań  

 

Przykład 4

Na wyjściu dwuwrotnika opisanego macierzą [S] umieszczono obciąŜenie o 

współczynniku odbicia 

Γ

 

L

. Oblicz wejściowy współczynnik odbicia 

Γ

 

WE

.  

 

Rozwiązanie na podstawie grafu: 

background image

 

72 

 

 

Rys.2.16. Ilustracja Przykładu 4 

 

Przykład 5

: Niedopasowany generator połączono z niedopasowanym obciąŜeniem odcinkiem 

prowadnicy o długości l. Oblicz amplitudę fali padającej na obciąŜenie w zaleŜności od l.  

 

 

Rys.2.17. Ilustracja Przykładu 5 

Przykład 6

Płaszczyzny odniesienia dwuwrotnika opisanego macierzą [S] przesunięto odpowiednio o l

1

 

i l

2

. Jak zmienią się współczynniki odbicia dwuwrotnika?  

 

Obliczamy prosto z grafu: 

 

 

background image

 

73 

 

 

 

Rys.2.18. Ilustracja przykładu 6. 

a) dwuwrotnik i 2 odcinki prowadnicy, b) pełny graf przepływu sygnału,c) graf końcowy 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

74 

 

Obwody zastępcze 

 

Obwody zastępcze T i 

ππππ

  

 

Obwody zastępcze T i 

π

 budowane są z wykorzystaniem impedancji macierzy [Z] i admitancji 

macierzy [Y].  

 

W obwodach dwuwrotników nieodwracalnych muszą występować źródła prądowe lub 
napięciowe. 

 

w obwodach typu T - źródło napięciowe sterowane prądem wejściowym I

1

,  

 

w obwodach typu 

π

 - źródło prądowe sterowane napięciem wejściowym U

1

Impedancje występujące w obwodzie zwykle nie mają interpretacji fizycznej. 

 

 

Rys.2.19. Obwody zastępcze dwuwrotników nieodwracalnych: a) obwód typu T, b) obwód typu 

π

 . 

 

W przypadku dwuwrotników odwracalnych, gdy:  

 

ź

ródła znikają i obwody zastępcze upraszczają się. 

 

Dla dwuwrotników odwracalnych i bezstratnych wszystkie występujące impedancje są 
reaktancjami, a admitancje susceptancjami.  

 

background image

 

75 

 

Rys.2.20. Obwody zastępcze dwuwrotników odwracalnych; a) obwód typu T, b) obwód typu 

π

  

  

Obwody zastępcze dwuwrotnika bezstratnego  

 

Twierdzenie o transformatorze

Dla kaŜdego odwracalnego i bezstratnego dwuwrotnika moŜna 

wyznaczyć w prowadnicach wejściowej i wyjściowej nowe płaszczyzny odniesienia mające tą 
wła
ściwośćŜe impedancja wejściowa róŜni się od wyjściowej o stały czynnik rzeczywisty. 

 

 

W oparciu o to twierdzenie wyznacza się prosty obwód zastępcze z idealnym transformatorem.  

 

Obwód opisany jest trzema parametrami: 

 

 

parametry te zmieniają się z częstotliwością, 

 

elementami obwodu zastępczego są odcinki prowadnic falowych. 

 

 

Rys.2.21. a) Dwuwrotnik z płaszczyznami odniesienia.  

b) Obwód zastępczy z idealnym transformatorem. 

Obwód opisany 3 elementami: n, b

r

 i odcinek linii o długości elektrycznej 

β

 

1

l

1

background image

 

76 

 

 

Rys.2.22. Rózne formy obwodów zastępczych dwuwrotników bezstratnych. 

a) Obwód opisany przez: n, x

s

 i odcinek linii o długości elektrycznej 

β

 

2

l

2

b) Obwód opisany przez: n, x

s

 i b

r

  

 

Obwody są uniwersalne, moŜna je stosować do kaŜdego dwuwrotnika bezstratnego.  

Odcinki linii, susceptancje równoległe, czy teŜ reaktancje szeregowe są wzajemnie zastępowalne. . 

 

  

Obwody zastępcze nieciągłości linii mikropaskowej 

 

Rys.2.23. Obwód zastępczy linii rozwartej 

background image

 

77 

 

Rys.2.25. Obwód zastępczy skokowej zmiany szerokości paska 

 

Rys.2.24. Obwód zastępczy szczeliny w linii 

 

Rys.2.26. Obwód zastępczy rozgałęzienia typu T 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

78 

Obwody rezonansowe i rezonatory 

 

Obwód rezonansowy szeregowy  

 

Analizowany jest obwód, składający się z:  

 

Idealnego źródła napięciowego U

G

, R

G

,  

 

Szeregowego obwodu rezonansowego L, C, R.  

 

Obliczamy prąd płynący w obwodzie: 

 

gdzie 

 

 

Rys.2.27. Obwód rezonansu szeregowego 

 

Dla 

pulsacji rezonansowej

 

ω

 = 

ω

 

0

 , f = f

0

 

 

Impedancja Z jest rzeczywista Z = R, a jej moduł osiąga wartość minimalną,  

 

Prąd płynący w obwodzie jest maksymalny: 

 

Charakterystycznym parametrem jest szerokość krzywej rezonansowej. 

background image

 

79 

 

Rys.2.28 Krzywa rezonansowa przepływu prądu 

 

Energie zgromadzone w obwodzie:  

 

WH - średnia energia pola magnetycznego:  

 

 

WE - średnia energia pola elektrycznego:  

 

 

Dla pulsacji rezonansowej 

ω

 = 

ω

 

0

 , f = f

0

:  

 

 

 

Wnioski powyŜsze są podstawą uogólnionej definicji częstotliwości rezonansowej rezonatora. 

Dobrocie obwodu rezonansowego

:  

 

Dobroć całkowita Q

L

:  

 

 

Dobrocie: własna Q

0

 i zewnętrzna Q

Z

:  

 

 

Związek między dobrociami:  

background image

 

80 

 

 

Impedancja Z zapisana z uŜyciem dobroci:  

 

  

Obwód rezonansowy równoległy 

 

Analizowany jest obwód, składający się z:  

 

Idealnego źródła napięciowego UG, RG,  

 

Równoległego obwodu rezonansowego L, C, R.  

 

Obliczamy napięcie panujące na obwodzie: 

 

gdzie:  

 

 

Rys.2.29. Obwód rezonansu równoległego 

 

Dla pulsacji rezonansowej 

ω

 = 

ω

 0 , f = f0 

 

 

Admitancja jest rzeczywista Y = G,  

 

Jej moduł osiąga wartość minimalna,  

 

Napięcie na obwodzie osiąga wartość maksymalną; 

 

Charakterystycznym parametrem jest szerokość krzywej rezonansowej 

background image

 

81 

 

Rys.2.30. Krzywa rezonansowa napięcia obwodu. 

 

Energie zgromadzone w obwodzie:  

 

WH - średnia energia pola magnetycznego:  

 

 

WE - średnia energia pola elektrycznego w C:  

 

 

Dla pulsacji rezonansowej 

ω

 = 

ω

 

0

 , f = f

0

:  

 

 

 

Wnioski identyczne jak dla obwodu szeregowego. Dobrocie:  

 

Dobroć całkowita Q

L

:  

 

 

Dobrocie: własna Q

0

 i zewnętrzna Q

Z

:  

 

 

Związek między dobrociami:  

background image

 

82 

 

 

Admitancja Y zapisana z uŜyciem dobroci:  

 

  

Rezonatory - definicje ogólne  

 

Rezonatorem lub wnęką rezonansową nazywamy obszar dielektryka otoczonego ściankami 
metalowymi, lub - w ogólnym przypadku innym dielektrykiem.  

 

Pulsację, dla której W

H

 = W

E

 nazywamy rezonansową.  

Całkowita energia W

H

 + W

E

 zmagazynowana w rezonatorze osiąga dla pulsacji rezonansowej 

wartość lokalnie maksymaną.  

 

Rys.2.31. Rezonator falowodowy 

 

Dla rezonatora o określonych wymiarach moŜna określić nieskończenie wiele częstotliwości 
rezonansowych. KaŜdej z nich odpowiada inny rozkład/mod pola EM w obszarze rezonatora.  

 

Najmniejszą częstotliwość rezonansową nazywamy rezonansem podstawowym.  

WyŜsze częstotliwości rezonansowe nie są na ogół wielokrotnościami podstawowej. 

background image

 

83 

 

Rys.2.32. Rezonator dielektryczny 

 

W rezonatorze wzbudzono pole EM doprowadzając z zewnątrz sygnał o częstoliwości 

ω

0

 i 

zgromadzono energię W

0

. Rezonator "odcięto" od źródła przerywając wzbudzenie. Straty w 

ś

ciankach metalowych i dielektryku powodują wykładniczy zanik energii:  

 

 

Gdy rezonator nie został "odcięty" od źródła energia zanika szybciej:  

 

 

Wzory pokazują róŜnicę między dobrociami własną Q

0

 i całkowitą Q

L

.  

UWAGA: dla kaŜdej 

ω

 

0n

 dobrocie są inne.  

 

Ogólna definicja dobroci:  

 

Moc PR tracona w rezonatorze:  

 

 

 

lub inaczej:  

 

 

teraz dobroć całkowita i zewnętrzna:  

 

background image

 

84 

 

i związek między dobrociami:  

 

  

Rezonator jako obciąŜenie toru  

 

Rezonator umieszczony jest jako zakończenie prowadnicy falowej i tworzy jednowrotnik.  

 

Rezonator taki nazywamy sprzęŜonym odbiciowo lub krótko odbiciowym. 

Doświadczenie: 

Na końcu falowodu prostokątnego umieszczono rezonator prostopadłościenny z otworem 
sprzęgającym.  

 

Rys.2.33. Rezonator jako obciąŜenie prowadnicy 

 

W szerokim paśmie częstotliwości powyŜej częstotliwości granicznej mierzymy współczynnik 
odbicia jednowrotnika.  

 

Problem: Jaki model obwodowy wyjaśni/opisze zmierzony efekt?  

background image

 

85 

 

Rys.2.34. Charakterystyka mocy odbitej od rezonatora umieszczonego jako obciąŜenie. 

 

background image

 

86 

Rys.2.35. a) - Pełny obwód zastępczy, w płaszczyźnie odniesienia, jaką jest wybrana płaszczyzna zwarcia 
przy pdstrojeniu. Ka
Ŝdy mod reprezentowany jest przez jeden obwód G,L,C. 

Rys. 2.35. b) - Rozkład napięcia na linii przed rezonatorem, daleko od rezonansu. 

Uwaga: Płaszczyzny zwarcie i rozwarcia są ruchome przy zmianie częstotliwości. 

Rys.2.35. c) - Równoległy zastępczy obwód rezonansowy dla wybranego modu w płaszczyźnie zwarcia 
przy odstrojeniu, po przetransformowaniu na stron
ę prowadnicy. 

Rys.2.35 d) - Szeregowy zastępczy obwód rezonansowy w płaszczyźnie rozwarcia przy odstrojeniu, po 
przetransformowaniu na stron
ę prowadnicy. 

 

Obwód zastępczy c) jest słuszny.  

 

wokół częstotliwości 

ω

 

0n

,  

 

gdy inne rezonanse są daleko,  

 

gdy płaszczyzna jest "ruchoma" z f.  

 

Parametry - podobnie jak dla obwodu o stałych skupionych:  

 

 

 

 

 

Współczynnik sprzęŜenia 

β

 : 

 

β

 

< 1 - rezonator sprzęŜony podkrytycznie, 

β

 

= 1 - rezonator sprzęŜony krytycznie, 

β

 

> 1 - rezonator sprzęŜony nadkrytycznie. 

 

Admitancja rezonatora yr:  

 

background image

 

87 

 

lub inaczej, bez uŜycia elementów obwodu zastępczego:  

 

 

Współczynnik odbicia 

Γ

 (f) rezonatora:  

 

 

α

 

- znormalizowana częstotliwość, parametr odstrojenia: 

 

 

 

W rezonansie 

α

 = 0, wtedy:  

 

 

lub inaczej:  

 

background image

 

88 

 

Rys.2.36. Okrą

Γ

 (f) rezonatora włączonego odbiciowo, na płaszczyźnie zespolonej 

 

Rys.2.37. PołoŜenie okręgów wspłczynnika odbicia rezonatorów dla róŜnych wartości 

współczynnikó sprzęŜenia  

background image

 

89 

 

Rys.2.38. Współczynnik odbicia rezonatora widziany w róŜnych płaszczyznach. 

  

Rezonator włączony transmisyjnie  

 

Rezonator moŜe być sprzęŜony z dwiema takimi samymi, lub róŜnymi prowadnicami.  

 

Staje się wtedy dwuwrotnikiem.  

 

Rys.2.39. Rezonator pierścieniowy wykonany na linii mikropaskowej, sprzęŜony z dwiema 

prowadnicami.  

background image

 

90 

 

Rys.2.40. Charakterystyki mocy transmitowanej i odbitej od rezonatora włączonego transmisyjnie. 

Problem: Jaki model obwodowy wyjaśni zmierzone efekty?  

 

Parametry rezonatora włączonego transmisyjnie: 

 

 

 

Rys.2.41.a) Układ zastępczy z obwodami rezonansowymi szeregowymi, umieszczonymi między 

płaszczyznami rozwarcia przy odstrojeniu. 

background image

 

91 

 

Rys.2.41.b) Układ zastępczy z obwodami rezonansowymi równoległymi, umieszczonymi między 

płaszczyznami zwarcia przy odstrojeniu. 

 

Rys.2.41.c) Jak w punkcie b), po przetransformowaniu admitancji Y

01 

i Y

02

 

Macierz rozproszenia rezonatora włączonego transmisyjnie:  

 

 

Transmitancja T: 

 

 

Reflektancje R1 i R2: 

 

 

 

Tutaj: 

background image

 

92 

 

 

 

Rys.2.42. Okręgi transmitancji a) i reflektancji b) rezonatora włączonego transmisyjnie. 

  

Rezonator włączony reakcyjnie 

 

Rys.2.43. Rezonator dielektryczny w sąsiedztwie paska linii mikropaskowej – przykład sprzęŜenia 

reakcyjnego. 

background image

 

93 

 

Rys.2.45. Obwód rezonansowy szeregowy włączony równolegle. 

 

Rys.2.44. Charakterystyki mocy transmitowanej i odbitej od rezonatrora sprzęŜonego reakcyjnie.  

 

Rys.2.46. Obwód rezonansowy równoległy włączony szeregowo. 

 

Parametry rezonatora włączonego reakcyjnie: 

 

 

Macierz rozproszenia rezonatora włączonego reakcyjnie: 

background image

 

94 

 

 

Rys.2.47. Okrąg reflektancji R(

α

 ) rezonatora sprzęŜonego reakcyjnie. 

 

Reflektancja R: 

 

 

Transmitancja T: 

 

 

 

Rys.2.48. Okrąg transmitancji T(

α

 ) rezonatora sprzęŜonego reakcyjnie. 

 
 
 
 

background image

 

95 

 

Filtry w.cz. 

 

  

Podstawowe wiadomości 

 

Filtry pasywne (istnieją teŜ aktywne) są dwuwrotnikami zawierającymi elementy skupione 
(indukcyjności, pojemności, rezystory) oraz odcinki prowadnic falowych o dobranej topologii, 
aby:  

 

przepuszczać moŜliwie bez tłumienia sygnały w wybranym paśmie częstotliwości,  

 

tłumić sygnały poza wybranym pasmem częstotliwości.  

 

Podstawowe grupy filtrów:  

 

górnoprzepustowe, 

 

 

środkowo-zaporowe. 

 

 

dolnoprzepustowe: 

background image

 

96 

 

  

 

środkowo-przepustowe, 

 

Rys.2.49. Podstawowe charakterystyki filtrów. 

a) filtr dolnoprzepustowy b) filtr górnoprzepustowy 

c) filtr środkowoprzepustowy, d) filtr środkowozaporowy. 

  

Tłumienie filtru 

 

Tłumienie bezstratnego filtru umieszczonego miedzy generatorem i obciąŜeniem określone jest 
refelektancją S

11

 filtru.  

 

Oznaczenia: 

- P

G

 - moc dysponowana źródła, 

- P

L

 - moc pochłonięta przez obciąŜenie, 

- P

R

 - moc powracająca do źródła, 

- P

A

 - moc pochłonięta przez filtr i obciąŜenie. 

 

 

background image

 

97 

 

T - tłumienie filtru, 

 

Rys.2.50. Filtr umieszczony między generatorem a obciąŜeniem. 

 

Wykazano, Ŝe dla obwodów L,C współczynniki macierzy [S] są wielomianami zaleŜnymi od 

ω

 

2

 

M(

ω

 

2

) i N(

ω

 

2

) - wielomiany rzeczywiste. 

 

  

Charakterystyki Filtrów 

 

Filtr o charakterystyce maksymalnie płaskiej - Butterworth’a, opisanej zaleŜnością:  

 

N - liczba elementów filtru. 

 

“Stromość” charakterystyki rośnie z liczbą elementów.  

background image

 

98 

 

 

Rys.2.51. Charakterystyki tłumienia obu filtrów Filtr o charakterystyka jednakowych 
maksymalnych odchyleń – Czebyszewa, opisanej zaleŜnością: 

 

 

 

T

N

 - wielomian Czebyszewa N-go rzędu,  

 

Gdzie; -1 < T

N

(

ω

 /

ω

 

C

 ) < 1, - dla 

ω

 /

ω

 

C

 < 1,  

 

T

N

(

ω

 /

ω

 

C

 ) rośnie monotonicznie dla 

ω

 /

ω

 

C

 > 1,  

 

k

2

 - amplituda zafalowań 

 

  

Podstawowe struktury filtrów 

 

Podstawową struktura filtru dolnoprzepustowego pokazuje rys.2.52.  

 

wartości L i C zaleŜą od liczby elementów i są znormalizowane dla 

ω

 = 1 i Z

0

 = 1,  

background image

 

99 

realne wartości L i C otrzymuje się po właściwym przeskalowaniu, 

 

Rys.2.52. Podstawowa struktura filtru dolnoprzepustowego. 

 

Odpowiednia zamiana elementów L i C czyni z filtru dolnoprzepustowego filtr 
górnoprzepustowy.  

 

Zastąpienie elementów L i C w filtrze D-P przez obwody rezonansu szeregowego i równoległego 
prowadzi do charakterystyk filtrów pasmowo-przepustowego i środkowo-zaporowego.  

 

Wartości elementów obwodów rezonansowych otrzymuje się ze wzorów i po przeskalowaniu. 

 

Rys.2.53. Wymienność elementów w rozmaitych rodzajach filtrów

 

Filtr środkowoprzepustowy powstały z przetransformowania dolnoprzepustowego.  

 

background image

 

100 

 

Rys.2.54. Struktura filtru srodkowoprzepustowego. 

 

Rys.2.55. Filtr środk.-przep., odpowiadający doln.-przep. maksymalnie płaskiemu 

 

Rys.2.56. Filtr środk.-przep. odpowiadający doln.-przep. z charakterystyką Czebyszewa 

 
 
 
 

background image

 

101 

 

Problemy i pytania egzaminacyjne 

 

Pytania sprawdzające 

1.

 

Określ prądy i napięcia we wrotach dwuwrotnika i zdefiniuj macierze impedancyjną [Z], 
admitancyjną [Y] i łańcuchową [A]. Zwierając lub rozwierając wrota zapisz kolejne wyrazy 
macierzy jako stosunki odpowiednich napięć i prądów.  

2.

 

Trzy dwuwrotniki połączono szeregowo tworząc łańcuch. Jakimi macierzami je opisać, aby łatwo 
obliczyć macierz całego układu. Zapisz to wzorem.  

3.

 

Opisz zasadę normalizacji wyrazów macierzy [Z] i [Y] w stosunku do impedancji 
charakterystycznych prowadnic falowych.  

4.

 

Jak normalizowane są amplitudy fal rozchodzących się we wrotach dwuwrotnika i jak teraz 
zapisują się moce tych fal?  

5.

 

Zdefiniuj macierz rozproszenia [S] dwuwrotnika.  

6.

 

Zapisz związki między wyrazami macierzy [S] dwuwrotnika bezstratnego.  

7.

 

Jak i w jakich warunkach liczba niezaleŜnych parametrów opisujących dwuwrotnik redukuje się z 
ośmiu do dwóch.?  

8.

 

Czy znając wyrazy macierzy [S] dwuwrotnika moŜesz obliczyć wyrazy macierzy [Z]? Naszkicuj 
tą drogę.  

9.

 

Zapisz macierz [S] wielowrotnika. Co umieścić we wrotach czterowrotnika, aby zmierzyć S

22

 i 

S

24

?  

10.

 

Narysuj grafy przepływu sygnału jednowrotnika, generatora i dwuwrotnika.  

11.

 

Jak transformuje się współczynnik odbicia obciąŜenia przez dwuwrotnik?  

12.

 

W układzie: generator, prowadnica, obciąŜenie wyprowadź wzor opisujący amplitudę fali 
padającej na obciąŜenie.  

13.

 

Jak współczynniki macierzy rozproszenia zmieniają się przy zmianie połoŜenia płaszczyzn 
odniesienia?  

14.

 

Opisz obwody zastępcze, które moŜna narysować w oparciu o współczynniki macierzy [Z] i [Y]?  

15.

 

Przypomnij sobie twierdzenie o transformatorze i obwód zastepczy dwuwrotnika (jakiego), który 
moŜna w oparciu o nie narysować.  

16.

 

Narysuj obwody zastępcze wybranej nieciągłości i zastanów się, dlaczego tam aŜ tyle elementów.  

17.

 

Narysuj i opisz. Wyszukaj podobienstwa. Dlaczego rezonator jest bardziej złoŜonym elementem?  

18.

 

Podaj uogólnioną definicję częstotliwości rezonansowej. Czy obwody rezonansowe: szeregowy i 
równoległy zachowują się zgodnie z tą definicją?  

19.

 

Podaj uogólnioną definicję dobroci (wszystkich). Jakie są przyczyny, dla których dobrocie 
zmieniają się dla kaŜdego modu?  

20.

 

Jakie charakterystyki transmisji i odbicia mocy rezonatorów mierzymy i jak obwody zastępcze je 
modelują?  

21.

 

Narysuj obwody zastęcze dla rezonatorów: odbiciowego, transmisyjnego i włączonego reakcyjnie. 
Przypomnij sobie wszystkie ograniczenia i wymagania, aby obwódy te miały sens.  

22.

 

Dwa z modów rezonatora odbiciowego połoŜone są blisko siebie. Zaproponuj obwód zastępczy.  

23.

 

Opis rezonatorów: odbiciowego, transmisyjnego i włączonego reakcyjnie za pomocą 
współczynnika odbicia i macierzy rozproszenia.  

24.

 

Jak wyŜej, ale opisy graficzne okręgów reflektancji i transmitancji.  

25.

 

Jak zmieniają się okręgi reflektancji i transmitancji rezonatorów: odbiciowego, transmisyjnego i 
włączonego reakcyjnie przy zmianie płaszczyzn odniesienia?  

26.

 

Wspólczynniki sprzęŜenia rezonatorów i ich interpretacje fizyczne i graficzne.  

27.

 

Wymień podstawowe typy filtrów i naszkicuj ich charakterystyki opisujące ich funkcje.  

28.

 

To samo, ale dla filtrów z charakterystykami maksymalnie płaskimi i Czebyszewa.  

29.

 

Jak liczba elementów filtru wpływa na jego charakterystyki?  

30.

 

Jak uniwersaly filtr dolnoprzepustowy trasnformujemy na górnoprzepustowy, środkowozaporowy 
i środkowoprzepustowy. 

background image

 

102 

  

Pytania egzaminacyjne 

1.

 

Macierz rozproszenia dwuwrotnika: równania definicyjne, interpretacja fizyczna, warunki 
odwracalności i bezstratności.  

2.

 

Obwody zastępcze dwuwrotników bezstratnych, oparte o twierdzenie o transformatorze i inne, 
takie jak: nieciągłości i rozgłęzienia.  

3.

 

Obwody zastępcze dwuwrotników aktywnych i stratnych – oparte o formalizm macierzowy, 
obwody zastępcze indukcyjności, kondensatora i rezystora i bezstratnych, oparte o interpretacje 
efektów fizycznych.  

4.

 

Zjawisko rezonansu, definicje parametrów rezonatorów i ich interpretacje fizyczne.  

5.

 

Rezonator sprzęŜony odbiciowo z linią, jego obwód zastępczy, parametry i okrąg reflektancji.  

6.

 

Rezonator sprzęŜony transmisyjnie z linią, jego obwód zastępczy, parametry, macierz 
rozproszenia, interpretacje graficzne.  

7.

 

Rezonator sprzęŜony reakcyjnie z linią, jego obwód zastępczy, parametry, macierz rozproszenia, 
interpretacje graficzne.  

8.

 

Podstawowe struktury i charakterystyki filtrów. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

103 

 

ROZDZIAŁ 3

 

: Elementy i podzespoły bierne W6, W7 

 

Złącza i przejścia 

ącza linii współosiowej 

 

Większość kabli współosiowych ma Z

0

 = 50 

 , wyjątkiem są kable telekomunikacyjne o Z

0

 = 75 

  

 

Przyrządy mają gniazda wejściowe / wyjściowe sygnałów w postaci złącz współosiowych 
uznanych standardów:  

 

Złącze N, najpopularniejsze, opracowane w 1942 przez Bell Labs.  

o

 

konstruktor P. Neil,  

o

 

rekomendowane do 18 GHz,  

o

 

ś

rednica przewodu zewnętrznego linii powietrznej = 7 mm, 

 

Złącze BNC (baby N connector), proste złącze laboratoryjne, rekomendowane do 100 MHz. 

  

 

Rys.3.1. Przekrój złącza N, wtyk i gniazdo 

  

 

Złącze SMA, miniaturowe, opracowane w latach 60-tych:  

o

 

linia całkowicie wypełniona teflonem,  

o

 

ś

rednica przewodu zewnętrznego 4,13 mm,  

o

 

zalecane do 25 GHz, 

 

Złącze SSMA (Scaled SMA):  

o

 

kolejna miniaturyzacja,  

o

 

zalecane do 40 GHz, w wykonaniach specjalnych do 60 GHz, 

 

Złącza APC-7 i APC-3,5 (Amphenol Precision Connector) opracowane dla przyrządów 
pomiarowych, tzw. ”sexless”,  

o

 

APC-7, średnica przewodu powietrznego, zewnętrznego 7 mm, zalecane do 18 GHz,  

o

 

- APC-3,5, średnica przewodu powietrznego zewnętrznego 3,5 mm, zalecane do 40 GHz. 

  

background image

 

104 

 

Rys.3.2. Złącze SMA, wtyk i gniazdo łączące linię 50 

 , wypełnioną teflonem 

  

ącza i Przejścia 

 

Złącza falowodowe: falowody zaopatrzone są w precyzyjnie wykonane kołnierze, przewidziane są 
elementy centrujące, skręcanie śrubami.  

 

Przejście LWsp. - falowód: przewód wewnętrzny jest antenką pobudzającą falowód.  

 

Przejście LWsp. – linia mikropaskowa: przewód wewnętrzny przylutowany do paska linii. 

 

Rys.3.4. Przejście linia współosiowa – falowód prostokątny. 

 

  

Rys.3.3. Złącze falowodowe, kołnierzowe. 

background image

 

105 

 

Rys.3.5. Przejście między linią współosiową a mikropaskową

  

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

106 

 

Elementy o stałych skupionych  

 

Elementy o stałych skupionych – Rezystory 

 

Teoria obwodów o stałych skupionych opisuje zachowanie elementów i układów za pomocą 
R,L,C  

 

Teoria obwodów o stałych rozłoŜonych dodaje odcinek linii wraz ze zwarciem i rozwarciem.  

 

Rezystancja: U w fazie z I niezaleŜnie od f. 

Jak zrealizować rezystor? 

 

Rys.3.7. Rezystor dyskowy 

  

 

Rys.3.6. Rezystor i jego obwód zastępczy 

  

background image

 

107 

 

Rys.3.8. Rezystor planarny i jego obwód zastępczy. 

  

Indukcyjności 

 

Indukcyjność - reaktancja ~ f, I opóźniony o 90

0

 względem U. 

 

Rys.3.9. Cewka z rdzeniem i jej obwód zastępczy. 

  

 

Rys.3.10. Prosty przewód i jego indukcyjność 

  

background image

 

108 

 

Rys.3.11. Indukcyjność zrealizowana w strukturze linii mikropaskowej (dla MMIC ). 

  

 

 

Rys.3.12. Obwód zastępczy cewki planarnej

  

Pojemności 

 

Pojemność:  

o

 

U opóźniony o 90

0

 względem I,  

o

 

reaktancja X

C

 ~ 1/f,  

 

Kondensator warstwowy - dielektryk o grubości h między płaskimi elektrodami metalowymi o 
powierzchni S: 

 

background image

 

109 

 

 

 

Rys.3.13. Rozmaite konstrukcje planarnych kondensatorów. a) Kondensator płaski z jedną warstwą 
dielektryka. b) Kondensator wł
ączony szeregowo do linii mikropaskowej. c) Kondensator 
mi
ędzypalczasty. 

  

ObciąŜenie linii 

 

ObciąŜenie linii współosiowej to zwykle rezystor cylindryczny stanowiący przedłuŜenie przewodu 
wewnętrznego. 

background image

 

110 

 

Rys.3.14. a) Struktura obciąŜenia linii współosiowej i b) jego obwód zastępczy. 

 

Rezystor obciąŜenia linii współosiowej to warstwa rezystywna na dielektrycznym walcu.  

 

ObciąŜenie falowodowe to zwykle ostrosłup wykonany z materiału stratnego, do obszaru którego 
fala EM wnika na duŜą głębokość. 

 

Rys.3.15. Konstrukcja typowego obciąŜenia falowodoweg 

 
 
 
 
 
 
 

background image

 

111 

 

Tłumiki i przesuwniki fazy 

 

Tłumiki i przesuwniki fazy – Uwagi ogólne 

 

Tłumik / przesuwnik fazy jest zwykle dwuwrotnikiem odwracalnym, obustronnie dobrze 
dopasowanym: 

 

 

Wartość tłumienia A

t

 związana jest z wartością transmitancja S

12

 

 

 

Tłumiki regulowane umoŜliwiają zmianę 

|

S

12

|

 płynną lub skokową, na drodze mechanicznej lub 

elektrycznej,  

 

Ewentualne zmiany 

nie są istotne.  

 

Obustronne dobre dopasowanie oznacza zwykle WFS < 1,5. Tłumiki stałe tłumią falę w 
określonym stosunku, w moŜliwie szerokim zakresie częstotliwości. 

 

 

Przesuwniki fazy, regulowane płynnie albo skokowo, zmieniają 

na drodze elektrycznej, albo 

mechanicznej,  

 

W przypadku przesuwników fazy poŜądane jest:  

 

; przesuwnik fazy nie wnosi strat,  

 

przesuwnik fazy jest obustronnie dopasowany. 

  

Tłumiki 

 

Tłumik współosiowy, regulowany, z falowodem podkrytycznym, stosowany we wzorcach 
tłumienia.  

background image

 

112 

 

Dla częstotliwości 

tłumienie jest niezaleŜne od f: 

 

 

Rys.3.16. Konstrukcja tłumika z cylindrycznym falowodem podkrytycznym o regulowanej długości. 

 

Tłumik współosiowy stały z rezystorem dyskowym R

R

 i rezystorami szeregowymi R

S

.  

 

zapewnia szerokopasmową pracę. 

 

Rys.3.17. a) Struktura tłumika. b) Obwód zastępczy. 

 

Tłumik regulowany z symetryczną linią paskową ma 2 elementy:  

 

Odcinek symetrycznej powietrznej linii paskowej.  

 

Ruchoma wkładka stratnego dielektryka, w kształcie “U”.  

 

Gdy dielektryk stratny jest wysunięty tłumienie jest bliskie 0. 

background image

 

113 

 

Rys.3.18. Widok konstrukcji tłumika regulowanego z linią paskową.  

We współczesnych Monolitycznych Mikrofalowych Układach Scalonych (MMIC) tłumik wykonywane 
są w postaci warstw rezystywnych o mikrometrowych rozmiarach. 

 

Przykład konstrukcji pokazuje rys.3.19.  

 

Obwód zastępczy prostokątnej warstwy moŜe być przedstawiony w postaci obwodu T. 

 

Rys.3.19. Struktura tłumika o stałym tłumieniu wykonanego na linii koplanarnej. 

  

Przesuwniki fazy 

 

Przesuwnik fazy na linii współosiowej.  

 

Przesuwnik wykorzystuje fizyczne wydłuŜenie linii współosiowej o 2

 x, co powoduje zmianę 

długości elektrycznej przesuwnika o 

φ

 . 

 

background image

 

114 

 

Rys.3.20. Zasada działania przesuwnika fazy zbudowanego z ruchomych odcinków linii współosiowej 

Falowodowy przesuwnik fazy. 

 

Przesuwnik płetwowy - wprowadzenie dielektryka w miejscu silnego pola elektrycznego zmienia 
stałą propagacji.  

 

Konstrukcja płetwowa zmniejsza odbicia.  

 

Gdy dielektryk jest materiałem stratnym, to przyrząd pracuje jako tłumik falowodowy. 

 

Rys.3.21. Zasada działania falowodowego, płetwowego przesuwnika fazy 

 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

115 

 

Dzielniki mocy i sprzęgacze  

 

Proste dzielniki mocy 

 

Rozgałęzienie falowodowe H

.jest:  

 

bezstratne  

 

symetryczne  

 

moŜliwe do dopasowania z wybranej strony. 

 

 

Rys.3.23. a) Rozgałęzienie falowodowe H.  

b) Obwód zastępczy rozgałęzienia. 

 

Dzielniki mocy

sprzęgacze kierunkowe

sprzęgacze hybrydowe

 są biernymi, najczęściej 

bezstratnymi trój- lub czterowrotnikami, dzielą w określony, znany sposób moce fal. 

 

 

Rozgałęzienie typu T

. Rozgałęzienie jest:  

 

bezstratne  

background image

 

116 

 

symetryczne  

 

niedopasowane, 

 

 

Rys.3.22. Współosiowe rozgałęzienie typu T 

 

Rozgałęzienie falowodowe E

 jest:  

 

Bezstratne 

 

symetryczne  

 

moŜliwe do dopasowania z wybranej strony. 

 

background image

 

117 

 

Rys.3.24. a) Rozgałęzienie falowodowe E.  

b) Obwód zastępczy rozgałęzienia. 

 

Dzielnik Wilkinsona

 - wykonywany z uŜyciem linii mikropaskowej, lub paskowej symetrycznej.  

 

dopasowanie, dla wybranej częstotliwości: 

 

 

równy podział mocy:  

 

 

wrota 2 i 3 są izolowane:  

 

 

Rys.3.25. Obwód zastępczy wyjaśniający działanie dzielnika Wilkinsona. 

  

background image

 

118 

Sprzęgacze kierunkowe 

 

Sprzęgacz kierunkowy

 jest czterowrotnikiem, w którym części mocy fal w torze głównym, 

biegnących w przeciwnych kierunkach, wyprowadzane są oddzielnymi wrotami.  

 

Sprzęgacz kierunkowy tworzą 2 prowadnice falowe z odpowiednim mechanizmem pobudzania. 

 

Rys.3.26. Idea działania sprzęgacza kierunkowego. 

 

Fala płynie od 1 do 2, część mocy przepływa do wrót 3, wrota 4 izolowane.  

 

Fala od 2 do 1, część mocy przepływa do wrót 4 w sprzęŜonej prowadnicy, wrota 3 izolowane.  

 

Fala płynie od 3 do 4, część mocy przepływa do wrót 1 w torze głównym, wrota 2 izolowane, itd. 

 

 

SprzęŜenie sprzęgacza C

 (coupling): 

 

 

 

Izolacja sprzęgacza I

 (isolation): 

 

 

 

Kierunkowość sprzęgacz D

dB

 (directivity): 

 

 

Macierz rozproszenia sprzęgacza (T - transmisja w torze głównym): 

background image

 

119 

 

 

Rys.3.27. Graf przepływu sygnału sprzęgacza kierunkowego dopasowanego.  

Wielootworowy sprzęgacz falowodowy

 

W torze głównym propagowana jest fala od wrót 1do wrót 2.  

 

KaŜdy otwór jest źródłem fali w torze sprzęŜonym.  

 

Fale rozchodzące się od 4 do 3 sumują się.  

 

Fale rozchodzące się od 3 do 4 wygaszają się wzajemnie jako skutek interferencji. 

 

Rys.3.28. Struktura falowodowego wielootworowego sprzęgacza kierunkowego. 

 

Sprzęgacze z liniami sprzęŜonymi

.  

background image

 

120 

 

Między parą przewodów linii paskowej TEM występuje naturalne sprzęŜenie pól EM.  

 

Propagacja fali w jednej z linii powoduje wzbudzenie fali w drugiej. Wzbudzenie jest tym 
silniejsze, im:  

 

bliŜej są linie,  

 

dłuŜszy jest odcinek zbliŜenia.  

 

Analiza warunków wzbudzenia sprzęgacza wykazuje moŜliwość wzbudzenia  

 

modu parzystego,  

 

modu nieparzystego. 

Właściwe dobranie warunków propagacji obu modów pozwala uzyskać dobrą 
kierunkowość sprzęgacza w wybranym pasmie częstotliwości.  

a) 

 

b) 

 

Rys.3.29. a) Parzysty mod pola EM w liniach sprzęŜonych: b) Nieparzysty mod pola EM w liniach 

sprzęŜonych. 

 

Sprzęgacze zbliŜeniowe na linii mikropaskowej. 

 

 

Sprzęgacz jednosekcyjny pokazano na rys.3.30.a).

 

Moc biegnie w torze głównym od wrót 1 do 

wrót 2.  

 

Fala wzbudzona wypływa wrotami 4.  

 

Wrota 3 izolowane.  

 

W sprzęgaczu jednosekcyjnym:  

 

pasmo pracy f

max

/f

min

 

 2,  

 

kierunkowość nie duŜa.  

background image

 

121 

 

W sprzęgaczu trzysekcyjnym  

 

pasmo pracy istotnie większe, f

max

/f

min

 

 4,  

 

kierunkowości większe.  

 

 

Rys.3.30. Sprzęgacze na linii mikropaskowej.  

a) Sprzęgacz jednosekcyjny. b) Sprzęgacz trójsekcyjny. 

  

Sprzęgacze 3dB/180

 

Sprzęgacz falowodowy - 

magiczne T 

jest połączeniem falowodowego rozgałęzienia E i H.  

 

Przy doprowadzeniu sygnału do wrót H,1(

Σ

 ): 

 

 

Przy doprowadzeniu sygnału do wrót E,4(

 ): 

 

background image

 

122 

 

Rys.3.31. Struktura Magicznego T.  

 

Sprzęgacz pierścieniowy: s

ymetryczna linia paskowa lub mikropaskowa:  

 

Wrota 1 i 3 są izolowane: S

13

 = 0.  

 

Sygnał do wrót 1(

 ), wrota 2 i 4 znajdują się w odległości 3

λ

 /4 i 

λ

 /4, czyli:  

 

 

Sygnał do wrót 3(

Σ

 ), wrota 2 i 4 znajdują się w tej samej odległości 

λ

 /4, czyli: 

 

 

Rys.3.32. Struktura sprzęgacza pierścieniowego. 

  

Sprzęgacze 3dB/90

0

 kwadraturowe 

 

Sprzęgacz kwadraturowy

 - czterowrotnik:  

 

moc wejściowa dzielona jest na połowy,  

 

we wrotach wyjściowych sygnały są przesunięte w fazie o 

π

 /2,  

 

jedne wrota są izolowane. 

 

 

Sprzęgacz 3dB/90

0

 Lange’go

 zrealizowany na linii mikropaskowej:  

background image

 

123 

 

Sprzęgacz gałęziowy

 zrealizowany na linii mikropaskowej:  

 

Macierz rozproszenia sprzęgacza gałęziowego, idealnego: 

 

 

Rys.3.33. Struktura sprzęgacza Lange’go. 

 

Rys.3.34. Struktura sprzęgacza gałęziowego. 

 
 
 
 
 
 
 

background image

 

124 

Przegląd rezonatorów – realizacje 

 

Realizacje – Rezonatory współosiowe 

 

Rezonator półfalowy

 - odcinek linii współosiowej zwarty na obu końcach, moŜe być częściowo, 

lub całkowicie wypełniony dielektrykiem.  

 

Warunek rezonansu: 

 

 

Kolejne częstotliwości rezonansowe: 

 

 

WzdłuŜ osi rezonatora dokłada się całkowita (n) ilość "połówek" fali. 

 

 

 

background image

 

125 

Rys.3.35. Rezonator półfalowy na linii współosiowej. a) Rozmiary rezonatora. b) Rozkład pola 

elektrycznego w modzie podstawowym. c) Rozkłady pola elektrycznego dla kolejnych dwu modów. 

 

Rezonator ćwierćfalowy

 - odcinek linii współosiowej zwarty na jednym końcu, na drugi 

rozwarty. Koniec rozwarty przechodzi w cylindryczny falowód podkrytyczny.  

 

Warunek rezonansu: 

 

 

Kolejne częstotliwości rezonansowe: 

 

 

WzdłuŜ osi rezonatora dokłada się całkowita, nieparzysta ilość (n) "ćwiartek fali. 

 

 

background image

 

126 

 

Rys.3.36. Rezonator ćwierćfalowy na linii współosiowej. a) Rozmiary rezonatora. b) Rozkład pola 

elektrycznego w modzie podstawowym. c) Rozkłady pola elektrycznego dla kolejnych dwu modów  

 

Rezonator helikalny

 - zwinięcie przewodu wewnętrznego linii powoduje zmniejszenie długości 

fali i skrócenie rezonatora. Pobudzanie rezonatora współosiowego, wzbudzić Ŝądany mod 
utrudniając wzbudzenie modów niepoŜądanych:  

 

sondą/antenką w maksimum pola elektrycznego,  

 

pętlą w maksimum pola magnetycznego 

   

background image

 

127 

 

Rys.3.37. Rezonator helikalny stosowany w zakresie częstotliwości 30 MHz - 1000 MHz. Rys.3.38. 

Rezonator ćwierćfalowy, włączony transmisyjnie. Linie wejściowa i wyjściowa sprzęŜone pętlami z polem 

magnetycznym 

  

Rezonator prostopadłościenny 

 

Rezonator prostopadłościenny

 - falowód prostokątny zamknięty dwiema metalowymi ściankami 

w odległości l. 

 

Rys.3.39. Rezonator prostopadłościenny – kształt i rozmiary. 

 

Równania Maxwella dają się rozwiązać dla warunków brzegowych rezonatora. Wynik - 2 rodziny 
modów rezonansowych. 

Mody TE

mnp

, charakterystyczna składowa H

 

m = 0,1,2,3...; n = 0,1,2,3...; p = 1,2,3,4...; 

background image

 

128 

 

Mody TM

mnp

, charakterystyczna składowa E

z

 

m = 1,2,3,4...; n = 1,2,3,4...; p = 0,1,2,3...; 

 

Wskaźniki m,n,p oznaczają ilość "połówek" fal odkładających się wzdłuŜ boków a,b i l.  

 

Częstotliwości rezonansowe: 

 

 

Uwagi: 

 

Gdy nie ma strat w ściankach metalowych i w dielektryku pole EM moŜe być wzbudzone tylko 
dla ciągu dyskretnych wartości f

0mnp

.  

 

W rzeczywistych rezonatorach ze stratami moŜna wzbudzić pole takŜe wokół częstotliwości f

0mnp

Dla b < a < l podstawowym rodzajem rezonansowym jest TE

101

.  

 

Przestrajanie rezonatora:  

 

mechanicznie przez zmianę l,  

 

przez wsuwanie kołka dielektrycznego o duŜym 

ε

r

, co powoduje zmniejszenie f

0

,  

 

przez wsuwanie kołka metalowego i zmianę objętości, f

0

 rośnie. 

 

Rys.3.40. Pole EM dla modu TE

101

background image

 

129 

 

Rys.3.41. Pole EM dla modu TE

201 

  

Rezonator cylindryczny 

 

Rezonator cylindryczny

: falowód cylindryczny zamknięty dwiema metalowymi ściankami w 

odległości l.  

 

Mody TE

nmp

 

 

n = 0,1,2,3...; m = 1,2,3,4...; p = 1,2,3,4...;  

 

q'nm - m-ty pierwiastek pochodnej J'

n

(x) 

 

Rys.3.42. Rezonator cylindryczny – kształt i rozmiary. 

 

Mody TM

nmp

:  

 

 

n,m,p - jak wyŜej, 

background image

 

130 

- qnm - m-ty pierwiastek funkcji Jn(x), 

 

p - ilość "połówek" fali wzdłuŜ osi z.  

 

Częstotliwości rezonansowe: 

 

 

Knm = 

π

 /qnm - dla TM

nmp

  

 

Knm = 

π

 /q'nm - dla TE

nmp 

  

 

Rys.3.43. Rezonator cylindryczny w rodzaju TE

011

, sprzęŜony transmisyjnie z falowodami 

prostokątnymi, przestrajany ruchomym denkiem 

 

Rys.3.44. Rezonator cylindryczny w rodzaju TE

111

, sprzęŜony reakcyjnie z falowodem prostokątnym, 

przestrajany ruchomym zwieraczem 

  

background image

 

131 

Dobrocie rezonatorów wnękowych 

 

Q

0

 zmienia się od modu do modu. 

 

 

n,m,p rosną, rośnie dobroć Q

0

.  

 

Ś

cianki metalowe nie przewodzą idealnie, efekt naskórkowy ogranicza głębokość wnikania 

δ

 

 

µ

 = 

µ

 r

µ

 0 - przenikalność magnetyczna metalu; 

 

 

σ

 [S/m] - przewodność metalu.  

 

R

S

 - rezystancja powierzchniowa rośnie z częstotliwością: 

 

Wpływ metalu na Q

0nmp

 

 

ś

cianki rezonatorów pokrywa się dobrze przewodzącymi metalami: złotem, srebrem,  

 

ś

cianki poleruje się, aby zmniejszyć rozwinięcie powierzchni.  

 

Wpływ dielektryka wypełniającego wnękę na Q0nmp: 

 

 

ε

 = 

ε

 ' - j

ε

 '' = 

ε

r

ε

0

(1 - jtg

δ

 ) - przenikalność dielektryka: 

 

  

Rezonatory mikropaskowe 

 

Odcinek linii mikropaskowej o długości l, rozwarty na obu końcach tworzy 

rezonator półfalowy

Warunek rezonansu: 

 

 

Zalety: prostota wykonania.  

 

Wady: niewielkie dobrocie z powodu strat promieniowania. 

background image

 

132 

 

 

 

Rys.3.45. Rezonatory półfalowe na linii mikropaskowej. a) sprzęŜony pojemnościowo i transmisyjnie, b) 

sprzęŜony przez szczelinę, c) sprzęŜony bezpośrednio 

 

Rezonator pierścieniowy

 utworzony jest przez zamknięty odcinek linii mikropaskowej. Fale 

propagowane są w obie strony; inna nazwa: 

rezonator z falą bieŜącą

.  

 

Warunek rezonansu: 

 

 

Z obwodowego punktu widzenia rezonator włączony jest transmisyjnie.  

 

Dobrocie kolejnych rezonansów nie przekraczają zwykle 1000, ze względu na promieniowanie. 

Rezonator pierścieniowy moŜna takŜe budować wykorzystując inne typy prowadnic falowych: np. 
falowód prostokątny.  

background image

 

133 

 

Rys.3.46. Rezonator pierścieniowy sprzęŜony transmisyjnie z liniami mikropaskowymi 

  

Rezonatory dielektryczne 

 

Rezonator dielektryczny

 jest dyskiem wykonanym z dielektryka o duŜej przenikalności 

elektrycznej 

ε

 

r

 = 30...100.  

 

Podstawowym modem rezonansowym jest TE

01

δ

 

. DuŜa rozmaitość wyŜszych modów, trudnych 

do kontroli.  

 

Dobrocie własne Q

0

 = 3000...8000.  

 

MoŜliwość stabilizacji termicznej 

 

- moŜna dobierać “+” lub “-” 

 

MoŜliwość zastosowania:  

 

w miniaturowych filtrach,  

 

do stabilizacji częstotliwości oscylatorów wykonanych w technologii MMICs. 

background image

 

134 

 

Rys.3.47. Rozkład pól E i H dla rezonatora dielektrycznego w rodzaju podstawowym TE

01

δ

 

 

Rezonator dielektryczny dobrze sprzęga się z linią mikropaskową.  

 

Pole magnetyczne otaczające pasek wnikają do obszaru rezonatora i wzbudzają pole elektryczne.  

 

Ruchome metalowe denko ogranicza obszar wzbudzenia pola magnetycznego i przez zmianę jego 
odległości moŜna przestrajać rezonator mechanicznie w granicach 1...3%. 

 

background image

 

135 

 

Rys.3.48. a) SprzęŜenie rezonatora dielektrycznego z linią mikropaskową. b) Obwód zastępczy rezonatora 

sprzęŜonego z linią mikropaskową reakcyjnie 

  

Rezonatory ferrimagnetyczne 

 

Rezonator ferrimagnetyczny

 - kulka monokryształu granatu Ŝelazowo-itrowego – YIG, o 

ś

rednicy 0,5...1,5 mm.  

 

Zamocowana na pręciku dielektrycznym kulka umieszczona jest w skrzyŜowanych polach 
magnetycznych: stałym H

0

 i zmiennym H 

 

Rezonans, gdy częstotliwość własnej precesji momentów magnetycznych = częstotliwości pola 
zmiennego. 

 

 

γ

 - współczynnik Ŝyromagnetyczny  

 

Dobrocie: Q

0

 = 1000...3000; Q

L

 = 200...800.  

 

Zalety rezonatorów YIG:  

 

przestrajanie elektronowe przez zmianę H

0

,  

 

szeroki zakres przestrajania f

max

/f

min

 = 4. 

YIG uŜywane są do przestrajania generatorów.  

background image

 

136 

 

 

Rys.3.49. a) Rezonator YIG w polu elektromagnesu. b) Obwód zastępczy rezonatora YIG. 

  

Rezonatory Fabry-Perot 

 

Na falach milimetrowych i submilimetrowych rezonatory wnękowe tracą dobroć; Q

0

 ~ f-1/2.  

 

Rezonator F-P tworzą 2 zwierciadła sferyczne o promieniach R

1

 i R

2

. Jedno zwierciadło moŜna 

zastąpić płaszczyzną metalową.  

 

Fala płaska TEM między dwiema metalowymi, równoległymi płaszczyznami: 

 

 

Warunek rezonansu:  

 

 

Warunek stabilności: 

background image

 

137 

 

 

zwykle d/R

1

 = d/R

2

 

 0,6 lub 

 1,4.  

 

Rezonatory F-P mają duŜe dobrocie, rzędu 100.000, bo duŜe n. 

 

 

Rys.3.50. a) Rezonator Fabry-Perot z płaskimi zwierciadłami. b) Rezonator F-P ze zwierciadłami 

cylindrycznymi. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

138 

Realizacje Filtrów 

 

Linia o skokowo zmiennej impedancji 

 

Linia współosiowa, której przewód wewnętrzny skokowo zmienia swoją średnicę, a tym samym 
Z

0

 - jest filtrem dolnoprzepustowym. 

 

 

Rys.3.51. Filtry dolnoprzepustowe wykorzystujące: a) linię współosiową, b) linię mikropaskową

 

Linia mikropaskowa o zmiennej szerokości realizuje skokowe zmiany impedancji Z

0

  

 

Przez zmianę impedancji Z

0

 (średnica przewodu wewnętrznego, szerokość paska) odcinek ma 

charakter albo indukcyjny (duŜe Z

0

), albo pojemnościowy (małe Z

0

). 

 

background image

 

139 

 

Rys.3.52. Obwód typu 

π

 jako obwód zastępczy odcinka linii o długości elektrycznej 

β

 l. 

  

Linia okresowo obciąŜona 

 

Do linii mikropaskowej jednorodnej dołączone równolegle krótkie odcinki rozwarte na końcu.  

 

W obwodzie zastępczym kaŜdy odcinek reprezentowany jest przez suscetancję: 

 

 

Odcinki toru głównego tworzą indukcyjności i dodatkowe małe pojemności, zwiększone o 
pojemności odcinków rozwartych. 

Odcinki linii rozwartej na końcu mogą w pewnych zakresach częstotliwosci realizować obwody 
rezonansowe włączone równolegle. Jest to droga do filtru środkowozaporowego. 

 

 

background image

 

140 

Rys.3.53. Filtr dolnoprzepustowy z odcinkami linii rozwartej dołączonymi w celu zwiększenia pojemności 

równoległych.  

a) Struktura filtru, b) jego obwód zastępczy. 

  

Łańcuch sprzęŜonych rezonatorów 

 

W falowodzie prostokątnym umieszczono przesłony metalowe – rys.3.54a. Między przesłonami 
powstają wnęki rezonansowe.  

 

Obwód filtru jest łańcuchem 3. rezonatorów prostopadłościennych, sprzęŜonych polem 
magnetycznym przenikającym przez szczeliny.  

 

Obwód ma własności filtru środkowo-przepustowego  

 

Na rys.3.54b filtr pasmowo-przepustowy zrealizowany na linii mikropaskowej.  

 

Półfalowe, obustronnie rozwarte odcinki linii pełnią rolę rezonatorów. 

 

Łańcuch rezonatorów jest wzajemnie sprzęŜony przez zbliŜenie pasków, regulacja sprzęŜenia 
zmianą szerokości szczeliny. 

 

 

 

Model matematyczny filtru jest inny.  

 

Obwód zastępczy filtru jest łańcuchem równoległych obwodów rezonansowych wzajemnie 
sprzęŜonych.  

 

Obwody nie są identyczne, mają róŜne częstotliwości rezonansowe i są róŜnie sprzęŜone z 
obwodami sąsiednimi.  

 

W obwodzie zastęczym nie uwzględniono strat własnych linii mikropaskowej i strat na 
promieniowanie. 

background image

 

141 

 

Rys.3.54. a) Falowód z okresowo umieszczonymi przesłonami. b) Rezonatory mikropaskowe sprzęŜone ze 

sobą tworzą filtr pasmowo-przepustowy. c) Obwód zastępczy filtru. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

142 

 

Przyrządy Ferrytowe 

 

Ogólnie o ferrytach 

 

Pasywne elementy w.cz. są wtedy odwracalnymi (Sij = Sji), gdy zastosowane w nich materiały są 
izotropowymi. Materiały anizotropowe, których właściwości zaleŜą od kierunku propagacji 
powodują nieodwracalność obwodu.  

 

Powszechnie stosowanymi w technice w.cz. materiałami anizotropowymi są 

ferryty

.  

 

W ciele stałym elektron obracający się wokół własnej osi i jądra tworzy elementarny dipol 
magnetyczny.  

 

Momenty magnetyczne znoszą się zwykle ze względu na przypadkowość połoŜenia.  

 

W materiałach magnetycznych w pewnych elementarnych objętościach momenty te są 
uporządkowane i przez to wielokrotnie silniejsze.  

 

Uporządkowanie moŜe zaniknąć pod wpływem zmiennego pola magnetycznego, lub po 
podgrzaniu materiału, na skutek ruchów termicznych.  

 

Pod wpływem stałego i zmiennego pola magnetycznego momenty tych obszarów porządkują się, 
wypadkowy moment wielokrotnie rośnie, występuje efekt precesji, itd.  

 

materiale izotropowym związek między indukcją B a natęŜeniem H jest prosty: 

 

 

W anizotropowych ferrytach 

µ

 jest tensorem: 

 

- załoŜenie: stałe pole H0 w kierunku osi z. 

 

Wniosek

: wpływ ferrytu na warunki propagacji zaleŜy od kierunku propagacji. 

 

 

Ferryty

 - ceramika spiekana z tlenków Ŝelaza, innych tlenków, metali, węglików, itd.  

 

Poznamy następujące przyrządy ferrytowe;  

 

izolatory,  

 

cyrkulatory,  

 

rezonatory ferrimagnetyczne. 

  

Izolatory ferrytowe 

 

Izolator ferrytowy

 jest nieodwracalnym dwuwrotnikiem.  

 

Macierz rozproszenia idealnego izolatora:  

 

 

idealny izolator jest obustronnie dopasowany,  

background image

 

143 

 

w kierunku przepustowym nie tłumi fali,  

 

w kierunku zaporowym tłumi całkowicie falę.  

 

Izolator rzeczywisty:  

- tłum. przepustowe małe:  

 

- tłum. zaporowe duŜe:  

 

- reflektancje małe: WFS obustronnie < 1,3. 

 

Izolatory ferrytowe wykonywane są w technice falowodowej i linii paskowych.  

 

Izolator falowodowy z przemieszczeniem pola - w maksimum E

y-z

 kierunku zaporowym - 

warstwa tłumiąca. 

 

 

Rys.3.55. a). Struktura izolatora falowodowego. 

b). Wpływ wkładki ferrytowej na rozkład pola dla obu kierunków propagacji.  

  

background image

 

144 

Cyrkulatory ferrytowe 

 

Cyrkulator jest trójwrotnikiem symetrycznym (czasami wykonywany w wersji czterowrotnika), w 
którym moc krąŜy między wrotami.  

 

Moc wpływająca do wrót 1 wypływa wrotami 2, wrota 3 izolowane, itd.  

 

Macierz rozproszenia cyrkulatora: 

 

 

W idealnym cyrkulatorze:  

 

R = 0, w rzeczywistości WFS < 1,2,  

 

I = 0, w rzeczywistości tłumienie zaporowe: 

 

 

T = 1, w rzeczywistości tłumienie przepustowe: 

 

 

background image

 

145 

 

Rys.3.56. a) Cyrkulator jako trójwrrotnik.  

b) Graf przepływu sygnału cyrkulatora. 

 

Cyrkulatory ferrytowe wykonywane są z wykorzystaniem rozgałęzień falowodowych E i H, a 
takŜe z wykorzystaniem linii paskowych i mikropaskowych.  

 

Na rys.3.57. pokazano cyrkulator w wersji z symetryczną linią paskową.  

 

Nie pokazano stałych magnesów, umieszczonych po obu stronach płytek ferrytowych.  

 

Kierunek stałego pola magnetycznego określa kierunek cyrkulacji mocy.  

 

Do linii paskowych wrót cyrkulatora moŜna dołączyć proste obwody dopasowujące.  

 

Paski wrót cyrkulatora mogą być połączone z odpowiednimi przejściami do linii współosiowej. 

 

Rys.3.57. Cyrkulator ferrytowy z symetryczną linią paskową

  

Zastosowania 

 

Zastosowanie 1

Dołączenie do cyrkulatora dopasowanego obciąŜenia tworzy izolator: Sygnał 

mikrofalowy wpływający do wrót 1 wypływa wrotami 2 praktycznie bez tłumienia, sygnał 
wpływający do wrót 2 wydziala się w dopasowanym obciąŜeniu wrót 3, wrota 2 są izolowane. 

background image

 

146 

 

Rys.3.58. Cyrkulator z obciąŜeniem pełni rolę izolatora

 

Zastosowanie 2

Wzmacniacz odbiciowy z cyrkulatorem tworzą wzmacniacz transmisyjny: 

Sygnał wpływający do wrót 2 zostaje wzmocniony po odbiciu od wzmacniacza we wrotach 3 i 
wypływa wrotami 1.  

 

Rys.3.59. Wzmacniacz odbiciowy z cyrkulatorem tworzą wzmacniacz transmisyjny. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

147 

 

Anteny  

Podstawowe pojęcia 

 

Anteny

 tworzą połączenie w wolnej przestrzeni dla fali w prowadnicy falowej (falowody, kable 

współosiowe) dostarczonej przez nadajnik i odebranej przez odbiornik.  

 

Celem 

anteny nadawczej

 jest sprawna przemiana prądów/ mocy w.cz. w obwodzie/prowadnicy 

w moc fali w wolnej przestrzeni. 

 

 

Antena odbiorcza

 pobiera energię fali z przestrzeni i kieruje ją do prowadnicy w celu dalszej 

obróbki.  

 

Anteny systemów satelitarnych, łączy radiowych wypromieniowują falę w postaci wąskiej wiązki 
(pencil beam).  

 

W zakresie częstotliwości mikrofalowych wiązkę taką tworzą np. reflektor paraboliczny 
oświetlony przez roŜek promieniujący.  

 

Anteny telekomunikacji ruchomej, komórkowej, sieci radiowych i telewizyjnych 
wypromieniowują wiązkę dookólną (np. antena dipolowa).  

 

Antena jest elementem odwracalnym, jej właściwości nadawania/wypromieniowania fali są 
identyczne jak odbioru. 

  

Obszary pola wokół anteny 

 

Pole EM wypromieniowane przez antenę zmienia charakterystykę ze wzrostem odległości od 
anteny.  

 

W bezpośredniej bliskości anteny znajduje się 

obszar indukcji

, pole EM związane jest 

równaniami Maxwella z prądem wzbudzającym, płynącym w antenie.  

 

Kolejno obserwujemy 

pole bliskie

, zwane 

strefą Fresnela

, fala jest falą kulistą, amplituda i faza 

natęŜenia pola zaleŜy od odległości od róŜnych części anteny.  

 

Najdalszy jest obszar 

pola dalekiego

, zwanego 

strefą Fraunhofera

, fala ma charakter fali 

płaskiej, amplituda pola elektrycznego i magnetycznego maleją liniowo z odległością. 

 

background image

 

148 

Rys.3.60. Strefy wokół anteny 

  

Charakterystyka promieniowania anteny 

 

Kierunkowe właściwości anteny opisuje 

charakterystyka promieniowania

. - Określa ona 

przestrzenny rozkład promieniowanej energii.  

 

Definiuje się jako rozkład gęstości promieniowania F(

θ

 ,

φ

 ) na powierzchni kuli o środku 

pokrywającym się ze środkiem anteny. 

 

 

są natęŜeniami pól elektrycznego i magnetycznego w strefie dalekiej, malejącymi jak 1/r,  

 

S(

θ

 ,

φ

 ) jest wektorem Pointing’a,  

 

Charakterystyki promieniowania podawane są:  

 

w układzie prostokątnym,  

 

w układzie biegunowym - widok z lotu ptaka,  

 

w układzie trójwymiarowym,  

 

w mierze liniowej,  

 

w mierze logarytmicznej.  

 

 

Rys.3.61. a) Ch. promieniowania w układzie prostokątnym. b) Ch. promieniowania w układzie 

biegunowym 

background image

 

149 

  

Wzmocnienie i kierunkowość anteny 

 

Charakterystyki promieniowania obrazowane są oddzielnie dla pól E i H, pozwalają określić 

wiązkę główną i wstęgi boczne.

 

 

 

Szerokość wiązki głównej

 - kąt, dla którego F

max

 wiązki głównej zmniejsza się o 3dB. 

 

 

Wzmocnienie G

 określa zdolność anteny do koncentracji energii w wybranym kierunku.  

 

W przypadku 

kierunkowości D

 - w mianowniku moc wypromieniowana.  

 

 

Innymi słowy: 

kierunkowość

 to stosunek maksymalnej gęstości mocy promieniowania do 

ś

redniej gęstości mocy promieniowania.  

 

Kierunkowość D jest jednoznacznie określona przez charakterystykę promieniowania anteny. 
Kierunkowość podawana jest w decybelach.  

 

Antena wypromieniowuje mniej mocy, niŜ pobiera, opisuje to 

sprawność anteny 

ηηηη

 

, jako 

stosunek mocy wypromieniowanej przez antenę P

r

 do mocy doprowadzonej do anteny P

T

 

 

Ś

rednia gęstość mocy promieniowania jest równa całkowitej mocy wypromieniowanej 

podzielonej przez pełny kąt bryłowy.  

  

Przykłady konstrukcji i charakterystyk 

 

Anteny przewodowe

, najprostsze, uŜywane juŜ przez Marconi’ego i Hertz’a.  

 

Najprostszą konstrukcją jest 

antena dipolowa

 – rys.3.62a, lub 

antena monopolowa

, montowana 

na płaszczyźnie uziemionej, stosowana powszechnie w telefonach komórkowych. Anteny tego 
typu promieniują dookólnie. 

 

 

Antena helikalna

 ma juŜ charakterystykę kierunkową.  

 

Anteny przewodowe stosowane są chętnie w zakresie HF i UHF.  

 

Łatwe i tym samym tanie w wykonaniu. 

 

background image

 

150 

 

Rys.3.62. Przykłady anten przewodowych.  

a) Antena dipolowa. b) Antena helikalna.  

 

Rogi i tuby promieniujące

 są naturalnym przedłuŜeniem otwartego do półprzestrzeni falowodu.  

 

Anteny tego typu są szerokopasmowe, pracują w całym pasmie falowodu. 

 

Rys.3.63. Przykłady anten tubowych. 

 

Antena zbudowana w oparciu o linię mikropaskową  

 

Charakterystyka anteny znacznie poprawia się, gdy liczba elementów promieniujących rośnie.  

 

Anteny tego typu są wąskopasmowe. 

background image

 

151 

 

Rys.3.64. Przykłady anteny planarnej, wykorzystującej linię mikropaskową

 

Anteny z reflektorami parabolicznymi

, są oświetlone przez antenę małego rozmiaru, np. 

tubową.  

 

Anteny tego typu są mają bardzo duŜe wzmocnienie i kierunkowość.  

 

Stosowane są chętnie w systemach radiolokacyjnych, satelitarnych.  

 

Rys.3.65. Antena tubowa oświetla antenę z reflektorem parabolicznym. 

 

Szyki antenowe

, to szereg elementów promieniujących zasilanych z tego samego źródła.  

 

Kierunek propagacji zaleŜy od róŜnicy faz między kolejnymi elementami, gdy faza jest 
zmieniana, to wiązka zmienia kierunek propagacji.  

 

Anteny tego typu mają znakomite charakterystyki promirniowania. 

background image

 

152 

 

Rys.3.66. Szyk antenowy o regulowanym kierunku promieniowania. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

153 

Problemy i pytania egzaminacyjne 

 

Pytania sprawdzające. 

1.

 

Wymień najwaŜniejsze rodzaje złącz linii współosiowej i czynniki ograniczające ich 
częstotliwościowe pasmo pracy.  

2.

 

W jaki sposób wprowadzisz sygnał z falowodu do linii mikropaskowej?  

3.

 

Jak zmienia się konstrukcja rezystorów ze wzrostem częstotliwości pracy?  

4.

 

Narysuj obwód zastępczy wielozwojowej cewki i cewki planarnej, oraz wymień fizyczne 
ograniczenia ich częstotliwościowego zakresu pracy.  

5.

 

Jak wykonywać kondensatory, aby pracowały przy najwyŜszych częstotliwościach?  

6.

 

Wytłumacz działanie falowodowego obciąŜenia wykonywanego w postaci ostrosłupa z materiału 
stratnego.  

7.

 

Jakie efekty wykorzystywane są przy konstrukcji tłumików o zmiennym tłumieniu?  

8.

 

Opisz konstrukcje tłumików stałych, współosiowych i planarnych.  

9.

 

Jakie efekty wykorzystywane są przy konstrukcji regulowanych przesuwników fazy?  

10.

 

Opisz konstrukcję kilku prostych dzielników mocy.  

11.

 

Zdefiniuj parametry sprzęgaczy kierunkowych.  

12.

 

Opisz strukturę i działanie falowodowych sprzęgaczy kierunkowych.  

13.

 

Opisz strukturę i działanie planarnych sprzęgaczy kierunkowych.  

14.

 

Opisz zasadę działania Magicznego T.  

15.

 

Współosiowy rezonator półfalowy, rozkłady pól i warunki rezonansu.  

16.

 

Współosiowy rezonator ćwierćfalowy, rozkłady pól i warunki rezonansu.  

17.

 

Rezonatory prostopadłościenne, opisz warunki rezonansu dla modów TE

n,m,p

 i TM

n,m,p

.  

18.

 

Naszkicuj rozkłady pól w rezonatorze cylindryczny dla rodzajów TE

011

 i TE

111

 (przypomnij sobie 

wiadomości z przedmiotu Pola i Fale).  

19.

 

Czynniki ograniczające dobroć rezonatorów wnękowych.  

20.

 

Opisz podstawowe struktury rezonatorów planarnych.  

21.

 

Co to jest rezonator dielektryczny, jak sprzęgamy go z linią mikropaskową, przestrajamy, jaki jest 
jego obwód zastępczy?  

22.

 

Rezonator ferrimagnetyczny, jak sprzęgamy go z linią mikropaskową, przestrajamy, jaki jest jego 
obwód zastępczy?  

23.

 

Rezonator Fabry-Perot, opisz budowę i zasdę działania.  

24.

 

Wymień i opisz kilka charakterystycznych sposobów pobudzenia róŜnych typów rezonatorów 
(wzbudzenia w nim pola EM).  

25.

 

Zaproponuj struktury filtrów dolnoprzepustowych wykorzystujących linię współosiową i 
mikropaskową.  

26.

 

Zaproponuj struktury filtrów pasmowoprzepustowych wykorzystujących linię mikropaskową i 
falowód prostokątny.  

27.

 

Czym wytłumaczysz fakt, Ŝe warunki propagacji fali EM w obecności ferrytu zaleŜą od kierunku 
propagacji.  

28.

 

Jakie są parametry idealnego i rzeczywistego izolatora ferrytowego.  

29.

 

Napisz macierz rozproszenia idealnego i rzeczywistego cyrkulatora ferrytowego.  

30.

 

Wymień kilka zastosowań izolatorów i cyrkulatorów ferrytowych.  

31.

 

Wymień obszary wokół anteny, od czego zaleŜą natęŜenia pól E i H w tych obszarach.  

32.

 

Co to jest charakterystyka promieniowania anteny?  

33.

 

Co to jest kierunkowość anteny?  

34.

 

Scharakteryzuj niektóre typy anten i podaj przykłady anteny przewodowej i tuby promieniującej.  

35.

 

Narysuj strukturę anteny planarnej z 4 elementami promieniującymi. Jakiego typu dzielniki mocy 
proponujesz uŜyć.  

36.

 

Jak wygląda szyk antenowy i w jakich warunkach objawiają się jego zalety.  

37.

 

Które z anten umoŜliwiają transmisję sygnałów w szerokim pasmie, a które są z natury 
selektywne. 

background image

 

154 

  

Pytania egzaminacyjne 

1.

 

Rezystory, kondensatory i indukcyjności skupione, sposoby realizacji, obwody zastępcze.  

2.

 

Tłumiki i przesuwniki fazy: zasada działania i sposoby realizacji.  

3.

 

Dzielniki mocy i sprzęgacze kierunkowe: podstawowe parametry i sposoby realizacji.  

4.

 

Rezonatory współosiowe, falowodowe i mikropaskowe: podstawowe struktury i warunki 
rezonansu.  

5.

 

Rezonatory dielektryczne, ferrimagnetyczne i Fabry-Perot: kilka słów o kaŜdym.  

6.

 

Opisz sposoby realizacji filtrów dolnoprzepustowych w technice współosiowej i planarnej, oraz 
ś

rodkowo-przepustowych w technice współosiowej, planarnej i falowodowej. Przedstaw ich 

obwody zastępcze.  

7.

 

Cyrkulatory i izolatory ferrytowe: działanie, parametry i kilka wybranych zastosowań..  

8.

 

Wymień podstawowe parametry anten, wymień i podaj przykłady najmniej czterech typów anten. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

background image

 

155 

 

ROZDZIAŁ 4

 

: Podstawowe pomiary techniki w.cz. W8, 

W9, W10 

 

Pomiar mocy i detekcja sygnału  

 

Podział metod 

  

 

Metody termiczne wykorzystują efekty przyrostu temperatury T jako skutek wydzielenia mocy 
P.  

 

bolometryczne mierniki mocy - zmiana rezystancji R[T(P)],  

 

termoelektryczne mierniki (z termoparą) mierzą siłę elektromotoryczną E[T(P)],  

 

mierniki kalorymetryczne mierzą przyrost temperatury T(P).  

 

Metody wykorzystujące nieliniowość charakterystyki I(U) diod półprzewodnikowych.  

 

detektory diodowe,  

 

mieszacze diodowe,  

 

detektory homodynowe 

 

Rys.4.1. Zakresy mierzonych mocy są - dla róŜnych metod i przyrządów. 

  

background image

 

156 

Bolometryczne mierniki mocy. 

 

Bolometr - element zmieniający rezystancję ze wzrostem temperatury po absorbcji mocy P.  

 

W obwodzie pomiarowym pełni rolę rezystora.  

 

Stosowane są dwa typy bolometrów:  

 

Bareter - drut Wollastona wykonany ze stopu platyny, 

ϕ

 = 1...3 

µ

 m długość l = 2...4 mm o 

rezystancji rosnącej z T: 

 

 

Czułość mocy S = dR/dT ~ 5

 /mW.  

 

Bareter jest wstępnie grzany do 100...200

0

C.  

 

Termistor - element półprzewodnikowy o rezystancji malejącej z temperatura, wykonany w 
postaci kulki 

ϕ

 = 0,2...0,3 mm, pokrytej warstwą szkła.  

 

Stała czasowa duŜa, ok. 1 sekundy.  

 

Rezystancja R termistora: 

- Czułość mocy S = dR/dT ~ - 35 

 /mW.  

 

- Termistor jest wstępnie grzany do ~ 100

0

 

Rys.4.2. Typowe charakterystyki T(P) termistora 

  

 

Bolometr umieszczony jest w zakończeniu prowadnicy współosiowej/falowodowej, powinien 
absorbować całą moc sygnału.  

background image

 

157 

 

Rys.4.3. Termistorowa głowica falowodowa. 

 

W miernikach mocy bolometr umieszczany jest w ramieniu mostka Wheatstone’a.  

Mostek zasilany jest ze źródła napięcia (stałego lub zmiennego), zapewniającego wstępne podgrzanie do 
temperatury pracy.  

 

Rys.4.4. Bolometry włączone do linii współosiowej mostka 

Przykład działania:  

 

Polaryzacja DC (U

0

, I

0

,), moc wydzielona w bolometrze 

 

 

Po doprowadzeniu mocy w.cz. P

m

 . trzeba zmniejszyć moc o 

 P

0

 = P

m

 . 

 

  

Termoelektryczne mierniki mocy 

 

Mierniki termoelektryczne wykorzystują termopary.  

 

Termopara jest elementem dwuzłączowym: 

background image

 

158 

- jedno złącze ”zimne”, 

- drugie złącze ”gorące”, podgrzewane przez wydzielającą się moc w.cz. 

 

Wydzielanie mocy powoduje powstanie róŜnicy temperatur i pojawienie się napięcia 
termoelektrycznego.  

 

Typowa wartość czułości ~ 250 

µ

 V/

0

C.  

 

Przy zmianie temperatury otoczenia temperatura obu złącz się zmienia, róŜnica pozostaje ta sama. 

Zakres pomiaru mocy > 60 dB, np. od 30 nW do 100 mW.  

 

Rys.4.5. Uproszczony przekrój termopary stosowanej w miernikach mocy w.cz. 

 

Złącze termopary wykonywane jest z dwu materiałów, np. bizmut-antymon, złoto-krzem.  

 

Moc wydziela się w miniaturowym rezystorze.  

 

Problemy:  

- dobre, szerokopasmowe dopasowanie, 

- pomiar b. małych stałych napięć, poniŜej 1

µ

 V. 

  

Kalorymetryczne mierniki mocy 

 

Moc pola EM zamieniana jest na ciepło, przyrost temperatury bezpośrednio mierzony.  

 

Kalorymetr przepływowy - przeznaczony do pomiaru największych mocy.  

 

Przepływająca ciecz (woda) o masie m [kg/s] i cieple właściwym c

w

 [J/K] odbiera ciepło z 

warstwy stratnej pochłaniającej energię pola EM, podgrzewając się o 

 T: 

 

background image

 

159 

 

Rys.4.6. Struktura kalorymetru przepływowego 

 

Kalorymetr statyczny (adiabatyczny), z cieczą dobrze izolowaną od otoczenia, stała czasu kilka 
godzin, pojemność cieplna C [J/K].  

 

Podgrzewana mocą w.cz. przez długi czas t

p

 - kilka minut.  

 

Temperatura rośnie liniowo z czasem o 

 T: 

 

 

MoŜliwość skalowania prądem stałym. 

 

Rys.4.7. Struktura kalorymetru adiabatycznego 

  

Diody detekcyjne (Schottky’go). 

 

Dioda Schottky’go - powszechnie stosowany przyrząd półprzewodnikowy w detektorach i 
mieszaczach.  

 

Charakterystyka I(U) diody Schottky’go jest silnie nieliniowa: 

 

background image

 

160 

I

S

 - prąd nasycenia diody, 

R

S

 - rezystancja szeregowa diody 

α

 

 40 V

-1

 - współczynnik. 

 

Dla diod z wysoką barierą I

S

 małe, dla diod z niską barierą I

S

 rośnie o kilka rzędów.  

 

W obwodzie zastępczym:  

 

- Zakres częstotliwości pracy do 1 THz. 

 

Stosowane takŜe w układach monolitycznych. 

 

  

Rys.4.8. Charakterystyki prądowo-napięciowe 

  

 

background image

 

161 

Rys.4.9. Obwód zastępczy diody Schottky’go 

  

Detektor diodowy 

 

Opierając się o charakterystykę I(U) moŜna objaśnić działanie detektora diodowego. Niech:  

 

- U

0

 - jest stałym napięciem polaryzacji, 

- u(t) - jest małym zmiennym sygnałem. 

 

I(U) rozwinięta w szereg Taylor’a wokół U

0

:  

 

 

Pierwsza pochodna określa konduktancję złącza, druga efekt detekcji:  

 

 

 

MoŜna teraz napisać:  

 

 

Aby pokazać efekt detekcji przyjmiemy:  

 

- po podstawieniu: 

 

 

Składnik 2 to przyrost 

δ

 I prądu - efekt detekcji sygnału o mocy P

ω

 : 

 

background image

 

162 

 

Aby ułatwić wzmocnienie napięcia wyjściowego detektora sygnał w.cz. bywa modulowany 
amplitudowo z małą częstotliwością 

ω

 

m

 

- obok składowej stałej pojawi się napięcie zmienne o częstotliwości 

ω

 

m

 . 

 

Podstawowe parametry detektora:  

 

Czułość prądowa 

ββββ

 

i

 detektora:  

 

 

Czułość napięciowa 

γγγγ

 detektora: 

 

 

γ

 [V/W]~0,5...1,5mV/

µ

 W: 

 

Rys.4.10. Obwód zastępczy detektora dla częstotliwości w.cz. 

 

Rys.4.11. Obwód zastępczy detektora dla sygnału wyjściowego 

background image

 

163 

 

Podstawowa charakterystyka detektora składa się z kilku zakresów:  

 

Zakres kwadratowy, gdy U

d

 

 P dla małych mocy sygnału.  

 

Zakres liniowy, 

dla duŜych mocy wejściowych, w pasmach mikrofalowych nie 

wykorzystywany - ze względu na moŜliwość przebicia i zniszczenie diody.  

 

Między nimi zakres przejściowy, często wykorzystywany w pomiarach, ale wymagający 
skalowania diody.  

 

Od strony najmniejszych mocy charakterystyka ograniczona przez szumy termiczne, które 
ograniczają poziom detekowalności sygnału.- (W wykładzie o szumach, w następnym rozdziale 
zostan
ą omówione dokładniej). 

 

Rys.4.12. Charakterystyka U

d

(P) detektora 

background image

 

164 

 

Rys.4.13. Detektor falowodowy z diodą w oprawce metalowo-ceramicznej 

 

  

 

Rys.4.14. Detektor w technologii MUS z rezystorami dopasowującymi i jego obwód zastępczy detektora. 

 

background image

 

165 

 

Pomiar częstotliwości 

 

Definicje 

 

Częstotliwość - liczba okresowo zachodzących zmian pewnej wielkości fizycznej w jednostce 
czasu. W elektronice wielkościami tymi są: napięcie, prąd, natęŜenie pól elektrycznego i 
magnetycznego.  

 

Jednostka czasu - 1 sekunda równa 1/86400 średniego dnia słonecznego.  

 

Częstotliwość - stosunek liczby okresów n przebiegu periodycznego do czasu t

p

 ich zliczania. 

 

 

Przyrządy wykorzystujące tą zaleŜność do pomiaru f nazywają się cyfrowymi miernikami 
częstotliwości, licznikami częstotliwości albo częstościomierzami. Długość fali 

λ

 

f

 to mierzona 

w kierunku propagacji odległość między dwoma kolejnymi punktami, w których kąty fazowe pól 
E i H róŜnią się o 2

π

 . 

 

- v

f

 - prędkość fazowa propagowanej fali. 

 

Dla fali płaskiej w próŜni:  

 

 

Przyrządy wykorzystujące powyŜszą zaleŜność do pomiaru f nazywają się falomierzami.  

 

Falomierze w porównaniu z częstościomierzami są przyrządami prostymi/prymitywnymi o 
ograniczonej dokładności. 

  

Wzorce częstotliwości 

 

Kwarcowe wzorce częstotliwości - konieczna kompensacja wpływu zmian temeperatury.  

 

Prosty generator kwarcowy - SPXO, w zegarku.  

 

Termokompensowany gen. kwarcowy TCXO z kompensującym układem elektronicznym. 

 

Termostatowany gen. kwarcowy OCXO z rezonatorem w termostacie  

 

Atomowe wzorce częstotliwości - róŜnica energii między stanami energetycznymi niektórych 
atomów lub cząsteczek określona jest z wielką dokładnością. Energia przejścia odpowiada 
częstotliwości mikrofalowej.  

 

Wzorce pasywne, nie są źródłem sygnału, słuŜą do długoterminowej stabilizacji wzorców 
kwarcowych. 

  

background image

 

166 

Typ wzorca 

Stabilność 

długoterminowa 

Stabilność 

krótkoterminowa 

Prosty generator kwarcowy SPXO 

< 3*10

-7

 /mies. 

< 2*10

-9 

Kompensowany generator 
kwarcowy TCXO 

< 1*10

-7

 /mies. 

< 1*10

-9 

Termostatowany generator 
kwarcowy OCXO 

< 1,5*10

-8

 /mies. 

< 1*10

-11 

Atomowy wzorzec rubidowy 

< 1*10

-11

 /mies. 

< 5*10

-12 

Atomowy wzorzec cezowy 

~ 3*10

-12

/Ŝycie 

wzór. 

< 6*10

-11 

  

Układy liczników częstotliwości 

 

Najprostszy układ licznika zawiera wzorzec f

w

, który otwiera bramkę na znany czas t

p

.  

 

 

- N - krotność dzielenia. Sygnał mierzony f

x

 jest wzmacniany, ograniczany i formowany w ciąg 

impulsów.  

 

Bramka przepuszcza impulsy w czasie otwarcia, a licznik je zlicza - n - liczba zliczonych 
impulsów: 

 

 

Rys.4.15. Układ prostego licznika częstotliwości 

 

Aby poszerzyć zakres mierzonych częstotliwości stosowane są wstępne szerokopasmowe 
dzielniki częstotliwości.  

 

Przy krotności dzielenia przez K nastąpi K-krotne poszerzenie zakresu pomiarowego.  

background image

 

167 

 

Obecnie dzielniki częstotliwości pracują do 10 GHz. 

 

Rys.4.16. Układ ideowy licznika częstotliwości ze wstępnym dzieleniem mierzonej częstotliwości 

 

Poszerzenie mierzonego zakresu częstotliwości jest moŜliwe z uŜyciem mieszaczy.  

 

Sygnał o częstotliwości wzorcowej jest powielany do Mf

w

, filtrowany i podany do mieszacza.  

 

Sygnał wyjściowy mieszacza o częstotliwości f

p

 jest mierzony w znany sposób. 

 

 

Problem znaku ”+” lub ”-” jest rozwiązywany drodze układowej.  

 

Rys.4.17. Układ licznika z mieszaniem mierzonej częstotliwości 

 

 

 

background image

 

168 

 

Linia pomiarowa ze szczeliną. 

Pomiar impedancji 

 

Budowa i działanie linii pomiarowej 

 

W odcinku linii współosiowej albo w szerszej ścianie falowodu wycinana jest długa na ~10

λ

 

szczelina.  

 

Przez szczelinę ”zagląda” do linii sonda z antenką pobierając nieco - mniej niŜ 1% - energii pola 
EM. 

 

Rys.4.18. Sonda w szczelinie linii współosiowej 

 

Pobrana energia kierowana jest do detektora diodowego, a napięcie wyjściowe detektora jest 
mierzone.  

 

Sonda zamocowana jest do ruchomej karetki, zapewniającej pomiar jej połoŜenia i jednakowe 
zanurzenie. 

 

background image

 

169 

Rys.4.19. Falowodowa linia pomiarowa. 

 

Linia pomiarowa jest trójwrotnikiem, w płaszczyźnie wyjściowej sondy T

3

 umieszczony jest 

detektor.  

 

Amplituda b

3

 sygnału dobiegającego do detektora jest sumą sygnałów wzbudzanych w 

jednakowym stopniu przez obie fale: 

 

- C stała zespolona zaleŜna m.in. od zanurzenia. 

 

W zakresie kwadratowym charakterystyki napięcie wyjściowe detektora U

d

:  

 

Napięcie U

d

(l) odtwarza przebieg 

|

 U(l)

|

 , pozwala detekować parametry fali stojącej w linii. 

  

 

 

Rys.4.20. a) Układ pomiarowy: generator, linia jednowrotnik. b) Graf przepływu sygnału w układzie. 

  

background image

 

170 

Pomiar WFS 

 

Na końcu linii umieszczono jednowrotnik opisany współczynnikiem odbicia 

Γ

 

L

 

 

Korzystając z grafu obliczamy b

3

:  

 

 

ZaleŜność napięcia detektora od l - połoŜenia sondy:  

 

 

MoŜna zmierzyć:  

- maksymalną wartość U

dmax

- minimalną wartość U

dmin

 

połoŜenie l

m

 dla U

d

 = U

dmin

 

Rys.4.21. Zmierzony przebieg U

d

(l) 

 

 

MoŜna obliczyć WFS jednowrotnika:  

 

background image

 

171 

  

Pomiar współczynnika odbicia i impedancji 

 

MoŜna obliczyć współczynnik odbicia 

Γ

 

L

 

 

Informacja o argumencie 

ψ

 współczynnika odbicia jest zawarta w połoŜeniu l

m

 sondy, dla którego 

U

d

 = U

dmin

 , poniewaŜ tam spełniony musi być warunek:  

 

 

Często 0 skali l nie odpowiada połoŜeniu płaszczyzny dołączenia jednowrotnika. Wtedy na końcu 
linii umieszczamy zwarcie, wywołujemy czystą falę stojącą i mierzymy jedno z połoŜeń l

0

 zera 

napięcia. MoŜna teraz obliczyć 

ψ

 : 

 

 

Rys.4.22. Przebieg U

d

 w trakcie skalowania. 

 

MoŜna teŜ obliczyć zredukowaną impedancję z

L

 jednowrotnika:  

 

- albo jego impedancję Z

L

 

 

 

background image

 

172 

 

Technika Pomiarów Szerokopasmowych 

Wobulatory 

 

Jedno źródło mocy – szerokopasmowy generator tranzystorowy z rezonatorem YIG, przestrajany 
płynnie przez zmianę prądu elektromagnesu w ułamek sekundy, wraz ze wzmacniaczem,  

 

 

Powielacz filtrujący z diodą ładunkową i filtrem YIG poszerza pasmo częstotliwości:  

 

Dioda ładunkowa zniekształca sinusoidę generując harmoniczne,  

 

Filtr z rezonatorem YIG przestrajany elektronicznie wybiera harmoniczną i filtruje. 

 

 

ObniŜanie częstotliwości drogą mieszania z sygnałem wzorcowym, np. f

REF

 = 2010 MHz. 

 

 

Moc wyjściowa oscylatora tranzystorowego jest róŜna dla róŜnych f, poziom mocy 
harmonicznych jest róŜny dla róŜnych n, dlatego niezbędne jest poziomowanie mocy wyjściowej.  

 

Szerokopasmowy detektor mocy wyjściowej sprawdza poziom mocy i w układzie sprzęŜenia 
zwrotnego zmienia tłumienie tłumika, aby moc wyjściowa osiągała właściwy poziom.  

 

Moc mikrofalowa moŜe być modulowana z częstotliwością kilku kHz.  

 

Sterowanie mikroprocesorowe wewnętrzne i zewnętrzne, pełna kontrola nad zakresem 
przestrajania i mocą wyjściową. 

  

 

Rys.4.23. Szerokopasmowy 

wobulator

 z jednym źródłem mocy i powielaczem filtrującym 

background image

 

173 

  

Syntezery 

 

Precyzyjne pomiary wymagają dokładnego określenia częstotliwości, przy której odbywa się 
pomiar – dlatego rozwinięto technikę syntezy częstotliwości – 

syntezery

.  

 

Pierwotny kwarcowy wzorzec częstotliwości, 5 MHz, łatwo uzyskuje się 100 MHz.  

 

Dioda ładunkowa generuje harmoniczne 100 MHz, a filtr YIG wybiera M-tą harmoniczną.  

 

Mieszacz wytwarza częstotliwość róŜnicową: f

M

 – Mx100 MHz, która następnie dzielona jest 

przez 100, przez dzielnik częstotliwości.  

 

Syntezer pomocniczy generuje sygnał m.cz. o wzorcowej częstotliwości f

S

 = 1...2 MHz, co 1 Hz.  

 

Detektor fazy porównuje f

S

 z f

M

 – Mx100 MHz, zapewniając przez układ pętli fazowej równość 

obu przez dostrajanie generatora z rezonatorem YIG. 

 

 

Wobulacja cyfrowa/skokowa, częstotliwość zmienia się “schodkowo”.  

 

Poszerzanie zakresu przestrajania w stronę częstotliwości wyŜszych odbywa się poprzez 
powielanie (dioda ładunkowa harmonicznych i odpowiednie filtry wybierają harmoniczną)  

 

Poszerzanie zakresu przestrajania w stronę częstotliwości niŜszych odbywa się poprzez mieszanie 
z częstotliwością wzorca. 

 

Rys.4.24. Uproszczony układ blokowy syntezera z pomocniczym syntezerem małej częstotliwości 

  

Metody pomiaru tłumienia 

 

Tłumienie całkowite

 albo wtrąceniowe związane jest logarytmiczną miarą modułu transmitancji 

dwuwrotnika: 

background image

 

174 

 

 

Definicja oparta na stosunku mocy:  

 

 

Dwie drogi pomiaru tłumienia: 

- przez pomiar S

21

 - opisany dalej, 

- przez pomiar stosunku mocy. 

 

Rys.4.25. Pomiar tłumienia metodą pomiaru stosunku mocy. G-generator, MM-miernik mocy, D-detektor. 

 

Metoda pomiaru stosunku mocy: 

 

 

Generator odseparowany i dopasowany, moc stała w czasie.  

 

Miernik mocy /detektor diodowy/ mieszacz dopasowany, łączony kolejno do wrót generatora i 
wrót wyjściowych dwuwrotnika 

 

 

Metoda z podstawieniem tłumika wzorcowego 

 

 

Mikrofalowe tłumiki wzorcowe:  

o

 

falowodowe tłumiki obrotowe,  

o

 

tłumiki z falowodem poniŜej częstotliwości granicznej. 

 

Tłumiki wzorcowe małej częstotliwości:  

o

 

tłumiki z falowodem poniŜej częstotliwości granicznej,  

o

 

dzielniki oporowe i indukcyjne. 

 

W obu stanach: bez DW i z włączonym DW wskazanie miernika mocy powinno być takie samo.  

 

background image

 

175 

 

Układ pomiarowy z 

szeregowym włączeniem dwuwrotnika: 

  

 

Rys.4.26. Układ z szeregowym włączeniem badanego dwuwrotnika DW i wzorcowego tłumika TW. 

Układ pomiarowy z 

równoległym włączeniem dwuwrotnika

.  

 

Mierzymy 

|

 S

21

|

 

badanego dwuwrotnika BD.  

 

Dzielnik mocy DM dzieli sygnał o amplitudzie a

1

, wypływające sygnały mają amplitudy b

2

 i b

3

.  

 

Napięcia wyjściowe detektorów mikrofalowych:  

 

- g

p1

 i g

p2

 – czułości napięciowe detektorów pracujących w zakresie kwadratowym. 

 

Rys.4.27. Pomiar tłumienia w układzie z równoległym włączeniem badanego dwuwrotnika. DM – 

dzielnik mocy, BD – badany dwuwrotnik, D1 i D2 detektory, ich napięcia wyjściowe to U

D1

 i U

D2

 

Stosunek napięć wyjściowych detektorów  
U

D2

 /U

D1

 zawiera informację o 

|

 S

21

|

 

background image

 

176 

 

 

Dzielnik DM jest często niesymetryczny i podział mocy jest nierówny, S

DM

 = 

|

 b

3

|

 

2

/

|

 b

2

|

 

2

.  

 

Współczynnik przed 

|

 S

21

|

 

jest nieznany, naleŜy go wyznaczyć drogą skalowania.  

 

Zastępujemy BD odcinkiem linii o zerowym tłumieniu, mierzymy i rejestrujemy U

D2

 /U

D1

 

 

Skalowanie naleŜy przeprowadzić dla kaŜdej częstotliwości. Mierzymy U

D2

 /U

D1

 dla włączonego 

BD.  

 

MoŜemy teraz obliczyć mierzoną wielkość tłumienia: 

 

 

Zakres mierzonych tłumień zaleŜy od dynamiki detektorów, często trzeba pracować poza 
zakresem kwadratowym i skalować detektory.  

 

Sygnał mikrofalowy jest zwykle modulowany amplitudowo z częstot. 10...100 kHz.  

 

Gdy dwuwrotnik jest niedopasowany moc odbita przenika do toru odniesienia i powoduje błędy 
pomiaru.  

 

Zalety układu z równoległym włączeniem:  

 

tworzy się układ dwutorowy, mostkowy,  

 

uniezaleŜnienie od wahań mocy generatora. 

  

Reflektometry mikrofalowe 

 

Definicje: 

* Współczynnik odbicia 

Γ

 x:  

 

Straty odbicia

 - logarytmiczna miara 

|

 

Γ

 l

|

 : 

 

gdzie Snn jest reflektancją wielowrotnika. 

background image

 

177 

 

Reflektometr ze sprzęgaczami kierunkowymi, załoŜenia upraszczające:  

 

generator idealnie dopasowany,  

 

sprzęgacze idealnie kierunkowe,  

 

wrota sprzęgaczy dopasowane,  

 

detektory idealnie dopasowane. 

  

 

 

Rys.4.28. a). Układ reflektometru z dwoma sprzęgaczami kierunkowymi.  

b) Uproszczony graf przepływu sygnału w układzie reflektometru. 

 

Z grafu przepływu sygnału obliczamy kolejno: 

 

 

Co mierzymy: 

 

background image

 

178 

 

- g

p1

 i g

p2

 - czułości napięciowe detektorów pracujących w zakresie kwadratowym, 

 

Stosunek U

D2

/U

D1

 zawiera informację o 

|

 

Γ

 

x

|

 

2

 : 

 

 

Współczynnik przed 

|

 

Γ

 

x

|

 

jest nieznany, naleŜy go wyznaczyć drogą skalowania.  

 

Skalowanie układu - we wrotach wyjściowych umieszczamy zwarcie: 

Γ

 

X

 = -1,  

 

Rejestrujemy zmierzoną wartość stosunku U

D2

/U

D1: 

 

 

Skalowanie naleŜy przeprowadzić dla kaŜdej częstotliwości.  

 

MoŜemy teraz obliczyć mierzoną wielkość: 

 

  

 

Nieidealność układu (skończona kierunkowość sprzęgaczy) prowadzi do błędów. 

 

 

Mostek Wheatstone'a do pomiaru reflektancji 

 

 

Mostek tworzą 3 rezystancje Zo = 50

 , czwartą jest impedancja Zx równa:  

 

 

Współczynniki macierzy rozproszenia mostka: 

- mostek jest z kaŜdej strony dopasowany: 

 

- wrota 1 i 3 są wzajemnie izolowane: 

 

background image

 

179 

 

pozostałe wartości transmitancji odpowiadają tłumieniu 6 dB: 

  

 

  

 

 

Rys.4.29. a). Mikrofalowy mostek Wheatstone'a do pomiaru 

. b). Graf przepływu sygnału 

mostka z dołączonym badanym jednowrotnikiem 

  

Skalarny Analizator Obwodów 

background image

 

180 

 

Rys.4.30. Schemat blokowy skalarnego analizator obwodów. GEN – generator mikrofalowy, MW 

– mostek Wheatstone’a, SK – sprzęgacz kierunkowy, BD – badany dwuwrotnik, Z – zwieracz, LT - 

linia transmisyjna, D1, D2, D3 - detektory 

  

Woltomierze wektorowe 

 

Transmitancje i reflektancje dwuwrotnika zmieniają amplitudę i fazę napięcia fali przepływającej 
bądź odbitej od niego.  

 

Porównanie z sygnałem odniesienia daje informacje o wartościach transmitancji i reflektancji.  

 

Sygnały m.cz. mogą być zapisane cyfrowo za pomocą przetworników A/D.  

 

W rezultacie amplituda sinusoidalnego sygnału m.cz. moŜe być precyzyjnie zmierzona, zakres 
mierzonych wartości przekracza 100 dB.  

 

Podobnie róŜnica faz między dwoma sinusoidalnymi sygnałami m.cz. moŜe być zmierzona 
precyzyjnie, z dokładnością lepszą niŜ 0,1 stop.  

 

Woltomierz wektorowy m.cz. mierzy stosunek zespolonych amplitud: 

 

 

Ze wzrostem częstotliwości sygnału rosną trudności pomiarowe, maleje dokładność pomiaru 
amplitudy i fazy. Dlatego częstotliwość sygnału mierzonego naleŜy obniŜyć, np. na drodze 
mieszania.  

 

W procesie mieszania amplituda sygnału p.cz. jest w szerokim zakresie proporcjonalna do 
amplitudy sygnału w.cz., zachowane zostają takŜe zaleŜności fazowe. 

  

background image

 

181 

 

Rys.4.31. Schemat ideowy Woltomierza Wektorowego z przemianą częstotliwości. Miesz.-mieszacz 

mikrofalowy, Gen.Het. - generator mikrofalowy, Wzm.Mikr. - wzmacniacz mikrofalowy, WzmPCz -

wzmacniacz pośredniej częstotliwości, GenWzorc. - generator częstotliwości wzorcowej. 

 

Schemat ideowy mikrofalowego woltomierza wektorowgo pokazano na rys.4.31.  

 

MWW mierzy stosunek a

S

/a

R

 sygnałów mikrofalowych pochodzących z tego samego źródła, ale 

kierowanych róŜnymi drogami.  

 

Częstotliwość tych sygnałów zmienia się, aby wartość częstotliwości pośredniej f

P

 była stała, 

naleŜy współbieŜnie przestrajać wewnętrzną heterodynę, jej częstotliwość “pilnowana” jest przez 
detektor fazy pracujący w pętli stabilizacji fazowej PLL. Ułatwia to wzmacnianie i pomiar 
sygnałów p.cz.  

 

Moc heterodyny winna być o ok.20 dB większa od sygnału. Wtedy:  

o

 

przemiana jest liniowa,  

o

 

róŜnica kątów fazowych sygnałów wejściowych i wyjściowych zostają zachowana. 

 

 

UŜycie mieszacza harmonicznego ułatwia konstrukcję generatora Gen.Het.  

o

 

dla zwykłego mieszacza: 

o

 

dla mieszacza harmonicznego: 

 

  

Analizatory obwodów 

background image

 

182 

 

Rys.4.32. Schemat ideowy Wektorowego Analizatora Obwodów. GenSynt/Wob – generator 

mikrofalowy przestrajany szerokopasmowo, syntezer lub wobulator, SK1A, SK2A – sprzęgacze 

kierunkowe toru A, SK1B, SK2B – sprzęgacze kierunkowe toru B, BD – badany dwuwrotnik, Z i 

LT – elementy skalowania: zwieracz i linia transmisyjna. 

  

Mikrofalowy woltomierz wektorowy jest głównym składnikiem analizatora obwodów. 

 

Generator mikrofalowy to szerokopasmowy wobulator lub syntezer.  

 

Układ dzielników mocy i przełączników kieruje moc mikrofalową do toru A, lub B.  

 

Zestaw sprzęgaczy kierunkowych kieruje do woltomierza wektorowego sygnały odbite i 
przepływające przez badany dwuwrotnik.  

 

Celem pomiaru jest znalezienie wartości współczynników macierzy rozproszenia, opisanych 
równaniami definicyjnymi:  

 

 

 

Lub inaczej: 

 

 

Współczynniki macierzy [S] nazywane są współczynnikami rozproszenia.  

 

W trakcie pomiarów doprowadzamy moc sygnału do jednych wrót BD. Np. a

2

 = 0, wtedy: 

 

 

background image

 

183 

 

Woltomierz wektorowy mierzy stosunki b

1

/a

1

 oraz b

2

/a

1

. UmoŜliwi to obliczenie S

11

 i S

21

.  

 

Podobnie gdy a

1

 = 0, wtedy: 

 

 

 

Woltomierz wektorowy mierzy stosunki b

1

/a

2

 oraz b

2

/a

2

. UmoŜliwi to obliczenie S

22

 i S

12

.  

 

Skończona kierunkowość sprzęgaczy powoduje, Ŝe mierzone amplitudy są kombinacjami 
wszystkich trzech amplitud, konieczność skalowania.  

 

Woltomierz wektorowy mierzy stosunek W

mn

 zespolonych amplitud  

 

 

gdzie: m,n = 1,2; natomiast K = A lub B  

 

Wartość Wmn związana jest z mierzonym parametrem Smn zaleŜnością homograficzną: 

 

 

W pierwszych rozwiązaniach starano się poprzez symetryzację uzyskać:  

 

 

Wtedy: 

 

 

Wartość r wyznaczano prostym skalowaniem umieszczając element o znanym S

mn

, np. zwieracz, 

odcinek linii o znanej długości.  

 

We współczesnych rozwiązaniach drogą wieloetapowej kalibracji wyznacza się wszystkie 
nieznane współczynniki d, r i p.  

 

Budowany jest skomplikowany model błędów systematycznych, uwzględniający wszystkie 
niedoskonałości: odbicia szczątkowe, niesymetryczne tory, skończona kierunkowość sprzęgaczy, 
przesłuchy z toru do toru, itp.  

 

W trakcie skalowania/kalibracji w miejsce badanego dwuwrotnika BD naleŜy umieszczać 
elementy wzorcowe:  

o

 

Zwieracze.  

o

 

Dopasowane obciąŜenia  

o

 

Linie transmisyjne o znanej długości. 

 

Znając parametry elementu wzorcowego obliczamy współczynniki równań modelu błędu.  

 

Po umieszczeniu BD i pomiarach prowadzone są końcowe obliczenia. 

 

 

 

background image

 

184 

Pomiary rezonatorów 

 

Charakterystyki mocy odbitej 

 

Dla rezonatora sprzęŜonego odbiciowo mierzymy:  

 

ρ

 (f) za pomocą linii ze szczeliną,  

 

 

Γ

 (f) 

2

 za pomocą skalarnego analizatora obwodów. 

 

Znormalizowana charakterystyka mocy odbitej:  

 

 

W rezonansie dla f = f

0

 odbija się najmniej mocy.  

 

Jednoznacznie wyznaczamy wartość Q

L

.  

 

Wartości 

ρ

 

0

 i  

Γ

 

0

(f

0

) 

2

 nie dają jednoznacznych informacji, czy rezonator sprzęŜony jest nadkrytycznie, 

czy podkrytycznie, nie moŜna obliczyć dobroci własnej Q

0

.  

  

 

background image

 

185 

 

Rys.4.33. Charakterystyki a) 

ρ

 (f) i b) 

 

Γ

 (f)

 

2

 rezonatora sprzęŜonego odbiciowo. 

  

Charakterystyki mocy transmitownej 

 

Rezonator sprzęŜony transmisyjnie transmisja mocy mierzona jest analizatorem skalarnym. 

 

Znormalizowana funkcja opisująca transmisję: 

 

 

Wartość  T

0 

2

 daje informację o sprzęŜeniu: 

 

 

Gdy sprzęŜenia są jednakowe (symetria) moŜna obliczyć współczynnik sprzęŜenia 

β

 .  

 

Dobroć Q

L

 wyznaczamy z szerokości połówkowej krzywej rezonansowej. 

 

background image

 

186 

 

Rys.4.44. Charakterystyk transmisji mocy przez rezonator sprzęŜony transmisyjnie

  

Pomiar reflektancji i transmitancji rezonatora 

 

Pomiary R(f), T(f) dają pełną informację o wszystkich parametrach rezonatora.  

 

Na rys.4.45 pokazano koło reflektancji rezonatora zmierzone w płaszczyźnie odległej o 

θ

 od 

płaszczyzny zwarcia przy odstrojeniu.  

 

Znajomość średnicy D pozwala obliczyć 

β

 i częstotliwość rezonansową f

0

.  

 

Znając częstotliwości f

1

 i f

2

, dla których 

 

moŜna obliczyć dobroć obciąŜoną:  

 

 

Mając f

0

β

 i Q

L

 mamy wszystkie parametry rezonatora. 

Podobnie znajomość koła transmitancji pozwoli obliczyć dobroć i współczynniki sprzęŜenia. 

background image

 

187 

 

Rys.4.45. Koło reflektancji rezonatora i jego parametry pozwalające na wyznaczenie wszystkich 

parametrów rezonatora. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

background image

 

188 

Czujniki mikrofalowe 

Przenikalność elektryczna dielektryka 

 

Przenikalność elektryczna

 

εεεε

 opisuje oddziaływanie materiału z polem elektrycznym: 

 

- gdzie 

ε

 

0

 = 8.854 pF/m. – przenikalność wolnej przestrzeni, 

ε

 

r

 – przenikalność względna. 

 

Zespolona przenikalność elektryczna

 

εεεε

 

r

 moŜe być zapisana następująco: 

 

- miara energii pola elektrycznego zgromadzonej w materiale, 

- miara stratności materiału, 

- parametr strat materiału. 

 

Przewodność jonowa 

σ

 

moŜe występować zarówno w cieczy, jak i ciele stałym, wtedy: 

 

- reprezentuje jedynie starty dielektryka. 

 

Wartość przenikalności 

 

zmienia się z częstotliwością, poniewaŜ z częstotliwością zmieniają się:  

o

 

przewodność jonowa,  

o

 

polaryzacja molekuł,  

o

 

polaryzacja atomowa i elektronowa. 

 

Czasy relaksacji są róŜne dla kaŜdej z nich.  

  

Stała propagacji fali w dielektryku 

 

Fala płaska w ośrodku bezstratnym: 

 

 

- amplituda pola elektrycznego, 

 

 

γ

 = j

β

 , natomiast 

 

background image

 

189 

- stała fazowa.  

 

W notacji fazowej: 

 

 

Fala płaska propagowana jest teraz w ośrodku stratnym opisanym 

 

 

Stała propagacji staje się teraz zespolona: 

gdzie 

α

 jest stałą tłumienia.  

 

Dla niemagnetycznego materiału, gdy 

 

jest stałą fazową próŜni, otrzymujemy: 

 

 

Stała propagacji 

γ

 jest liczbą zespoloną: 

 

 

opisuje tłumienie fali w materiale,  

 

długość fali zmienia się: 

 

 

na granicach między materiałami o róŜnych 

 

obserwujemy odbicia i zmiany kierunku propagacji.  

  

Dielektryk między okładkami kondensatora 

 

Dielektryk umieszczony między okładkami płaskiego kondensatora: 

 

 

 

Pomiar admitancji j

ω

 C

DIEL

 + 1/R

DIEL

 pozwala obliczyć zespoloną wartość 

ε

 

r

.  

 

Układ zastępczy komplikują pasoŜytnicze L

O

 i R

O

 oraz pole rozproszone obecne przez R

R

 i C

R

.  

 

Elektroda ochronna redukuje wpływ pola rozproszonego, resztę rozwiązuje kalibracja:  

o

 

Dla rozwarcia wyznaczamy R

R

 i C

R

,  

o

 

Dla zwarcie wyznaczamy L

O

 i R

O

background image

 

190 

 

 

Rys.4.46. a) Pomiar 

ε

 

r

.dielektryka umieszczonego między okładkami kondensatora. b) Kondensator z 

elektrodą ochronną. c) Obwód zastępczy kondensatora pomiarowego. 

  

Pomiar transmisji przez próbkę dielektryka 

 

Transmitujemy przez próbkę dielektryka o stałej propagacji 

z anteny nadawczej falę o 

amplitudzie 

do anteny odbiorczej, gdzie osiąga wartość 

 

.  

 

Podstawowe zaleŜności: 

 

 

- dla 

otrzymujemy: 

 

background image

 

191 

 

  

 

Rys.4.47. Transmisja fali przez próbkę dielektryka. 

  

 

Pomiary: 

przesunięcie fazy 

tłumienie 

 

 

Obliczenia końcowe: 

 

 

 

Punktem odniesienia jest transmisja fali między antenami gdy usunięto próbkę dielektryka. 

  

Pomiar fali odbitej 

 

Anteny: nadawcza i odbiorcza umieszczone są po tej samej stronie próbki dielektryka, za którą 
jest płaszczyzna metalowa, odbijająca całkowicie falę EM. 

background image

 

192 

 

 

Dla płaszczyzny metalowej 

 

wtedy:  

 

 

Współczynnik odbicia 

Γ

 

S

 mierzona jest przez precyzyjny reflektometr.  

 

Kalibracja jest złoŜonym procesem i wykonywana jest bez próbki dielektryka. 

  

 

Rys.4.48.Dwukrotna transmisja przez próbkę fali EM odbitej od płaszczyzny metalowej. 

  

Próbka w linii transmisyjnej 

 

W tej metodzie próbka umieszczona jest w linii transmisyjnej, np. w falowodzie prostokątnym. 

Stała propagacji 

γ

 w linii w obszarze próbki:  

 

dla linii TEM. 

 

Powstaje dwuwrotnik opisany przez S

11

 i S

21

 

background image

 

193 

 

Analizator obwodów mierzy S

11

 i S

21

  

 

Rys.4.49. Próbka dielektryka w falowodzie prostokątnym 

 

Gdy za próbką umieścimy obciąŜenie o 

moŜemy mierzyć 

 

i obliczyć 

γ

 i 

ε

 

r

:  

 

 

Opisana metoda nadaje się do pomiarów cieczy! 

  

Sonda współosiowa 

 

Linia współosiowa rozwarta, pole EM wnika do półprzestrzeni wypełnionej dielektrykiem. 

 

background image

 

194 

 

Rys.4.50. a) Linia współosiowa otwarta do półprzestrzeni z dielektrykiem. b) Modelowanie nieciągłości 

przez Y

L

 

Rozwarcie jest modelowane admitancją 

 

:  

 

 

C

f

 – modeluje pole wewnątrz LW, C

0

 – modeluje pole wnikające do próbki, 

.  

 

Precyzyjnym reflektometrem mierzymy 

potem obliczamy 

 

 

 

 

C

f

 i C

0

 są obliczane z pomiarów “znanego” dielektryka (skalowanie). 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

195 

 

Analiza Widma Sygnału 

 

Sygnał w dziedzinie czasu i częstotliwości 

 

Sygnał sinusoidalnie zmienny (harmoniczny) charakteryzowany jest wartościami: amplitudy A, 
częstotliwości f i fazy 

φ

 : 

 

 

Sygnały wyjściowe oscylatorów, wzmacniaczy, mieszaczy są okresowo, ale nie sinusoidalnie 
zmienne, moŜna je przedstawić w postaci szeregu Fouriera (szeregu harmonicznych): 

 

 

Sygnał w dziedzinie czasu moŜe być obserwowany i analizowany na ekranie oscyloskopu. 

Sygnał w dziedzinie częstotliwości moŜe być obserwowany i analizowany na ekranie analizatora widma. 

  

 

 

background image

 

196 

Rys.4.51. a) Sygnał okresowo zmienny na ekranie oscyloskopu. b) Sygnał analizowany w dziedzinie 

częstotliwości. 

  

Zasada działania analizatora widma 

 

Analizator widma jest czułym, przestrajanym w szerokim, regulowanym paśmie odbiornikiem. W 
trakcie przestrajania detekowane są wszystkie odebrane sygnały, o bardzo róŜnym poziomie. 

  

 

Rys.4.52. Schemat ideowy analizatora widma. 

  

Przykłady 

 

background image

 

197 

 

Rys.4.53. Sygnał wyjściowy oscylatora mikrofalowego w dziedzinie czasu. Sygnał obok częstotliwości 

podstawowej zawiera harmoniczne. 

 

  

 

Rys.4.54. Sygnał wyjściowy mieszacza mikrofalowego ze składnikami przemiany częstotliwości. 

 
 
 
 

background image

 

198 

 

Problemy i pytania egzaminacyjne 

 

Pytania sprawdzające. 

1.

 

Wymień najwaŜniejsze metody pomiaru mocy mikrofalowej.  

2.

 

Scharakteryzuj metody bolometryczne pomiaru mocy.  

3.

 

Na czym polega działanie termoelektrycznych mierników mocy?  

4.

 

Opisz konstrukcję i działanie kalorymetrycznych mierników mocy.  

5.

 

Opisz charakterystyki i narysuj obwód zastępczy diody Schotky’ego.  

6.

 

Rozwiń charakterystykę I(U) diody Schotky’ego w szereg Taylora i wyjaśnij proces detekcji.  

7.

 

Wymień i zdefiniuj parametry detektora diodowego.  

8.

 

Wymień najwaŜniejsze zakresy charakterystyki detektora diodowego.  

9.

 

Jak rozwiązuje się problem dopasowania w detektorach diodowych falowodowych i planarnych.  

10.

 

Falomierz a miernik częstotliwości – wyjaśnij róŜnicę.  

11.

 

Wymień i opisz krótko wzorce częstotliwości.  

12.

 

Narysuj i opisz prosty układ licznika częstotliwości.  

13.

 

Opisz sposoby poszerzania zakresu pomiarowego licznika częstotliwości.  

14.

 

Opisz rolę sondy w linii pomiarowej ze szczeliną.  

15.

 

Wyjaśnij mechanizm odtworzenia napięcia U(l) w linii transmisyjnej przez napięcie detektora U

d

.  

16.

 

Jak mierzymy WFS za pomocą linii ze szczeliną.  

17.

 

Wyjaśnij sposób pomiaru impedancji przez linię ze szczeliną.  

18.

 

Co to jest generator o wobulowanej częstotliwości, opisz sposoby uzyskania szerokopasmowej 
pracy wobulatorów.  

19.

 

Jak działają syntezery mikrofalowe?  

20.

 

Wyjaśnij sposób pomiaru tłumienia metodą pomiaru stosunku mocy.  

21.

 

Wyjaśnij sposób pomiaru tłumienia metodą z podstawieniem tłumika wzorcowego.  

22.

 

Wyjaśnij działanie układ do pomiaru tłumienia z równoległym włączeniem dwuwrotnika.  

23.

 

Wyjaśnij rolę skalowania w metodach pomiaru tłumienia.  

24.

 

Wyjaśnij działanie reflektometr z dwoma sprzęgaczami mikrofalowymi.  

25.

 

Napisz macierz rozproszenia mostka Wheatstone’a i opisz jego pracę w układzie reflektometru.  

26.

 

Narysuj układ ideowy skalarnego analizatora obwodów i opisz jego działanie.  

27.

 

Narysuj schemat ideowy woltomierza wektorowego i wyjaśnij zasadę jego pracy.  

28.

 

Jak zbudowany jest i jak działa wektorowy analizator obwodów.  

29.

 

Dysponujesz skalarnym analizatorem obwodów i chcesz zmierzyć parametry rezonatorów 
włączonych do toru: odbiciowo, transmisyjnie i reakcyjnie. Jakie charakterystyki powinieneś 
zmierzyć, aby obliczyć parametry tych rezonatorów.  

30.

 

Wektorowym analizatorem obwodów zmierzyłeś – nie znając połoŜenia płaszczyzny odniesienia - 
charakterystykę 

Γ

 (f) rezonatora włączonego odbiciowo. Naszkicuj połoŜenie tego okręgu i 

o\podaj sposób obliczenia parametrów rezonatora.  

31.

 

Opisz parametry fali płaskiej w jednorodnym ośrodku stratnym opisanym zespoloną 
przenikalnością elektryczną 

ε

 

r

.  

32.

 

Jak zmierzyć przenikalność elektryczną 

ε

 

r

 dielektryka umieszczonego między okładkami 

płaskiego kondensatora.  

33.

 

Jak odbywa się pomiar przenikalności elektrycznej 

ε

 

r

 płaskiej płyty dielektryka, umieszczonej 

między antenami nadawczą i odbiorczą.  

34.

 

Jak odbywa się pomiar przenikalności elektrycznej 

ε

 

r

 płaskiej płyty dielektryka umieszczonej na 

płaszczyźnie metalowej, a anteny nadawcza i odbiorcza umieszczone są po tej samej stronie.  

35.

 

Próbka dielektryka wypełnia całkowicie pewną długość falowodu prostokątnego. Powstał 
dwuwrotnik, opisz go macierzą rozproszenia.  

36.

 

Linia współosiowa otwarta jest do półprzestrzeni wypełnionej dielektrykiem. Jak współczynnik 
odbicia zaleŜy od parametrów dielektryka?  

background image

 

199 

37.

 

Narysuj schemat ideowy analizatora widma i objaśnij działanie tego przyrządu.  

38.

 

Podaj przykłady zastosowania analizatora widma. 

  

Pytania Egzaminacyjne 

1.

 

Bolometryczne, termoelektryczne i kalorymetryczne mierniki mocy.  

2.

 

Detektory diodowe, zasada działania i parametry.  

3.

 

Sposoby pomiaru częstotliwości.  

4.

 

Zasada działania linii ze szczeliną i do czego moŜna ją uŜyć.  

5.

 

Techniki pomiaru tłumienia.  

6.

 

Techniki pomiaru strat odbicia - reflektometry.  

7.

 

Jakie techniki wykorzystywane są przy konstruowaniu szerokopasmowych analizatorów 
obwodów?  

8.

 

Szerokopasmowym skalarnym analizatorem obwodów wykonujesz pomiary rezonatora 
odbiciowego i transmisyjnego. Jakie charakterystyki otrzymasz i jak z nich odczytasz parametry 
rezonatorów.  

9.

 

Opisz jak obecność dielektryka wpływa na warunki propagacji fali EM. Przedstaw i opisz 4 z 5 
prezentowanych technik pomiaru przenikalności elektrycznej dielektryka.  

10.

 

Opisz zasadę działania analizatora widma i informacje, jakie moŜna uzyskać badając widmo 
sygnału generatora, wzmacniacza, modulatora i mieszacza. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

200 

 

ROZDZIAŁ 5 : Generacja, wzmacnianie i przetwarzanie 

sygnałów w w.cz. 

 

Wprowadzenie 

 
 

Wprowadzenie 

 

Przesłanie informacji drogą radiową wymaga złoŜonej obróbki sygnałów. 

 

 

Generacja sygnału

 wykorzystana została w układzie nadajnika LON i odbiornika LOO. 

 

 

Wzmacnianie sygnału

 wykorzystane wielokrotnie: w układzie nadajnika W i odbiornika W1 i 

W2. 

 

 

Przetwarzanie częstotliwości 

wykorzystane w nadajniku M1 jako 

modulator

 i odbiorniku M2, 

do obniŜenia częstotliwości. Detektor D pełni rolę 

demodulatora

 

 

Procesy generacji, wzmacniania, przetwarzania częstotliwości

 omówione zostaną w rozdziale 

5. 

 

Rys.5.1. Ideowy schemat blokowy łącza radiowego do transmisji informacji. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

201 

 
 
 
 
 
 

Wzmacnianie sygnału i wzmacniacze 

 

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy 

 

WyróŜnia się 2 podstawowe konfiguracje układów wzmacniaczy: 

 

 

Wzmacniacz transmisyjny

obwód aktywny jest dwuwrotnikiem, właściwości wzmacniające 

opisuje transmitancja S

21

, o dopasowaniu decydują reflektancje S

11

 i S

22

 

 

Wzmacniacz odbiciowy

: obwód aktywny - jednowrotnik, właściwości wzmacniające opisuje 

współczynnik odbicia 

Γ

 : 

 

Konieczne jest uŜycie cyrkulatora, aby uzyskać układ transmisyjny, o dopasowaniu wzmacniacza 
decydują parametry cyrkulatora.  

 

 

Rys.5.2. a) Wzmacniacz transmisyjny.  

b) Wzmacniacz odbiciowy 

background image

 

202 

 

Analizowany będzie układ generator - wzmacniacz - obciąŜenie.  

 

generator reprezentowany przez E i 

Γ

 

G

,  

 

wzmacniacz-dwuwrotnik opisany macierzą [S], 

 

 

obciąŜenie reprezentowane współczynnikiem 

Γ

 

L

.  

 

Generator ”widzi” układ reprezentowany przez 

Γ

 

1

 

 

gdzie: 

 

 

ObciąŜenie ”widzi” źródło o parametrach E’ i 

Γ

 

2

 

 

 

Rys.5.3. a) Układ generator-wzmacniacz-obciąŜenie. b) Graf przepływu sygnału w układzie. 

  

background image

 

203 

Warunki stabilności wzmacniacza 

 

Liniowy dwuwrotnik jest 

bezwarunkowo stabilny

, jeŜeli dla dowolnych wartości 

współczynników odbicia 

Γ

 

L

 i 

Γ

 

G

 spełniających warunek:  

 

 

Moduły współczynników odbicia 

Γ

 

1

 i 

Γ

 

2

 nie przekraczają wartości 1.  

 

 

 

Gdy ostatni warunek nie jest spełniony dwuwrotnik jest 

stabilny warunkowo

.  

 

Zdefiniowano współczynnik stabilności K: 

 

 

Warunkiem koniecznym i wystarczającym bezwarunkowej stabilności jest:  

 

 

Rys.5.4. Ilustracja warunków stabilności, z płaszczyzny 

Γ

 

L

 okrąg jednostkowy - rys.a - transformujemy 

na płaszczyznę 

Γ

 

1

, Bezwarunkowa stabilność - rys.b, warunkowa stabilność - rys.c. 

  

background image

 

204 

Definicje wzmocnienia 

 

Wzmocnienie mocy

 dwuwrotnika/wzmacniacza G definiowane jest jako stosunek:  

 

mocy P

L

 wydzielonej w obciąŜeniu do  

 

mocy P

G

 dostarczonej z generatora do obwodu: 

 

 

Z grafu przepływu sygnału obliczamy kolejno:  

 

 

 

po przekształceniach: 

 

 

Dysponowane wzmocnienie mocy G

A

 jest stosunkiem: dysponowanej mocy wzmacniacza P

LA

 

do dysponowanej mocy generatora P

GA

:  

 

 

Wzmocnienie mocy staje się dysponowanym, gdy w obu wrotach wzmacniacza uda się uzyskać 
stan dopasowania energetycznego: 

 

 

Po uwzględnieniu powyŜszych warunków:  

 

 

ZaleŜność określająca 

MAG 

- maksymalne G tranzystora:  

 

 

Przytoczone definicje pokazują, Ŝe wartość G zaleŜy od generatora i obciąŜenia. Aby wyjaśnić ich 
rolę zdefiniujemy 

wzmocnienie unilateralne

 jako wzmocnienie obliczone w warunkach: 

background image

 

205 

 

 

Graf przepływu sygnału upraszcza się i otrzymujemy: 

 

 

MoŜna G

U

 zapisać jako iloczyn 3 czynników:  

 

 

G

1

 - reprezentuje wpływ dopasowania wrót wejściowych: 

 

 

G

1

 osiąga wartość maksymalną dla 

 

 

G

2

 - reprezentuje wpływ dopasowania wrót wyjściowych: 

 

 

G

2

 osiąga wartość maksymalną dla 

 

 

Wzmocnienie moŜe być większe od 

, jeŜeli tylko odpowiednio dopasować dwuwrotnik.  

 

  

Tranzystor jako element wzmacniający 

 

Tranzystory 

są najwaŜniejszymi elementami aktywnymi uŜywanymi do wzmocnienia i generacji 

sygnałów.  

 

Podstawowe rodziny tranzystorów: 

 

background image

 

206 

 

Tranzystory bipolarne

:  

 

tranzystory krzemowe, pracują do 20 GHz,  

 

tranzystory 

HBT

 (Heterojunction Bipolar Transistor), wykonywane na GaAs, pracują do 100 

GHz. 

 

 

Tranzystory polowe

, unipolarne, wykonywane w technologii GaAs:  

 

tranzystory 

MESFET

, pracują do 60 GHz,  

 

- tranzystory 

HEMT

 (High Electron Mobility Transistor), pracują do 200 GHz. 

Podział tranzystorów ze względu na moc:  

 

Tranzystory małej mocy, niskoszumne, o mocach wyjściowych do 30 mW,  

 

Tranzystory średniej mocy, o mocach wyjściowych do 300 mW,  

 

Tranzystory duŜej mocy, pracujące w klasach A, B i C, o mocach wyjściowych od kilkuset 
Watów przy 100 MHz, do 0,5 Wata przy 20 GHz. 

Tranzystory wykonywane są w postaci:  

 

elementów dyskretnych montowanych do układów, w postaci,  

 

pojedynczych struktur,  

 

w obudowach ceramicznych, plastykowych, czasem z chłodnicą,  

 

bezpośrednio w materiale półprzewodnikowym, na GaAs lub krzemie, w sąsiedztwie innych 
elementów biernych, diod, itp., tworząc razem monolityczny układ scalony. 

Małosygnałowe właściwości tranzystorów są modelowane, mierzone i prezentowane w postaci:  

 

obwodów zastępczych,  

 

współczynników macierzy rozproszenia, podawanych dla ciągu dyskretnych częstotliwości, w 
konfiguracji wspólnego emitera-źródła.  

 

Umieszczenie tranzystora w obudowie modyfikuje parametry tranzystora, obwód zastępczy 
wzbogaca się o nowe elementy.  

 

Niekiedy tranzystory umieszczane są w obudowie razem z elementami dopasowującymi. 

 

Rys.5.5. Obwód zastępczy krzemowego tranzystora bipolarnego 

background image

 

207 

 

Rys.5.6. Obwód zastępczy tranzystora MESFET 

 

Tranzystor - element trójzaciskowy, nad płaszczyzną metalową tworzy trójwrotnik.  

 

W układach wzmacniaczy najczęściej źródło/emiter zwarte do masy  

 

Współczynnikiem [S] decydującym o wartości wzmocnienia jest S

21

 

 

|

 S

21

|

 

tranzystorów bipolarnych maleje ze wzrostem częstotliwości o 6 dB/oktawę. 

 

 

|

 S

21

|

 

tranzystorów FET maleje wolniej. 

 

Rys.5.7. Tranzystor – element trójzaciskowy. 

background image

 

208 

 

Rys.5.8. S

21

(f) tranzystorów bipolarnych i MESFET 

 

Maksymalne wzmocnienie tranzystora jest większe o kilka decybeli od 

|

 S

21

|

 

 

Rys.5.9. Moduł S

21

(f) i maksymalne wzmocnienia tranzystorów bipolarnego i FET. 

  

Wartości S

11

 i S

22

 wskazują na stan silnego, obustronnego niedopasowania. 

background image

 

209 

 

Rys.5.10. Przebiegi S

11

(f) i S

22

(f) tranzystorów bipolarnych i FET 

  

Podstawowa struktura wzmacniacza 

 

Podstawową strukturę jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego tworzą:  

 

wejściowy obwód dopasowujący D1,  

 

tranzystor wzmacniający w konfiguracji wspólnego emitera/źródła,  

 

wyjściowy obwód dopasowujący D2. 

ZałoŜenie:  

 

generator jest bezodbiciowy (Z

G

 = Z

0

),  

 

obciąŜenie jest dopasowane (Z

L

 = Z

0

),  

 

obwody D1 D2 są bezstratne a S

12

 = 0. Rolą obwodu D1 jest spełnienie warunku:  

 

co jest równoznaczne z dopasowaniem 

 

 

Rolą obwodu D2 jest spełnienie warunku:  

 

co jest równoznaczne z dopasowaniem 

 

 

Wtedy uzyskuje się wzmocnienie:  

  

background image

 

210 

 

 

Wzmocnienie unilateralne wzmacniacza:  

 

 

  

Rys.5.11. Podstawowa struktura wzmacniacza 

  

 

Przykład:

 działania obwodów wejściowego i wyjściowego wzmacniacza z tranzystorem. 

 

background image

 

211 

Rys.5.12. Parametry tranzystora i struktura wzmacniacza 

 

 

Rys.5.13. a) Działanie obwodu wejściowego. 

b) Działanie obwodu wyjściowego. 

  

Parametry wzmacniaczy 

 

Wzmocnienie G

 wzmacniacza; typowa wartość to 6 - 8 dB/stopień, budowane są wzmacniacze 

wielostopniowe.  

 

Zwykle wymaga się, aby wzmocnienie było stałe w pasmie pracy, lub zmieniało się w niewielkich 
granicach. 

 

 

Pasmo pracy B

 wzmacniacza; dla wzmacniaczy wąskopasmowych B = 10 - 40 %, dla 

szerokopasmowych f

max

/f

min

 = 2 - 1000.  

 

W pasmie pracy wymagane jest dobre, obustronne dopasowanie. 

 

 

Współczynnik stabilności K

; powinien być w całym pasmie częstotliwości większy od 1.  

 

Bezwarunkowo stabilny wzmacniacz zapobiega wzbudzeniu układu/systemu. 

Współczynnik 

szumów F

 wzmacniacza definiowany jest jako stosunek: 

background image

 

212 

 

 

Procesowi wzmocnienia towarzyszy zmniejszanie sotosunku mocy sygnału S do mocy szumu N.  

 

W łańcuchu wzmacniaczy o wzmocnieniach G

1

, G

2

,.i współczynnikach szumów F

1

, F

2

, pierwszy 

stopień decyduje o zachowaniu się całości i on powinien wnosić jak najmniejsze szumy. 

 

 

Wzmacniacze niskoszumne są wzmacniaczami małej mocy.  

 

Podstawowe informacje o szumie podane zostaną na końcu rozdziału. 

 

 

Maksymalna moc wyjściowa P

WYMAX

 wzmacniacza. Odpowiada ona mocy w punkcie kompresji 

wzmocnienia o 1 dB, z wartości G [dB] do G - 1 [dB]. 

 

Rys.5.14. Charakterystyka P

WY

(P

WE

) w układzie podwójnie logarytmicznym. 

 

Sprawność dodana 

ηηηη

 

AD

 wzmacniacza, bardzo waŜna dla wzmacniaczy mocy: 

 

- P

0

 - moc DC dostarczona ze źródła zasilania. 

 

Wzmacniacz jest - przy duŜym poziomie mocy wejściowej - 

dwuwrotnikiem nieliniowym

.  

 

Powoduje to bardzo niepoŜądane efekty:  

 

zniekształcanie przebiegu sinusoidalnego i generację harmonicznych,  

 

w przypadku, gdy wzmacniane są sygnały złoŜone z kilku przebiegów sinusoidalnych f

1

, f

2

generowane są sygnały o częstotliwościach  

 

 
 
 

background image

 

213 

 
 
 

Generacja i generatory 

 

Bilans mocy generatora 

 

3 podstawowe składniki generatora:  

 

element aktywny (dioda gen. tranzystor...) umoŜliwia powstanie oscylacji,  

 

rezonator (koło zamachowe), gromadzi energię, decyduje o częstotliwości generacji,,  

 

obciąŜenie, odbiera wytworzony sygnał. 

 

 

Między zaciskami, w stanie ustalonym:  

 

napięcie o amplitudzie U,  

 

prądy o amplitudach I

a

 i I

c

,  

 

(pomijamy obecność harmonicznych). 

 

 

Admitancyjny warunek generacji

 

 

Rys.5.15. Ilustracja do admitancyjnego warunku generacji. a) Podstawowe elementy generatora.  

b) Układ zastępczy generatora. 

 

Bilans mocy: moc P

a

 oddawana przez element aktywny = mocy absorbowanej P

c

 przez rezonator i 

obciąŜenie. 

background image

 

214 

 

 

ZałoŜenie: prąd I

c

 jest w fazie z U.  

 

Element aktywny jest nieliniowy, prąd 

tylko do pewnej granicy jest proporcjonalne do 

.  

 

Moc P

a

 jedynie dla małych amplitud jest 

 

 

 

Moc P

c

 jest dodatnia: 

 

 

Gdy P

a

 + P

c

 < 0, to amplituda drgań narasta,  

 

gdy P

a

 + P

c

 < 0, drgania gasną. 

  

Punkt A stabilnym punktem równowagi, punkt B jest niestabilnym. 

  

 

 

background image

 

215 

 

Rys.5.16. Ilustracja bilansu mocy. 

  

Admitancyjny warunek generacji 

 

Punkt wyjścia: 

 

 

Admitancja Y

a

 - zaleŜy od wielu zmiennych: 

 

 

Admitancja obwodowa Y

c

 jest sumą 2 składników 

 

 

ZałoŜenie: Y

L

 - czysto rzeczywista.  

 

Y

r

 - admitancja rezonatora: 

 

 

Warunek admitancyjny

 

generacji

 zapisze się następująco: 

- warunek amplitudy 

- warunek fazy 

 

background image

 

216 

 

Rys.5.17. a) Interpretacja admitancji z ujemną konduktancją. b) Ilustracja admitancyjnego warunku 

generacji. 

  

Reflektancyjny warunek generacji 

 

W ustalonym stanie generacji rozchodzą się fale o amplitudach U

i

 i U

r

 

 

W wybranej płaszczyźnie określane są 

Γ

 

a

 współczynnik odbicia obwodu aktywnego i 

Γ

 

c

 

współczynnik odbicia obwodu strojenia: 

 

 

Reflektancyjny warunek generacji

 

- warunek amplitudy, 

- warunek fazy. 

 

 

Warunek wzbudzenia:  

 

background image

 

217 

 

 

Rys.5.18. a) Układ generatora i definicja współczynników odbicia. b) Graficzna ilustracja 

reflektancyjnego WG 

  

Diody generacyjne lawinowa i Gunna 

 

Dioda Gunna

, przyrząd bezzłączowy, wykonana z GaAs lub InP typu n, wykazujących efekt 

ujemnej róŜniczkowej ruchliwości.  

 

Ze wzrostem natęŜenia pola E w obszarze półprzewodnika maleje ruchliwość nośników z 

µ

 

1

 do 

µ

 

2

 i prędkość nośników.  

 

Nie jest moŜliwy stabilny przepływ nośników w tego rodzaju materiale, tworzą się domeny - 
warstwy ładunku wędrujące od katody do anody.  

 

Mimo stałego napięcia anody dopływający prąd ma charakter impulsowy. 

Czas przepływu 

τ

 domeny zaleŜy od długości obszaru przelotowego, w róŜnych typach diod ten czas jest 

róŜny. 

background image

 

218 

 

Rys.5.19. Wpływ ujemnej róŜniczkowej ruchliwości na charakterystykę prądowo-napięciową 

diody Gunna. 

 

Diody Gunna pracujące przy wysokich częstotliwościach mają krótki czas przepływu.  

 

Skutkiem efektu ujemnej róŜniczkowej ruchliwości jest powstanie ujemnej rezystancji w szerokim 
zakresie częstotliwości wokół 1/

τ

 .  

 

Obecność ujemnej rezystancji umoŜliwia budowę oscylatorów.  

 

Diodzie Gunna towarzyszy obwód rezonansowy - rezonator określający częstotliwość oscylacji.  

 

Zmiana częstotliwości rezonansowej rezonatora jest równowaŜna zmianie częstotliwości 
oscylacji.  

 

Diody Gunna budowane są na pasma od 1 GHz do 100 GHz, do pracy z falą ciągłą i do pracy 
impulsowej. 

 

 

Dioda lawinowa

 jest złączem p-n, o bardziej skomplikowanej strukturze p

+

 - n - i - n

+

, 

pracującym w zakresie przebicia lawinowego.  

 

W czasie pracy dioda polaryzowana jest stałym napięciem, bliskim napięciu przebicia. Na to 
nakłada się sinusoidalnie zmienne napięcie.  

 

Gdy chwilowa wartość napięcia przekracza wartość przebicia, to na złączu p

+

 - n (tam pole jest 

najsilniejsze) generowana jest warstwa ładunku płynąca następnie przez obszar dryftu i do 
obszaru n

+

 .  

 

Skończony czas przepływu ładunku powoduje przesunięcie (opóźnienie) w fazie prądu w 
stosunku do napięcia o ok. 180

0

.  

 

Rezystancja dynamiczna diody staje się ujemna, moŜliwe są oscylacje.  

 

Diodzie ładunkowej musi towarzyszyć rezonator, ustalający częstotliwość oscylacji. 

Diody lawinowe mogą generować od kilku GHz do ponad 200 GHz, zarówno falą ciągłą jak przy pracy 
impulsowej. 

 

background image

 

219 

 

Rys.5.20. a) Struktura diody lawinowej.  

b) Charakterystyka I(U) diody lawinowej. 

  

Tranzystor jako element generacyjny 

 

Tranzystor jest uniwersalnym elementem aktywnym, uŜywanym do wzmocnienia i generacji 
sygnału od kilku Hz do 200 GHz.  

 

Wykorzystując wielką aktywność tranzystora opracowano wiele rozmaitych konfiguracji 
obwodów oscylujących.  

 

W paśmie fal mikrofalowych i milimetrowych najlepsze rezultaty uzyskuje się stosując prostą 
strukturę dwójnikową. W układzie oddzielono część aktywną umoŜliwiającą spełnienie warunku 
amplitudy, od części określającą częstotliwość generacji, zwaną obwodem strojenia. 

 

Rys.5.21. Podstawowa struktura oscylatora tranzystorowego w pasmach najwyŜszych 

częstotliwości 

  

 

Dla układu dwójnikowego najwygodniej oprzeć analizę o reflektancyjny warunek generacji: 

 

background image

 

220 

- warunek amplitudy, 

- warunek fazy. 

 

Określmy przez 

- współczynnik odbicia dla małych sygnałów.  

 

Wtedy warunek wzbudzenia, albo warunek samodzielnego startu oscylacji zapisze się 
następująco:  

 

 

Rola obwodu aktywnego jest uczynić odpowiednio duŜym 

w Ŝądanym paśmie 

częstotliwości, aby – mimo strat obwodu strojenia - spełnić warunek amplitudy.  

 

Decydująca rolę gra obwód sprzęŜenia, zwykle indukcyjność lub odcinek linii zwartej.  

 

Obwód strojenia - zapewnia spełnienie warunku fazy, ewentualnie umoŜliwia przestrajanie, przy 
moŜliwie duŜej dobroci, aby sygnał był ”czysty”.  

 

Obwód wyjściowy czasami potrzebny do spełnienia warunku szerokopasmowych oscylacji. 

Przykład przygotowania obwodu aktywnego do pracy: 

 

Tranzystor bipolarny typu pracujący do 8 GHz, Obwód wyjściowy niepotrzebny.  

 

Obwód sprzęŜenia bardzo prosty w postaci indukcyjności. Zmieniając wartość L dobiera się 
pasmo częstotliwości, w którym moŜliwa jest generacja.  

 

Uwzględnienie strat indukcyjności L powoduje zmniejszenie 

.  

 

Argument 

γ

 

a

 zmienia się w szerokich granicach 100...150

0

, rolą obwodu strojenia jest spełnić 

warunek fazy. 

 

c)

 

background image

 

221 

 

Rys.5.22. a) Prosty obwód aktywny z tranzystorem i indukcyjnością. b) Wpływ wartości L na pasmo 

pracy. c) Współczynnik odbicia obwodu aktywnego na płaszczyźnie zespolonej. 

  

Sposoby przestrajania 

 

Ź

ródła sygnałów powinny mieć moŜliwość przestrajania, płynnej lub skokowej zmiany 

częstotliwości. Dwie techniki przestrajania: 

 

 

Przestrajanie mechaniczne

 przez zmianę wymiarów rezonatora, albo przez wprowadzenie do 

jego objętości elementu metalowego lub dielektrycznego, zaburzającego pole EM.  

o

 

przestrajanie mechaniczne jest powolne. 

 

Przestrajanie elektryczne

 przez sprzęŜenie z rezonatorem elementu o zmiennej reaktancji. 

 

 

Przestrajanie napięciowe

, najczęściej z uŜyciem diody waraktorowej o zmiennej pojemności 

(tzw. VCO - ang. Voltage Control Oscillator). 

 

 

Przestrajanie prądowe

 przez zmianę prądu elektromagnesu, w polu magnetycznym którego 

umieszczono rezonator ferrimagnetyczny (tzw. CCO - ang. Current Control Oscillator).  

 

Przestrajanie elektryczne jest szybkie,  

 

CCOs umoŜliwiają wobulację, wykorzystywane w miernictwie mikrofalowym w wobulatorach i 
syntezerach,  

 

VCO umoŜliwiają szybką modulację częstotliwości.  

  

Generator z rezonatorem falowodowym 

 

Generator z rezonatorem falowodowym i diodą Gunna lub lawinową

.  

 

Generatory tego typu są zwykle strojone mechanicznie: ruchomym zwieraczem, kołkiem 
metalowym lub dielektrycznym.  

 

Z rezonatorem moŜna sprząc diodę waraktorową i uzyskać moŜliwość szybkiego przestrajania 
napięciowego, modulacji częstotliwości. 

background image

 

222 

 

Rys.5.23. Konstrukcja generatora z diodą Gunna i rezonatorem falowodowym. 

  

  

Generator z rezonatorem YIG 

 

Generator tranzystorowy z rezonatorem YIG - ferrimagnetycznym. 

 

 

Kulka rezonatora YIG umieszczona jest na pręciku dielektrycznym i podgrzewana do ok.100

0

C, 

co stabilizuje jej parametry.  

 

Kulkę rezonatora otacza pętla z tasiemki (drucik) metalowej, stanowiącej jakby zwarcie linii 
mikropaskowej, co zapewnia silnie nadkrytyczne sprzęŜenie z linią mikropaskową.  

 

Rezonator umieszczony jest w stałym polu magnetycznym H

0

(I

0

) elektromagnesu.  

 

Częstotliwość rezonansowa f

0

 jest proporcjonalna do H

0

 

γ

 - współczynnik Ŝyromagnetyczny. 

background image

 

223 

 

Rys.5.24. Kulka rezonatora ferrimagnetycznego umieszczona w stałym polu magnetycznym 

  

Generator z waraktorem 

 

Układ generatora wraz ze wzmacniaczem separującym wykonane są podłoŜu ceramicznym, w 
technologii hybrydowych układów scalonych.  

 

Generator konstruowany zwykle w wersji szerokopasmowej. Pasmo przestrajania jest bardzo 

duŜe: 

 

 

Indukcyjność L

M

 i obwód korygujący zapewniają szerokopasmową “aktywność” warunkującą 

powstanie oscylacji, rezonator silnie sprzęŜony i oddalony o 

θ

 spełnia warunek fazy.  

 

Szybkość przestrajania ogranicza duŜa indukcyjność cewki elektromagnesu. 

 

  

Rys.5.25. Podstawowa struktura szerokopasmowego oscylatora tranzystorowego z rezonatorem 

YIG 

  

 

Generator tranzystorowy z obwodem przestrajania z waraktorem. 

 

 

Dioda waraktorowa (waraktor, ang. variable reactor) - przyrząd ze złączem p-n, którego 
pojemność zaleŜy od napięcia polaryzacji. 

background image

 

224 

 

 

C

j0

 - pojemność dla U = 0, 

 

 

γ

 = 0,5...2 wykładnik zaleŜny od technologii.  

 

C

MAX

/C

MIN

 = 4...16, zaleŜnie od częstotliwości, zwykle  

 

 

Obwód rezonansowy typu LC ewent. z odcinkami linii długiej.  

 

Generatory wykonywane w technologii układów scalonych hybrydowych albo monolitycznych.  

 

Szybkość przestrajania duŜa, moŜliwość modulacji częstotliwości. 

 

 

Rys.5.26. a) Obwód zastępczy waraktora.  

b) Struktura układu generatora tranzystorowego z waraktorem. 

  

Generator z rezonatorem dielektrycznym 

 

Generator tranzystorowy z rezonatorem dielektrycznym

.  

 

Im większa dobroć rezonatora obwodu strojenia, tym większa stabilność i ”czystość” 
generowanego sygnału.  

 

Rezonatory dielektryczne mają duŜą dobroć, w paśmie 3...20 GHz niewielkie wymiary, stosowane 
w generatorach wykonanych w technologii MUS.  

 

Struktura obwodu gen. jest prosta, rolę indukcyjności L w obwodzie aktywnym pełni linia zwarta 
na końcu.  

background image

 

225 

 

Przestrajanie mechaniczne RD w granicach 10%., przez zbliŜanie denka metalowego, lub innego 
dielektryka.  

 

MoŜliwe jest przestrajanie elektryczne, waraktorem sprzęŜonym z linią, w granicach 0,1%, 
specjalne zastosowania. 

 

 

Rys.5.27. a) Struktura obwodu generatora z rezonatorem dielektrycznym. b) Obwód zastępczy 

generatora. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

226 

 
 

Modulacja sygnału i modulatory  

 

Podstawowe definicje 

 

Podstawowe pojęcia i terminy: 

Fala nośna

 - sygnał poddawany modulacji, 

Fala modulująca

 - sygnał zawierający informację, uŜyty do kontroli fali nośnej, 

Fala zmodulowana

 - końcowy efekt procesu modulacji fali nośnej przez falę modulującą, 

przesyłana od nadajnika do odbiornika. 

 

Podstawowe rodzaje modulacji stosowane przy “zapisywaniu” informacji na falę nośną::  

o

 

modulacja amplitudy,  

o

 

modulacja kąta,  

o

 

modulacja fazy,  

o

 

modulacja częstotliwości, 

 

modulacja impulsowa 

 

 

Ze względu na sposób zapisu informacji mówimy o: 

 

 

modulacji analogowej  

 

modulacji cyfrowej. 

  

Modulacja amplitudy – AM 

 

Fala nośna charakteryzowana jest wartościami amplitudy A, częstotliwości F i fazy 

φ

 , moŜe być 

zapisana następująco:  

 

 

Fala modulująca opisana jest wartościami amplitudy B i częstotliwości f << F:  

 

 

Efektem modulacji jest fala o amplitudzie zmieniającej się z częstotliwością f: 

 

- m 

 B - wskaźnik modulacji 

 

Fala nośna 

 

Wstęga górna 

background image

 

227 

 

Wstęga dolna 

  

 

Rys.5.28. Sygnał u(t) w funkcji czasu. 

 

Rys.5.30. Modulacja dwuwstęgowa z tłumioną falą nośną

 

Rys.5.29. Widmo sygnału u(t) z modulacją AM 

background image

 

228 

 

Rys.5.31. Modulacja jednowstęgowa z falą nośną

  

Modulacja częstotliwości - FM 

 

Modulacja częstotliwości i modulacja fazy

 naleŜą do tzw

modulacji kąta

 

- amplituda A = const., modulowany jest kąt 

θ

 (t) 

 

Częstotliwość chwilowa: 

 

 

W przypadku modulacji częstotliwości:  

 

częstotliwość chwilowa = 

 

 f 

 B - szczytowa dewiacja częstotliwości,  

 

chwilowa wartość napięcia u(t): 

 

Po rozwinięciu w szereg Fouriera otrzymuje się nieskończenie wiele składowych: 

background image

 

229 

 

 

Amplitudy kolejnych składowych szybko maleją ze wzrostem n. 

  

 

Rys.5.32. Sygnał u(t) w funkcji czasu. 

 

Widmo sygnału modulowanego FM jest nieskończenie rozległe.  

 

Sygnały pojawiają się dla częstotliwości nośnej F i jako wstęgi boczne po kaŜdej stronie F, 
odległe od siebie o f.  

 

Amplitudy n-tej wstęgi 

 AJ

n

(

 F/f).  

 

Fazy wstęg mogą róŜnić się o 

π

 . 

background image

 

230 

 

Rys.5.33. Widmo sygnału u(t). 

  

 

Poza pasmem F - 

 F.... F + 

 F amplitudy wstęg szybko maleją do zera.  

 

Amplituda fali nośnej 

 J

0

(

 F/f) i przechodzi przez 0 dla 

 F/f = 2,4.  

 

Modulację częstotliwości sygnału uzyskuje się bezpośrednio w generatorze, przez zmianę 
częstotliwości oscylacji. 

  

Modulacja fazy - PM. 

 

Przebieg chwilowego napięcia u(t) sygnału o modulowanej fazie: 

 

 

 

φ

 - dewiacja fazy.  

 

Faza 

φ

 modulowana jest proporcjonalnie do amplitudy B sygnału modulującego: 

 

 

Częstotliwość chwilowa 

 

 

Dla modulacji fazy: 

 

 

Dla modulacji PM - dewiacja częstotliwości proporcjonalna do f.  

 

Dla modulacji FM dewiacja częstotliwości niezaleŜna od f. 

Uwagi końcowe: 

 

Modulację częstotliwości FM uzyskuje się przez bezpośrednią ingerencję w warunek generacji 
oscylatora, przez zmianę częstotliwości generacji, najczęściej przez doprowadzenie napięcia do 
diody waraktorowej VCO.  

 

Modulację amplitudy AM i fazy PM uzyskuje się transmitując sygnał przez dwuwrotnik o: 

 

background image

 

231 

- w przypadku modulacji amplitudy: 

 

- w przypadku modulacji fazy PM: 

 

 

W modulatorach AM i PM stosuje się diody Schottky’ego, PIN i waraktorowe. 

  

Procesy modulacji i demodulacji 

 

W rozdziale 4 opisano proces detekcji z wykorzystaniem diody Schottky’ego.  

 

Procesy modulacji, demodulacji, mieszania częstotliwości mogą być prowadzone przez przyrządy 
z diodami Schottky’ego  

 

Proces detekcji diodowej jest procesem demodulacji, punkt startu analiza detektora diodowego.  

 

Przypomnienie: charakterystyka I(U): 

 

 

I

S

 - prąd nasycenia diody,  

 

R

S

 - rezystancja szeregowa, 

 

 

α

 

 40 V

-1

 - współczynnik.  

 

Napięcie U doprowadzone do diody: 

 

 

Rys.5.34.Schemat ideowy mieszacza. 

 

Prąd diody opisano równaniem: 

 

background image

 

232 

 

 

 

Aby pokazać efekt przemiany częstotliwości - mieszania przyjmiemy:  

 

 

przy czym zwykle U

h

 >> U

S

 .  

 

O procesach przemiany decyduje wyraz trzeci szeregu: 

 

 

Pierwsze 2 wyrazy po podniesieniu prawej strony do kwadratu to detekcja:  

 

 

Wyrazy 3 i 4 to powielanie częstotliwości: 

 

 

Wyrazy 5 i 6 to przemiana częstotliwości: 

 

 

Filtr w obwodzie wyjściowym mieszacza wybiera poŜądany składnik prądu diody.  

 

Najczęściej uŜytecznym składnikiem jest wstęga dolna o częstotliwości pośredniej: 

 

 

Oznaczmy zgodnie z rysunkiem: 

 

 

Warunki poprawnej pracy mieszacza: 

 

 

Mieszacz jest przetwornikiem liniowym, odtwarza informacje zawarte w fazie i amplitudzie 
sygnału.  

 

W 

mieszaczu dolnowstęgowym

 wykorzystywana jest dolna wstęga 

, w 

mieszaczu 

górnowstęgowym

 górna wstęga 

.  

 

Mieszacze dolnowstęgowe stosowane są powszechnie w odbiornikach. 

background image

 

233 

 

Rys.5.35. Podstawowe składniki widmowe mieszacza 

 

W 

modulatorze amplitudy

gdy f

h

 >>f

, wykorzystywane są trzy składniki: fala nośna i obie 

wstęgi boczne: 

 

 

Ponadto przyrząd moŜe być uŜyty jako 

detektor

 i 

powielacz częstotliwości 

 

Rys.5.36. Podstawowe składniki widmowe modulatora

  

Parametry mieszacza 

 

Straty przemiany

 L są stosunkiem mocy P

p

 sygnału wyjściowego mieszacza o częstotliwości 

pośredniej do mocy P

S

 sygnału wejściowego: 

 

- Straty przemiany podawane są w decybelach. 

 

Z zaleŜności punktu E wynika, Ŝe : 

 

- dla małych sygnałów amplituda składowej prądu o częstotliwości pośredniej jest ~ do U

h

background image

 

234 

- straty przemiany L zaleŜą od poziomu mocy heterodyny, ze wzrostem P

h

 straty początkowo 

maleją, przechodząc w szerokie minimum. 

 

Poziom strat przemiany moŜna zmniejszyć polaryzując diody prądem stałym. 

Typowe wartości: L = 3...6 dB. 

 

Rys.5.37. ZaleŜność strat przemiany od mocy heterodyny. 

 

Współczynnik szumów

 F mieszacza: 

 

 

Proces przemiany częstotliwości degraduje stosunek sygnał/szum. 

 

 

Zakres pracy liniowej

 miesz. ograniczony jest: 

- od strony małych sygnałów poziomem szumów własnych, 

- w zakresie wielu rzędów wielkości P

s

 mieszacz jest przetwornikiem wzorcowo liniowym, 

- charakterystyczny punkt wzrostu strat przemiany o 1 dB jest ograniczeniem od strony duŜych 
poziomów sygnałów,  

- punkt ten leŜy 10...12 dB poniŜej mocy heterodyny. 

 

Częstotliwościowe pasmo pracy

 miesz. zaleŜy od konstrukcji obwodów doprowadzających moce 

P

h

 i P

S

 do diod oraz odbierających sygnał częstotliwości pośredniej. 

- w konstrukcjach falowodowych są to pełne pasma pracy falowodu,  

 

w konstrukcjach planarnych mogą przekraczać kilka dekad. 

background image

 

235 

 

Rys.5.38. Charakterystyki P

p

(P

S

) dla róŜnych P

h

  

Obwody mieszaczy 

 

Mieszacze jednodiodowe

 są rzadko stosowane 

 

 

Mieszacz pojedynczo zrównowaŜony

 wykorzystuje sprzęgacz 3 dB/180

0

, zapewniający izolację 

między torami sygnału i heterodyny,  

 

sygnały wyjściowe z obu diod po dodaniu ”gubią” pewne składniki. 

 

Rys.5.39. Mieszacz pojedynczo zrównowaŜony. 

 

Mieszacz podwójnie zrównowaŜony

 wykorzystuje kwartet diod, tzw. ”ring”.  

 

Elementami dzielącymi moc są np. szerokopasmowe transformatory z rdzeniami ferrytowymi, 

- dobra izolacja między wrotami, 

 

duŜy zakres pracy liniowej. 

background image

 

236 

 

Rys.5.40.Mieszacz podwójnie zrównowaŜony z kwartetem diodowym. 

  

Regulatory i modulatory mocy z diodą PIN 

 

Diody PIN (p-i-n) wykorzystywane są w zakresie w.cz. jako zmienne rezystory.  

 

Między silnie domieszkowanymi obszarami p

+

 i n

+

 umieszczona jest warstwa półprzewodnika i 

wysokorezystywnego.  

 

Dla prądu stałego charakterystyka i(u) ma kształt typowy dla diody p-n, dla w. cz. dioda 
zachowuje się jak rezystor. Typowe wartości: C

j

 = 0,2 pF, R

S

 = 1 

 , L

S

 i C

OPR

 zaleŜą od uŜytej 

oprawki. 

 

Rys.5.42. Obwód zastępczy diody PIN. 

 

Rezystancję zmienia warstwa i w zaleŜności od prądu diody. 

  

 

Rys.5.41. Struktura diody PIN. 

background image

 

237 

 

Rys.5.43. Rezystancja R

j

 w zaleŜności od I

p

 

Diody PIN mogą być wykorzystane w układzie tłumika o tłumieniu regulowanym elektrycznie. 

 

Rys.5.44. Schemat tłumika z diodami PIN. 

 

W stanie najmniejszego tłumienia diody D1 i D2 są w stanie zwarcia a D3 rozwarcia.  

 

W stanie maksymalnego tłumienia dioda D3 jest w stanie zwarcia, a D1 i D2 bliskie dopasowaniu. 

Tłumiki tego typu wykorzystywane są w szerokopasmowych układach stabilizacji mocy. 

 

background image

 

238 

Rys.5.45. Impedancja Z

d

(I

0

) diody PIN na wykresie Smitha. 

 

Popularnymi układami są 

przełączniki

, kierujące moc do wybranej gałęzi, przy zachowaniu 

izolacji pozostałych gałęzi. 

 

Rys.5.46. Schemat przełącznika z jednym wejściem i dwoma wyjściami (SPDT). 

 

Moc przepływa z toru wejściowego do wrót 1, gdy U

1

 < 0, dioda DS1 toru 1 przewodzi, dioda 

DR1 w stanie zaporowym.  

 

PoniewaŜ napięcie U

2

 > 0, to DS2 w torze 2 w stanie zaporowym, a dioda DR2 przewodzi. Diody 

PIN pracują w układach dwu- i wielo-stanowych 

przesuwników/modulatorów fazy. 

 

Rys.5.47. Dwustanowy przesuwnik fazy z włączanymi liniami o róŜnej długości. 

 

Rys.5.48. Trzystanowy Prz.-Fazy z cyrkulatorem. 

 
 
 
 
 

 

background image

 

239 

 

Szumy 

 

Szumy termiczne 

 

Na zaciskach rezystora R w temperaturze T[K] występuje napięcie en(t) wywołane 
przypadkowym ruchem elektronów.  

 

Ś

rednia wartość en(t) = 0, wartość skuteczna 

 0. 

 

 

Kwadrat napięcia szumów

 

 

k = 1,38x10-23J/K - stała Boltzmana,  

 

B - pasmo układu w Hz.  

 

Podobnie 

kwadrat prądu szumów

 

Szum termiczny jest 

“biały”

, jego widmo na osi częstotliwości rozciąga się szeroko. 

 

 

Rys.5.49. a) Chwilowe napięcie szumów na wyjściu rezystora R. b) Obwód zastępczy rezystora R z 

idealnym filtrem z odbiornikiem o rezystancji R. 

 

Moc Pn szumów wydzielona w rezystorze R w paśmie B, czyli dysponowana moc szumów: 

 

background image

 

240 

 

Moc Pn jest niezaleŜna od R!  

 

Np.; T = 300 K, B = 1 MHz, Pn = 4,1x10-15 W; 

 

 

Wnioski: 

 

 

Pn 

 0, gdy B 

 0,  

 

Pn 

 0, gdy T 

 0,  

 

gdy B 

 

 , to Pn 

 

 , katastrofa!  

 

Opis promieniowania ciała czarnego, dokładnie:  

 

 

 

Rys.5.50. Szumy linii długiej ze stratami. 

 

Szumy generowane przez R rozchodzą się wzdłuŜ linii we wszystkich dopuszczalnych modach.  

 

Linia stratne pochłania szumy, ale sama generuje je takŜe.  

 

Gdy R = Z0 i temperatura T jednakowa dla rezystora i linii, to poziom szumów pozostaje ten sam. 

  

Zastępcza temperatura szumów 

 

Ź

ródło szumu białego dostarcza do rezystora R w paśmie B moc szumu P

SZ

.  

 

Ź

ródło zastąpione zostało rezystorem R w 

zastępczej temperaturze Teq

 

 

background image

 

241 

 

Rys.5.51. Ilustracja wprowadzenia zastępczej temperatury szumów. 

 

Wzmacniacz o wzmocn. G z bezszumnym R(T = 0) na wejściu, gdy Pi = 0, sam jest źródłem 
szumu wyjściowego o mocy Po – rys.5.52a.  

 

Bezszumny wzmacniacz z wejściowym R(T = Teq) daje ten sam poziom szumów Po – rys.5.52b. 

 

 

 

Rys.5.52. Ilustracja wprowadzenia 

zastępczej temperatury szumów wzmacniacza

  

Współczynnik szumów wzmacniacza 

 

Stosunek mocy sygnału do mocy szumu, S/N:  

 

jest miarą jakości odbieranego sygnału,  

 

ulega degradacji w kaŜdym procesie.  

 

Współczynnik szumów F przyrządu definiowany jest jako stosunek: 

 

background image

 

242 

 

Rys.5.53. Sygnał i szum na wejściu i wyjściu obwodu. 

 

ZałoŜenie: Ni pochodzi od dopasowanego R umieszczonego w temperaturze T = 290 K.  

 

Przyrost poziomu szumów zarówno przy przejściu sygnału przez wzmacniacz jak i przez tłumik. 

 

 

Współczynnik szumów wzmacniacza

 o wzmocnieniu G i zastępczej temperaturze szumów Teq: 

 

 

Sygnał S

o

 zostaje wzmocniony:  

 

 

Moc szumu: 

 

zostaje takŜe wzmocniona G razy, do niego dodaje się szum wzmacniacza: 

 

 

Współczynnik szumów wzmacniacza równy jest:  

 

 

background image

 

243 

 

  

Rys.5.54. Sygnał i szum na wejściu i wyjściu wzmacniacza. 

  

Współczynnik szumów tłumika 

 

Rys.5.55. Tłumik wraz ze źródłem i odbiornikiem w temperaturze T

o

 = 290K. 

 

Rys.5.56. Sygnał i szum na wejściu i wyjściu tłumika. 

 

Współczynnik szumów tłumika

, który tłumi L razy znajdujemy następująco:  

 

Sygnał S

o

 zostaje osłabiony: 

 

 

Szum N

i

 nie zmienia poziomu: 

background image

 

244 

 

 

Współczynnik szumów tłumika równy jest: 

 

 

  

Współczynnik szumów łańcucha wzmacniaczy 

 

Sygnał wzmacniany jest przez 2 wzmacniacze o wzmocnieniach G1 i G2, współczynnikach 
szumu F1 i F2 i temperaturach szumu Teq1 i Teq2.  

 

Obliczamy wypadkowe: współczynnik szumów Fw i temperaturę Teqw: 

  

 

 

 

 

Dla "wypadkowego" wzmacniacza:  

 

 

Wniosek:  

 

 

  

background image

 

245 

 

Rys.5.57. Wzmocnienia i współczynniki szumów w łańcuchu wzmacniaczy. 

  

 

Gdy liczba wzmacniaczy w łańcuchu rośnie, rośnie liczba wyrazów w szeregu:  

 

 

 

KaŜdy kolejny element kaskady degraduje S/N, ale pierwszy stopień jest najwaŜniejszy. 

Tabela

Zestawienie róŜnych wartości temperatury szumów T[K], współczynnika szumów 

F[-] i współczynnika szumów wyraŜonego w decybelach F

dB

[dB]. 

T[K]

 

1

 

7

 

35

 

75

 

290

 

870

 

2600

 

F[-]

 

1,003

 

1,023

 

1,12

 

1,26

 

2

 

4

 

10

 

F

dB

[dB]

 

0,014

 

0,1

 

0,5

 

1

 

3

 

6

 

10

 

  

Pomiar współczynnika szumów 

 

Pomiar Te jest prosty, gdy R umieścić w T = 0 i mierzyć moc szumów wyjściowych 
wzmacniacza.  

 

Praktycznie trzeba uŜyć 2 źródła szumów o znanych temperaturach, np.: T1 = 290K, T2 = 77K.  

 

Dla obu źródeł mierzymy moce P1 i P2:  

 

 

Obliczamy wartość współczynnika Y: 

 

background image

 

246 

 

Obliczenia końcowe: 

 

 

 

Rys.5.58. Schemat ideowy układu do pomiaru współczynnika szumów tzw. metodą Y. 

  

Szumy diod, detektorów i mieszaczy 

 

W układach z przyrządami półprzewodnikowymi występują poza znanym: 

szumem termicznym "białym", 

takŜe inne mechanizmy generacji szumów: 

szumy śrutowe

, teŜ "białe", 

szumy migotania

tzw. 

1/f

których gęstość maleje odwrotnie 

proporcjonalnie do f. 

 

Szumy 1/f istotnie zmieniają poziom szumów detektora diodowego dla f < 100 kHz: 

 

 

t(f) - względna temperatura szumów diody,  

 

fn - częstotliwość odcięcia szumów migotania, 

 

 

Częstotliwość odcięcia fn ~ I0, rośnie z prądem polaryzacji diody.  

 

PowyŜej fn moŜna przyjąć: t 

 1.  

background image

 

247 

 

  

Rys.5.59. Względna temperatura t(f) szumów diody Schottky'go dla róŜnych prądów polaryzacji 

 

Częstotliwość pośrednia mieszaczy jest zwykle duŜo większa od fn, sygnał wyjściowy nie zawiera 
szumów migotania.  

 

O wartości współczynnika szumów F mieszacza decydują jego straty przemiany L: 

 

 

Czułość styczna

 detektora TSS (ang. Tangential Signal Sensitivity) jest praktycznym parametrem 

detektora. 

Eksperyment: 

 

Sygnał wyjściowy detektora jest wzmacniany i obserwowany na ekranie oscyloskopu.  

 

Sygnał wejściowy w.cz. jest modulowany w amplitudzie. 

 

Rys.5.60. Idea pomiaru czułości stycznej detektora diodowego 

 

Dla małych mocy sygnału efekt detekcji jest niewidoczny na tle "trawki" - a).  

 

Sygnał o mocy Ps uniósł "trawkę" do jej wysokości -b) 

 

background image

 

248 

 

Parametr TSS uwzględnia szumy detektora i wzmacniacza.  

 

  

Rys.5.61. Obrazy wzmocnionego napięcia wyjściowego detektora widoczne na ekranie oscyloskopu. a) W 

obrazie dominują szumy, poziom mocy niewielki.  

b) “Trawka” uniesiona do jej wysokości dzięki detekcji mocy mikrofalowej 

  

Szumy przestrzeni kosmicznej 

* Radiolinia - szumy tła 300 K. 

 

Telekomunikacja satelitarna - szumy tła 3...5 K 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

background image

 

249 

 

Telekomunikacyjne zastosowania w.cz. 

 

Radiolinia – Równanie transmisji mocy 

 

Struktura łącza radiowego pokazana na rys.5.63. 

 

 

Nadajnik

 wysyła moc P

N

 anteną o wzmocnieniu G

N

. Gęstość mocy w miarę oddalania zmienia 

się jak 1/R

2

. Gęstość mocy S w odległości R: 

 

 

Moc P

O

 odbierana przez 

odbiornik: 

 

 

Tutaj A

ef

 jest skuteczną powierzchnią anteny odbiorczej. MoŜna ją zapisać wykorzystując 

parametr wzmocnienia anteny odbiorczej: 

 

 

Dochodzimy do 

równania transmisji mocy

 

Wniosek: 

 

Moc odbierana przez odbiornik zaleŜy od wzmocnień obu anten.  

 

Moc odbierana maleje jak 1/R

2

Uwaga: 

 

Iloczyn G

N

G

O

λ

 

2

 nie maleje ze wzrostem częstotliwości jak 1/f

2

, gdyŜ wzrastają wzmocnienia. 

 

Rys.5.63. Uproszczona struktura łącza radiowego. 

  

background image

 

250 

 

Równanie transmisji mocy pozwala porównać tłumienie sygnału przy transmisji w wolnej 
przestrzeni i linią transmisyjną.  

 

Transmisja w wolnej przestrzeni jest zdecydowanie korzystna na duŜe odległości, np. transmisja 
satelitarna, międzysatelitarna.  

 

Przy odległościach kilometrów – setek kilometrów najlepsze rezultaty osiąga się przy uŜyciu 
ś

wiatłowodu, o najmniejszym znanym tłumieniu. 

 

Rys.5.64. Porównanie tłumienia dla transmisji sygnału w wolnej przestrzeni i linią transmisyjną

  

Radiolinia – Nadajnik i Odbiornik 

 

Rys.5.65. Schemat ideowy nadajnika radiolinii. W przypadku uŜycia modulacji częstotliwości sygnał 

doprowadzony jest bezpośrednio do oscylatora. 

background image

 

251 

 

  

Rys.5.66. Schemat ideowy odbiornika. W zaleŜności od typu modulacji sygnał IF jest róŜnie traktowany. 

Radiolinia – Multipleksacja 

 

Łączem radiowym przesyłamy zwykle wiele informacji, rozmów, kanałów telewizyjnych, często z 
róŜnymi typami modulacji.  

 

KaŜda z informacji moduluje jedną nośną. Sygnały sumujemy, wzmacniamy i transmitujemy do 
anteny. Po stronie odbiornika wzmacniamy mieszamy i filtrujemy. 

 

Rys.5.67. Łącze radiowe z wieloma nośnymi do jednoczesnego przesyłania wielu informacji. 

  

Radar - zasada działania 

 

Radar (Radio Detection and Raging) jest znaczącym zastosowaniem techniki mikrofalowej.  

 

Moc P

nadajnika daje gęstość w sąsiedztwie obiektu gęstość S

N

 równą: 

 

 

Obiekt odbija w stronę odbiornika część mocy 

gdzie 

σ

 to przekrój czynny.  

 

Moc powracająca maleje jak 1/4

π

 R

2

, moc odebrana przez odbiornik  

 

background image

 

252 

 

Najmniejsza moc detekowalna przez odbiornik wynosi P

O

 = P

MIN

, równanie zasięgu radaru: 

 

  

 

Rys.5.68. Zasada działania radaru, monostatycznego, gdy nadajnik i odbiornik korzystają z tej samej 

anteny i bistatycznego, gdy anteny nadawcza i odbiorcza są rozdzielone. 

  

  

Radar impulsowy 

 

Silny, krótki (0,1...1

µ

 s) impuls o mocy kilka MW zostaje wypromieniowany w kierunku celu.  

 

Przełącznik przestawia się z N na O i nasłuchuje echa.  

 

Mała część mocy odbitej od obiektu wraca po czasie 

τ

 = 2l/c, pomiar czasu (1

µ

 s = 150m) daje 

odległość.  

 

Kierunkowość anteny i jej połoŜenie pozwala określić kierunek, w którym znajduje się obiekt.  

 

Antena obraca się powoli, a wiązka wraz z nią, w kaŜdej sekundzie wysyła wiele impulsów. 

 

Rys. 5.69. Schemat ideowy radaru impulsowego. 

  

Radar Doppler’owski 

background image

 

253 

 

Cel “oświetlony” sygnałem o częstotliwości f

C

 wysłanym z anteny przesuwa się w stronę anteny z 

prędkością v. Część mocy padającej odbija się i wraca do anteny. Sygnał odbity zmienia swoją 
częstotliwość o f

D

, efekt Doppler’a:  

  

 

 

Rys.5.70. Schemat ideowy radaru wykorzystującego efekt Doppler’a do pomiaru prędkości. 

  

 

Częstotliwość sygnału odbitego jest większa lub mniejsza w zaleŜności od tego, czy obiekt się 
zbliŜa, czy teŜ oddala. Fakt ten moŜna wykryć.  

 

Radary dopplerowskie stosowane przez policje drogowe,  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

background image

 

254 

 

Zadania i problemy 

 

Pytania sprawdzające . 

1.

 

Scharakteryzuj wzmacniacz transmisyjny i odbiciowy. Jak ze wzmacniacza odbiciowego 
utworzyć wzmacniacz transmisyjny.  

2.

 

Co to znaczy, Ŝe wzmacniacz jest stabilny warunkowo i bezwarunkowo? Zilustruj oba warunki na 
płaszczyźnie zespolonej współczynnika odbicia.  

3.

 

Co to jest współczynnik stabilności K?  

4.

 

Zdefiniuj dysponowane wzmocnienie mocy.  

5.

 

Zdefiniuj unilateralne wzmocnienie mocy.  

6.

 

Wymień typy tranzystorów, które mogą pracować przy najwyŜszych częstotliwościach.  

7.

 

W jaki sposób z trójzaciskowego elementu jakim jest tranzystor tworzymy dwuwrotnik?  

8.

 

Jakie wartości przyjmują współczynniki macierzy rozproszenia tranzystorów mikrofalowych 
bipolarnych i FET, jak wartości te zmieniają się z częstotliwością?  

9.

 

Narysuj podstawową strukturę jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego i opisz rolę 
wejściowego i wyjściowego obwodów wzmacniacza..  

10.

 

Wymień i zdefiniuj podstawowe parametry wzmacniacza tranzystorowego.  

11.

 

Co to znaczy, Ŝe wzmacniacz tranzystorowy jest przyrządem nieliniowym i co z tego wynika?  

12.

 

Wymień podstawowe elementy generatora mikrofalowego.  

13.

 

Bilans mocy generatora, moc dodatnia i ujemna, warunki stanu ustalonego.  

14.

 

Warunek admitancyjny generacji, jak do niego dochodzimy, jak go graficznie interpretujemy?  

15.

 

Warunek reflektancyjny generacji, jak do niego dochodzimy, jak go graficznie interpretujemy?  

16.

 

Porównaj mechanizmy powstawania ujemnej rezystancji w diodach Gunn’a i lawinowej.  

17.

 

Narysuj podstawową strukturę oscylatora tranzystorowego i wyjaśnij rolę i działanie jego 
elementów.  

18.

 

Jak w oscylatorze tranzystorowym ustalamy częstotliwość oscylacji?  

19.

 

Wymień sposoby przestrajania generatorów mikrofalowych.  

20.

 

Opisz struktury układów generatorów mikrofalowych: z rezonatorem falowodowym i diodami 
generacyjnymi, tranzystorowe z rezonatorem YIG, z waraktorem rezonatorem dielektrycznym.  

21.

 

Wymień podstawowe rodzaje modulacji i opisz ich składniki widma.  

22.

 

Narysuj strukturę łącza radiowego, napisz i objaśnij równanie transmisji mocy.  

23.

 

Narysuj schemat ideowy nadajnika radiolinii i objaśnij jego działanie, powtórz to dla odbiornika.  

24.

 

Opisz układ transmisji sygnału z wieloma nośnymi.  

25.

 

Zasada działania radaru, od czego zaleŜy jego zasięg.  

26.

 

Objaśnij zasadę działania radaru impulsowego.  

27.

 

Objaśnij zasadę działania radaru doplerowskiego. 

  

Pytania Egzaminacyjne 

1.

 

Bezwarunkowa i warunkowa stabilność wzmacniacza, zdefiniuj je i podaj ilustrację graficzną.  

2.

 

Definicje wzmocnienia mocy wzmacniacza.  

3.

 

Podstawowa struktura wzmacniacza tranzystorowego, rola obwodów wejściowego i wyjściowego 
przy maksymalizacji wzmocnienia unilateralnego i minimalizacji odbić.  

4.

 

Bilans mocy generatora.  

5.

 

Reflektancyjny i admitancyjny warunki generacji; opisz i podaj ilustrację graficzną.  

background image

 

255 

6.

 

Podstawowa struktura oscylatora tranzystorowego, opisz krótko obwody strojenia z rozmaitymi 
rezonatorami.  

7.

 

Do diody Schottky’go doprowadzono 2 sygnały o róŜnych częstotliwościach. Jakie są produkty 
przemiany i jak są wykorzystywane?  

8.

 

Mieszacz diodowy, zasada działania i parametry.  

9.

 

Opisz sposoby uzyskania: modulacji częstotliwości, modulacji amplitudy i modulacji fazy 
sygnału.  

10.

 

Co to są szumy termiczne, zdefiniuj zastępczą temperaturę szumów i współczynnik szumów 
wzmacniacza.  

11.

 

Opisz układ funkcjonalny i działanie łącza radiowego.  

12.

 

Opisz podstawowe układy radarów do pomiaru odległości i prędkości.