Podstawowe ustawienia i zadawanie parametrów R, L, C w programie ATPDraw 

 

ATP

SETTINGS

SIMULATION
delta_T: 4.0e-5     Simulation type
Tmax: 0.120          Time domain
Xopt: ?                   Frequency scan
Copt: ?                   Harmonic (HFS)

OUTPUT
Print freq: 100
Plot freq:    25

   
 !"#$"%%!!

&&%!!   

 &'(" )!* !+(,%!!#!!!  *

Krok czasowy rezultatów w pliku wynikowym: nazwa.pl4
delta_T * Plot freq=4.0e-5 * 25=100e-5=1e-3 [s]=1 [ms] 

mamy więc 

wyniki symulacji zapisane co 1 ms, co odpowiada idealnemu próbkowaniu 
z częstotliwoscią: fp=1/(1e-3)=1000 Hz.

 

 
 

Zadawanie wartości rezystancji, pojemności i indukcyjności 

Rezystancja: 
R [Ω] 
 
Pojemność: 
Copt:0 

 C [µF] 

Copt:50 

 ωC [µS]= ωC [mho*10

–6

] 

 
Przykład 1. W programie ATPDraw zadać pojemność poprzeczną odcinka linii o dł. 1 km dla składowej zgodnej, która 
wynosi 13 nF na dwa różne sposoby: 
Copt:0 

 C=13e-9=13e-3*1e-6=0.013 [µF] 

Copt:50

 ωC=2*π*50*13e-9 [S]= π*100*13e-9 [S]= π*1.3*1e-6 [S]= π*1.3 [µS]= 4.0841 [µS] 

 
 
 
Indukcyjność: 
Xopt:0 

 L [mH] 

Xopt:50 

 ωL [Ω] 

 
Przykład  2.  W  programie  ATPDraw  zadać  indukcyjność  odcinka  linii  o  dł.  1  km  dla  składowej  zgodnej,  która  wynosi 
0.00103 H na dwa różne sposoby: 
Xopt:0 

 L=1.03*1e-3=1.03 [mH] 

Xopt:50

 ωL=2*π*50*1.03*1e-3 [Ω]=0.3236 [Ω]