Gliwice, 10.03.2009r.

Laboratorium z elektroniki

 i miernictwa

Tranzystor bipolarny.

Sekcja 2.

Baszczok Krzysztof

Drzewiecki Michał

Momot Łukasz

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z teoria wyjaśniającą działanie

tranzystora, podstawowymi modelami tranzystora, jego właściwościami w układzie
pracy WE oraz podstawowymi parametrami technicznymidla tego układu pracy.
Program ćwiczenia obejmuje wyznaczenie charakterystyk statycznych i prądów
zerowych oraz wykorzystanie tych pomiarów do wyznaczania parametrów modeli
tranzystora.

2. Schematy, pomiary, obliczenia i charakterystyki.

Schematy.

Pomiary były prowadzone na następującym układzie:

oraz

Obliczenia.

Dla mierzonego tranzystora należało przeprowadzic obliczenia analizy
małosygnałowej dla 
I

b 

= 40µA i U

ce

 = 5V.

h

11 e

=

 U

BE

 I

B

=

0,62 V

40µA

≈ 15,5 k 

h

12 e

=

 U

BE

 U

CE

=

0,62 V

5V

≈ 0,124

h

21e

=

 I

C

 I

B

=

2,74 mA

40µA

≈ 68,5

h

22 e

=

 I

C

 U

CE

=

2,77 mA

5V

≈ O ,554 mS

Wzmocnienie β dla charakterystyki normalnej oraz inwersyjnej.



n

=

I

C

I

B

=

1,05 mA

20µA

≈ 52,5



i

=

I

C

I

B

=

1,25 mA

200µA

≈ 6,25

Wnioski.

Z uzyskanych pomiarów otrzymaliśmy wykresy zbliżone do charakterystyk
podręcznikowych.  Nasze pomiary  ( w odróżnieniu od innych sekcji ) dokonane
zostały dla tranzystora BC211 z dodatkowym kondensatorem. 
Otrzymane przez nas charakterystyki nie odbiegają kształtem od oczekiwanych,
dlatego też sądzimy, że nasze pomiary nie są obarczone zbyt dużym błędem.