Kondensator MOS
Metal Oxide Semiconductor
Budowa kondensatora MOS.
Si(p)
B
SiO
2
Al
G
G – bramka
B – podłoŜe
Wpływ polaryzacji bramki na właściwości obszaru granicznego
Si – SiO
2
pod bramką kondensatora MOS.
G
-
- - - - - -
+ + + + + +
+
+
+
+
+
+
+
+
Si(p)
+
+
+
B
+
U
GB
< 0 - akumulacja
+
+
+
+
Obszar wzbogacony
-
-
-
-
Obszar zuboŜony
U
GB
> 0 - zuboŜanie
G
+
+ + + + + +
+
+
+
+
+
+
+
+
Si(p)
+
+
+
B
-
+
+
-
-
-
-
U
GB
>> 0 - inwersja
Warstwa inwersyjna
Obszar zuboŜony
+
+
+
+
+
+
+
+
Si(p)
+
+
+
B
-
G
++
+ + + + + +
-
-
-
- - -
+
+
-
-
-
-
-
-