Dioda pojemnościowa 

 

 

Symbol diody pojemnościowej (

A

 

– anoda, 

K

– katoda) 

Dioda pojemnościowa

 

– 

dioda półprzewodnikowa

, w której wykorzystuje się zjawisko 

zmiany 

pojemności

 

złącza p-n

 

pod wpływem zmiany 

napięcia

przyłożonego w kierunku 

zaporowym. Zmiana pojemności diody jest bardzo niewielka, zazwyczaj od 6 

pF

 do 20 pF, przy 

zmianach napięcia zazwyczaj 2-20 

V

[1]

. 

Konstrukcja złączy stosowanych w diodach pojemnościowych jest specjalnie przystosowana do 

wykorzystania tej właściwości; 

półprzewodnik

, diody pojemnościowe są wykonywane zazwyczaj 

z 

krzemu

 lub 

arsenku galu

. Diody pojemnościowe są zoptymalizowane pod względem możliwości 

wykorzystania 

pojemności barierowej

 

złącza. 

Wyróżnia się dwa rodzaje diod pojemnościowych: 



 

Warikapy

 (od 

vari

able 

cap

acitance, zmienna pojemność), o pojemności rzędu 10-500 pF, 

używane głównie w układach automatycznego strojenia jako elementy 

obwodów 

rezonansowych

. 



 

Waraktory

 (od 

var

iable re

actor

, zmienna 

reaktancja

), o pojemności rzędu 0,2-20 pF, 

używane głównie w zakresie wysokich częstotliwości, jak również mikrofalowym (5-200 GHz); 

znajdują zastosowanie np. w 

powielaczach częstotliwości

. 

Charakterystyka diody pojemnościowej 

 

Zależność pojemności diody od napięcia 

Diodę charakteryzują dwie skrajne pojemności: 

 oraz 

. 

Pojemność 

 

jest osiągana dla dużych napięć: 

 

jest bliskie maksymalnemu napięciu 

wstecznemu. Pojemność 

 

na ogół określa się przy zerowym lub bliskim zeru napięciu 

polaryzacji diody 

 

– pojemność ta jest rzędu 

pikofaradów

. 

Pojemność 

 

jest w przybliżeniu proporcjonalna do 

; 

 

w zależności od 

materiału i konstrukcji złącza. 

Przy budowaniu diod pojemnościowych dąży się do zmaksymalizowania 

współczynnika 

przestrajania

: 

. Parametr, ten określa jak zmienia się pojemność w wyniku 

zmiany napięcia, nazywany jest 

czułością

 

i określony jest zależnością: 

. 

Pojemność diody pojemnościowej określa wzór: 

 

gdzie: 



 

 

– parametr opisujący wysokość bariery potencjału diody, 



 

 

– napięcie przyłożone do diody, 



 

 

– współczynnik, który dla złączy skokowych przyjmuje wartość 1/2, a dla złączy 

liniowych 1/3.