1.Podać zależności termiczne dla tych parametrów:u 
n

i

-samoistna koncentracja nośników, zależność termiczna jest 

zależnością silną, praktycznie ekspotencjalną. Wartość jej 
rośnie wraz z wzrostem temp. n

i

=AT

3/2

exp(-W

go

/2kt) 

σ

i

-konduktywność, silnie zależy od temp. Inaczej dla 

półprzewodnika samoistnego, inaczej dla półprzewodnika 
domieszkowego 

 

 

u-ruchliwość, to inaczej współczynnik proporcjonalności 
u(T)=u

0

(T/T

0

)

-K

=BT

-K

~T

-K

 w zależności od domieszkowania 

jego wartość z wzrostem temp. Maleje 
3.Przedstawić modele nałosygnałowe(m.cz.)elementów 
idealnych:diody i tranzystora bipolarnego. Jak temp. I prądy 
polaryzujące rozważanych elementów wpływają na parametry 
tych modeli? 
Dioda: 
 r

d

 rośnie wraz z wzrostem 

temp i(u)=I

s

(exp u/U

T

 -1) 

I

CEO

=(β+1)I

CBO

 

β=β

0

[1+a(T-T

0

)] 

tranzystor bipolarny: 

 

2-krotny wzrost I

CBO

 przy wzroście temp o każde 10

O

 

4.Narysować charakterystyki statyczne tranzystora MOS z 
kanałem n dla dwóch temp