ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 

–

 LABORATORIUM

 

 
 

Paweł  
Stanisław  
GR. 2;  17.12.2011 
 

Tak to było  zaliczone      

Ćwiczenie  6 
Właściwości  małosygnałowe tranzystora bipolarnego  
 
 

1.  Pomiar zależności  

 

 

W celu wyznaczenia zależności 

  badaliśmy zmiany napięcia

   w funkcji 

częstotliwości   .  
W czasie badania wartości elementów obwodu, oraz napięć zasilania były niezmienne 
jedynym parametrem który zmienialiśmy była częstotliwość generatora , częstotliwość ta 
była zmieniana w zakresie od 100Hz do  5MHz. 
Na podstawie odczytanych wartości napięć  

   znając wartość napięcia generatora 

  oraz wartości elementów R

3

=3,9kΩ oraz  R

1

=10Ω  obliczyliśmy wartości 

h

21e

  korzystając ze wzoru      

   

np. dla częstotliwości  f=50kHz  u

ce 

– wynosiło 1,08V   

250,71 

Dla wyznaczenia częstotliwości charakterystycznej h

β, 

 jako punkt odniesienia przyjęto  

h

21e 

 dla f=1kHz ponieważ jest to częstotliwość środkowa odcinka charakterystyki dla 

której parametr  h

21e

  w znacznym stopniu nie zmienia się. 

Przy wyznaczaniu parametru h

β

 korzystamy z zależności   |h

21e

(f)| = |h

21e

(f

β

)|∙

    po 

przekształceniu    |h

21

(f

β

)| =

 

Obliczenia : 

   

R

1

 = 10Ω,  R

3

 = 3900Ω, 

 

dla f=1kHz  U

ce

=1,32V ; U

g

=1,68V 

         

            

   

   

                  h

21e

dla fβ 

=

 = 

 

        

    Do wyznaczenia  częstotliwości  f

T

   wybieramy  częstotliwość  z części środkowej 

charakterystyki z zakresu opadania  np.  f

p

=200 kHz  

dla tej częstotliwości  U

ce

=0,5V ; U

g

=1,68V 

 

                      

   

 

                              

  

 
                              

               

  Tak to było     

  Czas przelotu mniejszościowych nośników nadmiarowych  nadmiarowych  przez bazę 

   tranzystora  t

t

N

 obliczamy korzystając ze wzoru       

 

 
 

      

  

 

  
 2.  Wartość rezystancji wejściowej obliczamy ze wzoru:     

  

        

          potencjał termiczny U

T

26mV 

                      

         

  

    

      Parametr h

11e

  wyznaczajmy ze wzoru:         

                                                            

        

  

     
      korzystając ze wzoru        

   

 
      obliczamy rezystancję rozproszoną   

 

 
  
 3. Wartość konduktancji wyjściowej  g

ce  

obliczmy korzystając ze wzoru : 

 

 

    

 

       Podstawiając wyniki pomiarów  z zadania laboratoryjnego nr 4 otrzymujemy 
 

       

   

 

4. Wartość pojemności C

bc

  obliczamy korzystając ze wzoru: 

 

    Podstawiając wyniki  pomiarów z zadania laboratoryjnego nr 5 otrzymujemy  
   

     

 

     

     Wartość pojemności C

e

  obliczamy korzystając ze wzoru: 

 

       

 30,717[nF]  

 
 
 

 
Tak to było     

5. Wartość wzmocnienia napięciowego obliczamy według wzoru :  
      

 

    Podstawiając wyniki  pomiarów napięć z zadania laboratoryjnego nr 3  otrzymujemy; 

       

 

 

      

  

 

      

 

 
    Podstawiając wyniki obliczeń z poprzednich zadań : 
 
      

 

 
     G2=1/R

2 

=1/100 =1 [mS];  

    transkonduktancję  g

m   

obliczamy ze wzoru : 

 

    

  

 
 

      

 

 
 
 
 
 
 
 
 

 
Tak to było