UA1    Termin2: 1.02.2011 

Zadanie 1a. 

Dla układu pokazanego na rysunku: 
a)  dla klucza 

K

 zwartego oblicz wartość napięcia 

wyjściowego 

U

wy

,  

b)  dla klucza 

K

 zwartego podaj zakres wartości rezystora 

R2

, dla którego tranzystor T1 będzie pracował w 

obszarze nasycenia (pentodowym) – przyjmij minimalną 
wartość napięcia 

U

DS

 dla tego zakresu równą:  

U

DSmin

 = –

U

T

 , 

c)  dla klucza 

K

 zwartego podaj zakres wartości rezystora 

R4

, dla którego tranzystor T3 będzie pracował w 

obszarze aktywnym (przyjmij jako granicę obszaru 
nasycenia i aktywnego wartość napięcia 

U

CE

 = 

U

CEsat

 = 

U

BEF

 = 0,7V), 

d)  dla klucza 

K

 rozwartego oblicz wartość napięcia 

wyjściowego 

U

wy

, 

Dane:  

R1

 = 1M

Ω

, 

R2

 = 1k

Ω

, 

R3

 = 1k

Ω

, 

R4

 = 1k

Ω

, 

R5

 = 1k

Ω

 

T2, T3

:   

U

BEF

 = U

CEsat

 

= –0.7 V ,  

β

 >> 1          

T1:  I

DSS

 =

 4mA,  

U

T

 =

 U

GSoff

 = –2V , 

I

G

 = 0 

 

dla obszaru nasycenia:

       

(

)

2

2

2

1











−

=

−

=

T

GS

DSS

T

GS

T

DSS

D

U

U

I

U

U

U

I

I

 

 
 
 
 
 
 
 
 

 

UA1    Termin2: 1.02.2011 

Zadanie 1b. 

Dla układu pokazanego na rysunku: 
a)  dla klucza 

K

 zwartego oblicz wartość napięcia 

wyjściowego 

U

wy

,  

b)  dla klucza 

K

 zwartego podaj zakres wartości 

rezystora 

R2

, dla którego tranzystor T1 będzie 

pracował w obszarze nasycenia (pentodowym) – 
przyjmij minimalną wartość napięcia 

U

DS

 dla tego 

zakresu równą:  

U

DSmin

 = –

U

T

 , 

c)  dla klucza 

K

 zwartego podaj zakres wartości 

rezystora 

R4

, dla którego tranzystor T3 będzie 

pracował w obszarze aktywnym (przyjmij jako 
granicę obszaru nasycenia i aktywnego wartość 
napięcia 

U

CE

 = 

U

CEsat

 = 

U

BEF

 = 0,7V), 

d)  dla klucza 

K

 rozwartego oblicz wartość napięcia 

wyjściowego 

U

wy

, 

Dane:  

R1

 = 1M

Ω

, 

R2

 = 1k

Ω

, 

R3

 = 1k

Ω

, 

R4

 = 1k

Ω

, 

R5

 = 1k

Ω

 

T2, T3

:   

U

BEF

 = U

CEsat

 

= 0.7 V ,  

β

 >> 1          

T1:  I

DSS

 =

 –4mA,  

U

T

 =

 U

GSoff

 = 2V , 

I

G

 = 0 

 

dla obszaru nasycenia:

       

(

)

2

2

2

1











−

=

−

=

T

GS

DSS

T

GS

T

DSS

D

U

U

I

U

U

U

I

I

 

R1

R2

R4

R5

wy

U

D

S

G

Ucc=12V

T1

T2

T3

R3

K

R1

T2

R2

R4

R5

wy

U

D

S

G

Ucc=12V

T1

T3

R3

K