Krzywa t

1

  - stan odcięcia – odpowiada połoŜeniu A punktu pracy.

 

Prosta t

4

 - stan nasycenia – odpowiada  połoŜeniu B punktu pracy.

 

Prosta  t

2

  -  obszar  pracy  aktywnej  -  do  chwili  osiągnięcia  napięcia  na

kolektorze U

CE

 = U

CEsat.

 

Prosta t

3

 – odpowiada połoŜeniu B

1

 punktu pracy.

Wejście w tzw. głębokie nasycenie prowadzi do podwyŜszenia koncentracji

nośników mniejszościowych  (elektronów)  w  bazie,  do  poziomu  ograniczonego
przebiegiem t

4

.

W  wyniku  wstrzykiwania  nośników  przez  złącze  emiterowe  oraz

kolektorowe, w bazie gromadzi się ładunek przesterowania.

x

n

p

Emiter

Kolektor

Baza

0

W

B

N

N

P

ładunek przesterowania

t

2

t

1

t

3

t

4

koncentracja

równowagowa

Zmiany rozkładów koncentracji elektronów w bazie tranzystora

podczas procesu włączania.